JPS61221665A - 出力トランジスタの電流検出方法 - Google Patents
出力トランジスタの電流検出方法Info
- Publication number
- JPS61221665A JPS61221665A JP59011476A JP1147684A JPS61221665A JP S61221665 A JPS61221665 A JP S61221665A JP 59011476 A JP59011476 A JP 59011476A JP 1147684 A JP1147684 A JP 1147684A JP S61221665 A JPS61221665 A JP S61221665A
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- JP
- Japan
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- collector
- current
- electrode
- output transistor
- emitter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/30—Hydrogen technology
- Y02E60/50—Fuel cells
Landscapes
- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は出力トランジスタの電流検出方法に係り、特に
トランジスタのコレクタ抵抗に生じる電圧降下を利用し
た出力トランジスタの電流検出方法に関する。
トランジスタのコレクタ抵抗に生じる電圧降下を利用し
た出力トランジスタの電流検出方法に関する。
（ロ）従来技術
出力用トランジスタの過電流防止手段として、トランジ
スタの前段に電流検知機能を設けることが多い。
スタの前段に電流検知機能を設けることが多い。
かかる電流検知機能として、従来は例えば、出力トラン
ジスタのベース・エミッタ間電圧Ｖｆを抵抗分割し、そ
の分割電圧でもって検知用トランジスタの導通を制御す
る手段がある。
ジスタのベース・エミッタ間電圧Ｖｆを抵抗分割し、そ
の分割電圧でもって検知用トランジスタの導通を制御す
る手段がある。
第１図はかかる手段のひとつを示すための説明図である
。
。
１は出力トランジスタ、２．３は出力トランジスタ１の
ベースに接続した分割抵抗、４は分割抵抗における電圧
降下に基づいて出力トランジスタの過電流を検知する検
知用トランジスタである。
ベースに接続した分割抵抗、４は分割抵抗における電圧
降下に基づいて出力トランジスタの過電流を検知する検
知用トランジスタである。
しかしながら、前記方法ではＶｆはトランジスタの形状
によって各々異なる。特にＩＣ化する場合、その形状に
応じて出力トランジスタと検知用トランジスタとのマン
チングをとらなければならないため、前記分割抵抗の値
等を種々変更し、当該抵抗値を得る必要があった。
によって各々異なる。特にＩＣ化する場合、その形状に
応じて出力トランジスタと検知用トランジスタとのマン
チングをとらなければならないため、前記分割抵抗の値
等を種々変更し、当該抵抗値を得る必要があった。
また、出力トランジスタのコレクタ端子またはエミッタ
端子に直列に検出抵抗を挿入し、検出抵抗に生ずる電圧
降下にて出力トランジスタに流れる電流を検出する方法
もある。この方法の場合、電流検出の精度は前述の方法
に比べて高いが、出力トランジスタと直列に検出抵抗が
挿入されるため、検出抵抗での電圧降下が電力損失とな
り、特に出力トランジスタの飽和電圧の低いものが要求
される場合極めて不具合であった。
端子に直列に検出抵抗を挿入し、検出抵抗に生ずる電圧
降下にて出力トランジスタに流れる電流を検出する方法
もある。この方法の場合、電流検出の精度は前述の方法
に比べて高いが、出力トランジスタと直列に検出抵抗が
挿入されるため、検出抵抗での電圧降下が電力損失とな
り、特に出力トランジスタの飽和電圧の低いものが要求
される場合極めて不具合であった。
（ハ）目的
本発明はＩＣ化をするにあたって、前記検出抵抗を用い
ず、トランジスタの構造上存在する抵抗を利用した検出
精度が高く、かつ、検出手段による電力損失も極めて少
ないトランジスタの電流検出方法を提供することを目的
としている。
ず、トランジスタの構造上存在する抵抗を利用した検出
精度が高く、かつ、検出手段による電力損失も極めて少
ないトランジスタの電流検出方法を提供することを目的
としている。
（ニ）構成
本発明に係る出力トランジスタの電流検出方法は、コレ
クタ電極、エミッタ電極、ベース電極を具備したプレー
ナ構造の電力トランジスタの電流検出方法において、電
流引き出し用の第１のコレクタ電極とは別に第２のコレ
クタ電極を設け、第１と第２のコレクタ電極間の電圧降
下を検出することを特徴としている。
クタ電極、エミッタ電極、ベース電極を具備したプレー
ナ構造の電力トランジスタの電流検出方法において、電
流引き出し用の第１のコレクタ電極とは別に第２のコレ
クタ電極を設け、第１と第２のコレクタ電極間の電圧降
下を検出することを特徴としている。
（ホ）実施例
第２図は本発明に係るバイポーラ出力トランジスタ１０
０の概略断面図である。
０の概略断面図である。
図において、１０はＰ型サブストレート、２０はＮ１型
の埋込層である。３０はＮ型エピタキシャル層からなる
コレクタ領域、４０はＮ層層からなるエミッタ拡散、５
０は前記エミッタを囲むＰ型ベース拡散である。
の埋込層である。３０はＮ型エピタキシャル層からなる
コレクタ領域、４０はＮ層層からなるエミッタ拡散、５
０は前記エミッタを囲むＰ型ベース拡散である。
６０と７０はそれぞれ前記エミッタ、ベースの両側を挟
むように位置せしめたコレクタ３０のコンタクト部であ
り、ここでコレクタ電極９０をコレクタ電流引き出し用
、コレクタ電極９３を電流検出用とする０図２の概略断
面図では同一形状としているが実際は電流引き出し用電
極９３は前記ベースエミッタ領域を取り囲むように配し
、検出用コレクタ電極９３は引き出し用電極９０と対向
する位置に微少領域をもって形成される。
むように位置せしめたコレクタ３０のコンタクト部であ
り、ここでコレクタ電極９０をコレクタ電流引き出し用
、コレクタ電極９３を電流検出用とする０図２の概略断
面図では同一形状としているが実際は電流引き出し用電
極９３は前記ベースエミッタ領域を取り囲むように配し
、検出用コレクタ電極９３は引き出し用電極９０と対向
する位置に微少領域をもって形成される。
なお、８０は半導体表面保護用のシリコン酸化膜である
。９１および９２はそれぞれベース、エミッタ電極をし
めす。
。９１および９２はそれぞれベース、エミッタ電極をし
めす。
第３図は出力トランジスタの電流検出をする場合のブロ
ックダイヤグラムである。
ックダイヤグラムである。
上記構成において、電極９０と９３間の電圧降下ΔＶは
次式で表される。
次式で表される。
ΔＶ＝ Ｉ （Ｒｅｐｉ ＋ＲＢ／Ｌ ）ここで、■
は出力トランジスタのコレクタ電流、Ｒｅｐｉ ＋ＲＢ
／Ｌは電極９０とＢ／Ｌ埋込層間の抵抗と、電極９２直
下までのＢ／Ｌ埋込層の抵抗との和すなわちコレクタ抵
抗である。
は出力トランジスタのコレクタ電流、Ｒｅｐｉ ＋ＲＢ
／Ｌは電極９０とＢ／Ｌ埋込層間の抵抗と、電極９２直
下までのＢ／Ｌ埋込層の抵抗との和すなわちコレクタ抵
抗である。
（ホ）効果
上記の説明したごとく、本発明では検知抵抗は使用して
いなく、トランジスタ自体が有するコレクタ抵抗で代用
している。しかも、このコレクタ抵抗の値はＩＣ化の際
、十分管理されているため、電流検出精度の向上が可能
である。
いなく、トランジスタ自体が有するコレクタ抵抗で代用
している。しかも、このコレクタ抵抗の値はＩＣ化の際
、十分管理されているため、電流検出精度の向上が可能
である。
第１図は従来方法のひとつを示すための説明図、第２図
は本発明のバイポーラ出力トランジスタの概略断面図、
第３図は出力トランジスタの電流検出をする場合のブロ
ックダイヤグラムである。 １０・・・Ｐ型サブストレート、２０・・・Ｎ型“のＢ
／Ｌ埋込層、３０・・・Ｎ層からなるコレクタ、４０・
・・エミッタ、５０・・・ベース、９０．９３・・・電
極、１００ ・・・出力トランジスタ、２００ ・
・・コンパレータ。 特許出願人 ローム株式会社 代理人 弁理士 大 西 孝 治 第１図 第２図 第３図
は本発明のバイポーラ出力トランジスタの概略断面図、
第３図は出力トランジスタの電流検出をする場合のブロ
ックダイヤグラムである。 １０・・・Ｐ型サブストレート、２０・・・Ｎ型“のＢ
／Ｌ埋込層、３０・・・Ｎ層からなるコレクタ、４０・
・・エミッタ、５０・・・ベース、９０．９３・・・電
極、１００ ・・・出力トランジスタ、２００ ・
・・コンパレータ。 特許出願人 ローム株式会社 代理人 弁理士 大 西 孝 治 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- （１）コレクタ電極、エミッタ電極、ベース電極を具備
したプレーナ構造の電力トランジスタの電流検出方法に
おいて、電流引き出し用の第１のコレクタ電極とは別に
第２のコレクタ電極を設け、第１と第２のコレクタ電極
間の電圧降下を検出することを特徴とする出力トランジ
スタの電流検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59011476A JPS61221665A (ja) | 1984-01-24 | 1984-01-24 | 出力トランジスタの電流検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59011476A JPS61221665A (ja) | 1984-01-24 | 1984-01-24 | 出力トランジスタの電流検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61221665A true JPS61221665A (ja) | 1986-10-02 |
| JPH0568658B2 JPH0568658B2 (ja) | 1993-09-29 |
Family
ID=11779116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59011476A Granted JPS61221665A (ja) | 1984-01-24 | 1984-01-24 | 出力トランジスタの電流検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61221665A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5892744U (ja) * | 1981-12-14 | 1983-06-23 | 株式会社東芝 | 半導体素子 |
-
1984
- 1984-01-24 JP JP59011476A patent/JPS61221665A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5892744U (ja) * | 1981-12-14 | 1983-06-23 | 株式会社東芝 | 半導体素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0568658B2 (ja) | 1993-09-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |