JPS5881962U - 半導体装置のゲ−ト電極構造 - Google Patents

半導体装置のゲ−ト電極構造

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JPS5881962U
JPS5881962U JP17648181U JP17648181U JPS5881962U JP S5881962 U JPS5881962 U JP S5881962U JP 17648181 U JP17648181 U JP 17648181U JP 17648181 U JP17648181 U JP 17648181U JP S5881962 U JPS5881962 U JP S5881962U
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JP
Japan
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gate electrode
electrode structure
semiconductor device
auxiliary
divided
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Application number
JP17648181U
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English (en)
Inventor
坂本　洋明
Original Assignee
日本インタ−ナシヨナル整流器株式会社
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は、従来の大電力用サイリスタの半導体ペレット
の一例を示す平面図、第２図は、第１図のＡ−Ａ線に沿
う断面図、第３図ないし第５図は、本考案の半導体装置
のゲート電極構造の実施例を示し、第３図は、その千興
図、第４図は、第３図のＢ−Ｂ線に沿う断面図、第５図
は、本考案の他の実施例を示す平面図である。 １０・・・半導体ペレット、１１・・・Ｐ□第１エミッ
タ　　′層、１２・・−Ｎ１第１ベース層、１３・・・
Ｐ２第２ベース層、１４・・・Ｎ２第２エミッタ層、１
５・・・環状主ゲート電極、１６・・・補助ゲート電極
、１７・・・第１カソード電極、１Ｂ・・・第２カソー
ド電極、１９・・・アルミ細線、２０・・・外部リード
。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体ペレットのカソード電極を同心円状に複数に分割
    し、この分割したカソード電極間に環状主ゲート電極を
    設け、この主ゲート電極から放射状に複数の補状助ゲー
    ト電極を設けたことを特徴とする半導体装置のゲート電
    極構造。
JP17648181U 1981-11-27 1981-11-27 半導体装置のゲ−ト電極構造 Pending JPS5881962U (ja)

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JPS5881962U true JPS5881962U (ja) 1983-06-03

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JP17648181U Pending JPS5881962U (ja) 1981-11-27 1981-11-27 半導体装置のゲ−ト電極構造

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5528431A (en) * 1978-08-18 1980-02-29 Toshiba Corp Liquid fuel combustion apparatus
JPS56125872A (en) * 1980-03-10 1981-10-02 Hitachi Ltd Semiconductor switchgear and its manufacture

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5528431A (en) * 1978-08-18 1980-02-29 Toshiba Corp Liquid fuel combustion apparatus
JPS56125872A (en) * 1980-03-10 1981-10-02 Hitachi Ltd Semiconductor switchgear and its manufacture

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