JPS5892213A - 半導体単結晶膜の製造方法 - Google Patents

半導体単結晶膜の製造方法

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JPS5892213A
JPS5892213A JP56193530A JP19353081A JPS5892213A JP S5892213 A JPS5892213 A JP S5892213A JP 56193530 A JP56193530 A JP 56193530A JP 19353081 A JP19353081 A JP 19353081A JP S5892213 A JPS5892213 A JP S5892213A
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JP
Japan
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film
semiconductor film
semiconductor
stress
single crystalline
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JP56193530A
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English (en)
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Kazuyuki Sugahara
和之 須賀原
Hiromi Ito
博巳 伊藤
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、絶縁体上に半導体結晶膜を形成する方法改
良に関するものである。
半導体装置の高速前作化、筒密度化のため、回路素子を
誘電体で分離する方法がある。その一方法として、絶縁
体上に半導体単結晶を形成し、その半導体単結晶により
回路素子を構成する方法が体を堆積し、その表面にレー
デ光、電子線などのエネルギー線を照射することにより
表面層のみを加熱し、単結晶の半導体膜を形成する方法
がある。
このような従来の方法の一例のクエーハの断面構造を第
１図にボす。第１図において、（１）はシリコン基板な
どからなる基板、（２）は絶縁体、（３）は絶縁体（２
）の上に堆積された多結晶または非晶質の半導体膜であ
る。基板（１）、絶縁体（２）および半導体ｇ（３）に
よってクエーハが＊ＦＲ，されているう上記のような断
面構造を有するクエーハにレーデ光、電子線などを照射
することにより、レーザ光、電子線などのパワーが一定
値を越えると多結晶または非晶質の半導体膜（３）が溶
融し、照射されなくなると再結昂化することにより、半
導体単結晶膜を得ることができる。
ところが、従来の方法において、レーデ光、電子線など
がクエーハを照射している時間は数十〇８〜故ｍｓと非
常に短いため、大きな単結晶膜が得られないという欠点
があった。
この発明は、上記のような従来の方法の欠点を除去する
ためになされたものであり、絶縁体上に多結晶またけ非
晶質の半導体膜を堆積して、応力をかけることによって
、大きな半導体単結晶膜を得ることを目的としている。
以下、一実施例に基づいてこの発明を説明する。
第２図はこの発明による半導体単結晶膜の製造方法の中
間工程におけるクエーハの断面図である。
第２図において、（１）は基板、（２）は絶縁体、（４
）は単結晶化したときにそこに半導体素子を形成する多
結晶または非晶質の半導体膜で、との半導体膜に＃ｉ応
力が図の矢印の方向にかけられている。基板（１）、絶
縁体（２）、半導体膜（４）によってクエーノ１が構成
されている。
上記のような構造を有する半導体膜に、例えばレーデ光
を照射すると半導体膜は溶融し、照射されなくなると再
結晶化する。このとき、あらかじめ半導体膜に加えられ
ている応力の方向に垂直な方向に単結晶化が進み、この
単結晶化は広範囲におよぶ。
上記実施例では、応力の方向について言及しなかったが
、方向については、自由に選択できる。
半導体膜への応力の加え方は既知の方法による。
たとえば、基板に張力を加えるなどの方法があるっ以上
詳述したように、この発明による半導体単結晶膜の製造
方法においては、単結晶化したときにそこに半導体素子
を形成する多結晶またけ非晶質の半導体膜に応力を加え
ているので、広範囲の半導体単結晶膜を得ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来方法によるクエーハの断面図、第２図はこ
の発明によるクエーハの断面図である。 図において（１）は基板、（２）　＃−１絶縁体、（３
）　／ｒｉ従米従来によって堆積された半導体膜、（４
）はこの発明によって堆積された半導体膜である。半導
体膜中の矢印は、この半導体膜にかけられている応力の
方向を示す。 なお、図中同一符号はそれぞれ同一または相当部分を示
す。 代理人葛野　信−

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 絶縁体上に形成された多結晶または非晶質の半導体膜を
    、局部加熱により溶融させて単結晶膜とする方法におい
    て、多結晶または非晶質の半導体膜に応力を加えた状態
    で局部加熱により溶融させて単結晶化させることを特徴
    とする半導体単結晶の 一５製造方法。
JP56193530A 1981-11-28 1981-11-28 半導体単結晶膜の製造方法 Pending JPS5892213A (ja)

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