JPS599560U - 増幅ゲ−トタ−ンオフサイリスタ - Google Patents

増幅ゲ−トタ−ンオフサイリスタ

Info

Publication number
JPS599560U
JPS599560U JP10488582U JP10488582U JPS599560U JP S599560 U JPS599560 U JP S599560U JP 10488582 U JP10488582 U JP 10488582U JP 10488582 U JP10488582 U JP 10488582U JP S599560 U JPS599560 U JP S599560U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gate
turn
amplification
amplification gate
thyristor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP10488582U
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0122275Y2 (ja
Inventor
久保　武春
Original Assignee
株式会社明電舎
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社明電舎 filed Critical 株式会社明電舎
Priority to JP10488582U priority Critical patent/JPS599560U/ja
Publication of JPS599560U publication Critical patent/JPS599560U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPH0122275Y2 publication Critical patent/JPH0122275Y2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Thyristors (AREA)
  • Thyristor Switches And Gates (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の増幅ゲートターンオフサイリスクの概略
構成を示す説明図、第２図は本考案に係る増幅ゲートタ
ーンオフサイリスタの概略構成を示す説明図である。 １．２・・・接合、３．６・・・ショットキーダイオ−
。 ド、４．５・・・ショットキーダイオード、７．８・・
・スイッチ、１１・・・増幅ゲート電極、１２・・・オ
フゲート電極、１３・・・ゲートオン及びオフ回路、１
３Ｆ、１３Ｎ・・・電源、１４・・・カソード電極、１
６・・・Ｎ層。

Claims (3)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. （１）ゲート埋込構造で且つ増幅ゲート構造のゲートタ
    ーンオフサイリスタにおいて、主ＧＴＯのカソード電極
    １４と増幅ゲート電極１１間に接続されたゲートオン及
    びオフ回路１３と、前記増幅ゲート電極１１と主ＧＴＯ
    のオフゲート電極１２を含むゲートオン電流経路に設け
    られオン電流が前記オフゲート電極１２に流れ込むのを
    阻止する電流阻止手段及びツェナーダイオード４を含む
    直列回路と、前記カソード電極１４と前記ツェナーダイ
    オード４のアノード間に接続され主ＧＴＯのカソード拳
    エミッタ接合のサージ電圧保護用ツェナーダイオード５
    とを備え、ターンオフ時に増幅ゲートのカソード・エミ
    ッタ接合に逆バイアスを印加させる機能と、ターンオフ
    時に増幅されたゲート電流が前記サージ電圧保護用ツェ
    ナーダイオード５を通って流れるのを防止する機能を前
    記ツェナーダイオード４にもたせたことを特徴とする増
    幅ゲートターンオフサイリスク。
  2. （２）前記電流阻止手段は、前記ツェナーダイオード４
    のアノードと前記増幅ゲート１１との間にオン電源１３
    Ｎに対して逆方向に接続されたショットキーダイオード
    ３であることを特徴とする実用新案登録請求の範囲第１
    項記載の増幅ゲートターンオフサイリスタ。
  3. （３）前記電流阻止手段は、前記オフゲート電極１２の
    下部に設けられたＮ層であることを特徴とする実用新案
    登録請求の範囲第１項記載の増幅ゲートターンオフサイ
    リスタ。
JP10488582U 1982-07-10 1982-07-10 増幅ゲ−トタ−ンオフサイリスタ Granted JPS599560U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10488582U JPS599560U (ja) 1982-07-10 1982-07-10 増幅ゲ−トタ−ンオフサイリスタ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10488582U JPS599560U (ja) 1982-07-10 1982-07-10 増幅ゲ−トタ−ンオフサイリスタ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS599560U true JPS599560U (ja) 1984-01-21
JPH0122275Y2 JPH0122275Y2 (ja) 1989-06-30

Family

ID=30246090

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10488582U Granted JPS599560U (ja) 1982-07-10 1982-07-10 増幅ゲ−トタ−ンオフサイリスタ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS599560U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6130259U (ja) * 1984-07-27 1986-02-24 株式会社明電舎 圧接形半導体装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6130259U (ja) * 1984-07-27 1986-02-24 株式会社明電舎 圧接形半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0122275Y2 (ja) 1989-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS599560U (ja) 増幅ゲ−トタ−ンオフサイリスタ
JPS5825052U (ja) 増幅ゲ−ト型ゲ−トタ−ンオフサイリスタ
JPS5815487U (ja) ゲ−トタ−ンオフサイリスタのゲ−ト駆動回路
JPS5837237U (ja) 増幅ゲ−ト構造のゲ−トタ−ンオフサイリスタ
JPS5866735U (ja) 半導体開閉装置
JPS60109339U (ja) 増幅ゲ−ト構造ゲ−トタ−ンオフサイリスタ
JPH0414929Y2 (ja)
JPS6090850U (ja) 半導体装置
JPS593634U (ja) 増幅ゲ−ト形ゲ−トタ−ンオフサイリスタのゲ−ト回路
JPS5828590U (ja) ゲ−トタ−ンオフ・サイリスタの制御回路
JPS60106357U (ja) 発光半導体素子
JPS5887484U (ja) Ｇｔｏサイリスタのゲ−ト回路
JPS5866878U (ja) ゲ−トタ−ンオフサイリスタのゲ−ト制御回路
JPS6014688U (ja) 電源回路
JPS59166452U (ja) 増幅ゲ−ト構造のゲ−トタ−ンオフサイリスタ
JPS5927477U (ja) ゲ−トタ−ンオフサイリスタの遮断能力選別回路
JPS60129731U (ja) ゲ−トタ−ンオフサイリスタのゲ−ト回路
JPS637991U (ja)
JPS58220470A (ja) 半導体装置
JPS6158883U (ja)
JPS61136317A (ja) 複合形スイツチ素子
JPS5965557U (ja) ゲ−トタ−ンオフサイリスタ
JPS60136159U (ja) タ−ンオフサイリスタ
JPS599643U (ja) ゲ−トタ−ンオフサイリスタのゲ−ト装置
JPS5995792U (ja) ゲ−ト回路