JPS5825052U - 増幅ゲ−ト型ゲ−トタ−ンオフサイリスタ - Google Patents
増幅ゲ−ト型ゲ−トタ−ンオフサイリスタInfo
- Publication number
- JPS5825052U JPS5825052U JP11855681U JP11855681U JPS5825052U JP S5825052 U JPS5825052 U JP S5825052U JP 11855681 U JP11855681 U JP 11855681U JP 11855681 U JP11855681 U JP 11855681U JP S5825052 U JPS5825052 U JP S5825052U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate
- thyristor
- turn
- amplification
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Thyristors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第1図及び第2図は従来の増幅ゲート型ゲートターンオ
フサ不すスタ構造図、第3図は本考案の′一実施例を示
す構造図、第4図、第5図、第6図及び第7図は本考案
の他の実施例を示す構造図である。 GTO・・・ゲートターンオフサイリスタ部、AG・・
・増幅ゲート部、D・・・ダイオード、Gl、G2゜G
3. G4. G5・・・ゲート電極。
フサ不すスタ構造図、第3図は本考案の′一実施例を示
す構造図、第4図、第5図、第6図及び第7図は本考案
の他の実施例を示す構造図である。 GTO・・・ゲートターンオフサイリスタ部、AG・・
・増幅ゲート部、D・・・ダイオード、Gl、G2゜G
3. G4. G5・・・ゲート電極。
Claims (1)
- Pl、 N□、 P2. N2層を有するゲートターン
オフサイリスタ部と同一ウェハ上にP□、N□、 P2
. N3層を有して該ゲートターンオフサイリスタ部に
オンゲート電流を供給する増幅ゲート部を有するゲート
ターンオフサイリスタにおいて、上記22層にオフ専用
ゲートを設け、このオフ専用ゲートへのオフ信号印加に
よりゲートターンオフサイリスタ部のカソード接合回復
後に増幅ゲート部を流れる電流を該サイリスタ部カソー
ド直下のP2ベース中に流すことより発生させる電圧降
下を増幅ゲート部のN3エミッタ接合を逆バイアスする
ことを特徴とする増幅ゲート型ゲートターンオフサイリ
スタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11855681U JPS5825052U (ja) | 1981-08-10 | 1981-08-10 | 増幅ゲ−ト型ゲ−トタ−ンオフサイリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11855681U JPS5825052U (ja) | 1981-08-10 | 1981-08-10 | 増幅ゲ−ト型ゲ−トタ−ンオフサイリスタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5825052U true JPS5825052U (ja) | 1983-02-17 |
Family
ID=29912680
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11855681U Pending JPS5825052U (ja) | 1981-08-10 | 1981-08-10 | 増幅ゲ−ト型ゲ−トタ−ンオフサイリスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5825052U (ja) |
-
1981
- 1981-08-10 JP JP11855681U patent/JPS5825052U/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS5825052U (ja) | 増幅ゲ−ト型ゲ−トタ−ンオフサイリスタ | |
JPS599560U (ja) | 増幅ゲ−トタ−ンオフサイリスタ | |
JPS5866656U (ja) | ゲ−トタ−ンオフサイリスタ | |
JPS60109339U (ja) | 増幅ゲ−ト構造ゲ−トタ−ンオフサイリスタ | |
JPS5837237U (ja) | 増幅ゲ−ト構造のゲ−トタ−ンオフサイリスタ | |
JPS60136159U (ja) | タ−ンオフサイリスタ | |
JPS5963450U (ja) | 埋込ゲ−ト型ゲ−トタ−ンオフサイリスタ | |
JPS5842953U (ja) | ゲ−トタ−ンオフサイリスタ | |
JPS5866735U (ja) | 半導体開閉装置 | |
JPS59166452U (ja) | 増幅ゲ−ト構造のゲ−トタ−ンオフサイリスタ | |
JPS58118754U (ja) | 増幅ゲ−ト構造のゲ−トタ−ンオフサイリスタ | |
JPS5927477U (ja) | ゲ−トタ−ンオフサイリスタの遮断能力選別回路 | |
JPS5963714U (ja) | 定電流回路 | |
JPS60134326U (ja) | 高耐圧直流スイツチング回路 | |
JPS5887484U (ja) | Gtoサイリスタのゲ−ト回路 | |
JPS60130657U (ja) | フオトトランジスタ | |
JPS60137453U (ja) | 半導体装置 | |
JPS60172437U (ja) | トランジスタのベ−ス駆動回路 | |
JPS5939953U (ja) | サイリスタ | |
JPS5828590U (ja) | ゲ−トタ−ンオフ・サイリスタの制御回路 | |
JPS60106357U (ja) | 発光半導体素子 | |
JPS6022026U (ja) | トランジスタのベ−ス回路 | |
JPS5815487U (ja) | ゲ−トタ−ンオフサイリスタのゲ−ト駆動回路 | |
JPS59126586U (ja) | 負荷スイツチング回路 | |
JPS6158883U (ja) |