JPH0837264A - リ−ドフレームの製造方法 - Google Patents
リ−ドフレームの製造方法Info
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- JPH0837264A JPH0837264A JP19373994A JP19373994A JPH0837264A JP H0837264 A JPH0837264 A JP H0837264A JP 19373994 A JP19373994 A JP 19373994A JP 19373994 A JP19373994 A JP 19373994A JP H0837264 A JPH0837264 A JP H0837264A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
ズレなく貼着し、その後の樹脂封止では樹脂が隅々まで
流入してクラックが発生せず、またリ−ド寄りやねじれ
等の変形がなく位置精度がすぐれ、放熱板を接合した半
導体装置用リードフレームを得る。 【構成】 半導体チップ設置領域1外周に接続してイン
ナーリード2とこれに続いてアウターリード3を形成
し、焼鈍し、インナーリードにコイニングを施し、イン
ナーリード先端部に部分めっきし、インナーリード部の
反めっき側に絶縁性接着テ−プ11を貼着し、インナー
リード先端と絶縁性接着テ−プを同時に打抜いて、イン
ナーリード部に枠状に抜き残した絶縁性接着テ−プ11
を介し放熱板を設けるリードフレーム7の製造方法であ
る。または、前記コイニングを施す前に、半導体チップ
設置領域周縁とインナーリード先端接続部の間に抜き孔
を形成する。
Description
度が優れ放熱板を接合したリードフレームの製造方法に
関する。
パッドに半導体チップ(以下 チップという)を接着搭
載し、チップ端子とインナーリードをボンディングワイ
ヤ−で接続し、樹脂等でインナーリード以内の部分をパ
ッケージし、当該パッケージから突出しているアウター
リードを所定形状に成形して製造される。また、前記パ
ッドに代えてリードフレームと別体に形成した半導体チ
ップ設置板を、絶縁性接着テ−プ等で接合したものがあ
る。
の多機能化が図られ、また小型にすることを要請されて
いる。かかることから入出力信号ピンは多数となり、且
つ、その間隔(ピッチ)は狭くなっている。
を強く望まれ、高周波化した信号を処理することになり
使用時において温度が上昇する。温度が高まると半導体
装置は機能性が悪影響を受けるので温度上昇を抑制する
必要がある。
は、例えば特開昭62−84541号公報のように熱伝
導度の高い銅や銅合金からなる放熱板をパッドの下方に
設けて熱を積極的に放散させるものがある。またパッド
部自体をリードフレームとは別体の放熱板から作り、イ
ンナーリード部に絶縁性接着テ−プ等を介して接合する
ものがある。
ッドを接合する際は、前述のように絶縁性接着テ−プや
接着剤が用いられるが、作業性や生産性等から前記接着
テ−プが多用される傾向にある。
に次のようにしてなされる。金属製のリードフレームと
合成樹脂製フィルムで接着のりが設けられた絶縁性接着
テ−プは、それぞれパンチとダイ等による切断性が異な
ることから別々に打抜かれ、その後、絶縁性接着テ−プ
をインナーリード部に貼着している。即ち、絶縁性接着
テ−プをリードフレームのインナーリード部の先端から
後端に対応して枠状に打抜き、これをインナーリード部
に貼着して、該絶縁性接着テ−プの他面に放熱板を接着
させている。
レが生じやすく、例えば一辺側は絶縁性接着テ−プがイ
ンナーリード部先端列より引っ込み、対向辺側が出っ張
る。また、インナーリードは前述の多ピン化で幅及びピ
ッチとも特に微細になっているので、貼着時の加圧力印
加の微妙なアンバランス等でリ−ド寄りやリ−ド同士の
接触を生じることがある。
ード部と絶縁性接着テ−プの貼着ズレがあると、その
後、搭載したチップとインナーリードをワイヤ−ボンデ
ィングし樹脂封止する際、樹脂が絶縁性接着テ−プのイ
ンナーリード部先端列より引っ込んだ箇所に流入し難
く、そこに気泡が生じクラック発生の一因となる。
域となる四辺のインナーリード先端部で囲まれる平らな
面積を狭め、出来るだけ大きなチップを設置するのに悪
影響を及ぼす。
テ−プを位置ズレなく貼着し、その後の樹脂封止では樹
脂が隅々まで流入してクラックを発生させず、またイン
ナーリードはリ−ド寄りやねじれ等の変形がなく位置精
度がすぐれ、放熱板を姿勢よく接合した半導体装置用リ
ードフレームを得ることを目的とする。
チップ設置領域の周りにインナーリードに続いてアウタ
ーリードを形成し、前記インナーリード部に絶縁性接着
テ−プを介して放熱板を接合したリードフレームの製造
方法において、半導体チップ設置領域外周に接続してイ
ンナーリードとアウターリードを形成し、焼鈍し、イン
ナーリードをコイニングし、インナーリード先端部に部
分めっきし、インナーリード部の反めっき側に絶縁性接
着テ−プを貼着し、インナーリード先端と絶縁性接着テ
−プを同時に打抜き、インナーリード部に枠状に抜き残
した絶縁性接着テ−プを介して放熱板を設けるリードフ
レームの製造方法にある。他の要旨は、インナーリード
をコイニングする前に、半導体チップ設置領域周縁とイ
ンナーリード先端接続部の間に抜き孔を形成する工程を
介在させるところにある。
領域外周に連続して、その先端が動かない状態にしてリ
ードパターンの形成、コイニング、インナーリード先端
部の部分めっきを行い、さらに、その状態で絶縁性接着
テ−プをインナーリード部に貼着し、しかる後、貼着し
た絶縁性接着テ−プとインナーリード先端を同時に打抜
くので、両者の切断性の違いは軽減されインナーリード
部と絶縁性接着テ−プはともに直載的に抜かれ位置ズレ
ができず、その後、樹脂封止の際の樹脂流入は隅々まで
なされる。
貼着まで半導体チップ設置領域外周に接続され、前記貼
着後にその先端が抜かれるので、リ−ド寄り、反り、ね
じれなどの変形がなく、位置精度が優れる等の作用効果
がある。
参照して詳細に説明する。図面において、1は半導体チ
ップ設置領域でその外周にインナーリード2が連続して
形成されている。3はアウターリードで前記インナーリ
ード2に連続している。該アウターリード3とインナー
リード2の形成順序は任意で何れが先であってもよい。
4はタイバ−、5はガイドホ−ル、6はサイドレ−ルで
ある。
フレーム7は、加工歪を除く歪取り焼鈍が施される。そ
の後、インナーリード2の先端部にコイニングを行いリ
−ド幅を拡げ、ワイヤ−ボンディングを行い易くする。
チップ設置領域1周縁とインナーリード2の先端接続部
8の間に、図5に示すように細長状の抜き孔9を形成し
てもよい。このようにするとコイニングによるインナー
リード2の長さの微小な延びが吸収される利点がある。
ばAu,Ag,Pd等の所望金属が部分めっきされる。
対側に、放熱板10を接合するために絶縁性接着テ−プ
11を貼着する。該貼着では絶縁性接着テ−プ11をイ
ンナーリード2部以内を被うようにして貼り付ける。次
いで、インナーリード2の先端は半導体チップ設置領域
1外周に接続しているので、これを切り離す打抜きと、
貼着させた絶縁性接着テ−プ11の打抜きを同時に行
う。
した絶縁性接着テ−プ11を同時に打抜くので、両者の
切断性の違いは減小して現れず切断できるとともに、位
置ズレは生ぜず、図3に示すようにインナーリード2先
端端面列と絶縁性接着テ−プ11の切断列が一致し、半
導体チップ設置領域1の平面積は狭まらない。また、イ
ンナーリード2は先端が常に固定されているので、リ−
ド寄り、反り、ねじれ等の変形がなく位置精度がすぐれ
る。
に放熱板10を貼着することで、インナーリード2部の
裏面側に半導体チップ設置領域1を含み前記放熱板10
が接合した半導体装置用リードフレームが製造される。
ーリードはリ−ド寄り、反り、ねじれなどの変形がなく
位置精度がすぐれる。さらにインナーリード部には絶縁
性接着テ−プが互いに位置ズレすることなく貼着され、
その後の樹脂封止の際、樹脂は接合箇所にも十分注入さ
れパッケージにクラックを生じさせず長寿命品となる。
また、放熱板は半導体チップ設置領域を中央部にしてイ
ンナーリード部に四方向の姿勢よく接合し、使用時の温
度上昇が防止されることは勿論である。
造を示す図。
貼着したリードフレームを示す図。
貼着したリードフレームの側断面図。
ードフレームの側断面図。
造を示す図。
Claims (2)
- 【請求項1】 半導体チップ設置領域の周りにインナー
リードに続いてアウターリードを形成し、前記インナー
リード部に絶縁性接着テ−プを介して放熱板を接合した
リードフレームの製造方法において、半導体チップ設置
領域外周に接続してインナーリードとアウターリードを
形成し、焼鈍し、インナーリードにコイニングを施し、
インナーリード先端部に部分めっきし、インナーリード
部の反めっき側に絶縁性接着テ−プを貼着し、インナー
リード先端と絶縁性接着テ−プを同時に打抜き、インナ
ーリード部に枠状に抜き残した絶縁性接着テ−プを介し
て放熱板を設けることを特徴とするリードフレームの製
造方法。 - 【請求項2】 半導体チップ設置領域の周りにインナー
リードに続いてアウターリードを形成し、前記インナー
リード部に絶縁性接着テ−プを介して放熱板を接合した
リードフレームの製造方法において、半導体チップ設置
領域外側に接続してインナーリードとアウターリードを
形成し、焼鈍し、前記半導体チップ設置領域周縁とイン
ナーリード先端接続部の間に抜き孔を形成してインナー
リードにコイニングを施し、インナーリード先端部に部
分めっきし、インナーリード部の反めっき側に絶縁性接
着テ−プを貼着し、インナーリード先端と絶縁性接着テ
−プを同時に打抜き、インナーリードに枠状に抜き残し
た絶縁性接着テ−プを介して放熱板を設けることを特徴
とするリードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19373994A JP3115770B2 (ja) | 1994-07-25 | 1994-07-25 | リ−ドフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19373994A JP3115770B2 (ja) | 1994-07-25 | 1994-07-25 | リ−ドフレームの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0837264A true JPH0837264A (ja) | 1996-02-06 |
JP3115770B2 JP3115770B2 (ja) | 2000-12-11 |
Family
ID=16313011
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19373994A Expired - Fee Related JP3115770B2 (ja) | 1994-07-25 | 1994-07-25 | リ−ドフレームの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3115770B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998031051A1 (en) * | 1997-01-14 | 1998-07-16 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
-
1994
- 1994-07-25 JP JP19373994A patent/JP3115770B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998031051A1 (en) * | 1997-01-14 | 1998-07-16 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JP3115770B2 (ja) | 2000-12-11 |
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