KR102114210B1 - 프로브 빔 및 프로브 모듈 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 프로브 빔 및 프로브 모듈에 관한 것으로, 본 발명에서는 프로브 빔이, <반도체 소자 측 전기접속단자와 접촉되는 단자 접촉 파트>, <단자 접촉 파트의 측면에 연속하여 부착되는 빔 두께 보충 파트들> 등으로 구성되는 국면에서, 상기 단자 접촉 파트가 가지는 두께가 상기 빔 두께 보충 파트들의 각 두께보다 더 두꺼워질 수 있도록 유도하는 조치를 유연하게 취하고, 이를 통해, 프로브 빔 측에서, 단자 접촉 파트 측으로 일련의 강한 편심력이 불가피하게 가해지게 된다 하더라도, 해당 단자 접촉 파트의 두께 증가를 기반으로 하여, 일련의 좌굴 현상 없이, 불필요한 소성 변형을 일으키지 않도록 컨트롤함으로써, 결국, 반도체 소자 테스트 운영주체 측에서, 프로브 빔의 불량현상에 기인한 소자 테스트 불능 문제점을 융통성 있게 회피할 수 있도록 가이드 할 수 있다.

Description

프로브 빔 및 프로브 모듈{Probe beam and probe module}
본 발명은 프로브 빔 및 프로브 모듈에 관한 것으로, 보다 상세하게는 프로브 빔이, <반도체 소자 측 전기접속단자와 접촉되는 단자 접촉 파트>, <단자 접촉 파트의 측면에 연속하여 부착되는 빔 두께 보충 파트들> 등으로 구성되는 국면에서, 상기 단자 접촉 파트가 가지는 두께가 상기 빔 두께 보충 파트들의 각 두께보다 더 두꺼워질 수 있도록 유도하는 조치를 유연하게 취하고, 이를 통해, 프로브 빔 측에서, 단자 접촉 파트 측으로 일련의 강한 편심력이 불가피하게 가해지게 된다 하더라도, 해당 단자 접촉 파트의 두께 증가를 기반으로 하여, 일련의 좌굴 현상 없이, 불필요한 소성 변형을 일으키지 않도록 컨트롤함으로써, 결국, 반도체 소자 테스트 운영주체 측에서, 프로브 빔의 불량현상에 기인한 소자 테스트 불능 문제점을 융통성 있게 회피할 수 있도록 가이드 할 수 있는 프로브 빔 및 프로브 모듈에 관한 것이다.
최근, 반도체 소자의 성능 검사에 대한 중요성이 다양하게 부각되면서, 반도체 소자 테스트용 프로브 모듈 또한 빠른 발전을 거듭하고 있다.
예를 들어, 대한민국등록특허 제10-1082459호(명칭: 전기 시험 샘플용 전기 접촉 요소 및 접촉 장치)(2011.11.11.자 공고), 대한민국공개특허 제10-2016-30536호(명칭: 전기적 도전성 가이드 플레이트들 사이의, 신호 통과 경로들 및 이차 경로들을 갖는 다경로 전기적 프로브 및 프로브 어셈블리들)(2016.3.18.자 공개), 대한민국등록특허 제10-1769355호(명칭: 수직형 프로브핀 및 이를 구비한 프로브핀 조립체)(2017.8.18.자 공고), 대한민국등록특허 제10-1907270호(명칭: 프로브 회전 방지 기능을 구비한 수직형 프로브 모듈)(2018.10.12.자 공고), 대한민국등록특허 제10-1869044호)(명칭: 스크럽 현상이 저감된 수직형 프로브 카드용 니들유닛 및 이를 이용한 프로브 카드)(2018.7.19.자 공고) 등에는 이러한 종래의 기술에 따른 반도체 소자 테스트용 프로브 모듈의 일례가 좀 더 상세하게 개시되어 있다.
한편, 이러한 종래의 체제 하에서, 도 1에 도시된 바와 같이(참고로, 도 1은 프로브 빔을 정면에서 바라본 도면임), 프로브 모듈(10)은 <상부 관통구멍(14a)이 구비된 상부 가이드 블록(14)>, <하부 관통구멍(15a)이 구비된 하부 가이드 블록(15)>, <상부 가이드 블록(14) 측 상부 관통구멍(14a) 및 하부 가이드 블록(15) 측 하부 관통구멍(15a)에 삽입된 상태에서, 수직으로 세워져 배치되면서, 반도체 소자(30) 측 전기접속단자(31) 및 공간 변환기(20) 측 전기접속단자(21)를 전기적으로 연결시키는 프로브 빔(11)>이 체계적으로 조합된 구성을 취하게 된다.
이 상황 하에서, 반도체 소자(30)의 테스트 절차가 본격 진행되어, 아래 방향으로 압력이 가해지고, 그 영향으로, 프로브 빔(11)의 양 끝단부가 공간 변환기(20) 측 전기접속단자(21) 및 반도체 소자(30) 측 전기접속단자(31)와 접촉을 이루게 되면, 프로브 빔(11)은 활 모양으로 휘는 형상변형을 이루게 된다(도 1 참조).
이 상태에서, 공간 변환기(20)와 전기적으로 연결되어 있던 반도체 소자 테스트 장치(도시 안됨) 측에서는 <공간 변환기(20) 측 전기접속단자(21)-프로브 빔(11)-반도체 소자(30) 측 전기접속단자(31)>로 이루어지는 신호전달경로를 통해, 반도체 소자(30) 측으로 테스트 신호를 송출하면서, 일련의 반도체 소자 테스트 절차를 진행하게 된다.
이러한 종래의 체제 하에서, 반도체 칩 패키징 기술이 비약적인 발전을 이루게 되면서, 도 2에 도시된 바와 같이(참고로, 도 2는 도 1에 도시된 프로브 빔을 측면에서 바라본 모습임), 반도체 소자(30) 측 전기접속단자(31)는 솔더 범프 타입이나 솔더 볼 타입에서 평평한 패드 타입으로 변화하고 있으며, 이에 따라, 전기접속단자(31)는 그 피치(P)가 점점 더 좁아지는 형상 변화를 이루고 있다.
물론, 이처럼, 반도체 소자(30) 측 전기접속단자(31)의 피치(P)가 점점 더 좁아지는 상황 하에서, 전기접속단자(31)와 접촉되는 프로브 빔(11)의 끝 부분 사이즈는 프로브 빔(11)의 전체적인 몸체 사이즈 보다 더 작고 얇아질 수밖에 없게 된다.
이러한 이유에 따라, 종래의 프로브 빔(11)은 <프로브 빔(11)의 전체적인 몸체 사이즈 보다 더 작고 얇은 사이즈를 유지하면서, 프로브 빔(11)의 끝 부분에 편중되게 형성되어, 반도체 소자(30) 측 전기접속단자(31)와 접촉되는 단자 접촉 파트(11a)>, <단자 접촉 파트(11a)의 측면에 연속 부착되면서, 단자 접촉 파트(11a)의 두께를 보충하여, 일정 두께를 가지는 프로브 빔(11)의 전체적인 몸체를 형성하는 빔 두께 보충 파트들(11b,11c)> 등이 조합된 구성을 이루게 된다. 이 경우, 프로브 빔(11)을 형성하는 단자 접촉 파트(11a)의 두께(t1)와, 빔 두께 보충 파트들(11b,11c)의 두께(t2,t3)는 모두 균일한 값을 동일하게 가지게 된다.
한편, 이와 같은 종래의 체제 하에서, 상술한 바와 같이, 반도체 소자(30)의 테스트 절차가 본격 진행되어, 아래 방향으로 압력이 가해지고, 그 영향으로, 프로브 빔(11)의 양 끝단부가 공간 변환기(20) 측 전기접속단자(21) 및 반도체 소자(30) 측 전기접속단자(31)와 접촉을 이루게 되면, 프로브 빔(11)은 활 모양으로 휘는 형상변형을 이루게 되는 바, 이 경우, 프로브 빔(11)의 끝 부분에 편중되게 형성되어 있던 단자 접촉 파트(11a) 측으로는 일련의 강한 편심력이 불가피하게 가해질 수밖에 없게 된다(도 2 참조).
물론, 이처럼, 단자 접촉 파트(11a) 측으로 일련의 강한 편심력이 불가피하게 가해지는 상황 하에서, 프로브 빔(11) 측에서, 불필요한 소성 변형 없이, 활처럼 휘어졌다가 다시 펴지는 일련의 복원능력을 정상적으로 유지할 수 있으려면, 단자 접촉 파트(11a)에 가해지는 편심력을 완화시켜 줄 수 있는 일련의 조치가 융통성 있게 취해져야 한다.
그러나, 상황이 이러함에도 불구하고, 종래의 프로브 빔(11)은 오히려 단자 접촉 파트(11a)가 가지는 두께(t1)와, 빔 두께 보충 파트들(11b,11c)이 가지는 두께(t2,t3)를 모두 균일한 값으로 동일하게 유지시키고 있었기 때문에, 이 상황 하에서, 단자 접촉 파트(11a) 측으로 일련의 강한 편심력이 불가피하게 가해지게 되는 경우, 그 영향으로, 해당 프로브 빔(11) 측에서는 일련의 좌굴 현상을 일으켜, 빔 두께 보충 파트들(11b,11c)이 형성된 방향으로 기울어지면서, 불필요한 소성 변형을 일으킬 수밖에 없었으며, 결국, 활처럼 휘어졌다가 다시 펴지는 일련의 복원능력을 상실한 체, 아예 주저앉아 버리는 등의 심각한 불량현상을 일으킬 수밖에 없었다.
결국, 상술한 문제점에 따라, 프로브 빔(11) 측에서, 활처럼 휘어졌다가 다시 펴지는 일련의 복원능력을 상실한 체, 주저앉아 버리는 불량현상을 불가피하게 일으키게 되는 경우, 프로브 모듈(10) 측에서는 자신에게 주어진 일련의 반도체 소자 테스트 기능을 전혀 수행할 수 없게 되며, 결국, 반도체 소자 테스트 운영주체 측에서는 그에 상응하는 각종 심각한 피해를 고스란히 감수할 수밖에 없게 된다.
대한민국등록특허 제10-1082459호(명칭: 전기 시험 샘플용 전기 접촉 요소 및 접촉 장치)(2011.11.11.자 공고) 대한민국공개특허 제10-2016-30536호(명칭: 전기적 도전성 가이드 플레이트들 사이의, 신호 통과 경로들 및 이차 경로들을 갖는 다경로 전기적 프로브 및 프로브 어셈블리들)(2016.3.18.자 공개) 대한민국등록특허 제10-1769355호(명칭: 수직형 프로브핀 및 이를 구비한 프로브핀 조립체)(2017.8.18.자 공고) 대한민국등록특허 제10-1907270호(명칭: 프로브 회전 방지 기능을 구비한 수직형 프로브 모듈)(2018.10.12.자 공고) 대한민국등록특허 제10-1869044호)(명칭: 스크럽 현상이 저감된 수직형 프로브 카드용 니들유닛 및 이를 이용한 프로브 카드)(2018.7.19.자 공고)
따라서, 본 발명의 목적은 프로브 빔이, <반도체 소자 측 전기접속단자와 접촉되는 단자 접촉 파트>, <단자 접촉 파트의 측면에 연속하여 부착되는 빔 두께 보충 파트들> 등으로 구성되는 국면에서, 상기 단자 접촉 파트가 가지는 두께가 상기 빔 두께 보충 파트들의 각 두께보다 더 두꺼워질 수 있도록 유도하는 조치를 유연하게 취하고, 이를 통해, 프로브 빔 측에서, 단자 접촉 파트 측으로 일련의 강한 편심력이 불가피하게 가해지게 된다 하더라도, 해당 단자 접촉 파트의 두께 증가를 기반으로 하여, 일련의 좌굴 현상 없이, 불필요한 소성 변형을 일으키지 않도록 컨트롤함으로써, 결국, 반도체 소자 테스트 운영주체 측에서, 프로브 빔의 불량현상에 기인한 소자 테스트 불능 문제점을 융통성 있게 회피할 수 있도록 가이드 하는데 있다.
본 발명의 다른 목적들은 다음의 상세한 설명과 첨부된 도면으로부터 보다 명확해질 것이다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는 반도체 소자 측 전기접속단자와 접촉되는 단자 접촉 파트와; 상기 단자 접촉 파트의 측면에 연속하여 부착되는 빔 두께 보충 파트들을 포함하며, 상기 단자 접촉 파트가 가지는 두께는 상기 빔 두께 보충 파트들의 각 두께보다 더 두꺼운 것을 특징으로 하고, 상기 단자 접촉 파트 및 빔 두께 보충 파트들은 상기 단자 접촉 파트를 시발점으로 하여, 측면으로 갈수록 그 두께가 얇아지는 것을 특징으로 하는 프로브 빔을 개시한다.
또한, 본 발명의 다른 측면에서는 상부 관통구멍이 구비된 상부 가이드 블록과; 하부 관통구멍이 구비된 하부 가이드 블록과; 상기 상부 관통구멍 및 하부 관통구멍에 삽입된 상태에서, 수직으로 세워져 배치되면서, 반도체 소자 측 전기접속단자 및 공간 변환기 측 전기접속단자를 전기적으로 연결시키는 프로브 빔을 포함하며, 상기 프로브 빔은 반도체 소자 측 전기접속단자와 접촉되는 단자 접촉 파트와; 상기 단자 접촉 파트의 측면에 연속하여 부착되는 빔 두께 보충 파트들을 포함하고, 상기 단자 접촉 파트의 두께는 상기 빔 두께 보충 파트들의 각 두께보다 더 두꺼운 것을 특징으로 하며, 상기 단자 접촉 파트 및 빔 두께 보충 파트들은 상기 단자 접촉 파트를 시발점으로 하여, 측면으로 갈수록 그 두께가 얇아지는 것을 특징으로 하는 프로브 모듈을 개시한다.
본 발명에서는 프로브 빔이, <반도체 소자 측 전기접속단자와 접촉되는 단자 접촉 파트>, <단자 접촉 파트의 측면에 연속하여 부착되는 빔 두께 보충 파트들> 등으로 구성되는 국면에서, 상기 단자 접촉 파트가 가지는 두께가 상기 빔 두께 보충 파트들의 각 두께보다 더 두꺼워질 수 있도록 유도하는 조치를 유연하게 취하기 때문에, 본 발명의 구현환경 하에서, 프로브 빔 측에서는, 단자 접촉 파트 측으로 일련의 강한 편심력이 불가피하게 가해지게 된다 하더라도, 해당 단자 접촉 파트의 두께 증가를 기반으로 하여, 일련의 좌굴 현상 없이, 불필요한 소성 변형을 일으키지 않게 되며, 결국, 반도체 소자 테스트 운영주체 측에서는, 프로브 빔의 불량현상에 기인한 소자 테스트 불능 문제점을 융통성 있게 회피할 수 있게 된다.
도 1은 종래의 기술에 따른 프로브 빔 및 프로브 모듈을 개념적으로 도시한 정면 예시도.
도 2는 종래의 기술에 따른 프로브 빔의 확대모습을 개념적으로 도시한 측면 예시도.
도 3은 본 발명을 채용한 프로브 빔 및 프로브 모듈을 개념적으로 도시한 정면 예시도.
도 4는 본 발명에 따른 프로브 빔의 확대모습을 개념적으로 도시한 측면 예시도.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 각 실시에 따른 프로브 빔의 확대모습을 개념적으로 도시한 측면 예시도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명에 따른 프로브 빔 및 프로브 모듈을 좀 더 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 3에 도시된 바와 같이(참고로, 도 3은 프로브 빔을 정면에서 바라본 도면임), 본 발명을 채용한 프로브 모듈(50)은 <상부 관통구멍(54a)이 구비된 상부 가이드 블록(54)>, <하부 관통구멍(55a)이 구비된 하부 가이드 블록(55)>, <상부 가이드 블록(54) 측 상부 관통구멍(54a) 및 하부 가이드 블록(55) 측 하부 관통구멍(55a)에 삽입된 상태에서, 수직으로 세워져 배치되면서, 반도체 소자(70) 측 전기접속단자(71) 및 공간 변환기(60) 측 전기접속단자(61)를 전기적으로 연결시키는 프로브 빔(51)>이 체계적으로 조합된 구성을 취하게 된다.
이 상황 하에서, 반도체 소자(70)의 테스트 절차가 본격 진행되어, 아래 방향으로 압력이 가해지고, 그 영향으로, 프로브 빔(51)의 양 끝단부가 공간 변환기(60) 측 전기접속단자(61) 및 반도체 소자(70) 측 전기접속단자(71)와 접촉을 이루게 되면, 프로브 빔(51)은 활 모양으로 휘는 형상변형을 이루게 된다(도 3 참조).
이 상태에서, 공간 변환기(60)와 전기적으로 연결되어 있던 반도체 소자 테스트 장치(도시 안됨) 측에서는 <공간 변환기(60) 측 전기접속단자(61)-프로브 빔(51)-반도체 소자(30) 측 전기접속단자(31)>로 이루어지는 신호전달경로를 통해, 반도체 소자(70) 측으로 테스트 신호를 송출하면서, 일련의 반도체 소자 테스트 절차를 진행하게 된다.
물론, 이러한 본 발명의 체제 하에서도, 도 4에 도시된 바와 같이(참고로, 도 4는 도 3에 도시된 프로브 빔을 측면에서 바라본 모습임), 반도체 소자(70) 측 전기접속단자(71)는 솔더 범프 타입이나 솔더 볼 타입보다 그 피치(P)가 더 좁은 패드 타입을 이루고 있기 때문에, 전기접속단자(71)와 접촉되는 프로브 빔(51)의 끝 부분 사이즈는 프로브 빔(51)의 전체적인 몸체 사이즈 보다 더 작고 얇아질 수밖에 없게 되며, 그러한 이유로, 본 발명의 프로브 빔(51)은 <프로브 빔(51)의 전체적인 몸체 사이즈 보다 더 작고 얇은 사이즈를 유지하면서, 프로브 빔(51)의 끝 부분에 편중되게 형성되어, 반도체 소자(70) 측 전기접속단자(71)와 접촉되는 단자 접촉 파트(51a)>, <단자 접촉 파트(51a)의 측면에 연속 부착되면서, 단자 접촉 파트(51a)의 두께를 보충하여, 일정 두께를 가지는 프로브 빔(51)의 전체적인 몸체를 형성하는 빔 두께 보충 파트들(51b,51c)> 등이 조합된 구성을 이루게 된다.
한편, 이와 같은 본 발명의 체제 하에서도, 상술한 바와 같이, 반도체 소자(70)의 테스트 절차가 본격 진행되어, 아래 방향으로 압력이 가해지고, 그 영향으로, 프로브 빔(51)의 양 끝단부가 공간 변환기(60) 측 전기접속단자(61) 및 반도체 소자(70) 측 전기접속단자(71)와 접촉을 이루게 되면, 프로브 빔(51)은 활 모양으로 휘는 형상변형을 이루게 되는 바, 이 경우, 프로브 빔(51)의 끝 부분에 편중되게 형성되어 있던 단자 접촉 파트(51a) 측으로는 일련의 강한 편심력이 불가피하게 가해질 수밖에 없게 된다(도 4 참조).
물론, 이처럼, 단자 접촉 파트(51a) 측으로 일련의 강한 편심력이 불가피하게 가해지는 상황 하에서, 프로브 빔(51) 측에서, 불필요한 소성 변형 없이, 활처럼 휘어졌다가 다시 펴지는 일련의 복원능력을 정상적으로 유지할 수 있으려면, 단자 접촉 파트(51a)에 가해지는 편심력을 완화시켜 줄 수 있는 일련의 조치가 융통성 있게 취해져야 한다.
그러나, 상황이 이러함에도 불구하고, 종래의 프로브 빔은 오히려 단자 접촉 파트가 가지는 두께와, 빔 두께 보충 파트들이 가지는 두께를 모두 균일한 값으로 동일하게 유지시키고 있었기 때문에, 이 상황 하에서, 단자 접촉 파트 측으로 일련의 강한 편심력이 불가피하게 가해지게 되는 경우, 그 영향으로, 해당 프로브 빔 측에서는 일련의 좌굴 현상을 일으켜, 빔 두께 보충 파트들이 형성된 방향으로 기울어지면서, 불필요한 소성 변형을 일으킬 수밖에 없었으며, 결국, 활처럼 휘어졌다가 다시 펴지는 일련의 복원능력을 상실한 체, 아예 주저앉아 버리는 등의 심각한 불량현상을 일으킬 수밖에 없었다.
이러한 민감한 상황 하에서, 본 발명에서는 프로브 빔(51) 측 단자 접촉 파트(51a)가 가지는 두께(T1)가 상기 빔 두께 보충 파트들(51b,51c)의 각 두께(T2,T3)보다 더 두꺼워질 수 있도록 유도하는 조치를 강구하게 된다(즉, 단자 접촉 파트(51a)의 두께(T1)가 다른 것들 보다 제일 두꺼워지도록 유도하는 조치를 강구하게 된다).
이 경우, 단자 접촉 파트(51a) 및 빔 두께 보충 파트들(51b,51c)은 상기 단자 접촉 파트(51a)를 시발점으로 하여, 측면으로 갈수록 그 두께가 얇아지는 특징을 보임으로써, 예를 들어, 단자 접촉 파트(51a)의 두께(T1)가 제일 두껍고, 빔 두께 보충 파트(51b)의 두께(T2)가 그 다음으로 두꺼우며, 빔 두께 보충 파트(51c)의 두께(T3)가 가장 얇은 형태를 취하게 된다.
물론, 이처럼, 프로브 빔(51) 측 단자 접촉 파트(51a)가 가지는 두께(T1)가 상기 빔 두께 보충 파트들(51b,51c)의 각 두께(T2,T3)보다 더 두껍게 형성된 상황 하에서, 단자 접촉 파트(51a) 측으로 일련의 강한 편심력이 불가피하게 가해지게 된다 하더라도, 단자 접촉 파트(51a) 측에서는 자신의 두께 증가를 기반으로 하여, 빔 두께 보충 파트들(51b,51c)이 형성된 방향으로의 굴절 없이, 곧은 균형을 적절하게 유지할 수 있게 되며, 결국, 프로브 빔(51) 측에서는 불필요한 좌굴 현상, 소성 변형 등을 전혀 겪지 않으면서, 활처럼 휘어졌다가 다시 펴지는 일련의 복원능력을 정상적으로 유지할 수 있게 된다.
당연하게도, 단자 접촉 파트(51a)의 균형 유지를 기반으로 하여, 프로브 빔(51) 측에서, 활처럼 휘어졌다가 다시 펴지는 일련의 복원능력을 정상적으로 유지할 수 있게 되는 경우, 프로브 모듈(50) 측에서는 자신에게 주어진 일련의 반도체 소자 테스트 기능을 아무런 문제점 없이, 정상적으로 수행할 수 있게 되며, 결국, 반도체 소자 테스트 운영주체 측에서는 프로브 모듈(50)의 기능수행 불능에 기인한 각종 심각한 피해를 손쉽게 회피할 수 있게 된다.
이때, 본 발명에서는 프로브 빔(51) 측 단자 접촉 파트(51a) 및 빔 두께 보충 파트들(51b,51c)의 재질을 Ni 또는 Pd를 포함하는 합금 재질로 형성하게 되며, 상황에 따라, 단자 접촉 파트(51a) 및 빔 두께 보충 파트들(51b,51c)의 구성성분 내에는 B 또는 P를 포함하는 비금속 또는 Co, Mn, 또는 Fe를 포함하는 금속이 합금의 형태로 추가 포함될 수도 있게 된다.
이와 같이, 본 발명에서는 프로브 빔(51)이, <반도체 소자(70) 측 전기접속단자(71)와 접촉되는 단자 접촉 파트(51a)>, <단자 접촉 파트(51a)의 측면에 연속하여 부착되는 빔 두께 보충 파트들(51b,51c)> 등으로 구성되는 국면에서, 상기 단자 접촉 파트(51a)가 가지는 두께(T1)가 상기 빔 두께 보충 파트들(51b,51c)의 각 두께(T2,T3) 보다 더 두꺼워질 수 있도록 유도하는 조치를 유연하게 취하기 때문에, 본 발명의 구현환경 하에서, 프로브 빔(51) 측에서는, 단자 접촉 파트(51b) 측으로 일련의 강한 편심력이 불가피하게 가해지게 된다 하더라도, 해당 단자 접촉 파트(51b)의 두께 증가를 기반으로 하여, 일련의 좌굴 현상 없이, 불필요한 소성 변형을 일으키지 않게 되며, 결국, 반도체 소자 테스트 운영주체 측에서는, 프로브 빔(51)의 불량현상에 기인한 소자 테스트 불능 문제점을 융통성 있게 회피할 수 있게 된다.
한편, 본 발명에서는 도 5에 도시된 바와 같이, 상황에 따라, <단자 접촉 파트(51a)와 빔 두께 보충 파트(51b) 사이의 계면> 또는 <빔 두께 보충 파트들(51b,51c) 사이의 계면>에, 접착력 유도 및 전기적 특성 향상을 위한 부 재질 층(52)을 추가 형성시키는 변화된 조치를 취할 수도 있게 된다.
또한, 본 발명에서는 상황에 따라, 단자 접촉 파트(51a)의 내부에도, 전기적 특성 향상을 위한 부 재질 층(52)을 추가 형성시키는 변화된 조치를 취할 수도 있게 된다(도 5 참조).
이때, 상기 <단자 접촉 파트(51a)와 빔 두께 보충 파트(51b) 사이의 계면>, <빔 두께 보충 파트들(51b,51c) 사이의 계면>, <단자 접촉 파트(51a)의 내부> 등에 형성되는 부 재질 층(52)은 도 5에 도시된 바와 같은 단층 형태를 이룰 수도 있고, 도 6에 도시된 바와 같이, 두 개의 레이어(52,53)가 겹쳐진 복층 형태를 이룰 수도 있게 된다.
이때, 본 발명에서는 부 재질 층(52,53)의 재질을 Au, Ag, Cu, Ti, Ni, CNT, 또는 그래핀을 포함하는 합금 재질로 형성하게 되며, 상황에 따라, 부 재질 층(52,53)의 구성성분 내에는, B 또는 P를 포함하는 비금속 또는 Co, Mn, 또는 Fe를 포함하는 금속이 합금의 형태로 추가 포함될 수도 있게 된다.
물론, 이러한 본 발명의 다른 실시에서도(즉, 부 재질 층(52,53)의 형성 상황 하에서도), 단자 접촉 파트(51a)가 가지는 두께(T1)가 상기 빔 두께 보충 파트들(51b,51c)의 각 두께(T2,T3) 보다 더 두꺼워질 수 있도록 조치하기 때문에, 본 발명의 다른 구현환경 하에서도, 프로브 빔(51) 측에서는, 단자 접촉 파트(51a) 측으로 일련의 강한 편심력이 불가피하게 가해지게 된다 하더라도, 해당 단자 접촉 파트(51b)의 두께 증가를 기반으로 하여, 일련의 좌굴 현상 없이, 불필요한 소성 변형을 일으키지 않게 되며, 결국, 반도체 소자 테스트 운영주체 측에서는, 프로브 빔(51)의 불량현상에 기인한 소자 테스트 불능 문제점을 융통성 있게 회피할 수 있게 된다.
이러한 본 발명은 상황에 따라, 다양한 변형을 이룰 수 있다.
예를 들어, 도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 또 다른 실시에서는 프로브 빔(51) 측 단자 접촉 파트(51a)가 가지는 두께(T1)가 상기 빔 두께 보충 파트들(51b,51c)의 각 두께(T2,T3) 보다 더 두꺼워질 수 있도록 유도하는 조치를 강구하되, 예를 들어, 단자 접촉 파트(51a)의 두께(T1)가 제일 두껍고, 빔 두께 보충 파트(51b)의 두께(T2)가 가장 얇으며, 빔 두께 보충 파트(51c)의 두께(T3)는 빔 두께 보충 파트(51b)의 두께(T2) 보다는 두껍고, 단자 접촉 파트(51a)의 두께(T1) 보다는 얇은 형태를 취하도록 유도하게 된다.
물론, 이러한 본 발명의 또 다른 실시에서도, 단자 접촉 파트(51a)가 가지는 두께(T1)가 상기 빔 두께 보충 파트들(51b,51c)의 각 두께(T2,T3) 보다 더 두꺼워질 수 있도록 조치하기 때문에, 본 발명의 또 다른 구현환경 하에서도, 프로브 빔(51) 측에서는, 단자 접촉 파트(51a) 측으로 일련의 강한 편심력이 불가피하게 가해지게 된다 하더라도, 해당 단자 접촉 파트(51a)의 두께 증가를 기반으로 하여, 일련의 좌굴 현상 없이, 불필요한 소성 변형을 일으키지 않게 되며, 결국, 반도체 소자 테스트 운영주체 측에서는, 프로브 빔(51)의 불량현상에 기인한 소자 테스트 불능 문제점을 융통성 있게 회피할 수 있게 된다.
이러한 본 발명은 특정 분야에 국한되지 아니하며, 반도체 소자의 테스트가 필요한 여러 분야에서, 전반적으로 유용한 효과를 발휘한다.
그리고, 앞에서, 본 발명의 특정한 실시 예가 설명되고 도시되었지만 본 발명이 당업자에 의해 다양하게 변형되어 실시될 가능성이 있는 것은 자명한 일이다.
이와 같은 변형된 실시 예들은 본 발명의 기술적 사상이나 관점으로부터 개별적으로 이해되어서는 안되며 이와 같은 변형된 실시 예들은 본 발명의 첨부된 특허청구의 범위 안에 속한다 해야 할 것이다.
10.50: 프로브 모듈
11.51: 프로브 빔
11a,51a: 단자 접촉 파트
11b,11c,51b,51c: 빔 두께 보충 파트
14.54: 상부 가이드 블록
14a,54a: 상부 관통구멍
15,55: 하부 가이드 블록
15a,55a: 하부 관통구멍
20.60: 공간 변환기
30,70: 반도체 소자
21,31,61,71: 전기접속단자
52,53: 부 재질 층

Claims (10)

  1. 반도체 소자 측 전기접속단자와 접촉되는 단자 접촉 파트와;
    상기 단자 접촉 파트의 측면에 연속하여 부착되는 빔 두께 보충 파트들을 포함하며,
    상기 단자 접촉 파트가 가지는 두께는 상기 빔 두께 보충 파트들의 각 두께보다 더 두꺼운 것을 특징으로 하고,
    상기 단자 접촉 파트 및 빔 두께 보충 파트들은 상기 단자 접촉 파트를 시발점으로 하여, 측면으로 갈수록 그 두께가 얇아지는 것을 특징으로 하는 프로브 빔.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 단자 접촉 파트와 빔 두께 보충 파트 사이의 계면 또는 상기 빔 두께 보충 파트들 사이의 계면에는 접착력 유도 및 전기적 특성 향상을 위한 부 재질 층이 추가 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브 빔.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 단자 접촉 파트의 내부에는 전기적 특성 향상을 위한 부 재질 층이 추가 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브 빔.
  5. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 부 재질 층은 단층 또는 복층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 프로브 빔.
  6. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 부 재질 층은 Au, Ag, Cu, Ti, Ni, CNT, 또는 그래핀을 포함하는 합금 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 프로브 빔.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 부 재질 층에는 B 또는 P를 포함하는 비금속 또는 Co, Mn, 또는 Fe를 포함하는 금속이 합금의 형태로 추가 포함되는 것을 특징으로 하는 프로브 빔.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 단자 접촉 파트 및 빔 두께 보충 파트들은 Ni 또는 Pd를 포함하는 합금 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 프로브 빔.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 단자 접촉 파트 및 빔 두께 보충 파트들에는 B 또는 P를 포함하는 비금속 또는 Co, Mn, 또는 Fe를 포함하는 금속이 합금의 형태로 추가 포함되는 것을 특징으로 하는 프로브 빔.
  10. 상부 관통구멍이 구비된 상부 가이드 블록과;
    하부 관통구멍이 구비된 하부 가이드 블록과;
    상기 상부 관통구멍 및 하부 관통구멍에 삽입된 상태에서, 수직으로 세워져 배치되면서, 반도체 소자 측 전기접속단자 및 공간 변환기 측 전기접속단자를 전기적으로 연결시키는 프로브 빔을 포함하며,
    상기 프로브 빔은
    반도체 소자 측 전기접속단자와 접촉되는 단자 접촉 파트와;
    상기 단자 접촉 파트의 측면에 연속하여 부착되는 빔 두께 보충 파트들을 포함하고,
    상기 단자 접촉 파트의 두께는 상기 빔 두께 보충 파트들의 각 두께보다 더 두꺼운 것을 특징으로 하며,
    상기 단자 접촉 파트 및 빔 두께 보충 파트들은 상기 단자 접촉 파트를 시발점으로 하여, 측면으로 갈수록 그 두께가 얇아지는 것을 특징으로 하는 프로브 모듈.
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