JPS60163759U - ゲ−トタ−ンオフサイリスタ - Google Patents
ゲ−トタ−ンオフサイリスタInfo
- Publication number
- JPS60163759U JPS60163759U JP5018084U JP5018084U JPS60163759U JP S60163759 U JPS60163759 U JP S60163759U JP 5018084 U JP5018084 U JP 5018084U JP 5018084 U JP5018084 U JP 5018084U JP S60163759 U JPS60163759 U JP S60163759U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thyristor
- gate turn
- divided
- cathode side
- abstract
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第1図及び第2図は従来例を説明するための回路図、第
3図はこの考案の一実施例を示す断面図、第4図はMO
SFETを示す断面図、第5図は第3図の平面図である
。 ゛ 31・・・GTo、 32.33・・・ω℃のゲ
ート電・極、34・・・アノード電極、35・・・共通
電極、36・・・ツェナーダイオード、61,62・・
・カソード電極、91,92・・・MOSFET。 44 4342 髪 −1 1
3図はこの考案の一実施例を示す断面図、第4図はMO
SFETを示す断面図、第5図は第3図の平面図である
。 ゛ 31・・・GTo、 32.33・・・ω℃のゲ
ート電・極、34・・・アノード電極、35・・・共通
電極、36・・・ツェナーダイオード、61,62・・
・カソード電極、91,92・・・MOSFET。 44 4342 髪 −1 1
Claims (1)
- P1N1P2N2からなるゲートターンオフサイリスタ
のカソード側を複数個に分割してそれぞれが単独に動作
できるように構成し、前記分割されたカソード側電極に
それぞれ各別にMOSFETのドレイン電極を接続し、
各MO3FETのソース電極を共通電極で接続して両者
を一体的に構成したことを特徴とするゲートターンオフ
サイリスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5018084U JPS60163759U (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | ゲ−トタ−ンオフサイリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5018084U JPS60163759U (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | ゲ−トタ−ンオフサイリスタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60163759U true JPS60163759U (ja) | 1985-10-30 |
Family
ID=30568074
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5018084U Pending JPS60163759U (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | ゲ−トタ−ンオフサイリスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60163759U (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5648172A (en) * | 1979-09-27 | 1981-05-01 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor switching device for power |
JPS58127376A (ja) * | 1982-01-25 | 1983-07-29 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | Gtoサイリスタ |
JPS5954329A (ja) * | 1982-08-18 | 1984-03-29 | シ−メンス・アクチエンゲゼルシヤフト | 半導体スイツチ |
-
1984
- 1984-04-05 JP JP5018084U patent/JPS60163759U/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5648172A (en) * | 1979-09-27 | 1981-05-01 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor switching device for power |
JPS58127376A (ja) * | 1982-01-25 | 1983-07-29 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | Gtoサイリスタ |
JPS5954329A (ja) * | 1982-08-18 | 1984-03-29 | シ−メンス・アクチエンゲゼルシヤフト | 半導体スイツチ |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS60163759U (ja) | ゲ−トタ−ンオフサイリスタ | |
JPS5927477U (ja) | ゲ−トタ−ンオフサイリスタの遮断能力選別回路 | |
JPS60144325U (ja) | 半導体装置 | |
JPS5965557U (ja) | ゲ−トタ−ンオフサイリスタ | |
JPS60144326U (ja) | 半導体装置 | |
JPS5866656U (ja) | ゲ−トタ−ンオフサイリスタ | |
JPS6147559U (ja) | 水平偏向回路 | |
JPS60109339U (ja) | 増幅ゲ−ト構造ゲ−トタ−ンオフサイリスタ | |
JPS5842953U (ja) | ゲ−トタ−ンオフサイリスタ | |
JPS60172437U (ja) | トランジスタのベ−ス駆動回路 | |
JPS60136159U (ja) | タ−ンオフサイリスタ | |
JPS59166453U (ja) | 増幅ゲ−ト構造のゲ−トタ−ンオフサイリスタ | |
JPS60134326U (ja) | 高耐圧直流スイツチング回路 | |
JPS60142531U (ja) | ゲ−ト・タ−ンオフ・サイリスタ | |
JPS5828590U (ja) | ゲ−トタ−ンオフ・サイリスタの制御回路 | |
JPS5815487U (ja) | ゲ−トタ−ンオフサイリスタのゲ−ト駆動回路 | |
JPS5929817U (ja) | Agc回路 | |
JPS5870086U (ja) | ゲ−トタ−ンオフ・サイリスタのドライブ回路 | |
JPS5930643U (ja) | 充放電回路 | |
JPS6121137U (ja) | 自己消弧形サイリスタの過電圧防止回路 | |
JPS593634U (ja) | 増幅ゲ−ト形ゲ−トタ−ンオフサイリスタのゲ−ト回路 | |
JPS5963450U (ja) | 埋込ゲ−ト型ゲ−トタ−ンオフサイリスタ | |
JPS6138956U (ja) | サイリスタ | |
JPS60144327U (ja) | Gtoゲ−ト回路の電源 | |
JPS60129731U (ja) | ゲ−トタ−ンオフサイリスタのゲ−ト回路 |