JPS60142531U - ゲ−ト・タ−ンオフ・サイリスタ - Google Patents
ゲ−ト・タ−ンオフ・サイリスタInfo
- Publication number
- JPS60142531U JPS60142531U JP2793184U JP2793184U JPS60142531U JP S60142531 U JPS60142531 U JP S60142531U JP 2793184 U JP2793184 U JP 2793184U JP 2793184 U JP2793184 U JP 2793184U JP S60142531 U JPS60142531 U JP S60142531U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thyristor
- gate turn
- gate
- turn
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Thyristors (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
- Thyristor Switches And Gates (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第1図及び第2図は従来のGTOの概略構成を示す断面
図、第3図はアノード電流I A%ゲート電流1g及び
ゲート電、EEVgのオン、オフ状態を示す波形図、第
4図はこの考案の一実施例を示す断゛ 、7層面図、第
5図は第4図のカソード電極とゲート電極とを取り除い
た平面図、第6図はこの考案の他 ・の実施例を示
す断面図、第7図は第4図の実施例・−のアノード電流
■8、ゲート電流1g、ゲート電圧Vgの畦形図、第8
図A、B、Cは従来のIg−Vg特性図及びアノード電
流とアノード・カソード間電圧特性図、第9図はしゃ断
電流試験回路図である。−− P2・・・ベース層、P2+・・・高濃度層、P2−・
・・低濃度1層、N2・・・エミツタ層。 廖 N゛2 、 @61g−(B。 ムeI、−− − 21−y■9 ’: ′i+悴市tai口’。 o t、t2tst4
図、第3図はアノード電流I A%ゲート電流1g及び
ゲート電、EEVgのオン、オフ状態を示す波形図、第
4図はこの考案の一実施例を示す断゛ 、7層面図、第
5図は第4図のカソード電極とゲート電極とを取り除い
た平面図、第6図はこの考案の他 ・の実施例を示
す断面図、第7図は第4図の実施例・−のアノード電流
■8、ゲート電流1g、ゲート電圧Vgの畦形図、第8
図A、B、Cは従来のIg−Vg特性図及びアノード電
流とアノード・カソード間電圧特性図、第9図はしゃ断
電流試験回路図である。−− P2・・・ベース層、P2+・・・高濃度層、P2−・
・・低濃度1層、N2・・・エミツタ層。 廖 N゛2 、 @61g−(B。 ムeI、−− − 21−y■9 ’: ′i+悴市tai口’。 o t、t2tst4
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 少くとも1つ以上の小単位ゲート・ターンオフ・サイリ
スタが形成されたゲート・ターンオフ・サイリスタにお
いて、カソード拳千ミッタ層の一部にベース層を形成−
し、そのベース層とカソードエミツタ層とを短絡形成し
、ターンオフ動作期間中だけオフゲートバイアス電圧を
印加させる。 1、 ようにしたことを特徴とするゲート・ターン
オフ・サイリスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2793184U JPS60142531U (ja) | 1984-02-28 | 1984-02-28 | ゲ−ト・タ−ンオフ・サイリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2793184U JPS60142531U (ja) | 1984-02-28 | 1984-02-28 | ゲ−ト・タ−ンオフ・サイリスタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60142531U true JPS60142531U (ja) | 1985-09-20 |
JPH0448024Y2 JPH0448024Y2 (ja) | 1992-11-12 |
Family
ID=30525339
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2793184U Granted JPS60142531U (ja) | 1984-02-28 | 1984-02-28 | ゲ−ト・タ−ンオフ・サイリスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60142531U (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5627967A (en) * | 1979-08-15 | 1981-03-18 | Hitachi Ltd | Thyristor |
JPS5674083A (en) * | 1979-11-20 | 1981-06-19 | Fuji Electric Co Ltd | Driving circuit for gate of gate turn-off thyristor |
JPS57164565A (en) * | 1981-04-03 | 1982-10-09 | Nec Corp | Thyristor |
JPS57164563A (en) * | 1980-12-12 | 1982-10-09 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
-
1984
- 1984-02-28 JP JP2793184U patent/JPS60142531U/ja active Granted
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5627967A (en) * | 1979-08-15 | 1981-03-18 | Hitachi Ltd | Thyristor |
JPS5674083A (en) * | 1979-11-20 | 1981-06-19 | Fuji Electric Co Ltd | Driving circuit for gate of gate turn-off thyristor |
JPS57164563A (en) * | 1980-12-12 | 1982-10-09 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
JPS57164565A (en) * | 1981-04-03 | 1982-10-09 | Nec Corp | Thyristor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0448024Y2 (ja) | 1992-11-12 |
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