JPS6281071U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6281071U JPS6281071U JP17176685U JP17176685U JPS6281071U JP S6281071 U JPS6281071 U JP S6281071U JP 17176685 U JP17176685 U JP 17176685U JP 17176685 U JP17176685 U JP 17176685U JP S6281071 U JPS6281071 U JP S6281071U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- drain
- drain current
- diodes
- gate
- Prior art date
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- Granted
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
第１図は本考案によるＭＯＳＦＥＴのドレイン
電流検出回路の一実施例を示す結線図、第２図は
第１図の各部における波形図、第３図、第４図は
それぞれ従来のＭＯＳＦＥＴのドレイン電流検出
回路を示す結線図である。 １…ＭＯＳＦＥＴ、５…低電位優先回路、６，
７…ダイオード。
電流検出回路の一実施例を示す結線図、第２図は
第１図の各部における波形図、第３図、第４図は
それぞれ従来のＭＯＳＦＥＴのドレイン電流検出
回路を示す結線図である。 １…ＭＯＳＦＥＴ、５…低電位優先回路、６，
７…ダイオード。
Claims (1)
- ドレインとゲートにそれぞれダイオードのカソ
ードを接続し、この両ダイオードのアノードを共
通に接続して電圧を印加した低電位優先回路でド
レーイン・ソース間電圧とゲート・ソース間電圧
のうち低い方の電圧を選出し、この電圧からドレ
イン電流を検出することを特徴とするＭＯＳＦＥ
Ｔのドレイン電流検出回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17176685U JPH051828Y2 (ja) | 1985-11-08 | 1985-11-08 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17176685U JPH051828Y2 (ja) | 1985-11-08 | 1985-11-08 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6281071U true JPS6281071U (ja) | 1987-05-23 |
| JPH051828Y2 JPH051828Y2 (ja) | 1993-01-18 |
Family
ID=31107695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17176685U Expired - Lifetime JPH051828Y2 (ja) | 1985-11-08 | 1985-11-08 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH051828Y2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016057091A (ja) * | 2014-09-05 | 2016-04-21 | 株式会社東芝 | 半導体検査装置 |
| JP2019512685A (ja) * | 2016-03-02 | 2019-05-16 | 日本テキサス・インスツルメンツ合同会社 | 高分解能電力電子測定 |
-
1985
- 1985-11-08 JP JP17176685U patent/JPH051828Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016057091A (ja) * | 2014-09-05 | 2016-04-21 | 株式会社東芝 | 半導体検査装置 |
| US9778311B2 (en) | 2014-09-05 | 2017-10-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor inspection apparatus |
| JP2019512685A (ja) * | 2016-03-02 | 2019-05-16 | 日本テキサス・インスツルメンツ合同会社 | 高分解能電力電子測定 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH051828Y2 (ja) | 1993-01-18 |
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