JPS5825052U - 増幅ゲ−ト型ゲ−トタ−ンオフサイリスタ - Google Patents

増幅ゲ−ト型ゲ−トタ−ンオフサイリスタ

Info

Publication number
JPS5825052U
JPS5825052U JP11855681U JP11855681U JPS5825052U JP S5825052 U JPS5825052 U JP S5825052U JP 11855681 U JP11855681 U JP 11855681U JP 11855681 U JP11855681 U JP 11855681U JP S5825052 U JPS5825052 U JP S5825052U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gate
thyristor
turn
amplification
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11855681U
Other languages
English (en)
Inventor
林 泰英
Original Assignee
株式会社明電舎
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社明電舎 filed Critical 株式会社明電舎
Priority to JP11855681U priority Critical patent/JPS5825052U/ja
Publication of JPS5825052U publication Critical patent/JPS5825052U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Thyristors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は従来の増幅ゲート型ゲートターンオ
フサ不すスタ構造図、第3図は本考案の′一実施例を示
す構造図、第4図、第5図、第6図及び第7図は本考案
の他の実施例を示す構造図である。 GTO・・・ゲートターンオフサイリスタ部、AG・・
・増幅ゲート部、D・・・ダイオード、Gl、G2゜G
3. G4. G5・・・ゲート電極。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. Pl、 N□、 P2. N2層を有するゲートターン
    オフサイリスタ部と同一ウェハ上にP□、N□、 P2
    . N3層を有して該ゲートターンオフサイリスタ部に
    オンゲート電流を供給する増幅ゲート部を有するゲート
    ターンオフサイリスタにおいて、上記22層にオフ専用
    ゲートを設け、このオフ専用ゲートへのオフ信号印加に
    よりゲートターンオフサイリスタ部のカソード接合回復
    後に増幅ゲート部を流れる電流を該サイリスタ部カソー
    ド直下のP2ベース中に流すことより発生させる電圧降
    下を増幅ゲート部のN3エミッタ接合を逆バイアスする
    ことを特徴とする増幅ゲート型ゲートターンオフサイリ
    スタ。
JP11855681U 1981-08-10 1981-08-10 増幅ゲ−ト型ゲ−トタ−ンオフサイリスタ Pending JPS5825052U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11855681U JPS5825052U (ja) 1981-08-10 1981-08-10 増幅ゲ−ト型ゲ−トタ−ンオフサイリスタ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11855681U JPS5825052U (ja) 1981-08-10 1981-08-10 増幅ゲ−ト型ゲ−トタ−ンオフサイリスタ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5825052U true JPS5825052U (ja) 1983-02-17

Family

ID=29912680

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11855681U Pending JPS5825052U (ja) 1981-08-10 1981-08-10 増幅ゲ−ト型ゲ−トタ−ンオフサイリスタ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5825052U (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS5825052U (ja) 増幅ゲ−ト型ゲ−トタ−ンオフサイリスタ
JPS599560U (ja) 増幅ゲ−トタ−ンオフサイリスタ
JPS5866656U (ja) ゲ−トタ−ンオフサイリスタ
JPS60109339U (ja) 増幅ゲ−ト構造ゲ−トタ−ンオフサイリスタ
JPS5837237U (ja) 増幅ゲ−ト構造のゲ−トタ−ンオフサイリスタ
JPS60136159U (ja) タ−ンオフサイリスタ
JPS5963450U (ja) 埋込ゲ−ト型ゲ−トタ−ンオフサイリスタ
JPS5842953U (ja) ゲ−トタ−ンオフサイリスタ
JPS5866735U (ja) 半導体開閉装置
JPS59166452U (ja) 増幅ゲ−ト構造のゲ−トタ−ンオフサイリスタ
JPS58118754U (ja) 増幅ゲ−ト構造のゲ−トタ−ンオフサイリスタ
JPS5927477U (ja) ゲ−トタ−ンオフサイリスタの遮断能力選別回路
JPS5963714U (ja) 定電流回路
JPS60134326U (ja) 高耐圧直流スイツチング回路
JPS5887484U (ja) Gtoサイリスタのゲ−ト回路
JPS60130657U (ja) フオトトランジスタ
JPS60137453U (ja) 半導体装置
JPS60172437U (ja) トランジスタのベ−ス駆動回路
JPS5939953U (ja) サイリスタ
JPS5828590U (ja) ゲ−トタ−ンオフ・サイリスタの制御回路
JPS60106357U (ja) 発光半導体素子
JPS6022026U (ja) トランジスタのベ−ス回路
JPS5815487U (ja) ゲ−トタ−ンオフサイリスタのゲ−ト駆動回路
JPS59126586U (ja) 負荷スイツチング回路
JPS6158883U (ja)