JP3115770B2 - リ−ドフレームの製造方法 - Google Patents
リ−ドフレームの製造方法Info
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- lead
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はインナーリードの位置精
度が優れ放熱板を接合したリードフレームの製造方法に
関する。
度が優れ放熱板を接合したリードフレームの製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置は、一般にリードフレームの
パッドに半導体チップ（以下 チップという）を接着搭
載し、チップ端子とインナーリードをボンディングワイ
ヤ−で接続し、樹脂等でインナーリード以内の部分をパ
ッケージし、当該パッケージから突出しているアウター
リードを所定形状に成形して製造される。また、前記パ
ッドに代えてリードフレームと別体に形成した半導体チ
ップ設置板を、絶縁性接着テ−プ等で接合したものがあ
る。
パッドに半導体チップ（以下 チップという）を接着搭
載し、チップ端子とインナーリードをボンディングワイ
ヤ−で接続し、樹脂等でインナーリード以内の部分をパ
ッケージし、当該パッケージから突出しているアウター
リードを所定形状に成形して製造される。また、前記パ
ッドに代えてリードフレームと別体に形成した半導体チ
ップ設置板を、絶縁性接着テ−プ等で接合したものがあ
る。
【０００３】半導体装置はメモリの高集積化、ロジック
の多機能化が図られ、また小型にすることを要請されて
いる。かかることから入出力信号ピンは多数となり、且
つ、その間隔（ピッチ）は狭くなっている。
の多機能化が図られ、また小型にすることを要請されて
いる。かかることから入出力信号ピンは多数となり、且
つ、その間隔（ピッチ）は狭くなっている。
【０００４】一方、半導体装置は信号処理速度の高速化
を強く望まれ、高周波化した信号を処理することになり
使用時において温度が上昇する。温度が高まると半導体
装置は機能性が悪影響を受けるので温度上昇を抑制する
必要がある。
を強く望まれ、高周波化した信号を処理することになり
使用時において温度が上昇する。温度が高まると半導体
装置は機能性が悪影響を受けるので温度上昇を抑制する
必要がある。
【０００５】半導体装置の温度上昇の抑制技術として
は、例えば特開昭６２−８４５４１号公報のように熱伝
導度の高い銅や銅合金からなる放熱板をパッドの下方に
設けて熱を積極的に放散させるものがある。またパッド
部自体をリードフレームとは別体の放熱板から作り、イ
ンナーリード部に絶縁性接着テ−プ等を介して接合する
ものがある。
は、例えば特開昭６２−８４５４１号公報のように熱伝
導度の高い銅や銅合金からなる放熱板をパッドの下方に
設けて熱を積極的に放散させるものがある。またパッド
部自体をリードフレームとは別体の放熱板から作り、イ
ンナーリード部に絶縁性接着テ−プ等を介して接合する
ものがある。
【０００６】リードフレームに放熱板あるいは別体のパ
ッドを接合する際は、前述のように絶縁性接着テ−プや
接着剤が用いられるが、作業性や生産性等から前記接着
テ−プが多用される傾向にある。
ッドを接合する際は、前述のように絶縁性接着テ−プや
接着剤が用いられるが、作業性や生産性等から前記接着
テ−プが多用される傾向にある。
【０００７】リードフレームへの放熱板の接合は、一般
に次のようにしてなされる。金属製のリードフレームと
合成樹脂製フィルムで接着のりが設けられた絶縁性接着
テ−プは、それぞれパンチとダイ等による切断性が異な
ることから別々に打抜かれ、その後、絶縁性接着テ−プ
をインナーリード部に貼着している。即ち、絶縁性接着
テ−プをリードフレームのインナーリード部の先端から
後端に対応して枠状に打抜き、これをインナーリード部
に貼着して、該絶縁性接着テ−プの他面に放熱板を接着
させている。
に次のようにしてなされる。金属製のリードフレームと
合成樹脂製フィルムで接着のりが設けられた絶縁性接着
テ−プは、それぞれパンチとダイ等による切断性が異な
ることから別々に打抜かれ、その後、絶縁性接着テ−プ
をインナーリード部に貼着している。即ち、絶縁性接着
テ−プをリードフレームのインナーリード部の先端から
後端に対応して枠状に打抜き、これをインナーリード部
に貼着して、該絶縁性接着テ−プの他面に放熱板を接着
させている。
【０００８】前記絶縁性接着テ−プの貼着では、位置ズ
レが生じやすく、例えば一辺側は絶縁性接着テ−プがイ
ンナーリード部先端列より引っ込み、対向辺側が出っ張
る。また、インナーリードは前述の多ピン化で幅及びピ
ッチとも特に微細になっているので、貼着時の加圧力印
加の微妙なアンバランス等でリ−ド寄りやリ−ド同士の
接触を生じることがある。
レが生じやすく、例えば一辺側は絶縁性接着テ−プがイ
ンナーリード部先端列より引っ込み、対向辺側が出っ張
る。また、インナーリードは前述の多ピン化で幅及びピ
ッチとも特に微細になっているので、貼着時の加圧力印
加の微妙なアンバランス等でリ−ド寄りやリ−ド同士の
接触を生じることがある。
【０００９】
【この発明が解決しようとする課題】前述のインナーリ
ード部と絶縁性接着テ−プの貼着ズレがあると、その
後、搭載したチップとインナーリードをワイヤ−ボンデ
ィングし樹脂封止する際、樹脂が絶縁性接着テ−プのイ
ンナーリード部先端列より引っ込んだ箇所に流入し難
く、そこに気泡が生じクラック発生の一因となる。
ード部と絶縁性接着テ−プの貼着ズレがあると、その
後、搭載したチップとインナーリードをワイヤ−ボンデ
ィングし樹脂封止する際、樹脂が絶縁性接着テ−プのイ
ンナーリード部先端列より引っ込んだ箇所に流入し難
く、そこに気泡が生じクラック発生の一因となる。
【００１０】また前記貼着ズレは、半導体チップ設置領
域となる四辺のインナーリード先端部で囲まれる平らな
面積を狭め、出来るだけ大きなチップを設置するのに悪
影響を及ぼす。
域となる四辺のインナーリード先端部で囲まれる平らな
面積を狭め、出来るだけ大きなチップを設置するのに悪
影響を及ぼす。
【００１１】本発明は、インナーリード部に絶縁性接着
テ−プを位置ズレなく貼着し、その後の樹脂封止では樹
脂が隅々まで流入してクラックを発生させず、またイン
ナーリードはリ−ド寄りやねじれ等の変形がなく位置精
度がすぐれ、放熱板を姿勢よく接合した半導体装置用リ
ードフレームを得ることを目的とする。
テ−プを位置ズレなく貼着し、その後の樹脂封止では樹
脂が隅々まで流入してクラックを発生させず、またイン
ナーリードはリ−ド寄りやねじれ等の変形がなく位置精
度がすぐれ、放熱板を姿勢よく接合した半導体装置用リ
ードフレームを得ることを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、半導体
チップ設置領域の周りにインナーリードに続いてアウタ
ーリードを形成し、前記インナーリード部に絶縁性接着
テープを介して放熱板を接合したリードフレームの製造
方法において、半導体チップ設置領域外側に接続してイ
ンナーリードとアウターリードを形成し、焼鈍し、前記
半導体チップ設置領域周縁とインナーリード先端接続部
の間に抜き孔を形成してインナーリードにコイニングを
施し、インナーリード先端部に部分めっきし、インナー
リード部の反めっき側に絶縁性接着テープを貼着し、イ
ンナーリード先端と絶縁性接着テープを同時に打ち抜
き、インナーリードに枠状に抜き残した絶縁性接着テー
プを介して放熱板を設けるリードフレームの製造方法で
ある。
チップ設置領域の周りにインナーリードに続いてアウタ
ーリードを形成し、前記インナーリード部に絶縁性接着
テープを介して放熱板を接合したリードフレームの製造
方法において、半導体チップ設置領域外側に接続してイ
ンナーリードとアウターリードを形成し、焼鈍し、前記
半導体チップ設置領域周縁とインナーリード先端接続部
の間に抜き孔を形成してインナーリードにコイニングを
施し、インナーリード先端部に部分めっきし、インナー
リード部の反めっき側に絶縁性接着テープを貼着し、イ
ンナーリード先端と絶縁性接着テープを同時に打ち抜
き、インナーリードに枠状に抜き残した絶縁性接着テー
プを介して放熱板を設けるリードフレームの製造方法で
ある。
【００１３】
【作用】本発明は、インナーリードを半導体チップ設置
領域外周に連続して、その先端が動かない状態にしてリ
ードパターンの形成、抜き孔の形成、コイニング、イン
ナーリード先端部の部分めっきを行い、さらに、その状
態で絶縁性接着テープをインナーリードに貼着し、しか
る後、貼着した絶縁性接着テープとインナーリード先端
を同時に打ち抜く。従って、コイニングによるインナー
リードの長さの微小な延びが抜き孔により吸収されると
ともに、絶縁性接着テープとインナーリード先端部が一
体的に直截的に抜かれるので、両者の切断性の違いが軽
減されて位置ズレができず、その後の樹脂封止に際し
て、樹脂の流入が隅々までなされる。
領域外周に連続して、その先端が動かない状態にしてリ
ードパターンの形成、抜き孔の形成、コイニング、イン
ナーリード先端部の部分めっきを行い、さらに、その状
態で絶縁性接着テープをインナーリードに貼着し、しか
る後、貼着した絶縁性接着テープとインナーリード先端
を同時に打ち抜く。従って、コイニングによるインナー
リードの長さの微小な延びが抜き孔により吸収されると
ともに、絶縁性接着テープとインナーリード先端部が一
体的に直截的に抜かれるので、両者の切断性の違いが軽
減されて位置ズレができず、その後の樹脂封止に際し
て、樹脂の流入が隅々までなされる。
【００１４】またインナーリードは絶縁性接着テ−プの
貼着まで半導体チップ設置領域外周に接続され、前記貼
着後にその先端が抜かれるので、リ−ド寄り、反り、ね
じれなどの変形がなく、位置精度が優れる等の作用効果
がある。
貼着まで半導体チップ設置領域外周に接続され、前記貼
着後にその先端が抜かれるので、リ−ド寄り、反り、ね
じれなどの変形がなく、位置精度が優れる等の作用効果
がある。
【００１５】
【実施例】次に本発明について１実施例に基づき図面を
参照して詳細に説明する。図面において、１は半導体チ
ップ設置領域でその外周にインナーリード２が連続して
形成されている。３はアウターリードで前記インナーリ
ード２に連続している。該アウターリード３とインナー
リード２の形成順序は任意で何れが先であってもよい。
４はタイバ−、５はガイドホ−ル、６はサイドレ−ルで
ある。
参照して詳細に説明する。図面において、１は半導体チ
ップ設置領域でその外周にインナーリード２が連続して
形成されている。３はアウターリードで前記インナーリ
ード２に連続している。該アウターリード３とインナー
リード２の形成順序は任意で何れが先であってもよい。
４はタイバ−、５はガイドホ−ル、６はサイドレ−ルで
ある。
【００１６】前述のリードパターンが形成されたリード
フレーム７は、加工歪を除く歪取り焼鈍が施される。そ
の後、半導体チップ設置領域１周縁とインナーリード２
の先端接続部の間に、図５に示すように細長状の抜き孔
９を形成する。次に、インナーリード２の先端部にコイ
ニングを行いリード幅を広げ、ワイヤーボンディングを
行い易くする。
フレーム７は、加工歪を除く歪取り焼鈍が施される。そ
の後、半導体チップ設置領域１周縁とインナーリード２
の先端接続部の間に、図５に示すように細長状の抜き孔
９を形成する。次に、インナーリード２の先端部にコイ
ニングを行いリード幅を広げ、ワイヤーボンディングを
行い易くする。
【００１７】このように、コイニング作業前に、細長状
の抜き孔９を形成することによって、コイニングによる
インナーリード２の長さの塑性変形による微小な延びが
抜き孔９に吸収される。
の抜き孔９を形成することによって、コイニングによる
インナーリード２の長さの塑性変形による微小な延びが
抜き孔９に吸収される。
【００１８】その後、インナーリード２の先端部に例え
ばＡｕ，Ａｇ，Ｐｄ等の所望金属が部分めっきされる。
ばＡｕ，Ａｇ，Ｐｄ等の所望金属が部分めっきされる。
【００１９】インナーリード２の前記部分めっきした反
対側に、放熱板１０を接合するために絶縁性接着テ−プ
１１を貼着する。該貼着では絶縁性接着テ−プ１１をイ
ンナーリード２部以内を被うようにして貼り付ける。次
いで、インナーリード２の先端は半導体チップ設置領域
１外周に接続しているので、これを切り離す打抜きと、
貼着させた絶縁性接着テ−プ１１の打抜きを同時に行
う。
対側に、放熱板１０を接合するために絶縁性接着テ−プ
１１を貼着する。該貼着では絶縁性接着テ−プ１１をイ
ンナーリード２部以内を被うようにして貼り付ける。次
いで、インナーリード２の先端は半導体チップ設置領域
１外周に接続しているので、これを切り離す打抜きと、
貼着させた絶縁性接着テ−プ１１の打抜きを同時に行
う。
【００２０】このようにインナーリード２先端と、貼着
した絶縁性接着テ−プ１１を同時に打抜くので、両者の
切断性の違いは減小して現れず切断できるとともに、位
置ズレは生ぜず、図３に示すようにインナーリード２先
端端面列と絶縁性接着テ−プ１１の切断列が一致し、半
導体チップ設置領域１の平面積は狭まらない。また、イ
ンナーリード２は先端が常に固定されているので、リ−
ド寄り、反り、ねじれ等の変形がなく位置精度がすぐれ
る。
した絶縁性接着テ−プ１１を同時に打抜くので、両者の
切断性の違いは減小して現れず切断できるとともに、位
置ズレは生ぜず、図３に示すようにインナーリード２先
端端面列と絶縁性接着テ−プ１１の切断列が一致し、半
導体チップ設置領域１の平面積は狭まらない。また、イ
ンナーリード２は先端が常に固定されているので、リ−
ド寄り、反り、ねじれ等の変形がなく位置精度がすぐれ
る。
【００２１】その後、前記絶縁性接着テ−プ１１の他面
に放熱板１０を貼着することで、インナーリード２部の
裏面側に半導体チップ設置領域１を含み前記放熱板１０
が接合した半導体装置用リードフレームが製造される。
に放熱板１０を貼着することで、インナーリード２部の
裏面側に半導体チップ設置領域１を含み前記放熱板１０
が接合した半導体装置用リードフレームが製造される。
【００２２】
【発明の効果】本発明は前述のようであるので、インナ
ーリードはリ−ド寄り、反り、ねじれなどの変形がなく
位置精度がすぐれる。さらにインナーリード部には絶縁
性接着テ−プが互いに位置ズレすることなく貼着され、
その後の樹脂封止の際、樹脂は接合箇所にも十分注入さ
れパッケージにクラックを生じさせず長寿命品となる。
また、放熱板は半導体チップ設置領域を中央部にしてイ
ンナーリード部に四方向の姿勢よく接合し、使用時の温
度上昇が防止されることは勿論である。
ーリードはリ−ド寄り、反り、ねじれなどの変形がなく
位置精度がすぐれる。さらにインナーリード部には絶縁
性接着テ−プが互いに位置ズレすることなく貼着され、
その後の樹脂封止の際、樹脂は接合箇所にも十分注入さ
れパッケージにクラックを生じさせず長寿命品となる。
また、放熱板は半導体チップ設置領域を中央部にしてイ
ンナーリード部に四方向の姿勢よく接合し、使用時の温
度上昇が防止されることは勿論である。
【図１】本発明の１実施例におけるリードフレームの製
造を示す図。
造を示す図。
【図２】本発明の１実施例において絶縁性接着テ−プを
貼着したリードフレームを示す図。
貼着したリードフレームを示す図。
【図３】本発明の１実施例において絶縁性接着テ−プを
貼着したリードフレームの側断面図。
貼着したリードフレームの側断面図。
【図４】本発明の１実施例において放熱板を接合したリ
ードフレームの側断面図。
ードフレームの側断面図。
【図５】本発明の他の実施例によるリードフレームの製
造を示す図。
造を示す図。
１ 半導体チップ設置領域 ２ インナーリード ３ アウターリード ４ タイバ− ５ ガイドホ−ル ６ サイドレ−ル ７ リードフレーム ８ 先端接続部 ９ 抜き孔 １０ 放熱板 １１ 絶縁性接着テ−プ
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/50
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体チップ設置領域の周りにインナー
リードに続いてアウターリードを形成し、前記インナー
リード部に絶縁性接着テープを介して放熱板を接合した
リードフレームの製造方法において、 半導体チップ設置領域外側に接続してインナーリードと
アウターリードを形成し、焼鈍し、前記半導体チップ設
置領域周縁とインナーリード先端接続部の間に抜き孔を
形成してインナーリードにコイニングを施し、インナー
リード先端部に部分めっきし、インナーリード部の反め
っき側に絶縁性接着テープを貼着し、インナーリード先
端と絶縁性接着テープを同時に打ち抜き、インナーリー
ドに枠状に抜き残した絶縁性接着テープを介して放熱板
を設けることを特徴とするリードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19373994A JP3115770B2 (ja) | 1994-07-25 | 1994-07-25 | リ−ドフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19373994A JP3115770B2 (ja) | 1994-07-25 | 1994-07-25 | リ−ドフレームの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0837264A JPH0837264A (ja) | 1996-02-06 |
| JP3115770B2 true JP3115770B2 (ja) | 2000-12-11 |
Family
ID=16313011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19373994A Expired - Fee Related JP3115770B2 (ja) | 1994-07-25 | 1994-07-25 | リ−ドフレームの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3115770B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998031051A1 (en) * | 1997-01-14 | 1998-07-16 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
-
1994
- 1994-07-25 JP JP19373994A patent/JP3115770B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0837264A (ja) | 1996-02-06 |
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Legal Events
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