JPH07199219A - 液晶表示装置検査用プローブカード - Google Patents
液晶表示装置検査用プローブカードInfo
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- JPH07199219A JPH07199219A JP33630293A JP33630293A JPH07199219A JP H07199219 A JPH07199219 A JP H07199219A JP 33630293 A JP33630293 A JP 33630293A JP 33630293 A JP33630293 A JP 33630293A JP H07199219 A JPH07199219 A JP H07199219A
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- Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
- Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＩＣやプリント配線などの手法を用いた手段
で製造できる液晶表示装置検査用プローブカードを提供
する。 【構成】 シリコン基板10上の酸化膜10ａに形成した接
点Ｐパターンを形成し、異方性エッチングでキャビティ
11を形成し、プローブパターン９ｈ部分に金属蒸着し、
更に電気メッキにより硬質金属膜を形成し、エッチング
によりプローブ９ａを突出させ、フレキシブルプリント
基板13上に形成したプリント配線13ａを介してコネクタ
12を接続し取付け台板９ｂに接合・固定した。
で製造できる液晶表示装置検査用プローブカードを提供
する。 【構成】 シリコン基板10上の酸化膜10ａに形成した接
点Ｐパターンを形成し、異方性エッチングでキャビティ
11を形成し、プローブパターン９ｈ部分に金属蒸着し、
更に電気メッキにより硬質金属膜を形成し、エッチング
によりプローブ９ａを突出させ、フレキシブルプリント
基板13上に形成したプリント配線13ａを介してコネクタ
12を接続し取付け台板９ｂに接合・固定した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置検査用プ
ローブカードに関するものであり、更に詳細には、テレ
ビ、コンピュータなどの液晶表示板の電極の検査用プロ
ーブカードに関するものである。
ローブカードに関するものであり、更に詳細には、テレ
ビ、コンピュータなどの液晶表示板の電極の検査用プロ
ーブカードに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の液晶表示板（ＬＣＤ）は、表示す
る像の高精細化・大型化に伴い、モノクロームの液晶表
示板の場合、一般に縦横に配置するセルの数を４８０×
６４０個必要とし、カラーの場合にはＲＧＢの３原色必
要であるから、ほぼ同じ大きさの枠の中に３倍の数の液
晶を配置する数を必要とする。更に高解像度を要する用
途には、画素数１２８０×１０２４個の表示装置も開発
されている。これら多数の液晶セルと、これを制御する
電極線とは、一般に図13に示すＴＦＴ−ＬＣＤ電極アレ
イ・パターンのようなマトリクス状に配置している。
る像の高精細化・大型化に伴い、モノクロームの液晶表
示板の場合、一般に縦横に配置するセルの数を４８０×
６４０個必要とし、カラーの場合にはＲＧＢの３原色必
要であるから、ほぼ同じ大きさの枠の中に３倍の数の液
晶を配置する数を必要とする。更に高解像度を要する用
途には、画素数１２８０×１０２４個の表示装置も開発
されている。これら多数の液晶セルと、これを制御する
電極線とは、一般に図13に示すＴＦＴ−ＬＣＤ電極アレ
イ・パターンのようなマトリクス状に配置している。
【０００３】即ち図13において、液晶表示板１の上に所
定の間隔を開けて各画素（電極部分のみ図示）２を碁盤
目状に配置し、その傍らに各画素２を駆動するＴＦＴ
（薄膜トランジスタ）３を配置している。ＴＦＴ３を制
御するソースライン４、ドレインライン５及びゲートラ
イン６は、図13に示すように格子状に配置し、各配線ラ
イン４，５，６それぞれのいずれかを選択することによ
り特定の画素２を制御するようにしている。なお図に示
す符号７は端子である。以下、配線ライン４，５，６を
区別しないで表すときはＩＴＯ(Induium Tin Oxide) 電
極７ａで表す。
定の間隔を開けて各画素（電極部分のみ図示）２を碁盤
目状に配置し、その傍らに各画素２を駆動するＴＦＴ
（薄膜トランジスタ）３を配置している。ＴＦＴ３を制
御するソースライン４、ドレインライン５及びゲートラ
イン６は、図13に示すように格子状に配置し、各配線ラ
イン４，５，６それぞれのいずれかを選択することによ
り特定の画素２を制御するようにしている。なお図に示
す符号７は端子である。以下、配線ライン４，５，６を
区別しないで表すときはＩＴＯ(Induium Tin Oxide) 電
極７ａで表す。
【０００４】ところで、周知のように前記画素２はごく
小さく、したがってＩＴＯ電極７ａの間隔は２００μｍ
程度の狭いものである。しかもこれらはフォトリソグラ
フィ技術や印刷技術によるプリント配線手法によって形
成するので、画素の検査を行っても、配線ラインの断線
・ショート検査を行わないと、製造工程中の早期不良発
見による製造歩留りの向上を期することができない。以
下この配線ラインの断線・ショート検査について説明す
る。
小さく、したがってＩＴＯ電極７ａの間隔は２００μｍ
程度の狭いものである。しかもこれらはフォトリソグラ
フィ技術や印刷技術によるプリント配線手法によって形
成するので、画素の検査を行っても、配線ラインの断線
・ショート検査を行わないと、製造工程中の早期不良発
見による製造歩留りの向上を期することができない。以
下この配線ラインの断線・ショート検査について説明す
る。
【０００５】図14は、図13に示すＩＴＯ電極７ａパター
ンの断線、短絡を模型的に示したものである。図14にお
いて端子７は、隣接する端子７と短絡しないように千鳥
配置としたものであり、各ＩＴＯ電極７ａの抵抗値を１
ｋΩとし、その周囲にループ状に配置したリングショー
トパターン８の抵抗値を１００Ωとした。そして何らか
の理由で隣の配線との間に生じたショート箇所Ｓは、通
常のラインより細く且つ不定型に形成される場合が多
く、ＩＴＯ電極７ａそのものの抵抗値より遙に高い値、
一般に１ＭΩと程度の抵抗値を示し、また同様になんら
かの原因でＩＴＯ電極７ａにオープン箇所Ｏが発生する
こともある。
ンの断線、短絡を模型的に示したものである。図14にお
いて端子７は、隣接する端子７と短絡しないように千鳥
配置としたものであり、各ＩＴＯ電極７ａの抵抗値を１
ｋΩとし、その周囲にループ状に配置したリングショー
トパターン８の抵抗値を１００Ωとした。そして何らか
の理由で隣の配線との間に生じたショート箇所Ｓは、通
常のラインより細く且つ不定型に形成される場合が多
く、ＩＴＯ電極７ａそのものの抵抗値より遙に高い値、
一般に１ＭΩと程度の抵抗値を示し、また同様になんら
かの原因でＩＴＯ電極７ａにオープン箇所Ｏが発生する
こともある。
【０００６】前記ショート箇所Ｓ及びオープン箇所Ｏな
どの不良箇所の検出には図15〜16に示すプローブカード
９が使用され、プローブ９ａは、先端部の太さ２５〜３
０μｍ程度のテーパー状タングステン線の先端部を折り
曲げた針状のものである。図15において、９ｂは取付け
台板であり、９ｃはプローブ９ａを傾斜状態で取り付け
る固定部であり、９ｄはプローブ９ａを固定部９ｃに固
着するエポキシ樹脂である。以上のように形成したプロ
ーブ９ａを、複数本（図14では６本であるが、ＴＦＴ駆
動用ドライバーＩＣのピンの数に対応し、通常は１２０
〜１９２本である。）並列に並べて基板９ｂに固定し、
図14に示すように同時に複数の端子７に接触できるよう
に傾斜させて取り付け、組み立て後にＩＴＯ電極に接す
る前記先端部を研磨する。なおプローブカード９に並べ
たプローブ９ａ列の左右両側に、ＩＴＯ電極に先端部が
接触したことを確認するために、エッジセンサを形成し
ている。
どの不良箇所の検出には図15〜16に示すプローブカード
９が使用され、プローブ９ａは、先端部の太さ２５〜３
０μｍ程度のテーパー状タングステン線の先端部を折り
曲げた針状のものである。図15において、９ｂは取付け
台板であり、９ｃはプローブ９ａを傾斜状態で取り付け
る固定部であり、９ｄはプローブ９ａを固定部９ｃに固
着するエポキシ樹脂である。以上のように形成したプロ
ーブ９ａを、複数本（図14では６本であるが、ＴＦＴ駆
動用ドライバーＩＣのピンの数に対応し、通常は１２０
〜１９２本である。）並列に並べて基板９ｂに固定し、
図14に示すように同時に複数の端子７に接触できるよう
に傾斜させて取り付け、組み立て後にＩＴＯ電極に接す
る前記先端部を研磨する。なおプローブカード９に並べ
たプローブ９ａ列の左右両側に、ＩＴＯ電極に先端部が
接触したことを確認するために、エッジセンサを形成し
ている。
【０００７】プローブカード９の大きさの一例を示す
と、固定部９ｃの下端とプローブ９ａの先端部が接する
基準面Ｌからの高さ５００μｍ、基板９ｂの下面からの
高さは２５００±３００μｍ、固定部９ｃからのプロー
ブ９ａの突出長さは５５００±５００μｍである。その
際、針先端Ｐの高さ方向のバラツキは、２５μｍ以内に
なるように取り付け、図16に示すように、端子７にプロ
ーブ９ａ先端が押圧された検査時状態で、プローブ９ａ
先端中心が端子７の中心から５μｍに位置するように形
成する。
と、固定部９ｃの下端とプローブ９ａの先端部が接する
基準面Ｌからの高さ５００μｍ、基板９ｂの下面からの
高さは２５００±３００μｍ、固定部９ｃからのプロー
ブ９ａの突出長さは５５００±５００μｍである。その
際、針先端Ｐの高さ方向のバラツキは、２５μｍ以内に
なるように取り付け、図16に示すように、端子７にプロ
ーブ９ａ先端が押圧された検査時状態で、プローブ９ａ
先端中心が端子７の中心から５μｍに位置するように形
成する。
【０００８】以上のように形成したプローブカード９を
２セット用意し、図14に黒丸で示す位置（実際は遙に数
が多い）にＩＴＯ電極７ａの端子７上に取り付け、例え
ば一方のプローブコンタクト位置Ｃ1 とプローブコンタ
クト位置Ｃ2 との間の抵抗値が正常値なら、このＩＴＯ
電極７ａに異常がないと判断されるが、前記プローブコ
ンタクト位置Ｃ1 と次のコンタクト位置Ｃ3 との間が導
通（前記のとおり一般に高い抵抗値を示す）すると、シ
ョート箇所Ｓが存在することを示す。またプローブコン
タクト位置Ｃ4 とプローブコンタクト位置Ｃ5 との間が
導通しないことからオープン箇所Ｏが存在することを検
出することがてきる。
２セット用意し、図14に黒丸で示す位置（実際は遙に数
が多い）にＩＴＯ電極７ａの端子７上に取り付け、例え
ば一方のプローブコンタクト位置Ｃ1 とプローブコンタ
クト位置Ｃ2 との間の抵抗値が正常値なら、このＩＴＯ
電極７ａに異常がないと判断されるが、前記プローブコ
ンタクト位置Ｃ1 と次のコンタクト位置Ｃ3 との間が導
通（前記のとおり一般に高い抵抗値を示す）すると、シ
ョート箇所Ｓが存在することを示す。またプローブコン
タクト位置Ｃ4 とプローブコンタクト位置Ｃ5 との間が
導通しないことからオープン箇所Ｏが存在することを検
出することがてきる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のプロ
ーブカードは、個別に製作したプローブを、アセンブリ
作業により前記の精度で配列・固定する。そして、前記
プローブを導通検出回路に電気的に接続するには、多数
本の配線作業を行う必要がある。これらの一連の作業は
熟練者の手作業に依存しており、製作納期が長く、製作
コストも高価となる。また、プローブをフルに使用する
と、通常ほぼ１カ月で更新する必要がある。更に、検査
能率を上げるためプローブカードに取り付けるプローブ
の数を増加して多点同時検査することが好ましいが、コ
スト的に無理となるという問題がある。
ーブカードは、個別に製作したプローブを、アセンブリ
作業により前記の精度で配列・固定する。そして、前記
プローブを導通検出回路に電気的に接続するには、多数
本の配線作業を行う必要がある。これらの一連の作業は
熟練者の手作業に依存しており、製作納期が長く、製作
コストも高価となる。また、プローブをフルに使用する
と、通常ほぼ１カ月で更新する必要がある。更に、検査
能率を上げるためプローブカードに取り付けるプローブ
の数を増加して多点同時検査することが好ましいが、コ
スト的に無理となるという問題がある。
【００１０】本発明は、以上の問題に着目してなされた
ものであり、ＩＣやプリント配線などの手法を用いた手
段を使用し、主要部分を手作業にによらないで製造でき
る液晶表示装置検査用プローブカードを提供することを
目的としている。
ものであり、ＩＣやプリント配線などの手法を用いた手
段を使用し、主要部分を手作業にによらないで製造でき
る液晶表示装置検査用プローブカードを提供することを
目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】以上の目的を達成するた
めの本発明の液晶表示装置検査用プローブカードの第１
の構成は、シリコン基板上にシリコン酸化膜を形成し、
この酸化膜に、プローブがＩＴＯ電極に接する接点パタ
ーンを形成し、このパターン部分に異方性エッチングに
よりシリコン基板に達する逆ピラミッド状キャビティー
を形成し、このキャビティ形成部分から、外部回路に接
続する端子形成位置までの間に金属蒸着膜を形成し、そ
の上に硬質金属膜を電気メッキにより形成して所定の形
状の金属配線層を形成し、エッチング手段により不要な
シリコン露出部を除去し、フレキシブルプリント基板上
に形成したプリント配線を介して前記電気メッキ層とコ
ネクタとを接続した組み立て体を、取付け台板に接合・
固定したものである。
めの本発明の液晶表示装置検査用プローブカードの第１
の構成は、シリコン基板上にシリコン酸化膜を形成し、
この酸化膜に、プローブがＩＴＯ電極に接する接点パタ
ーンを形成し、このパターン部分に異方性エッチングに
よりシリコン基板に達する逆ピラミッド状キャビティー
を形成し、このキャビティ形成部分から、外部回路に接
続する端子形成位置までの間に金属蒸着膜を形成し、そ
の上に硬質金属膜を電気メッキにより形成して所定の形
状の金属配線層を形成し、エッチング手段により不要な
シリコン露出部を除去し、フレキシブルプリント基板上
に形成したプリント配線を介して前記電気メッキ層とコ
ネクタとを接続した組み立て体を、取付け台板に接合・
固定したものである。
【００１２】前記各パターン形成手段、シリコン異方性
エッチング手段、シリコン酸化物のエッチング除去手段
などは、従来からの使用される手段を採用することがで
きる。同様にシリコン露出部を除去するエッチング手段
も従来公知の手段、例えば異方性エッチングにより行う
ことができる。前記金属蒸着膜形成金属には特に限定は
ないが、例えばアルミニウム真空蒸着膜などを使用する
ことがてきる。また、その上に形成する電気メッキ層の
形成に使用する硬質金属は特に限定しないが、ニッケル
などを用いることができる。
エッチング手段、シリコン酸化物のエッチング除去手段
などは、従来からの使用される手段を採用することがで
きる。同様にシリコン露出部を除去するエッチング手段
も従来公知の手段、例えば異方性エッチングにより行う
ことができる。前記金属蒸着膜形成金属には特に限定は
ないが、例えばアルミニウム真空蒸着膜などを使用する
ことがてきる。また、その上に形成する電気メッキ層の
形成に使用する硬質金属は特に限定しないが、ニッケル
などを用いることができる。
【００１３】前記プローブは、従来と同様に傾斜させて
取り付ける必要があり、しかも前記のとおりプローブの
幅、間隔は極めて狭いものである。そこでプローブとコ
ネクタとの間をフレキシブルプリント基板にプリント配
線により接続し、両者の取り合いを容易にした。また、
本発明の液晶表示装置検査用プローブカードの第２の構
成は、基板上に、プローブがＩＴＯ電極に接する接点部
位に所定の厚さの弾性層を形成し、この弾性層から、外
部回路に接続する部位までの間に金属蒸着膜を形成し、
その上に硬質金属膜を電気メッキにより形成して所定の
形状の金属配線層を形成し、前記弾性層の電気メッキ層
によってプローブがＩＴＯ電極に接する接点を形成し、
少なくともコネクタに接続する部位には、フレキシブル
プリント基板上に形成したプリント配線を介して前記電
気メッキ層とコネクタとを接続した組み立て体を、取付
け台板に接合・固定したものである。
取り付ける必要があり、しかも前記のとおりプローブの
幅、間隔は極めて狭いものである。そこでプローブとコ
ネクタとの間をフレキシブルプリント基板にプリント配
線により接続し、両者の取り合いを容易にした。また、
本発明の液晶表示装置検査用プローブカードの第２の構
成は、基板上に、プローブがＩＴＯ電極に接する接点部
位に所定の厚さの弾性層を形成し、この弾性層から、外
部回路に接続する部位までの間に金属蒸着膜を形成し、
その上に硬質金属膜を電気メッキにより形成して所定の
形状の金属配線層を形成し、前記弾性層の電気メッキ層
によってプローブがＩＴＯ電極に接する接点を形成し、
少なくともコネクタに接続する部位には、フレキシブル
プリント基板上に形成したプリント配線を介して前記電
気メッキ層とコネクタとを接続した組み立て体を、取付
け台板に接合・固定したものである。
【００１４】以上説明した過程において、位置決めを必
要とする組立工程は取付け台板に固定するとき以外不要
である。第２の構成に使用する基板は、前記説明の細密
なプローブパターンをプリント配線できるものであれば
特に限定はないが、フレキシブルプリント配線基板を使
用するとコネクタから接点までの間を一括配線すること
ができる。
要とする組立工程は取付け台板に固定するとき以外不要
である。第２の構成に使用する基板は、前記説明の細密
なプローブパターンをプリント配線できるものであれば
特に限定はないが、フレキシブルプリント配線基板を使
用するとコネクタから接点までの間を一括配線すること
ができる。
【００１５】前記弾性層は、感光性又は非感光性ポリイ
ミドを用い、特開平5-144823号公報に記載されたバンプ
形成手段などにより形成してもよい。但し、より広範に
弾性を調節可能にするには、例えばシリコン基板上に所
定の厚みにマスキング層を形成し、接点形成位置に、エ
ッチングにより所定の形状、例えば矩形形状のキャビテ
ィを形成し、ここにシリコーンゴムなどを充填したのち
マスキング層を除去する手段などを採用することができ
る。
ミドを用い、特開平5-144823号公報に記載されたバンプ
形成手段などにより形成してもよい。但し、より広範に
弾性を調節可能にするには、例えばシリコン基板上に所
定の厚みにマスキング層を形成し、接点形成位置に、エ
ッチングにより所定の形状、例えば矩形形状のキャビテ
ィを形成し、ここにシリコーンゴムなどを充填したのち
マスキング層を除去する手段などを採用することができ
る。
【００１６】
【作用】前記構成の液晶表示装置検査用プローブカード
は、ＩＣなど半導体デバイスの製法として確立している
各種手段を用いることができるので、製作精度はμｍオ
ーダーの２次元配列精度を得ることができ、しかも、主
要部分に手作業部分がなく、位置決め作業をコネクタ取
り付け時のみとすることができるので、極めて高い精度
で品質の高いプローブカードを形成することができる。
は、ＩＣなど半導体デバイスの製法として確立している
各種手段を用いることができるので、製作精度はμｍオ
ーダーの２次元配列精度を得ることができ、しかも、主
要部分に手作業部分がなく、位置決め作業をコネクタ取
り付け時のみとすることができるので、極めて高い精度
で品質の高いプローブカードを形成することができる。
【００１７】更に前記第１の構成のプローブは、従来の
プローブに類似の形状とすることができるので、取扱上
有利である。また前記第２の構成は、接点をバンプ上の
金属層を接点として使用するので、メッキ膜厚の不均一
によりＩＴＯ電極パッドへプローブを押圧した際の弾性
層各部の変形を吸収できる。
プローブに類似の形状とすることができるので、取扱上
有利である。また前記第２の構成は、接点をバンプ上の
金属層を接点として使用するので、メッキ膜厚の不均一
によりＩＴＯ電極パッドへプローブを押圧した際の弾性
層各部の変形を吸収できる。
【００１８】
【実施例】以下添付の図面を参照して実施例により本発
明を具体的に説明する。図１〜２に示す実施例１の液晶
表示装置検査用プローブカードは、構造説明を以下図３
〜12によって製造手順にしたがって順次説明する。な
お、図15，16で説明した従来のプローブカードと同様の
部材には、同じ符号を付し説明を省略する。
明を具体的に説明する。図１〜２に示す実施例１の液晶
表示装置検査用プローブカードは、構造説明を以下図３
〜12によって製造手順にしたがって順次説明する。な
お、図15，16で説明した従来のプローブカードと同様の
部材には、同じ符号を付し説明を省略する。
【００１９】まず図３Ａ，３Ｂに示すように、シリコン
基板10に酸化膜10ａを形成し、その上にマスキング（図
示せず）を行い、被検査対象のＩＴＯ電極パッド（図示
せず）に適合する接触端Ｐの配置位置のマスキングを四
角形状に除去し、その部分にシリコン異方性エッチング
によって逆ピラミッド状キャビティ11，11ａ．11ｂを形
成した。図においてキャビティ11が３個づつ段差状に配
置したのは、前記ＩＴＯ電極パッドの端子７（図８Ａ）
の配置パターンに適合させたものである。またキャビテ
ィ11ａ及び11ｂは、エッジセンサを形成する部分であ
る。
基板10に酸化膜10ａを形成し、その上にマスキング（図
示せず）を行い、被検査対象のＩＴＯ電極パッド（図示
せず）に適合する接触端Ｐの配置位置のマスキングを四
角形状に除去し、その部分にシリコン異方性エッチング
によって逆ピラミッド状キャビティ11，11ａ．11ｂを形
成した。図においてキャビティ11が３個づつ段差状に配
置したのは、前記ＩＴＯ電極パッドの端子７（図８Ａ）
の配置パターンに適合させたものである。またキャビテ
ィ11ａ及び11ｂは、エッジセンサを形成する部分であ
る。
【００２０】次いで、図４Ａ．４Ｂに示すように、プロ
ーブ９ａを形成する部分の酸化膜10ａをエッチングによ
り除去する。そして酸化膜10ａを除去したシリコン基板
10及び残留する酸化膜10ａに跨がり、プローブパターン
９ｈを形成し、この部分に図５Ａ，５Ｂに示すように金
属薄膜蒸着する。図５Ａ，５Ｂに示すプローブ９ａが酸
化膜10ａ上に延びる部分は、フレキシブルプリント配線
基板13を介してコネクタ12（図１，２）に接続する根元
部９ｅである。次いで、図６Ａ，６Ｂに示すように電気
メッキにより前記蒸着した金属薄膜上にＮi メッキによ
る金属膜層を形成する。メッキ層の厚さを本実施例では
約２０μｍとした。
ーブ９ａを形成する部分の酸化膜10ａをエッチングによ
り除去する。そして酸化膜10ａを除去したシリコン基板
10及び残留する酸化膜10ａに跨がり、プローブパターン
９ｈを形成し、この部分に図５Ａ，５Ｂに示すように金
属薄膜蒸着する。図５Ａ，５Ｂに示すプローブ９ａが酸
化膜10ａ上に延びる部分は、フレキシブルプリント配線
基板13を介してコネクタ12（図１，２）に接続する根元
部９ｅである。次いで、図６Ａ，６Ｂに示すように電気
メッキにより前記蒸着した金属薄膜上にＮi メッキによ
る金属膜層を形成する。メッキ層の厚さを本実施例では
約２０μｍとした。
【００２１】次いで前記シリコン基板10の露出部分を異
方性エッチングにより除去し、図７Ａ，７Ｂに示すよう
にシリコン基板10から突出するプローブ９ａを形成し
た。次いで図１，２に示すように定法に従ってフレキシ
ブルプリント基板13を取り付け、プリント配線13ａを介
して前記根元部９ｅとコネクタ12とを導通させ、これら
を取付け台板９ｂに固定し本実施例のプローブカード９
を得た。
方性エッチングにより除去し、図７Ａ，７Ｂに示すよう
にシリコン基板10から突出するプローブ９ａを形成し
た。次いで図１，２に示すように定法に従ってフレキシ
ブルプリント基板13を取り付け、プリント配線13ａを介
して前記根元部９ｅとコネクタ12とを導通させ、これら
を取付け台板９ｂに固定し本実施例のプローブカード９
を得た。
【００２２】このプローブカードの使用状態を図８Ａ，
８Ｂによって説明する。即ち、プローブカード９をＩＴ
Ｏ電極パッドの端子７上に配置し、エッジセンサのプロ
ーブ９ｆ，９ｇが導通することにより、プローブ９ａが
それぞれの端子７に接したことを知ることができる。そ
の後の検査は、図14によって行った説明と同様であるの
で重複説明を省略する。以上説明した実施例１の特徴を
説明すると。
８Ｂによって説明する。即ち、プローブカード９をＩＴ
Ｏ電極パッドの端子７上に配置し、エッジセンサのプロ
ーブ９ｆ，９ｇが導通することにより、プローブ９ａが
それぞれの端子７に接したことを知ることができる。そ
の後の検査は、図14によって行った説明と同様であるの
で重複説明を省略する。以上説明した実施例１の特徴を
説明すると。
【００２３】（１） フォトリソグラフィにより、針先
の配列精度は、パターニング用マスクの寸法精度をμｍ
オーダーの２次元配列精度によって確保できる。 （２） 電極配置の変更は、新たなマスクを作製するだ
けで対応でき、エッチングや電気メッキ工程などの後工
程は共通でよい。 （３） 電気メッキにより、例えば２０μｍの厚さで、
短冊状に加工した姿でプローブが位置決めの必要なく得
られ、プローブのアセンブリ作業が不要になる。
の配列精度は、パターニング用マスクの寸法精度をμｍ
オーダーの２次元配列精度によって確保できる。 （２） 電極配置の変更は、新たなマスクを作製するだ
けで対応でき、エッチングや電気メッキ工程などの後工
程は共通でよい。 （３） 電気メッキにより、例えば２０μｍの厚さで、
短冊状に加工した姿でプローブが位置決めの必要なく得
られ、プローブのアセンブリ作業が不要になる。
【００２４】（４） フレキシブル基板の使用により配
線作業が極めて容易であり、位置決めを要する組立工程
は、取付け台板に固定する場合の外は不要になるので、
組み立て作業能率が格段に向上する。図９Ａ〜９Ｄに示
す実施例２の液晶表示装置検査用プローブカードは、図
９Ｄに示すように接点Ｐが、シリコーンゴムで形成した
バンプ14の表面にＮi メッキによって、膜厚１０μｍの
金属膜層によって形成した点に特徴がある。即ち、別途
準備されるシリコンなどの基板上にマスキングを行い、
接点Ｔを形成する部位に、矩形形状のキャビティをフォ
トリソグラフィ及びエッチングなどの手段で形成し、そ
の中にシリコーンゴムを充填した後、取付け台板９ｂに
シリコーンゴムを接合し、キャビティを形成した基板の
みを分離することで図10Ａ，10Ｂに示すパターンのバン
プ14を形成した。なお、図９Ａ〜９Ｄは使用状態を示し
ており、図に示す符号15は液晶ガラス板である。
線作業が極めて容易であり、位置決めを要する組立工程
は、取付け台板に固定する場合の外は不要になるので、
組み立て作業能率が格段に向上する。図９Ａ〜９Ｄに示
す実施例２の液晶表示装置検査用プローブカードは、図
９Ｄに示すように接点Ｐが、シリコーンゴムで形成した
バンプ14の表面にＮi メッキによって、膜厚１０μｍの
金属膜層によって形成した点に特徴がある。即ち、別途
準備されるシリコンなどの基板上にマスキングを行い、
接点Ｔを形成する部位に、矩形形状のキャビティをフォ
トリソグラフィ及びエッチングなどの手段で形成し、そ
の中にシリコーンゴムを充填した後、取付け台板９ｂに
シリコーンゴムを接合し、キャビティを形成した基板の
みを分離することで図10Ａ，10Ｂに示すパターンのバン
プ14を形成した。なお、図９Ａ〜９Ｄは使用状態を示し
ており、図に示す符号15は液晶ガラス板である。
【００２５】次に前記と同様にフォトリソグラフィによ
り、取り付け台板９ｂに、バンプ14の上からコネクタ12
（図９Ｂ）との接続部に達する部分を線状に、且つ１個
のバンプ14上に３条づつパターニング（図11Ａ，11Ｂ）
し、ここに金属蒸着を行った。次いで金属蒸着した上に
ニッケルメッキを行い図12Ａ，12Ｂに示すようなバンプ
14からなるプローブ９ａを得た。バンプ14上の金属メッ
キ膜は、必要に応じ研磨して使用することができる。
り、取り付け台板９ｂに、バンプ14の上からコネクタ12
（図９Ｂ）との接続部に達する部分を線状に、且つ１個
のバンプ14上に３条づつパターニング（図11Ａ，11Ｂ）
し、ここに金属蒸着を行った。次いで金属蒸着した上に
ニッケルメッキを行い図12Ａ，12Ｂに示すようなバンプ
14からなるプローブ９ａを得た。バンプ14上の金属メッ
キ膜は、必要に応じ研磨して使用することができる。
【００２６】以上説明した実施例２の特徴を説明する
と。 （ｉ） 金属膜層を弾性層に固着したままなので、残留
応力によるメッキ膜変形を起こす心配がなく、接点部分
の機械的強度を高くすることができる。またメッキ層の
不均一は、電極パッドにプローブを押圧した際に弾性層
の各部の変形で吸収できるので、メッキ処理の管理が容
易になる。突出部がないのでハンドリング中に何かにぶ
つかり破損するおそれが少ない。
と。 （ｉ） 金属膜層を弾性層に固着したままなので、残留
応力によるメッキ膜変形を起こす心配がなく、接点部分
の機械的強度を高くすることができる。またメッキ層の
不均一は、電極パッドにプローブを押圧した際に弾性層
の各部の変形で吸収できるので、メッキ処理の管理が容
易になる。突出部がないのでハンドリング中に何かにぶ
つかり破損するおそれが少ない。
【００２７】（ii） その他の特徴は、前記実施例１で
示した（１）〜（４）の特徴がそのまま得られる。
示した（１）〜（４）の特徴がそのまま得られる。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように本発明の液晶表示装
置検査用プローブカードは、フォトリソグラフィ、金属
膜形成手段など、半導体デバイスの製造手段として確立
している手段を適用して作製することができるので、μ
ｍオーダーの精度でプローブを形成することができ、取
付け台に固定する場合以外には位置決め操作を要する組
立工程を必要としないので、高い精度で、しかも能率よ
く製造することができ、コストを削減でき、従来より遙
に安価に液晶表示装置検査用プローブカードを提供する
ことができる。
置検査用プローブカードは、フォトリソグラフィ、金属
膜形成手段など、半導体デバイスの製造手段として確立
している手段を適用して作製することができるので、μ
ｍオーダーの精度でプローブを形成することができ、取
付け台に固定する場合以外には位置決め操作を要する組
立工程を必要としないので、高い精度で、しかも能率よ
く製造することができ、コストを削減でき、従来より遙
に安価に液晶表示装置検査用プローブカードを提供する
ことができる。
【００２９】更に前記第１の構成のプローブカードは、
従来のプローブに類似の形状とすることができるので、
取扱上有利である。また前記第２の構成は、接点をバン
プ上の金属層を接点として使用するので、メッキ膜厚の
不均一によりＩＴＯ電極パッドへプローブを押圧した際
の弾性層各部の変形を吸収できる効果が得られる。
従来のプローブに類似の形状とすることができるので、
取扱上有利である。また前記第２の構成は、接点をバン
プ上の金属層を接点として使用するので、メッキ膜厚の
不均一によりＩＴＯ電極パッドへプローブを押圧した際
の弾性層各部の変形を吸収できる効果が得られる。
【図１】本発明の実施例１による液晶表示装置検査用プ
ローブカードの平面図である。
ローブカードの平面図である。
【図２】図１の側面図である。
【図３】Ａは図１に示す液晶表示装置検査用プローブカ
ードを製造する際のシリコン異方性エッチングを行った
状態の概要平面図であり、Ｂは、前記ＡのＢ−Ｂ線断面
図図である。
ードを製造する際のシリコン異方性エッチングを行った
状態の概要平面図であり、Ｂは、前記ＡのＢ−Ｂ線断面
図図である。
【図４】Ａは図１の液晶表示装置検査用プローブカード
を製造する際の酸化膜除去を行った状態の概要平面図で
あり、Ｂは、前記ＡのＢ−Ｂ線断面図図である。
を製造する際の酸化膜除去を行った状態の概要平面図で
あり、Ｂは、前記ＡのＢ−Ｂ線断面図図である。
【図５】Ａは図４の上に金属膜蒸着及びパターンニング
を行った状態の概要平面図であり、Ｂは、前記ＡのＢ−
Ｂ線断面図図である。
を行った状態の概要平面図であり、Ｂは、前記ＡのＢ−
Ｂ線断面図図である。
【図６】Ａは図５にニッケルメッキを行った状態を示す
概要平面図であり、Ｂは、前記ＡのＢ−Ｂ線断面図図で
ある。
概要平面図であり、Ｂは、前記ＡのＢ−Ｂ線断面図図で
ある。
【図７】Ａは図６からプローブ部分のシリコン基板を除
去した状態を示す概要平面図であり、Ｂは、前記ＡのＢ
−Ｂ線断面図図である。
去した状態を示す概要平面図であり、Ｂは、前記ＡのＢ
−Ｂ線断面図図である。
【図８】図８Ａは図１に示す液晶表示装置検査用プロー
ブカードの使用状態を示す要部平面図であり、図８Ｂは
その側面図である。
ブカードの使用状態を示す要部平面図であり、図８Ｂは
その側面図である。
【図９】図９Ａは本発明の実施例２による液晶表示装置
検査用プローブカードを液晶ガラス板の上に載置した状
態を示す正面図であり、図９Ｂはその側面図であり、図
９Ｃはその要部平面図であり、図９Ｅは図９ＤのＡ部拡
大側面図である。
検査用プローブカードを液晶ガラス板の上に載置した状
態を示す正面図であり、図９Ｂはその側面図であり、図
９Ｃはその要部平面図であり、図９Ｅは図９ＤのＡ部拡
大側面図である。
【図10】図10Ａは図９の液晶表示装置検査用プローブカ
ードを製造する際の弾性体バンプ層を形成した状態の概
要平面図であり、図10Ｂはその側面図である。
ードを製造する際の弾性体バンプ層を形成した状態の概
要平面図であり、図10Ｂはその側面図である。
【図11】図11Ａは図10に金属蒸着及びパターンニングを
行った状態を示す概要平面図であり、図11Ｂはその側面
図である。
行った状態を示す概要平面図であり、図11Ｂはその側面
図である。
【図12】図12Ａは、図11にニッケルメッキ膜を形成した
状態を示す概要平面図であり、図12Ｂはその側面図であ
る。
状態を示す概要平面図であり、図12Ｂはその側面図であ
る。
【図13】従来例によるＴＦＴ−ＬＣＤの電極アレイパタ
ーンの部分平面図である。
ーンの部分平面図である。
【図14】図13に示す配線ラインに起こる問題点を説明す
るために一部省略記載した平面図である。
るために一部省略記載した平面図である。
【図15】従来例によるプローブの側面図である。
【図16】図15の接触端の押圧時ＸＹ位置精度を説明する
ための平面図である。
ための平面図である。
１ 液晶表示板 ７ 端子 ７ａ ＩＴＯ電極 ９ プローブカ
ード ９ａ プローブ ９ａ プローブ ９ｂ 取付け台板 ９ｅ 根元部 ９ｆ プローブ ９ｇ プローブ ９ｈ プローブパターン 10 シリコン基
板 10ａ 酸化膜 11 キャビティ 11ａ キャビティ 11ｂ キャビティ 12 コネクタ 13 フレキシブ
ルプリント基板 13ａ プリント配線 Ｐ 接点
ード ９ａ プローブ ９ａ プローブ ９ｂ 取付け台板 ９ｅ 根元部 ９ｆ プローブ ９ｇ プローブ ９ｈ プローブパターン 10 シリコン基
板 10ａ 酸化膜 11 キャビティ 11ａ キャビティ 11ｂ キャビティ 12 コネクタ 13 フレキシブ
ルプリント基板 13ａ プリント配線 Ｐ 接点
Claims (2)
- 【請求項１】 シリコン基板上にシリコン酸化膜を形成
し、この酸化膜に、プローブがＩＴＯ電極に接する接点
パターンを形成し、このパターン部分に異方性エッチン
グによりシリコン基板に達する逆ピラミッド状キャビテ
ィを形成し、このキャビティ形成部分から、外部回路に
接続する端子形成位置までの間に金属蒸着膜を形成し、
その上に硬質金属膜を電気メッキにより形成して所定の
形状の金属配線層を形成し、エッチング手段により不要
なシリコン露出部を除去し、フレキシブルプリント基板
上に形成したプリント配線を介して前記電気メッキ層と
コネクタとを接続した組み立て体を、取付け台板に接合
・固定した液晶表示装置検査用プローブカード。 - 【請求項２】 基板上に、プローブがＩＴＯ電極に接す
る接点部位に所定の厚さの弾性層を形成し、この弾性層
から、外部回路に接続する部位までの間に金属蒸着膜を
形成し、その上に硬質金属膜を電気メッキにより形成し
て所定の形状の金属配線層を形成し、前記弾性層の電気
メッキ層によってプローブがＩＴＯ電極に接する接点を
形成し、少なくともコネクタに接続する部位には、フレ
キシブルプリント基板上に形成したプリント配線を介し
て前記電気メッキ層とコネクタとを接続した組み立て体
を、取付け台板に接合・固定した液晶表示装置検査用プ
ローブカード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33630293A JPH07199219A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 液晶表示装置検査用プローブカード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33630293A JPH07199219A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 液晶表示装置検査用プローブカード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07199219A true JPH07199219A (ja) | 1995-08-04 |
Family
ID=18297708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33630293A Withdrawn JPH07199219A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 液晶表示装置検査用プローブカード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07199219A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0815318A (ja) * | 1994-06-23 | 1996-01-19 | Yamaichi Electron Co Ltd | プローブユニットとその製法 |
| EP0974845A1 (en) * | 1998-07-08 | 2000-01-26 | Christian Leth Petersen | Apparatus for testing electric properties using a multi-point probe |
| WO2000003252A3 (en) * | 1998-07-08 | 2000-04-13 | Capres Aps | Multi-point probe |
| KR100402507B1 (ko) * | 1999-09-14 | 2003-10-22 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 복합 플렉시블 배선 기판 및 그 제조 방법, 전기 광학장치, 전자 기기 |
| US6946375B2 (en) | 2001-03-23 | 2005-09-20 | Yamaha Corporation | Manufacture of probe unit having lead probes extending beyond edge of substrate |
| KR100661254B1 (ko) * | 2005-01-06 | 2006-12-28 | (주) 미코티엔 | 반도체 검사용 프로브 카드 |
| US7304486B2 (en) | 1998-07-08 | 2007-12-04 | Capres A/S | Nano-drive for high resolution positioning and for positioning of a multi-point probe |
| WO2011024303A1 (ja) * | 2009-08-31 | 2011-03-03 | 株式会社アドバンテスト | プローブ、プローブカード及び電子部品試験装置 |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP33630293A patent/JPH07199219A/ja not_active Withdrawn
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0815318A (ja) * | 1994-06-23 | 1996-01-19 | Yamaichi Electron Co Ltd | プローブユニットとその製法 |
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| JP2002520596A (ja) * | 1998-07-08 | 2002-07-09 | カプレス エイピーエス | 多探針プローブ |
| EP0974845A1 (en) * | 1998-07-08 | 2000-01-26 | Christian Leth Petersen | Apparatus for testing electric properties using a multi-point probe |
| US7323890B2 (en) | 1998-07-08 | 2008-01-29 | Capres Aps | Multi-point probe |
| KR100402507B1 (ko) * | 1999-09-14 | 2003-10-22 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 복합 플렉시블 배선 기판 및 그 제조 방법, 전기 광학장치, 전자 기기 |
| US6972966B1 (en) | 1999-09-14 | 2005-12-06 | Seiko Epson Corporation | Composite flexible wiring board, method of manufacturing the same, electro-optical device, and electronic equipment |
| US6946375B2 (en) | 2001-03-23 | 2005-09-20 | Yamaha Corporation | Manufacture of probe unit having lead probes extending beyond edge of substrate |
| US7087501B2 (en) | 2001-03-23 | 2006-08-08 | Yamaichi Electronics, Co., Ltd. | Manufacture of probe unit having lead probes extending beyond edge of substrate |
| KR100661254B1 (ko) * | 2005-01-06 | 2006-12-28 | (주) 미코티엔 | 반도체 검사용 프로브 카드 |
| WO2011024303A1 (ja) * | 2009-08-31 | 2011-03-03 | 株式会社アドバンテスト | プローブ、プローブカード及び電子部品試験装置 |
| JPWO2011024303A1 (ja) * | 2009-08-31 | 2013-01-24 | 株式会社アドバンテスト | プローブ、プローブカード及び電子部品試験装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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