JPS6090850U - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6090850U JPS6090850U JP4554584U JP4554584U JPS6090850U JP S6090850 U JPS6090850 U JP S6090850U JP 4554584 U JP4554584 U JP 4554584U JP 4554584 U JP4554584 U JP 4554584U JP S6090850 U JPS6090850 U JP S6090850U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate electrode
- electrode
- main
- layer
- auxiliary
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Thyristors (AREA)
- Thyristor Switches And Gates (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は増幅型ゲート構造を有する従来装置の半載断面
図、第２図は本考案による一実施例を示す半導体装置の
半載断面図。 １．６は主ゲート電極、２，７は第１および第２の副カ
ソード電極、３は補助ゲート電極、５゜８はダイオード
、４はターンオフ用電源、９はターンオフ用電源、１０
．１２はスイッチ、１１は電流制限用抵抗、Ｇはゲート
端子、Ｋはカソード端子、Ａはアノード端子。
図、第２図は本考案による一実施例を示す半導体装置の
半載断面図。 １．６は主ゲート電極、２，７は第１および第２の副カ
ソード電極、３は補助ゲート電極、５゜８はダイオード
、４はターンオフ用電源、９はターンオフ用電源、１０
．１２はスイッチ、１１は電流制限用抵抗、Ｇはゲート
端子、Ｋはカソード端子、Ａはアノード端子。
Claims (2)
- （１） 、 Ｐｉｔ Ｎ１− Ｐ２．Ｎ２４層３接合よ
り成る主サイリスタと、Ｐ□＝ Ｎ１．Ｐ２＊ Ｎ３４
層３接合より成る補助サイリスタとを一体化して形成し
、オンゲート電流により補助サイリスタを点弧しゲート
電流増幅後に主サイリスタを導通させ、−オフゲート電
流により消弧するようにしたものに於て、Ｎ２層の上部
に主カソード電極を、Ｎ２層周縁部の２２層の上部に主
ゲート電極と第１の剛力゛〉−ド電極を、Ｎ３層の上部
に第２の副カソード電極を、Ｎ３層周縁部の２２層の上
部に補助ゲート電極をそれぞれ設け、前記主ゲート電極
と前記第２の副カソード電極間に通流方向が第２の副カ
ソード電極より主ゲート電極の極性とした第１のダイオ
ードを接続すると共に、前記主ゲート電極と前記補助ゲ
ート電極間に通流方向が主ゲート電極より補助ゲート電
極の極性とした第２のダイオードを接続して、且つ前記
第１のダイオードと前記第２のダイオードとを接続する
接続点と、前記第１の副カソード、電極とを接続線を介
して接続して構成したこと番特徴とする半導体装置。 - （２）上記主ゲート電極をターンオフ用のゲート端子に
、上記補助ゲート電極をターンオフ用のゲート端子とし
た実用新案登録請求の範囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4554584U JPS6090850U (ja) | 1984-03-29 | 1984-03-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4554584U JPS6090850U (ja) | 1984-03-29 | 1984-03-29 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6090850U true JPS6090850U (ja) | 1985-06-21 |
| JPS633168Y2 JPS633168Y2 (ja) | 1988-01-26 |
Family
ID=30176062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4554584U Granted JPS6090850U (ja) | 1984-03-29 | 1984-03-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6090850U (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4938637U (ja) * | 1972-07-10 | 1974-04-05 |
-
1984
- 1984-03-29 JP JP4554584U patent/JPS6090850U/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4938637U (ja) * | 1972-07-10 | 1974-04-05 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS633168Y2 (ja) | 1988-01-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6090850U (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0328517Y2 (ja) | ||
| JPS61184332U (ja) | ||
| JPS59166452U (ja) | 増幅ゲ−ト構造のゲ−トタ−ンオフサイリスタ | |
| JPS599560U (ja) | 増幅ゲ−トタ−ンオフサイリスタ | |
| JPS59166453U (ja) | 増幅ゲ−ト構造のゲ−トタ−ンオフサイリスタ | |
| JPS5825052U (ja) | 増幅ゲ−ト型ゲ−トタ−ンオフサイリスタ | |
| JPS5870086U (ja) | ゲ−トタ−ンオフ・サイリスタのドライブ回路 | |
| JPS60109339U (ja) | 増幅ゲ−ト構造ゲ−トタ−ンオフサイリスタ | |
| JPS58527U (ja) | 固体直流スイツチ | |
| JPS61183550U (ja) | ||
| JPS60190055U (ja) | 光起電力装置 | |
| JPS58147019U (ja) | 電源保護回路 | |
| JPS5915142U (ja) | 透明座標スイツチ | |
| JPS5927477U (ja) | ゲ−トタ−ンオフサイリスタの遮断能力選別回路 | |
| JPS6022849U (ja) | プレ−ナ型半導体装置 | |
| JPS5863885U (ja) | ゲ−ト制御半導体素子の点弧損失低減回路 | |
| JPS62180962U (ja) | ||
| JPS60136159U (ja) | タ−ンオフサイリスタ | |
| JPS60153548U (ja) | ラテラル型トランジスタ | |
| JPH03112951U (ja) | ||
| JPS585108U (ja) | 基準電圧発生回路 | |
| JPS60106357U (ja) | 発光半導体素子 | |
| JPS60129158U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS60137453U (ja) | 半導体装置 |