KR101540972B1

KR101540972B1 - 디스플레이 패널 검사용 프로브 블록의 제조 방법

Info

Publication number: KR101540972B1
Application number: KR1020130149198A
Authority: KR
Inventors: 차보경; 전성채; 양기동; 임현우; 허영
Original assignee: 한국전기연구원
Priority date: 2013-12-03
Filing date: 2013-12-03
Publication date: 2015-08-03
Also published as: KR20150064450A

Abstract

본 발명은 패널 검사용 프로브 블록의 제조 방법에 관한 것으로서, 기판으로 사용되는 필름의 결함이 공정 수율에 영향을 미치는 것을 최소화할 수 있고, 작은 피치 크기가 요구되는 프로브 블록을 제조함에 있어서 종래의 공정상 문제 및 수율 저하의 문제를 개선할 수 있는 제조 방법을 제공하는데 주된 목적이 있는 것이다. 상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 공정 기판을 준비하는 단계; 상기 공정 기판 위에 시드층을 형성하는 단계; 상기 시드층 위에 범프 공간을 형성하기 위한 PR 패턴을 적층하는 1차 포토리소그래피 공정 단계; 상기 PR 패턴 위에서 전기도금을 실시하여 1차 포토리소그래피 공정 중 PR이 제거된 부분에 범퍼가 되는 메탈 도금층을 형성하는 단계; 상기 PR 패턴 위에 배선 공간을 형성하기 위한 PR 패턴을 적층하는 2차 포토리소그래피 공정 단계; 상기 2차 포토리소그래피 공정에서 형성한 PR 패턴 위에서 전기도금을 실시하여 2차 포토리소그래피 공정 중 PR이 제거된 부분에 배선이 되는 메탈 도금층을 형성하는 단계; 상기 배선 위로 프로브 블록의 기판이 되는 필름을 접착하는 단계; 및 상기 공정 기판 및 시드층, PR 패턴을 모두 제거하는 단계를 포함하는 패널 검사용 프로브 블록의 제조 방법을 제공한다.

Description

디스플레이 패널 검사용 프로브 블록의 제조 방법{Manufacturing method of probe block for inspecting display panel}

본 발명은 프로브 블록에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 디스플레이 패널의 검사시에 사용되는 프로브 유닛의 COF(Chip on Film)형 프로브 블록을 제조하는 방법에 관한 것이다.

일반적으로 TFT-LCD나 PDP, FED, LED, OLED 등과 같은 평판 디스플레이(Flat Panel Display, FPD)의 패널 불량 여부를 검사하기 위하여 프로브 스테이션(Probe Station)을 사용하고 있다.

프로브 스테이션은 구동 IC를 붙이기 전에 패널이 정상적으로 작동하는지의 여부를 검사하는 장비로, 패널의 가장자리 부분에 배치된 데이터/게이트 전극에 프로브(Probe)를 일괄 접촉한 후 전기신호를 인가하여 비주얼 검사(Visual Inspection)를 수행하는 전자동 패널 검사 장비이다.

프로브 스테이션은 교체 가능한 프로브 유닛(Probe Unit)을 포함하고 있는데, 프로브 유닛은 디스플레이 제조 공정 중 셀(Cell) 공정(패널 공정)의 최종 검사 단계에서 프로브를 데이터/게이트 라인의 모든 전극에 일괄 접촉시키고 구동회로에서 전기신호(시험신호)를 인가하여 화소의 점등 특성, 불량 여부 등을 비주얼 검사하는 장치이다.

프로브 유닛은 다수의 부품들로 구성되는데, PCB 신호를 패널 구동신호로 변환하는 TCP 블록, TCP 블록의 패널 구동신호(시험신호)를 패널의 패드(전극 부분)로 인가하는 프로브 블록, TCP 블록 및 프로브 블록을 지지하고 각 블록별 얼라인(alignment)을 조절하며 프로브 블록에 가해지는 구동압력을 조절하는 매니퓰레이터, 그리고 프로브 블록을 기구적으로 지지하는 프로브 베이스 등을 포함하여 구성된다.

여기서, TCP 블록은 PCB로부터 드라이브 IC까지 신호를 인가해주는 FPC(Flexible Printed Circuit), PCB 신호를 패널 구동신호로 변환하는 드라이버 IC, 및 프로브 블록의 프로브 핀이 드라이브 IC에 정확히 정렬되도록 하는 가이드 필름을 포함한다.

또한, 프로브 블록은 패널의 가장자리에 위치한 데이터/게이트 라인의 전극에 접촉되어 TCP 블록으로부터 전달받은 전기신호를 인가하는 프로브 핀의 집합체로서, 데이터 프로브 블록과 게이트 프로브 블록으로 구분되고, 프로브 핀(탐침)의 구현 방식에 따라 블레이드(Blade)형, 니들(Needle)형, 미세가공기법을 적용한 멤스(MEMS)형 등이 있다.

니들형 프로브 블록은 프로브 핀을 수백 개까지 균일하게 배열하기 어려운 문제점이 있으며, 미세가공기법으로 제작하여 균일한 높이를 갖고 고밀도의 핀 구조를 갖는 MEMS형 프로브 블록은 제조비용이 증가하는 문제점이 있다.

또한, 종래의 프로브 핀은 니들형 또는 미세가공기법으로 형성한 뾰족한 핀 구조를 가지므로 패널을 시험하는 경우 뾰족한 핀의 선단부가 패널의 패드와 접촉할 때 패드를 손상시키는 문제점이 있다.

이러한 문제점을 해소하기 위해 데이터 드라이버 IC나 게이트 드라이버 IC가 실장된 필름(Chip on Film, COF)을 직접 접촉시키는 방식의 COF형 프로브 블록이 제안된 바 있다.

COF는 유연한(Flexible) 필름 기판 위에 전자회로(Chip)을 구현한 디바이스를 지칭하는 것으로, 도 1은 패널 검사를 위해 프로브 유닛의 COF형 프로브 블록을 패널의 패드에 접촉시킨 상태를 개략적으로 도시한 도면이고, 도 2는 COF형 프로브 블록을 개략적으로 도시한 구성도이다.

도시된 바와 같이, COF형 프로브 블록(10)의 범프(Bump)(14)를 패널(1)의 패드(2)에 직접 접촉시키며, 소정의 피치(Pitch) 간격으로 배열된 다수의 범프(14)를 통해 패널(1)의 패드(2)에 전기신호를 인가함으로써 검사가 진행된다.

이러한 COF형 프로브 블록(10)은 기본 구성으로 필름(11), 상기 필름(11) 위에 형성한 배선(메탈 패턴)(13), 그리고 상기 배선(13) 위에 형성한 범프(14)를 포함한다.

여기서, 배선(13)은 패널(1)의 패드(2)에 전기신호를 인가하기 위한 전기도선 역할을 하는 부분으로, 포토리소그래피(Photolithography) 및 전기도금(Electroplating)의 공정으로 형성할 수 있고, 통상 재질로는 구리(Cu)가 사용된다.

또한, 범프(14)는 패널 검사시 패드(2)에 접촉하여 전기신호를 인가하는 부분으로, Cu 배선(13) 위에 Ni-Co층을 적층하여 형성한다.

도면부호 12a는 접착층(Adhesion Layer)을, 도면부호 12b와 12c는 시드층(Seed Layer)인 Ti와 Cu 박막을 나타내고, 도면부호 15는 금을 도금하여 형성한 외부층을 나타낸다.

도 3은 COF형 프로브 블록을 제조하기 위한 종래의 방법을 나타내는 공정도로서, 이를 설명하면, 먼저 기판으로 PET(Poly Ethylene Terephthalate)나 PI(Polyimide) 필름(11) 위에 접착층(12a)을 코팅하고, 그 위로 시드층을 형성하기 위해 Ti 박막(12b)(접착층으로 이용됨)과 Cu 박막(12c)을 차례로 증착하여 형성한다(Sputter 또는 Evaporator 등 이용).

이어, Cu 박막(12c) 위로 포토리소그래피 공정을 통해 PR(Photoresist) 패턴(16a)을 형성하고, 그 위로 배선(13)의 형성을 위해 구리(Cu)를 전기도금한 후 PR을 제거한다(Cu Electroplating & PR Strip).

이후, Cu 배선(13) 위로 포토리소그래피 공정을 통해 PR(Photoresist) 패턴(16b)을 형성하고, 그 위로 범프(14)의 형성을 위해 Ni-Co를 전기도금한 후 PR을 제거한다(Ni-Co Electroplating & PR Strip).

이어, 식각을 통해 불필요한 필름 위 Ti 박막과 Cu 박막을 제거하고, 보호막 처리(Passivation)를 한다.

한편, COF형 프로브 블록은 기존의 니들형이나 블레이드형, MEMS형과는 달리 COF의 범프를 패널의 패드에 직접 접촉시켜 검사할 수 있고(Wiring Device와 Contact Device를 통합한 형태임), 특히 작은 피치가 요구되는 패널 검사용으로 유용하다.

또한, 범프가 직접 접촉하는 방식(Direct Contact Type)으로 핀이 필요 없으므로 프로브 블록 및 프로브 유닛의 제조원가를 절감할 수 있으며, 검사시에 패널의 패드 손상이 적다는 이점을 가진다.

또한, COF형 프로브 블록은 우수한 유연성(Flexibility)과 신뢰성(Reliability)을 가지며, 경박단소화가 가능하고, 수리(Repair)성 측면에서도 우수한 장점을 가진다.

그러나, 종래의 COF형 프로브 블록을 제조함에 있어서 다음과 같은 문제점이 있다.

기판으로 사용되는 필름상에 결함으로 작용하는 미세한 크기의 입자(Particle)들이 다수 존재하고, 필름의 헤이즈(Haze)가 심하다(Haze Size: 1 ~ 10㎛).

따라서, 종래의 제조 방법을 적용할 경우 프로브 블록의 배선 및 범프 간의 피치를 크게 하여 제조하는 데에는 큰 문제가 없다.

즉, 상대적으로 큰 픽셀(Pixel) 피치를 가지는 패널, 예컨대 TFT-LCD과 같은 패널(대략 20㎛의 피치를 가짐)의 검사용으로 프로브 블록을 제조함에 있어서는 공정상의 어려움과 수율상의 문제가 없다.

그러나, 작은 픽셀 피치를 가지는 패널, 예컨대 OLED의 패널을 검사하기 위한 용도의 프로브 블록을 제조하고자 할 경우 프로브 블록의 배선(또는 범프) 간의 피치 크기를 작게 하여 제조할 때 공정상의 어려움과 수율의 문제가 존재한다.

즉, 프로브 블록을 제조함에 있어서 피치 크기와 필름상의 결함이 공정 수율에 영향을 미치게 되는데, 종래의 제조 방법의 경우 미세 피치 크기와 필름상의 미세한 입자 결함으로 인해 공정 수율이 낮다는 문제점이 있다(기존의 공정 동안에 필름과 층 간의 박리가 자주 발생하여 수율이 낮음).

따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창출한 것으로서, 필름상의 결함이 공정 수율에 영향을 미치는 것을 최소화할 수 있고, 작은 피치 크기가 요구되는 프로브 블록을 제조함에 있어서 공정상의 문제 및 수율 저하의 문제를 개선할 수 있는 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 공정 기판을 준비하는 단계; 상기 공정 기판 위에 시드층을 형성하는 단계; 상기 시드층 위에 범프 공간을 형성하기 위한 PR 패턴을 적층하는 1차 포토리소그래피 공정 단계; 상기 PR 패턴 위에서 전기도금을 실시하여 1차 포토리소그래피 공정 중 PR이 제거된 부분에 범퍼가 되는 메탈 도금층을 형성하는 단계; 상기 PR 패턴 위에 배선 공간을 형성하기 위한 PR 패턴을 적층하는 2차 포토리소그래피 공정 단계; 상기 2차 포토리소그래피 공정에서 형성한 PR 패턴 위에서 전기도금을 실시하여 2차 포토리소그래피 공정 중 PR이 제거된 부분에 배선이 되는 메탈 도금층을 형성하는 단계; 상기 배선 위로 프로브 블록의 기판이 되는 필름을 접착하는 단계; 및 상기 공정 기판 및 시드층, PR 패턴을 모두 제거하는 단계를 포함하는 패널 검사용 프로브 블록의 제조 방법을 제공한다.

바람직한 실시예에서, 상기 공정 기판으로는 실리콘 기판 또는 유리 기판을 사용할 수 있다.

또한, 상기 시드층은 공정 기판에 Cu 박막을 증착하여 형성할 수 있고, 공정 기판을 제거할 때 Cu 식각액으로 상기 Cu 박막을 선택적으로 식각함으로써 필름을 분리할 수 있다.

또한, 상기 범퍼가 되는 메탈 도금층을 형성하는 단계에서, 상기 1차 포토리소그래피 공정에 의해 형성된 PR 패턴에서 Ti-Co 도금을 실시하여 메탈 도금층을 형성하는 것이 가능하다.

또한, 상기 배선이 되는 메탈 도금층을 형성하는 단계에서, 상기 2차 포토리소그래피 공정에 의해 형성된 PR 패턴에서 Cu 도금을 실시하여 메탈 도금층을 형성하는 것이 가능하다.

또한, 상기 필름을 접착하는 단계에서 접착제로서 경화 후 접착 성능을 나타내는 액상 레진(Resin) 또는 UV 에폭시(Epoxy)를 사용할 수 있다.

또는, 상기 필름을 접착하는 단계에서 접착 테이프를 사용하여 필름을 접착하는 것이 가능하다.

또한, 상기 공정 기판 및 시드층을 제거할 때 식각액으로 시드층을 선택적으로 식각함으로써 시드층을 제거함과 더불어 공정 기판을 분리하여 제거하는 것이 가능하다.

또는, 상기 공정 기판 및 시드층을 제거할 때 기계적 연마 또는 화학적 식각의 방법을 통하여 공정 기판을 제거한 후 식각액으로 시드층을 식각하여 제거하는 것이 가능하다.

전술한 과제 해결 수단에 의하여 본 발명에 따른 프로브 블록의 제조 방법에서는 기판으로 사용되는 필름에 직접 미세 피치의 패턴을 형성하는 방법 대신, 실리콘 기판이나 유리 기판 등의 결함이 적은 공정 기판에 범퍼와 배선을 적층 형성하고 필름을 접착한 뒤 공정 기판을 제거하는 방식을 적용함으로써, 공정 동안 필름상의 결함이 수율에 미치는 영향을 최소화할 수 있고, 공정의 안정화와 수율 증대를 도모할 수 있게 된다.

도 1은 패널 검사를 위해 프로브 유닛의 COF형 프로브 블록을 패널의 패드에 접촉시킨 상태를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 COF형 프로브 블록을 개략적으로 도시한 구성도이다.
도 3은 COF형 프로브 블록을 제조하기 위한 종래의 방법을 나타내는 공정도이다.
도 4와 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 COF형 프로브 블록의 제조 방법을 나타내는 공정도이다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명하기로 한다.

본 발명은 프로브 유닛에서 사용되는 COF(Chip on Film)형 프로브 블록의 제조 방법에 관한 것으로서, 필름상의 결함이 공정 수율에 영향을 미치는 것을 최소화할 수 있고, 작은 피치 크기가 요구되는 프로브 블록을 제조함에 있어서 공정의 안정화와 공정 수율의 증대를 도모할 수 있는 개선된 제조 방법을 제공하고자 하는 것이다.

도 4와 도 5는 실시예에 따른 COF형 프로브 블록의 제조 방법을 나타내는 공정도로서, 프로브 블록을 제조하기 위하여 도 4의 공정과 도 5의 공정이 연속된 공정으로 진행됨을 밝혀둔다.

먼저, 프로브 블록을 제조하는데 있어서 표면이 깨끗하고 단단(Hard)한 별도의 공정 기판(101)을 사용한다.

여기서, 공정 기판(101)으로는 실리콘 웨이퍼 또는 유리 웨이퍼가 사용될 수 있다.

상기한 공정 기판(101)을 준비한 후, 기판(101) 위에 박막 증착 공정을 통해 시드층(Seed Layer)(102)을 증착하여 형성한다.

실시예에서, 상기 시드층(102)으로는 스퍼터링법(Sputtering)으로 Cu 박막을 증착하여 Cu 시드층(Cu Seed Layer)을 형성할 수 있다.

이어, 시드층(102) 위에 1차 포토리소그래피 공정을 진행하여 범프 공간을 형성하기 위한 PR(Photoresist) 패턴(103)을 형성한다.

포토리소그래피 공정에서는 주지되어 있는 바와 같이 PR 도포, 노광, 현상의 과정을 거쳐 PR 패턴(103)을 형성하며, 상기 시드층(102) 위에 PR을 도포하고, PR에 대한 노광 및 현상의 과정을 거쳐 원하는 PR 패턴(103)을 형성한다.

시드층(102) 위에 형성된 PR 패턴(103)에서 현상에 의해 PR이 제거된 부분은 후속 공정에서 적층 형성될 Ni-Co 범프의 영역이 되는 부분으로서, 1차 포토리소그래피 공정이 범프 공간을 생성하기 위한 공정이므로 범프의 위치 및 크기, 피치 등을 고려하여 PR 패턴(103)을 형성한다.

이어, PR 패턴(103) 위에서 전기도금(Electroplating)의 방법을 이용하여 PR이 제거된 상기 범프 공간에 메탈 도금층(104)을 적층 형성하며, 이 메탈 도금층(104)은 완성된 프로브 블록에서 범프가 되는 부분으로, 공지의 메탈 재질, 즉 Ni-Co 도금을 통하여 형성할 수 있다.

다음으로, 전기도금을 마친 PR 패턴(103) 위에 다시 포토리소그래피 공정, 즉 2차 포토리소그래피 공정을 진행하여 배선 공간을 형성하기 위한 PR(Photoresist) 패턴(105)을 형성한다(이상 도 4 참조).

2차 포토리소그래피 공정에서도 PR 도포, 노광, 현상의 과정을 거쳐 PR 패턴(105)을 형성하며, 1차 PR 패턴(103) 위에 새로이 PR을 도포하고, 도포된 PR에 대한 노광 및 현상의 과정을 거쳐 원하는 PR 패턴(2차 PR 패턴)(105)을 형성한다.

2차 PR 패턴(105)에서 현상에 의해 PR이 제거된 부분은 후속 공정에서 적층 형성될 Cu 배선의 영역이 되는 부분으로서, 2차 포토리소그래피 공정이 배선 공간을 생성하기 위한 공정이므로 배선의 패턴 크기 및 피치 등을 고려하여 PR 패턴(105)을 형성한다.

이후, 상기와 같이 2차 포토리소그래피 공정을 마치고 나면, 2차 PR 패턴(105) 위에서 전기도금의 방법을 이용하여 PR이 제거된 상기 배선 공간에 메탈 도금층(106)을 적층 형성하며, 이 메탈 도금층(106)은 완성된 프로브 블록에서 배선이 되는 부분으로, 공지의 메탈 재질, 즉 Cu 도금을 통하여 형성할 수 있다.

다음으로, Cu 배선(106) 위로 프로브 블록의 기판이 되는 필름(108)을 부착하게 되며, 필름(108)으로는 프로브 블록의 기판으로 사용되는 공지의 필름, 예컨대 내화학성이 강한 PET(Poly Ethylene Terephthlate)나 PI(Polyimide) 필름이 사용될 수 있다.

또한, 필름 부착시 접착제(107)를 사용하여 부착하며, 이때 접착제(107)로는 경화 후 접착 성능을 나타내는 액상 레진(Resin)이나 UV 에폭시(Epoxy) 등이 사용될 수 있고, 바람직하게는 접착 테이프(Adhesion Tape)의 사용이 가능하다.

이후, 상기와 같이 필름 부착 공정이 완료되고 나면 공정 기판(실리콘 기판 또는 유리 기판)(101)과 시드층(102)을 제거하는데, 이때 Cu 시드층(102)을 식각하여 기판(101)을 분리하는 방식이 적용될 수 있고, Cu 시드층(102)을 식각하기 위해 Cu 식각액(Cu Etchant)을 사용하여 Cu 시드층(102)만을 선택적으로 식각하면, 시드층을 제거하면서, 공정 기판(101)도 분리하여 제거할 수 있다(이상 도 5 참조).

또는 기계적 연마 또는 화학적 식각의 방법을 통하여 공정 기판을 먼저 제거한 후, Cu 식각액으로 Cu 시드층(102)을 식각하여 제거할 수 있다.

상기 공정 기판(101)의 제거 후에는 PR 스트리퍼(PR Stripper)를 사용하여 PR 패턴(103,105)을 모두 제거하며, PR 패턴이 제거되면 프로브 블록의 기판인 필름(108) 위에 Cu 배선(106)과 Ni-Co 범프(104)가 존재하게 된다.

이와 같이 프로브 블록의 기판인 필름(108) 위에 패턴화된 Cu 배선(106)과 Ni-Co 범프(104)가 적층되어 있는 구조가 제작되고 나면, 공지의 후속 과정, 예를 들어, 도면으로 나타내지는 않았으나, 공기, 습기 등으로부터 패턴을 보호하기 위한 보호막 처리(Passivation) 공정 등을 진행하여 블록을 완성한다.

이와 같이 하여, 본 발명에 따른 프로브 블록의 제조 방법에서는 기판으로 사용되는 필름에 직접 미세 피치의 패턴을 형성하는 방법 대신, 실리콘 기판이나 유리 기판 등의 결함이 적은 공정 기판에 범퍼와 배선을 적층 형성하고 필름을 접착한 뒤 공정 기판을 제거하는 방식을 적용함으로써, 공정 동안 필름상의 결함이 수율에 미치는 영향을 최소화할 수 있고, 공정의 안정화와 수율 증대를 도모할 수 있게 된다.

이상으로 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였는바, 본 발명의 권리범위가 이에 한정되는 것이 아니며, 다음의 특허청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당 업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 포함된다.

101 : 공정 기판
102 : 시드층
103 : PR 패턴
104 : 메탈 도금층(범프)
105 : PR 패턴
106 : 메탈 도금층(배선)
107 : 접착제
108 : 필름

Claims

공정 기판을 준비하는 단계;
상기 공정 기판 위에 시드층을 형성하는 단계;
상기 시드층 위에 범프 공간을 형성하기 위한 PR 패턴을 적층하는 1차 포토리소그래피 공정 단계;
상기 PR 패턴 위에서 전기도금을 실시하여 1차 포토리소그래피 공정 중 PR이 제거된 부분에 범퍼가 되는 메탈 도금층을 형성하는 단계;
상기 메탈 도금층 형성 후에 상기 1차 포토리소그래피 공정 단계에서 적층된 상기 PR 패턴 위에 배선 공간을 형성하기 위한 PR 패턴을 적층하는 2차 포토리소그래피 공정 단계;
상기 2차 포토리소그래피 공정에서 형성된 PR 패턴 위에서 전기도금을 실시하여 상기 2차 포토리소그래피 공정 중 PR이 제거된 부분에 배선이 되는 메탈 도금층을 형성하는 단계;
상기 배선 위로 프로브 블록의 기판이 되는 필름을 접착하는 단계; 및
상기 공정 기판 및 상기 시드층을 제거한 후, 상기 1차 포토리소그래피 공정에서 형성된 PR 패턴 및 상기 2차 포토리소그래피 공정에서 형성된 PR 패턴 모두 제거하는 단계를 포함하는 패널 검사용 프로브 블록의 제조 방법.
청구항 1에 있어서,
상기 공정 기판으로 실리콘 기판 또는 유리 기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 패널 검사용 프로브 블록의 제조 방법.
청구항 1에 있어서,
상기 시드층은 공정 기판에 Cu 박막을 증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 패널 검사용 프로브 블록의 제조 방법.
청구항 3에 있어서,
공정 기판을 제거할 때 Cu 식각액으로 상기 Cu 박막을 선택적으로 식각함으로써 필름을 분리하는 것을 특징으로 하는 패널 검사용 프로브 블록의 제조 방법.
청구항 1에 있어서,
상기 범퍼가 되는 메탈 도금층을 형성하는 단계에서, 상기 1차 포토리소그래피 공정에 의해 형성된 PR 패턴에서 Ti-Co 도금을 실시하여 메탈 도금층을 형성하는 것을 특징으로 하는 패널 검사용 프로브 블록의 제조 방법.
청구항 1에 있어서,
상기 배선이 되는 메탈 도금층을 형성하는 단계에서, 상기 2차 포토리소그래피 공정에 의해 형성된 PR 패턴에서 Cu 도금을 실시하여 메탈 도금층을 형성하는 것을 특징으로 하는 패널 검사용 프로브 블록의 제조 방법.
청구항 1에 있어서,
상기 필름을 접착하는 단계에서 접착제로서 경화 후 접착 성능을 나타내는 액상 레진(Resin) 또는 UV 에폭시(Epoxy)를 사용하는 것을 특징으로 하는 패널 검사용 프로브 블록의 제조 방법.
청구항 1에 있어서,
상기 필름을 접착하는 단계에서 접착 테이프를 사용하여 필름을 접착하는 것을 특징으로 하는 패널 검사용 프로브 블록의 제조 방법.
청구항 1에 있어서,
상기 공정 기판 및 시드층을 제거할 때 식각액으로 시드층을 선택적으로 식각함으로써 시드층을 제거함과 더불어 공정 기판을 분리하여 제거하는 것을 특징으로 하는 패널 검사용 프로브 블록의 제조 방법.
청구항 1에 있어서,
상기 공정 기판 및 시드층을 제거할 때 기계적 연마 또는 화학적 식각의 방법을 통하여 공정 기판을 제거한 후 식각액으로 시드층을 식각하여 제거하는 것을 특징으로 하는 패널 검사용 프로브 블록의 제조 방법.