JPH0141034B2 - - Google Patents

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JPH0141034B2
JPH0141034B2 JP20865982A JP20865982A JPH0141034B2 JP H0141034 B2 JPH0141034 B2 JP H0141034B2 JP 20865982 A JP20865982 A JP 20865982A JP 20865982 A JP20865982 A JP 20865982A JP H0141034 B2 JPH0141034 B2 JP H0141034B2
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JP
Japan
Prior art keywords
plating
lead frame
metal strip
lead
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP20865982A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5999750A (ja
Inventor
Yasuzo Arino
Muneyuki Hasemi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Metal Mining Co Ltd filed Critical Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority to JP20865982A priority Critical patent/JPS5999750A/ja
Publication of JPS5999750A publication Critical patent/JPS5999750A/ja
Publication of JPH0141034B2 publication Critical patent/JPH0141034B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4821Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はIC用リードフレームの製造方法に関
する。
半導体集積回路(IC)素子のパツケージ材料
として、例えば第1図に示すようなリードフレー
ム1が用いられている。このリードフレーム1は
樹脂モールド形DIP(Dual Inline Packageの略)
用のもので、多数のリード2の群とIC素子搭載
部(以下、「アイランド」という)3が複数組連
続的に形成されている。上記リードフレーム1は
通常第2図の示すようにアイランド3及びリード
2の内側先端部に金、銀等の貴金属メツキが施さ
れてIC素子ののパツケージに供される。このよ
うなリードフレーム1は、金属板又は金属条をフ
オートエツチングまたはプレス打抜きによりリー
ド2及びアイランド3を形成した後所要の部分に
貴金属をメツキするのが一般的である。所要の部
分にのみメツキする部分メツキ装置は、例えば特
公昭49−24775号公報に記載のように、メツキす
べき部分を透孔したマスク板と押圧板とで被メツ
キ材を挾持し、この透孔にメツキ液を噴射すると
同時に被メツキ材(陰極)と陽極との間に通電す
るようになつている。ところが、このような部分
メツキをリードフレーム1に適用した場合、リー
ドフレームは通常0.25mm程度の厚さがあるため押
圧板とマスク板で挾持されたリード2の側面付近
に若干の間隙を生じることが避けられず、この間
隙にメツキ液が侵入する結果第3図に示すように
リード2の両側面に正常のメツキ境界線4からは
み出したメツキ漏れ部5が生じてしまう。このメ
ツキ漏れ部5を有するリードフレームに第2図の
破線6を外形とする樹脂モールドを施すと、上記
メツキ漏れ部5は樹脂と外界との境界付近に達す
ることになり、外界の湿度の影響でリード間にエ
レクトロマイグレーシヨンが起きて短絡するに至
る。このマイグレーシヨンは銀の場合特に顕著で
ある。メツキ境界線4と樹脂モールド外形線6と
の距離が充分離れていれば多少のメツキ漏れ部5
の存在はあまり問題にならないが、IC素子の集
積度向上に伴なつてアイランド3が大きくなり、
樹脂モールド外形を一定限度に抑えようとすれば
この距離は小さくなり、メツキ漏れ部5の存在は
許容されなくなる。例えば、第2図の破線6の長
さ方向の寸法6.35mm、貴金属メツキ領域の長さ方
向の寸法が6mmであると、両側におけるギヤツプ
は0.175mmの如く狭小のものとなる。
このようなメツキ漏れ部5を無くすにはリード
2及びアイランド3を形成する前に部分メツキを
施せば良いと考えられる。すなわち、第4図に示
すように金属条7の両縁部に位置決め用ピン孔8
を設けておき、この金属条7の中央部9に貴金属
を部分メツキし、しかる後金属条7をピン孔8を
用いて位置決めしながらプレス打抜き加工を施し
てリード2及びアイランド3を形成するのであ
る。
ところがこの方法では、最終的にリードフレー
ムを形成してみないとメツキ位置が正確であるか
どうか容易に判別できない欠点がある。メツキ位
置はピン孔8を用いれば或る程度正確にはなる
が、部分メツキ装置をプレス金型ほど精密に組み
立てることは困難なため、メツキ位置決めピンと
ピン孔8とのクリアランスを大きくせざるを得
ず、従つてこのピン孔8のみで正確さを期するこ
とは事実上不可能である。このため通常の部分メ
ツキ装置は他の手段でメツキ位置を調節できるよ
うにしている。例えば金属条を間欠的に送りなが
ら連続的に部分メツキする装置では軸方向の調節
はガイドローラーで、長手方向の調節は金属条の
駆動装置の微調整で行なうようにしている。しか
しながらこの調節もメツキ後直ちに位置ズレを確
認できなければ有効に活用できない。メツキ後プ
レス打抜き加工した後で初めてメツキ位置ズレを
発見してからフイードバツクするのでは大量のメ
ツキ不良品を発生させてしまうことになる。
本発明は上記欠点を解消し、メツキ位置ズレを
メツキ後直ちに判別できるようにしたIC用リー
ドフレームの製造方法を提供するものである。こ
の目的を達成するため本発明は、金属条の両端部
に位置決め用ピン孔と、上記金属条の中央部にメ
ツキ位置判別用貫通孔を形成し、上記中央部に貴
金属を部分メツキした後この金属条を上記ピン孔
を用いて位置合せしながらプレス打抜き加工を施
すことによりリードフレームを形成することを特
徴とする。
第5図は本発明の一実施例を説明するための図
である。第5図において金属条7には両端部に位
置決め用ピン孔8と、中央部にチヤンネル状の貫
通孔10,11が設けられている。これら貫通孔
10,11は第1図におけるリード2とアイラン
ド3の間隙と一致するようにしてある。このよう
な金属条7に第4図と同様に中央部9に貴金属メ
ツキを施せば第2図におけるリード2の先端にな
る部分及びアイランド3がメツキされることにな
る。位置決め用ピン孔8と貫通孔10,11の形
成はフオトエツチングまたはプレス打抜き加工何
れでもできる。中央部9への貴金属メツキは、金
属条7が短尺の場合は特公昭49−24775号公報に
記載されているようなバツチ式の部分メツキ装置
で、長尺の場合は米国特許第3788963号明細書に
記載のような連続部分メツキ装置で行なうことが
できる。何れの場合でもメツキ後の金属条7を見
れば貫通孔10,11とメツキ位置の関係を直ち
に判別できるので、位置ズレが有ればすぐに金属
条7の位置を修正することができ、メツキ位置ズ
レによる不良品の発生を最小限にすることができ
る。部分メツキを施した金属条7はプレス打抜き
加工に供し、ピン孔8を用いて位置させながらリ
ードフレームを形成すれば、リードフレームの1
群は外見上第2図に示すようになり、リード2の
先端は第6図に示すように上面と端面にはメツキ
層を有し、両側面には全く貴金属メツキ層を有し
ないリードフレームを得ることができる。
メツキ位置判別用貫通孔の位置及び形状は第5
図に示す例に限定されるものではなく、リード2
及びアイランド3の形成に障害とならなければど
のような位置及び形状であつても差支えない。但
し上記貫通孔の位置が中央部のメツキ位置から離
れ過ぎては位置ズレの判別が困難になるので、適
当な位置にしなければならない。例えば、幅方向
および/または長さ方向の中央線に対して線対称
の位置であつても良いし、メツキすべき領域の中
心から点対称の位置であつても良い。
上記説明はアイランド3のあるリードフレーム
について行なつたが、アイランドの無いリードフ
レームの製造にも本発明法は適用できる。この場
合はアイランド3の部分をピン孔8と共に開孔さ
せれば上記貫通孔をメツキ位置ズレ判別に用いる
ことができる。また、アイランド3のあるリード
フレームにおいて、アイランド3の部分に貴金属
メツキを施さない場合もあるが、そのような場合
も本発明法に含まれることはいうまでもない。
本発明によれば、リード側面に貴金属メツキ層
を有しないIC用リードフレームのメツキ位置を
精度良く製造することができ、材料歩留りを高め
うると共にIC装置の信頼性向上に大きく寄与す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は一般的なIC用リードフレームの平面
図。第2図は第1図のリードフレームに貴金属メ
ツキが施された状態の拡大平面図。第3図は従来
技術によるリード先端部分のメツキ漏れ部分を示
す斜視図。第4図および第5図はそれぞれ金属条
に設けたピン孔とメツキ位置の関係、および本発
明によるメツキ位置判別用貫通孔の位置関係の具
体例を示す説明図。第6図は本発明によつて形成
されたメツキ層を有するリード先端の斜視図であ
る。 1……リードフレーム;2……リード;3……
アイランド;7……金属条;8……位置決め用ピ
ン孔;9……中央部;10,11……貫通孔。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 金属条の両縁部に位置決め用ピン孔と、上記
    金属条の中央部にメツキ位置判別用貫通孔を形成
    し、上記中央部に貴金属を部分メツキした後この
    金属条を上記ピン孔を用いて位置合せしながらプ
    レス打抜き加工を施してリードフレームを形成す
    ることを特徴とするIC用リードフレームの製造
    方法。
JP20865982A 1982-11-30 1982-11-30 Ic用リ−ドフレ−ムの製造方法 Granted JPS5999750A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20865982A JPS5999750A (ja) 1982-11-30 1982-11-30 Ic用リ−ドフレ−ムの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20865982A JPS5999750A (ja) 1982-11-30 1982-11-30 Ic用リ−ドフレ−ムの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5999750A JPS5999750A (ja) 1984-06-08
JPH0141034B2 true JPH0141034B2 (ja) 1989-09-01

Family

ID=16559912

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP20865982A Granted JPS5999750A (ja) 1982-11-30 1982-11-30 Ic用リ−ドフレ−ムの製造方法

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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59188952A (ja) * 1983-04-11 1984-10-26 Shinko Electric Ind Co Ltd リ−ドフレ−ムの製造方法
US5742009A (en) * 1995-10-12 1998-04-21 Vlsi Technology Corporation Printed circuit board layout to minimize the clock delay caused by mismatch in length of metal lines and enhance the thermal performance of microeletronics packages via condution through the package leads

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5999750A (ja) 1984-06-08

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