KR101155092B1 - 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법 - Google Patents

프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

디스플레이 패널을 검사하기 위한 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법은 (a) 기판 상에 희생층을 형성하는 단계, (b) 형성된 희생층의 상부에 하나 이상의 컨택트 범프를 형성하는 단계, (c) 형성된 컨택트 범프의 상부면 및 희생층의 상부면에 해제층을 형성하고, 컨택트 범프의 상부면을 노출시키는 단계, (d) 컨택트 범프의 상부면과 각각 접속되도록 해제층의 상부에 하나 이상의 신호 라인을 형성하는 단계, (e) 신호 라인의 상부면을 필름부와 접합하는 단계 및 (f) 기판으로부터 희생층 및 해제층을 제거하는 단계를 포함한다.

Description

프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법{METHOD FOR PROBE FILM USED PROBE BLOCK}
본 발명은 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법에 관한 것이다.
LCD(Liquid Crystal Display) 생산공정은 디스플레이 패널을 제작하는 셀(cell) 공정과, 드라이버(driver), 백 라이트(back light), 도광판 및 편광판을 셀 공정에서 생산된 디스플레이 패널과 조립하여 완제품을 만드는 모듈(module) 조립 공정으로 대별된다.
여기서, 디스플레이 패널은 소스 전극 및 게이트 전극이 각각 형성되어 있는 면을 기판 상에 마주 대하도록 배치한 화상 표시 장치로서, 기판 사이에 액정 물질을 주입한 다음, 두 전극에 전압을 인가하여 전기장을 발생시키고, 발생된 전기장에 의해 액정분자를 움직이게 하여 빛의 투과율을 변화시킴으로써 화상을 표현한다.
이때, 디스플레이 검사용 프로브 유닛(이하, “프로브 유닛”)은 셀 공정을 거쳐 생산된 디스플레이 패널에 대한 검사를 수행하여, 제조 공정상 발생할 수 있는 결함의 유무를 확인하게 된다.
예컨대, 프로브 유닛은 TFT(Thin Film Transistor), TN(Twisted Nematic), STN(Super Twisted Nematic), CSTN(Color Super Twisted Nematic), DSTN(Double Super Twisted Nematic), 유기EL(Electro Luminescence) 등의 디스플레이 패널의 전극(또는 패드)에 테스트용 전기 신호를 인가하여, 해당 디스플레이 패널이 픽셀 에러(pixel error)없이 정상적으로 작동하는지 여부를 검사하게 된다.
도 1은 종래 디스플레이 패널을 검사하기 위한 프로브 유닛의 전체 구성도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 프로브 유닛(10)이 디스플레이 패널(20)에 위치하여 각 셀들의 이상 유무를 검사하게 된다. 이때, 프로브 유닛(10)은 전기 신호를 디스플레이 패널(20)의 전극에 인가하고, 그에 따른 출력 신호를 전달받아 검사 시스템으로 전달하게 된다.
이를 위해 프로브 유닛(10)은, 디스플레이 패널(20)의 전극에 탐침을 접속시켜 전기 신호를 인가하고 그에 따른 출력 신호를 검출하여 검사 공정을 수행하는 프로브 블록을 포함할 수 있다.
그리고 이러한 과정을 통해 제조 공정상 발생할 수 있는 디스플레이 패널(20)의 점결함, 선결함, 얼룩결함 등의 결함 유무를 검사할 수 있게 된다.
한편, 최근에는 고화질의 디스플레이 패널이 지속적으로 증가하고 있으며, 그에 따라 고밀도의 디스플레이 패널을 검사하기 위한 탐침을 구비한 프로브 블록의 필요성이 대두되고 있다.
그러나, 종래에는 기판을 식각하는 공정을 거쳐 프로브 블록에 구성된 탐침을 제조해야 하므로 제조 공정이 복잡하고, 식각된 기판을 재사용할 수 없으므로 기판 소비로 인한 비용이 발생하는 문제점이 있었다.
본 발명의 일 실시예는 강성인 기판을 식각하지 않고 프로브 필름을 제작함으로써, 공정 단순화 및 제조 원가 절감을 도모할 수 있는 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법을 제공하는 데에 그 목적이 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예는 기판을 여러 번 재사용하여 프로브 필름을 제조할 수 있고, 프로브 필름 제조시 기판의 해제 작업이 용이한 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법을 제공하는 데에 그 목적이 있다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 기술적 수단으로서, 본 발명의 제 1 측면에 따른 디스플레이 패널을 검사하기 위한 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법은 (a) 기판 상에 희생층을 형성하는 단계, (b) 형성된 희생층의 상부에 하나 이상의 컨택트 범프를 형성하는 단계, (c) 형성된 컨택트 범프의 상부면 및 희생층의 상부면에 해제층을 형성하고, 컨택트 범프의 상부면을 노출시키는 단계, (d) 컨택트 범프의 상부면과 각각 접속되도록 해제층의 상부에 하나 이상의 신호 라인을 형성하는 단계, (e) 신호 라인의 상부면을 필름부와 접합하는 단계 및 (f) 기판으로부터 희생층 및 해제층을 제거하는 단계를 포함한다.
여기서, (c) 단계는, 희생층의 상부면에 형성된 해제층의 상부면을 평탄화하는 공정으로 이루어진다.
또한, 해제층의 상부면을 평탄화하는 단계는, 화학적 기계적 연마(CMP, Chemical Mechanical Polishing) 공정으로 수행될 수 있다.
또한, (d) 단계는, 해제층의 상부에 제 1 포토레지스트층을 패터닝하여 신호 라인부 영역을 형성하는 단계 및 신호 라인부 영역에 도전성 물질을 채워 신호 라인을 형성하는 단계를 포함한다.
또한, (e) 단계는, 패터닝된 제 1 포토레지스트층을 제거하는 단계 및 신호 라인의 상부면에 접착제를 도포하여 필름부를 접합하는 단계를 포함한다.
또한, (f) 단계는, 습식 식각 또는 건식 식각 공정으로 이루어질 수 있다.
또한, (b) 단계는, 희생층의 상부면에 제 2 포토레지스트층을 패터닝하여 컨택트 범프 영역을 형성하는 단계 및 컨택트 범프 영역에 도전성 물질을 채우고, 제 2 포토레지스트층을 제거하여 컨택트 범프를 형성하는 단계를 포함한다.
또한, 상술된 도전성 물질은 Ni, NiCo, NiFe 및 NiW 중 적어도 하나의 금속을 포함할 수 있다.
그리고, 제 1 포토레지스트층 내지 제 2 포토레지스트층 중 적어도 하나는 에싱(ashing) 공정, 습식 제거 공정, 및 O2 플라즈마 방법 중 어느 하나로 제거될 수 있다.
또한, 희생층 및 해제층은, 도금 공정으로 형성될 수 있다.
또한, 희생층 및 해제층이 제거된 기판에 (a) 단계 내지 (f) 단계를 수행하여 프로브 블록용 프로브 필름을 제조하는 단계를 더 포함한다.
본 발명의 제 2 측면에 따른 디스플레이 패널을 검사하기 위한 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법은 (a) 기판 상에 희생층을 형성하는 단계, (b) 형성된 희생층의 상부에 제 1 포토레지스트층을 패터닝하고, 패터닝된 제 1 포토레지스트층의 상부 및 희생층의 상부에 해제층을 형성하는 단계, (c) 해제층의 상부면을 평탄화하고, 패터닝된 제 1 포토레지스트층을 제거하는 단계, (d) 해제층의 상부에 제 2 포토레지스트층을 패터닝하여 탐침부 영역을 형성하는 단계, (e) 탐침부 영역에 도전성 물질을 채워 신호 라인 및 컨택트 범프를 포함하는 탐침부를 형성하는 단계, (f) 제 2 포토레지스트층을 제거하는 단계, (g) 탐침부의 상부면을 필름부와 접합하는 단계 및 (h) 기판으로부터 희생층 및 해제층을 제거하는 단계를 포함한다.
여기서, 도전성 물질은 Ni, NiCo, NiFe 및 NiW 중 적어도 하나의 금속을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 희생층은 도금 공정으로 형성된다.
또한, 희생층 및 제 1 포토레지스트층이 제거된 기판에 (a) 단계 내지 (h) 단계를 수행하여 프로브 블록용 프로브 필름을 제조하는 단계를 더 포함한다.
전술한 본 발명의 과제 해결 수단 중 어느 하나에 의하면, 강성인 기판을 식각하지 않고 프로브 필름을 제작함으로써, 공정 단순화 및 제조 원가 절감을 도모할 수 있다.
또한, 전술한 본 발명의 과제 해결 수단 중 어느 하나에 의하면, 기판을 여러 번 재사용하여 프로브 필름을 제조할 수 있고, 프로브 필름 제조시 기판의 해제 작업이 용이하다.
도 1은 종래 디스플레이 패널을 검사하기 위한 프로브 유닛의 전체 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 유닛의 사시도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 프로브 유닛의 사시도이다.
도 4a 내지 도 4c는 프로브 블록의 선단 부위를 도시한다.
도 5는 도 3의 프로브 유닛의 분리 사시도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법의 전체 순서도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법의 상세 순서도이다.
도 8a 내지 도 8l은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 과정을 도시한다.
도 9는 상기 도 8a 내지 도 8l의 공정 과정으로 형성된 프로브 필름의 측면도이다.
도 10은 상기 도 9의 프로브 필름의 탐침부가 일괄적으로 복수개 형성된 형태를 도시한다.
도 11a 내지 도 11k는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 과정을 도시한다.
아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 유닛의 사시도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 유닛(101)은 프로브 블록(102), PCB부(106), 및 헤드 블록(104)을 포함한다.
프로브 블록(102)은 디스플레이 패널(20)의 전극에 탐침을 접속시켜 전기 신호를 인가하고 그에 따른 출력 신호를 검출하여 검사 공정을 수행한다. 여기서, 프로브 블록(102)은 TCP(Taped Carrier Package) 블록(미도시)과 일체로 형성될 수 있으며, 이러한 TCP 블록은 PCB부(106)으로부터 수신한 전기 신호를 프로브 블록(102)에 전달한다.
헤드 블록(104)은 프로브 블록(102)의 탐침이 적당한 물리적 압력으로 디스플레이 패널(20)의 전극과 접속하도록 프로브 블록(102)을 상하로 이동시키거나 일정 위치에 고정시킨다.
PCB부(106)는 디스플레이 패널(20)의 각 셀 검사를 위한 전기 신호를 생성하여 필름(18)을 매개로 프로브 블록(102)에 전달한다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 프로브 유닛의 사시도이다. 도 4a 내지 도 4c는 프로브 블록의 선단 부위를 도시한다. 그리고 도 5는 도 3의 프로브 유닛의 분리 사시도이다.
도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 프로브 유닛(200)은 헤드 블록(210), 프로브 블록(220), 및 압착 블록(230)을 포함한다.
헤드 블록(210)은 프로브 블록(220)의 상부에 결합되어 프로브 블록(220)의 탐침부가 적당한 물리적 압력으로 디스플레이 패널의 전극과 접속하도록 프로브 블록(220)을 상하로 이동 및 고정시킨다.
프로브 블록(220)은 경사 돌출부(224)를 포함하는 프로브 블록 본체부(222)와, 경사 돌출부(224)의 하측면에 결합되고 경사 돌출부(224)의 종단측으로 돌출하도록 연장되어, 디스플레이 패널의 전극에 접속되어 신호를 인가하는 프로브 필름(100) 및 경사 돌출부(224)의 상측면에 결합되며, 돌출 연장된 프로브 필름(100)의 상부면과 접속하여 프로브 필름(100)을 지지하는 제 2 플레이트(242)를 포함한다. 여기서, 프로브 블록(220)은 제 2 플레이트(242)의 상부면에 결합되어, 제 2 플레이트(242)를 고정 지지하는 고정 블록(250)을 더 포함할 수 있다.
보다 구체적으로, 도 4a에 도시된 바와 같이, 프로브 블록(220)의 선단 부위(A)는 경사 돌출부(224)의 하측면에 결합되는 제 1 플레이트(241)와, 제 1 플레이트(241)의 하측면에 결합되어, 디스플레이 패널의 전극에 접속되어 신호를 인가하는 프로브 필름(100) 및 경사 돌출부(224)의 상측면에 결합되며, 제 1 플레이트(241)의 상부면과 접속하여 제 1 플레이트의 선단부(241-1)를 지지하는 제 2 플레이트(242)를 포함할 수 있다. 이때, 제 2 플레이트(242)의 선단부(242-1)는 제 1 플레이트(241)의 선단부(241-1)에 경사진 각도로 접속될 수 있다.
그리고, 도 4b에 도시된 바와 같이, 다른 실시 예에서 프로브 블록(220)의 선단 부위(A′)는 경사 돌출부(224)의 하측면과 프로브 필름(100) 사이에 상술된 제 1 플레이트(241)가 개재되지 않고, 프로브 필름(100)이 경사 돌출부(224)의 하측면에 결합되고 경사 돌출부(224)의 종단측으로 돌출하도록 연장되고, 제 2 플레이트(242)의 선단부(242-2)가 돌출 연장된 프로브 필름(100)의 상부면에 나란히 접속되도록 연장된 형태로 구성될 수 있다.
또한, 도 4c에 도시된 바와 같이, 또 다른 실시 예에서 프로브 블록(220)의 선단 부위(A″)는 제 1 플레이트(241)와 제 2 플레이트(242)가 일체로 형성되며, 제 1 플레이트(241)의 하측면에 프로브 필름(100)이 결합된 형태로 구성될 수도 있다.
압착 블록(230)은 프로브 블록(220)의 하부에 착탈 가능하게 결합된다. 압착 블록(230)은 프로브 블록(220)의 하부에 형성된 오목부에 수용되는 압착 블록 본체부(231), 본체부(231)의 일측으로 돌출 형성되는 결합 돌출부(232) 및 압착 블록 본체부(231)의 하부로부터 결합 돌출부(232) 둘레로 연장되어, 결합 돌출부(232)의 상부면에서 프로브 필름(100) 측으로 압착되어 접속되는 연결 필름(233)을 포함한다.
여기서, 연결 필름(233)은 디스플레이 패널을 검사하는 구동 IC(Drive Integrated Circuit)(미도시)를 실장한 것이다. 이러한 구동 IC는 디스플레이 패널의 각 전극에 전기적 신호를 인가함과 동시에 출력을 검출함으로써 디스플레이 패널의 불량 유무에 대한 검사 공정을 수행할 수 있도록 한다. 연결 필름(233)은 칩 온 필름(Chip On Film)으로 구현될 수 있다.
이하에서는 상술된 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 과정에 대해서 상세히 설명하기로 한다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법의 전체 순서도이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 프로브 블록용 프로브 필름을 제조하기 위해 먼저, 기판(110) 상의 희생층(120)의 상부에 돌출 형성된 컨택트 범프(152) 및 상기 컨택트 범프(152)에 접속되도록 해제층(125)의 상부에 형성된 신호 라인부(151)를 각각 포함하는 복수개의 탐침부(150)를 포토리소그래피법을 이용하여 일괄 형성한다(S1001). 본 단계(S1001)는 후술될 (S1101) 단계 내지 (S1106) 단계에 대응될 수 있다.
다음으로, 탐침부(150)의 상부면을 필름부(170)와 접합한다(S1002). 본 단계(S1002)는 후술될 (S1107) 단계 및 (S1108) 단계에 대응될 수 있다.
그리고, 희생층(120) 및 해제층(125)을 제거한다(S1003). 본 단계(S1003)는 후술될 (S1109) 단계에 대응될 수 있다.
상술된 프로브 필름의 제조 방법에 대한 보다 구체적인 공정 과정 및 상세한 제조 순서에 대해서는 이하, 도 7 및 도 8a 내지 도 8l를 통해서 후술하기로 한다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법의 상세 순서도이다. 그리고, 도 8a 내지 도 8l은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 과정을 도시한다. 여기서 발명의 이해를 돕기 위해, 도 8d 내지 도 8i의 (a)는 프로브 필름의 제조 공정을 정면도로 나타낸 것이고, 도 8d 내지 도 8i의 (b)는 이를 평면도로 나타낸 것이다.
먼저, 도 8a에 도시된 바와 같이, 기판(110)상에 희생층(120)을 형성한다(S1101). 여기서, 기판(110)은 실리콘(Si), 유리(Glass) 또는 세라믹(Ceramic) 재질로 구성될 수 있다. 그리고, 희생층(120)은 Cu 등과 같은 금속을 도금하는 도금 공정으로 형성될 수 있다.
다음으로, 희생층(120)의 상부에 설정된 간격으로 복수개의 컨택트 범프(152)를 형성한다(S1102).
보다 구체적으로 설명하자면, 도 8b에 도시된 바와 같이, 희생층(120)의 상부면에 제 1 포토레지스트층(142)을 패터닝하여 컨택트 범프 영역(152a)을 형성한다.
여기서, 미리 정의된 마스크 층을 이용하여 자외선 노광 장치 등에 의해 노광하고, 노광된 포토레지스트층에 현상 공정을 수행하여 마스크의 패턴에 따라 제 1 포토레지스트층(142)을 패터닝할 수 있다.
그리고, 도 8c에 도시된 바와 같이, 컨택프 범프 영역(152a)에 Ni, NiCo, NiFe 및 NiW 중 적어도 하나의 금속을 도금하는 공정으로 도전성 물질을 채워 컨택트 범프(152)를 형성한다.
다음으로, 도 8d에 도시된 바와 같이, 제 1 포토레지스트층(142)을 제거한다. 여기서, 컨택트 범프(152)은 일정 가로 길이(a′), 세로 길이(c′) 및 폭(b′)을 가진 형태로 형성될 수 있다. 그리고, 제 1 포토레지스트층(140) 은 에싱(ashing) 공정, 습식 제거 공정, 및 O2 플라즈마 방법 중 어느 하나로 제거될 수 있다.
다음으로, 도 8e에 도시된 바와 같이, 컨택트 범프(152)의 상부면 및 희생층(120)의 상부면에 해제층(125)을 형성한다(S1103). 여기서, 해제층(125)은 상술된 희생층(120)과 마찬가지로 Cu 등과 같은 금속을 도금하는 도금 공정으로 형성될 수 있다.
다음으로, 도 8f에 도시된 바와 같이, 해제층(125)의 상부면을 평탄화한다(S1104). 여기서, 해제층(125)의 상부면을 화학적 기계적 연마(CMP, Chemical Mechanical Polishing) 공정으로 평탄화할 수 있으며, 이를 통해 컨택트 범프(152)의 상부면을 노출시키게 된다.
다음으로, 도 8g에 도시된 바와 같이, 평탄화된 해제층(125)의 상부면에 제 2 포토레지스트층(155)을 패터닝하여 신호 라인부 영역(151a)을 형성한다(S1105).
다음으로, 도 8h에 도시된 바와 같이, 신호 라인부 영역(151a)에 도전성 물질을 채워 탐침부(150)를 형성한다(S1106). 이를 통해 컨택트 범프(152)의 상부면과 각각 접속되는 하나 이상의 신호 라인부(151)가 해제층의 상부에 형성되게 된다. 여기서, 탐침부(150)의 일단부는 신호 라인부(151)로 사용되고, 일단부로부터 돌출된 형태로 형성된 타단부는 컨택트 범프(152)로 사용된다. 여기서, 도전성 물질은 상술된 컨택트 범프(152)와 동일 재질로 이루어질 수 있다.
다음으로, 도 8i에 도시된 바와 같이, 패터닝된 제 2 포토레지스트층(155)을 제거한다(S1107). 여기서, 에싱(ashing) 공정, 습식 제거 공정, 및 O2 플라즈마 방법 중 어느 하나로 제 2 포토레지스트층(155)을 제거할 수 있다.
다음으로, 도 8j 및 도 8k에 도시된 바와 같이, 탐침부(150)의 상부면에 접착제(160)를 도포하고 필름부(170)를 접합한다(S1108). 즉 신호 라인부(151)의 상부면에 에폭시 스프레딩(epoxy spreading)을 수행함으로써 접착제(160)를 도포하여 필름부(170)를 접합할 수 있다.
다음으로, 도 8l에 도시된 바와 같이, 희생층(120) 및 해제층(125)을 제거하여 프로브 필름의 제작을 완료한다(S1110). 여기서, 습식 식각 또는 건식 식각 공정으로 희생층(120) 및 해제층(125)이 제거될 수 있다.
이와 같이 강성인 기판(110)을 식각하지 않고, 프로브 필름을 제작함으로써, 공정 단순화 및 제조 원가 절감을 도모할 수 있다.
도 9는 상기 도 8a 내지 도 8l의 공정 과정으로 형성된 프로브 필름의 측면도이며, 도 10은 이러한 프로브 필름의 탐침부가 일괄적으로 복수개 형성된 형태를 도시한다.
도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이, 필름부(170)에 접합된 복수개의 탐침부(150)를 포토리소그래피(photolithography)법을 이용하여 일괄 형성할 수 있다. 이때, 하나의 컨택트 범프(152)가 신호 라인부(151)로부터 돌출 형성될 수도 있음은 물론이다.
한편, 상술된 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 공정 과정은 이하의 도 11a 내지 도 11k의 과정으로 구현될 수도 있다. 이하에서는 상술된 도 8a 내지 도 8l과 중복된 내용은 생략하고, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 공정 과정을 설명하기로 한다.
도 11a 내지 도 11k는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 공정 과정을 도시한다.
먼저, 도 11a에 도시된 바와 같이, 기판(110) 상에 희생층(120)을 형성한다. 여기서, 희생층(120) 및 후술될 해제층(125)은 도금 공정으로 형성될 수 있다.
다음으로, 도 11b에 도시된 바와 같이, 희생층(120)의 상부에 제 1 포토레지스트층(142)을 패터닝한다.
다음으로, 도 11c에 도시된 바와 같이, 패터닝된 제 1 포토레지스트층(142)의 상부 및 희생층(120)의 상부에 해제층(125)을 형성한다.
다음으로, 도 11d에 도시된 바와 같이, 해제층(125)의 상부면을 평탄화한다.
다음으로, 도 11e에 도시된 바와 같이, 패터닝된 제 1 포토레지스트층(142)을 제거한다.
다음으로, 도 11f에 도시된 바와 같이, 해제층(125)의 상부에 제 2 포토레지스트층(155)을 패터닝하여 탐침부 영역(150a)을 형성한다.
다음으로, 도 11g에 도시된 바와 같이, 탐침부 영역(150a)에 도전성 물질을 채워 신호 라인(151) 및 컨택트 범프(152)를 포함하는 탐침부(150)를 형성한다. 여기서, 도전성 물질은 Ni, NiCo, NiFe 및 NiW 중 적어도 하나의 금속을 포함할 수 있다.
다음으로, 도 11h에 도시된 바와 같이, 제 2 포토레지스트층(155)을 제거한다.
다음으로, 도 11i 및 도 11j에 도시된 바와 같이, 탐침부(150)의 상부면에 접착제(160)를 도포하고 필름부(170)를 접합한다.
다음으로, 도 11k에 도시된 바와 같이, 희생층(120) 및 해제층(125)을 제거하여 프로브 필름의 제작을 완료한다. 이와 같이, 희생층(120) 및 해제층(125)이 제거된 기판에 도 11a 내지 도 11k과정을 반복하면서 프로브 블록용 프로브 필름을 제조할 수 있다.
그리고, 상술된 도 9 및 도 10에서 설명한 바와 마찬가지로, 필름부(170)에 접합된 복수개의 탐침부(150)를 포토리소그래피(photolithography)법을 이용하여 일괄 형성할 수 있다.
한편 전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.
그리고 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
100: 프로브 필름 150: 탐침부
151: 신호 라인부 152: 컨택트 범프
170: 필름부 200: 프로브 유닛
210: 헤드 블록 220: 프로브 블록
230: 압착 블록 241: 제 1 플레이트
242: 제 2 플레이트 250: 고정 블록

Claims (15)

  1. 디스플레이 패널을 검사하기 위한 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법에 있어서,
    (a) 기판 상에 희생층을 형성하는 단계,
    (b) 상기 형성된 희생층의 상부에 하나 이상의 컨택트 범프를 형성하는 단계,
    (c) 상기 형성된 컨택트 범프의 상부면 및 상기 희생층의 상부면에 해제층을 형성하고, 상기 컨택트 범프의 상부면을 노출시키는 단계,
    (d) 상기 컨택트 범프의 상부면과 각각 접속되도록 상기 해제층의 상부에 하나 이상의 신호 라인을 형성하는 단계,
    (e) 상기 신호 라인의 상부면을 필름부와 접합하는 단계 및
    (f) 상기 기판으로부터 상기 희생층 및 상기 해제층을 제거하는 단계
    를 포함하는 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 (c) 단계는,
    상기 희생층의 상부면에 형성된 해제층의 상부면을 평탄화하는 단계를 포함하는 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 해제층의 상부면을 평탄화하는 단계는,
    화학적 기계적 연마(CMP, Chemical Mechanical Polishing) 공정으로 수행되는 것인 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 (d) 단계는,
    상기 해제층의 상부에 제 1 포토레지스트층을 패터닝하여 신호 라인부 영역을 형성하는 단계 및
    상기 신호 라인부 영역에 도전성 물질을 채워 상기 신호 라인을 형성하는 단계를 포함하는 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 (e) 단계는,
    상기 패터닝된 제 1 포토레지스트층을 제거하는 단계 및
    상기 신호 라인의 상부면에 접착제를 도포하여 상기 필름부를 접합하는 단계를 포함하는 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 (f) 단계는,
    습식 식각 또는 건식 식각 공정으로 이루어지는 것인 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 (b) 단계는,
    상기 희생층의 상부면에 제 2 포토레지스트층을 패터닝하여 컨택트 범프 영역을 형성하는 단계 및
    상기 컨택트 범프 영역에 도전성 물질을 채우고, 상기 제 2 포토레지스트층을 제거하여 상기 컨택트 범프를 형성하는 단계를 포함하는 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법.
  8. 제 4 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 도전성 물질은 Ni, NiCo, NiFe 및 NiW 중 적어도 하나의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법.
  9. 제 4 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 포토레지스트층 및 제 2 포토레지스트층 중 적어도 하나는 에싱(ashing) 공정, 습식 제거 공정, 및 O2 플라즈마 방법 중 어느 하나로 제거되는 것인 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 희생층 및 상기 해제층은,
    도금 공정으로 형성되는 것인 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 희생층 및 해제층이 제거된 기판에 상기 (a) 단계 내지 상기 (f) 단계를 수행하여 상기 프로브 블록용 프로브 필름을 제조하는 단계를 더 포함하는 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법.
  12. 디스플레이 패널을 검사하기 위한 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법에 있어서,
    (a) 기판 상에 희생층을 형성하는 단계,
    (b) 상기 형성된 희생층의 상부에 제 1 포토레지스트층을 패터닝하고, 상기 패터닝된 제 1 포토레지스트층의 상부 및 상기 희생층의 상부에 해제층을 형성하는 단계,
    (c) 상기 해제층의 상부면을 평탄화하고, 상기 패터닝된 제 1 포토레지스트층을 제거하는 단계,
    (d) 상기 해제층의 상부에 제 2 포토레지스트층을 패터닝하여 탐침부 영역을 형성하는 단계,
    (e) 상기 탐침부 영역에 도전성 물질을 채워 신호 라인 및 컨택트 범프를 포함하는 탐침부를 형성하는 단계,
    (f) 상기 제 2 포토레지스트층을 제거하는 단계,
    (g) 상기 탐침부의 상부면을 필름부와 접합하는 단계 및
    (h) 상기 기판으로부터 상기 희생층 및 상기 해제층을 제거하는 단계를 포함하는
    프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 도전성 물질은 Ni, NiCo, NiFe 및 NiW 중 적어도 하나의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 희생층 및 상기 해제층은,
    도금 공정으로 형성되는 것인 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법.
  15. 제 12 항에 있어서,
    상기 희생층 및 상기 해제층이 제거된 기판에 상기 (a) 단계 내지 상기 (h) 단계를 수행하여 상기 프로브 블록용 프로브 필름을 제조하는 단계를 더 포함하는 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법.
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