JPH0328517Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0328517Y2 JPH0328517Y2 JP18619181U JP18619181U JPH0328517Y2 JP H0328517 Y2 JPH0328517 Y2 JP H0328517Y2 JP 18619181 U JP18619181 U JP 18619181U JP 18619181 U JP18619181 U JP 18619181U JP H0328517 Y2 JPH0328517 Y2 JP H0328517Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- collector
- conductivity type
- layer
- region
- resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
考案の技術分野
この考案はマルチコレクタトランジスタのコレ
クタ用として形成されたShallowN+層と該
ShallowN+層上に分割された電極取り出し用の
コンタクトホール間を抵抗として用いた半導体素
子に関する。
クタ用として形成されたShallowN+層と該
ShallowN+層上に分割された電極取り出し用の
コンタクトホール間を抵抗として用いた半導体素
子に関する。
考案の技術的背景
第１図は出力トランジスタを示している。図に
示すようにトランジスタQ1はコレクタ電極を２
つ有している。そして、一方のコレクタ電極には
負荷抵抗Ｒを介してコレクタ電圧Vccが供給され
る。そして、電流Ipに従つて上記負荷抵抗Ｒの電
圧降下をＡ点で検出する様になつている。
示すようにトランジスタQ1はコレクタ電極を２
つ有している。そして、一方のコレクタ電極には
負荷抵抗Ｒを介してコレクタ電圧Vccが供給され
る。そして、電流Ipに従つて上記負荷抵抗Ｒの電
圧降下をＡ点で検出する様になつている。
背景技術の問題点
しかし、従来このような回路をモノリシツク
IC（プレーナ構造）にする場合、トランジスタQ1
の他に抵抗Ｒを外付けに形成する必要があつた。
この為、スペースメリツトが悪いという欠点があ
つた。これは数Ωの抵抗が現在までモノリシツク
ICで精度良く形成する事ができなかつたからで
ある。
IC（プレーナ構造）にする場合、トランジスタQ1
の他に抵抗Ｒを外付けに形成する必要があつた。
この為、スペースメリツトが悪いという欠点があ
つた。これは数Ωの抵抗が現在までモノリシツク
ICで精度良く形成する事ができなかつたからで
ある。
考案の目的
この考案は上記の点に鑑みてなされたもので、
その目的はマルチコレクタトランジスタのコレク
タ用として形成されたShallowN+層と、該
ShallowN+層上に分割された電極取り出し用の
コンタクトホール間を抵抗として用い、スペース
メリツトの良い半導体素子を提供することにあ
る。
その目的はマルチコレクタトランジスタのコレク
タ用として形成されたShallowN+層と、該
ShallowN+層上に分割された電極取り出し用の
コンタクトホール間を抵抗として用い、スペース
メリツトの良い半導体素子を提供することにあ
る。
考案の概要
マルチコレクタトランジスタのコレクタ用とし
て形成されたShallowN+層と、該ShallowN+と
該ShallowN+層上に分割された電極取り出し用
のコンタクトホール間を抵抗として用いている。
て形成されたShallowN+層と、該ShallowN+と
該ShallowN+層上に分割された電極取り出し用
のコンタクトホール間を抵抗として用いている。
考案の実施例
以下、図面を参照してこの考案の一実施例を説
明する。第２図はこの考案に係る半導体素子のパ
ターン平面図である。第２図において、１０はＮ
層、１１はN+コレクタ領域、１２はコレクタ電
極、１３はP+ベース電極、１４はN+エミツタ領
域、１５はエミツタ電極、１６はベース電極、１
７はP+分離領域である。
明する。第２図はこの考案に係る半導体素子のパ
ターン平面図である。第２図において、１０はＮ
層、１１はN+コレクタ領域、１２はコレクタ電
極、１３はP+ベース電極、１４はN+エミツタ領
域、１５はエミツタ電極、１６はベース電極、１
７はP+分離領域である。
次に、第３図は第２図に示したパターン平面図
のｂ−b′断面図である。図において、１８はN+
埋め込み層である。そして、P+分離領域１７間
にはＮ層１０が形成されている。さらに、上記Ｎ
層１０上にN+コレクタ領域１１が形成される。
そして、上記N+コレクタ領域１１上にはコンタ
クトホールH1，H2が設けられ、Al配線層１９が
形成されている。
のｂ−b′断面図である。図において、１８はN+
埋め込み層である。そして、P+分離領域１７間
にはＮ層１０が形成されている。さらに、上記Ｎ
層１０上にN+コレクタ領域１１が形成される。
そして、上記N+コレクタ領域１１上にはコンタ
クトホールH1，H2が設けられ、Al配線層１９が
形成されている。
また、第４図は第２図に示したパターン平面図
のａ−a′断面図である。図において、１８はN+
埋め込み層である。そして、P+分離領域１７間
にはＮ層１０が形成されている。そして、このＮ
層１０上にはN+コレクタ領域１１、P+ベース領
域１３、N+エミツタ領域１１４が形成される。
また、N+コレクタ領域１１は抵抗層としても用
いられる。このようにN+コレクタ領域１１を続
けたまま、コンタクトホールH1，H2を分離する
と、その間隔Ｄが抵抗として作用するため、第１
図に示した回路が同一素子内に形成することがで
きる。そして、N+コレクタ領域１１を抵抗とし
て用いたので、数Ωの抵抗を形成することができ
る。このため、第１図に示すようなマルチコレク
タトランジスタをアンプの出力段に用いた場合こ
の数Ωの抵抗をフイードバツク抵抗として用いて
最適なフイードバツクを行なうことができる。
のａ−a′断面図である。図において、１８はN+
埋め込み層である。そして、P+分離領域１７間
にはＮ層１０が形成されている。そして、このＮ
層１０上にはN+コレクタ領域１１、P+ベース領
域１３、N+エミツタ領域１１４が形成される。
また、N+コレクタ領域１１は抵抗層としても用
いられる。このようにN+コレクタ領域１１を続
けたまま、コンタクトホールH1，H2を分離する
と、その間隔Ｄが抵抗として作用するため、第１
図に示した回路が同一素子内に形成することがで
きる。そして、N+コレクタ領域１１を抵抗とし
て用いたので、数Ωの抵抗を形成することができ
る。このため、第１図に示すようなマルチコレク
タトランジスタをアンプの出力段に用いた場合こ
の数Ωの抵抗をフイードバツク抵抗として用いて
最適なフイードバツクを行なうことができる。
考案の効果
以上詳述したようにこの考案によれば、マルチ
コレクタトランジスタのコレクタ用として形成さ
れたShallowN+層と、該ShallowN+層に分割さ
れた電極取り出し用のコンタクトホール間を抵抗
として用いたので、スペースメリツトが良く、数
Ωの小さい抵抗を形成することができる半導体素
子を提供することができる。
コレクタトランジスタのコレクタ用として形成さ
れたShallowN+層と、該ShallowN+層に分割さ
れた電極取り出し用のコンタクトホール間を抵抗
として用いたので、スペースメリツトが良く、数
Ωの小さい抵抗を形成することができる半導体素
子を提供することができる。
第１図は出力トランジスタを示す回路、第２図
はこの考案に係る半導体素子のパターン平面図、
第３図は第２図に示したパターン平面図のｂ−
b′断面図、第４図は第２図に示したパターン平面
図のａ−a′断面図である。 １１…N+コレクタ領域、１２…コレクタ電極、
１３…P+ベース領域、１４…N+エミツタ領域、
１５…エミツタ電極、H1，H2…コンタクトホー
ル。
はこの考案に係る半導体素子のパターン平面図、
第３図は第２図に示したパターン平面図のｂ−
b′断面図、第４図は第２図に示したパターン平面
図のａ−a′断面図である。 １１…N+コレクタ領域、１２…コレクタ電極、
１３…P+ベース領域、１４…N+エミツタ領域、
１５…エミツタ電極、H1，H2…コンタクトホー
ル。
Claims (1)
- 第１導電型半導体基板内に形成された高濃度で
しかも浅い第１導電型コレクタ領域と、上記第１
導電型半導体基板内に形成された第２導電型ベー
ス領域と、この第２導電型ベース領域に形成され
た第１導電型エミツタ領域と、上記半導体基板上
に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成され
る第１及び第２のコレクタ電極と、上記第１及び
第２のコレクタ電極と上記第１導電型コレクタ領
域間の上記絶縁膜に設けられた第１及び第２のコ
ンタクトホールとを具備し、上記第１のコレクタ
電極に電源電圧を供給すると共に第１のコンタク
トホールと第２のコンタクトホール間の第１導電
型コレクタ領域を抵抗として用いることを特徴と
する半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18619181U JPS5892744U (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18619181U JPS5892744U (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 半導体素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5892744U JPS5892744U (ja) | 1983-06-23 |
| JPH0328517Y2 true JPH0328517Y2 (ja) | 1991-06-19 |
Family
ID=29987921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18619181U Granted JPS5892744U (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5892744U (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61221665A (ja) * | 1984-01-24 | 1986-10-02 | Rohm Co Ltd | 出力トランジスタの電流検出方法 |
| JP4609308B2 (ja) * | 2005-12-26 | 2011-01-12 | 株式会社デンソー | 半導体回路装置 |
| US9478537B2 (en) * | 2009-07-15 | 2016-10-25 | Cree, Inc. | High-gain wide bandgap darlington transistors and related methods of fabrication |
-
1981
- 1981-12-14 JP JP18619181U patent/JPS5892744U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5892744U (ja) | 1983-06-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0328517Y2 (ja) | ||
| JPS60181055U (ja) | 半導体インピーダンス構造 | |
| JPS6223098Y2 (ja) | ||
| JPS55117274A (en) | Semiconductor device | |
| JPH01130534U (ja) | ||
| JPS61183550U (ja) | ||
| JPS61106047U (ja) | ||
| JPS61166539U (ja) | ||
| JPS6210452U (ja) | ||
| JPH06204372A (ja) | 電力用トランジスタ | |
| JPS61162065U (ja) | ||
| JPS59110172A (ja) | プレ−ナ型ダイオ−ドを含む半導体集積回路装置 | |
| JPS58195455U (ja) | バイポ−ラｉｃ | |
| JPS63131152U (ja) | ||
| JPH0369177B2 (ja) | ||
| JPS6165762U (ja) | ||
| JPS6090850U (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0328724U (ja) | ||
| JPS58164250U (ja) | 半導体感温素子 | |
| JPH02106846U (ja) | ||
| JPH01116446U (ja) | ||
| JPS5849449U (ja) | 定電圧回路を形成した半導体装置 | |
| JPS6433756U (ja) | ||
| JPS61102057U (ja) | ||
| JPS6157541U (ja) |