JPS60163759U - ゲ−トタ−ンオフサイリスタ - Google Patents

ゲ−トタ−ンオフサイリスタ

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Publication number
JPS60163759U
JPS60163759U JP5018084U JP5018084U JPS60163759U JP S60163759 U JPS60163759 U JP S60163759U JP 5018084 U JP5018084 U JP 5018084U JP 5018084 U JP5018084 U JP 5018084U JP S60163759 U JPS60163759 U JP S60163759U
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JP
Japan
Prior art keywords
thyristor
gate turn
divided
cathode side
abstract
Prior art date
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Pending
Application number
JP5018084U
Other languages
English (en)
Inventor
末岡　徹郎
Original Assignee
株式会社明電舎
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Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社明電舎 filed Critical 株式会社明電舎
Priority to JP5018084U priority Critical patent/JPS60163759U/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図は従来例を説明するための回路図、第
３図はこの考案の一実施例を示す断面図、第４図はＭＯ
ＳＦＥＴを示す断面図、第５図は第３図の平面図である
。 ゛　　３１・・・ＧＴｏ、　３２．３３・・・ω℃のゲ
ート電・極、３４・・・アノード電極、３５・・・共通
電極、３６・・・ツェナーダイオード、６１，６２・・
・カソード電極、９１，９２・・・ＭＯＳＦＥＴ。 ４４　４３４２ 髪　　　　　　　−１ １

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. Ｐ１Ｎ１Ｐ２Ｎ２からなるゲートターンオフサイリスタ
    のカソード側を複数個に分割してそれぞれが単独に動作
    できるように構成し、前記分割されたカソード側電極に
    それぞれ各別にＭＯＳＦＥＴのドレイン電極を接続し、
    各ＭＯ３ＦＥＴのソース電極を共通電極で接続して両者
    を一体的に構成したことを特徴とするゲートターンオフ
    サイリスタ。
JP5018084U 1984-04-05 1984-04-05 ゲ−トタ−ンオフサイリスタ Pending JPS60163759U (ja)

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JP5018084U JPS60163759U (ja) 1984-04-05 1984-04-05 ゲ−トタ−ンオフサイリスタ

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JP5018084U JPS60163759U (ja) 1984-04-05 1984-04-05 ゲ−トタ−ンオフサイリスタ

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JPS60163759U true JPS60163759U (ja) 1985-10-30

Family

ID=30568074

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JP5018084U Pending JPS60163759U (ja) 1984-04-05 1984-04-05 ゲ−トタ−ンオフサイリスタ

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5648172A (en) * 1979-09-27 1981-05-01 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor switching device for power
JPS58127376A (ja) * 1982-01-25 1983-07-29 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd Ｇｔｏサイリスタ
JPS5954329A (ja) * 1982-08-18 1984-03-29 シ−メンス・アクチエンゲゼルシヤフト 半導体スイツチ

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5648172A (en) * 1979-09-27 1981-05-01 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor switching device for power
JPS58127376A (ja) * 1982-01-25 1983-07-29 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd Ｇｔｏサイリスタ
JPS5954329A (ja) * 1982-08-18 1984-03-29 シ−メンス・アクチエンゲゼルシヤフト 半導体スイツチ

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