JPS5842953U - ゲ−トタ−ンオフサイリスタ - Google Patents
ゲ−トタ−ンオフサイリスタInfo
- Publication number
- JPS5842953U JPS5842953U JP13744581U JP13744581U JPS5842953U JP S5842953 U JPS5842953 U JP S5842953U JP 13744581 U JP13744581 U JP 13744581U JP 13744581 U JP13744581 U JP 13744581U JP S5842953 U JPS5842953 U JP S5842953U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- gate turn
- thyristor
- layers
- abstract
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は従来のＧＴＯサイリスタ構造図、第２図は本考
案の一実施例を示す構造図である。 Ｐ２＋・・・埋込ゲート層、Ｇ２・・・オフ専用ゲート
電極、Ｇ１・・・オン専用電極、ｐ４４−・・・チャネ
ル阻止用高濃度層。
案の一実施例を示す構造図である。 Ｐ２＋・・・埋込ゲート層、Ｇ２・・・オフ専用ゲート
電極、Ｇ１・・・オン専用電極、ｐ４４−・・・チャネ
ル阻止用高濃度層。
Claims (1)
- Ｐ１Ｎ１Ｐ２Ｎ２の４層を備え、カソードＮ２層と同じ
平面のＰ２ベース層上にダイオード形成のためのＮ３層
が形成され、該Ｎ３層上にオフ専用電極が接続されるゲ
ートターンオフサイリスタにおいて、上記Ｎ２層とＮ３
層間にチャンネル阻止用高濃度Ｐ３“層を介在させた構
造を特徴とするゲートターンオフサイリスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13744581U JPS5842953U (ja) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | ゲ−トタ−ンオフサイリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13744581U JPS5842953U (ja) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | ゲ−トタ−ンオフサイリスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5842953U true JPS5842953U (ja) | 1983-03-23 |
Family
ID=29930724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13744581U Pending JPS5842953U (ja) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | ゲ−トタ−ンオフサイリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5842953U (ja) |
-
1981
- 1981-09-16 JP JP13744581U patent/JPS5842953U/ja active Pending
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