JP2679684B2 - 異方導電フィルム及び異方導電フィルムを用いた半導体ウェハ測定治具 - Google Patents
異方導電フィルム及び異方導電フィルムを用いた半導体ウェハ測定治具Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、異方導電フィルム及び
半導体ウェハの測定治具に関し、特に大口径ウェハの測
定に好適な異方導電フィルムの構造及び該異方導電フィ
ルムを用いた半導体ウェハ測定治具に関する。
半導体ウェハの測定治具に関し、特に大口径ウェハの測
定に好適な異方導電フィルムの構造及び該異方導電フィ
ルムを用いた半導体ウェハ測定治具に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の異方導電フィルムとして、例え
ば、文献（日東技報、Ｖol．30，Ｎo.１，Ｍay，1992
年）に報告されている日東電工製の超高密度異方導電フ
ィルムがある。
ば、文献（日東技報、Ｖol．30，Ｎo.１，Ｍay，1992
年）に報告されている日東電工製の超高密度異方導電フ
ィルムがある。
【０００３】次に、図面を参照して従来の異方導電フィ
ルムを詳細に説明する。図６は、従来の異方導電フィル
ムの構成を説明するための断面図である。
ルムを詳細に説明する。図６は、従来の異方導電フィル
ムの構成を説明するための断面図である。
【０００４】図６を参照して、ポリイミドフィルム50に
設けられた貫通孔を挿通して金属の柱を形成し、その金
属の柱はフィルム表裏面でバンプ51を形成している。
設けられた貫通孔を挿通して金属の柱を形成し、その金
属の柱はフィルム表裏面でバンプ51を形成している。
【０００５】この異方導電フィルムは、ポリイミドフィ
ルム50と金属のみで構成されているため、高い信頼性と
寸法安定性を持ち、例えば直径２５μｍ、ピッチ４５μ
ｍ程度の微細なバンプを数μｍの位置精度で形成するこ
とができる。
ルム50と金属のみで構成されているため、高い信頼性と
寸法安定性を持ち、例えば直径２５μｍ、ピッチ４５μ
ｍ程度の微細なバンプを数μｍの位置精度で形成するこ
とができる。
【０００６】図７は、図６に示した従来の異方導電フィ
ルムの適用例を説明するための図である。
ルムの適用例を説明するための図である。
【０００７】図７を参照して、ポリイミドフィルム50に
バンプ51を形成し、さらにフィルム表面に金属配線52を
形成することでファインピッチ（微細ピッチ）のコンタ
クトフレキシブル配線基板を作ることができる。
バンプ51を形成し、さらにフィルム表面に金属配線52を
形成することでファインピッチ（微細ピッチ）のコンタ
クトフレキシブル配線基板を作ることができる。
【０００８】図８は、図７に示したコンタクトフレキシ
ブル配線基板を半導体ウェハの測定治具に適用した例を
模式的に示す図である。
ブル配線基板を半導体ウェハの測定治具に適用した例を
模式的に示す図である。
【０００９】図８を参照して、プリント回路基板55と電
気的に接続された異方導電フィルム53を弾性部材58を介
してガラスプレート57でスプリング56の付勢力により加
圧することにより、異方導電フィルム53上のバンプ54を
半導体ウェハ59のコンタクトパッド（不図示）にコンタ
クトさせ、半導体ウェハ59とプリント回路基板55とを電
気的に接続している。
気的に接続された異方導電フィルム53を弾性部材58を介
してガラスプレート57でスプリング56の付勢力により加
圧することにより、異方導電フィルム53上のバンプ54を
半導体ウェハ59のコンタクトパッド（不図示）にコンタ
クトさせ、半導体ウェハ59とプリント回路基板55とを電
気的に接続している。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の異方導
電フィルムは、フィルムの貫通孔に金属を充填した構造
とされている（図６参照）ため、コンタクトの方向に弾
力性がなく、広いエリアに亘って一括してコンタクトを
行う場合、図８に示したように弾性部材58（及びスプリ
ング56）を介して裏面から異方導電フィルムを加圧する
ことが必要とされる。
電フィルムは、フィルムの貫通孔に金属を充填した構造
とされている（図６参照）ため、コンタクトの方向に弾
力性がなく、広いエリアに亘って一括してコンタクトを
行う場合、図８に示したように弾性部材58（及びスプリ
ング56）を介して裏面から異方導電フィルムを加圧する
ことが必要とされる。
【００１１】このため、測定対象の半導体ウェハとプリ
ント回路基板とを対向させ、その中間に上記従来の異方
導電フィルムを挿入し最短距離で接続させるという類の
用途には上記従来の異方導電フィルムを用いることはで
きない。より詳細には、例えば所定の試験機能を具備し
たＬＳＩテストチップ（ウェハ試験用の各種テスタ機能
をチップ内に集積化したＬＳＩ）を実装した回路基板
と、被測定半導体ウェハとを近接してコンタクトさせ、
高周波の検査をＬＳＩチップテスターで代替させるとい
うような構成からなる半導体ウェハ測定用の新しいタイ
プの測定治具に対して、上記従来の異方導電フィルムを
適用することはできないという問題点があった。
ント回路基板とを対向させ、その中間に上記従来の異方
導電フィルムを挿入し最短距離で接続させるという類の
用途には上記従来の異方導電フィルムを用いることはで
きない。より詳細には、例えば所定の試験機能を具備し
たＬＳＩテストチップ（ウェハ試験用の各種テスタ機能
をチップ内に集積化したＬＳＩ）を実装した回路基板
と、被測定半導体ウェハとを近接してコンタクトさせ、
高周波の検査をＬＳＩチップテスターで代替させるとい
うような構成からなる半導体ウェハ測定用の新しいタイ
プの測定治具に対して、上記従来の異方導電フィルムを
適用することはできないという問題点があった。
【００１２】従って、本発明はこのような問題点に鑑み
てなされたものであって、試験機能を持つテストチップ
を搭載した基板と半導体ウェハとの間に挿入して両者の
電気的コンタクトをとると共に半導体ウェハの高周波検
査を可能とする異方導電フィルムを提供することを目的
とする。
てなされたものであって、試験機能を持つテストチップ
を搭載した基板と半導体ウェハとの間に挿入して両者の
電気的コンタクトをとると共に半導体ウェハの高周波検
査を可能とする異方導電フィルムを提供することを目的
とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、電気的に絶縁性のフィルムに貫通孔を形
成し、前記貫通孔内に金属を充填すると共に該金属は前
記フィルムの表面及び裏面にてバンプを形成し、前記フ
ィルムの厚さ方向にのみ電気的に導通するように構成し
てなる第１、第２の異方導電フィルムを備え、前記第１
の異方導電フィルムは被測定物のコンタクトパッドに対
応して前記バンプを複数備え、前記第２の異方導電フィ
ルムは前記第１の異方導電フィルムの各バンプに対応し
て該バンプを中心とする同心円上にそれぞれ複数のバン
プからなるバンプ群を備え、前記第１の異方導電フィル
ムのバンプが前記第２の異方導電フィルムの対応するバ
ンプ群の略中心に嵌合するように位置合わせして組み立
てられて成ることを特徴とする異方導電フィルムを提供
する。
め、本発明は、電気的に絶縁性のフィルムに貫通孔を形
成し、前記貫通孔内に金属を充填すると共に該金属は前
記フィルムの表面及び裏面にてバンプを形成し、前記フ
ィルムの厚さ方向にのみ電気的に導通するように構成し
てなる第１、第２の異方導電フィルムを備え、前記第１
の異方導電フィルムは被測定物のコンタクトパッドに対
応して前記バンプを複数備え、前記第２の異方導電フィ
ルムは前記第１の異方導電フィルムの各バンプに対応し
て該バンプを中心とする同心円上にそれぞれ複数のバン
プからなるバンプ群を備え、前記第１の異方導電フィル
ムのバンプが前記第２の異方導電フィルムの対応するバ
ンプ群の略中心に嵌合するように位置合わせして組み立
てられて成ることを特徴とする異方導電フィルムを提供
する。
【００１４】本発明の異方導電フィルムにおいては、好
ましくは、前記第１、第２の異方導電フィルムからなる
異方導電フィルムを複数段積み重ねて構成したことを特
徴とする。
ましくは、前記第１、第２の異方導電フィルムからなる
異方導電フィルムを複数段積み重ねて構成したことを特
徴とする。
【００１５】また、本発明の異方導電フィルムにおいて
は、好ましくは、前記各バンプが、略半球型の突起形状
を有し、前記第２の異方導電フィルムが、前記第１の異
方導電フィルムのバンプに位置合わせして組み立てた際
に前記第１の異方導電フィルムの一のバンプに当接して
配置される少なくとも３つのバンプからなるバンプ群を
備えたことを特徴とする。
は、好ましくは、前記各バンプが、略半球型の突起形状
を有し、前記第２の異方導電フィルムが、前記第１の異
方導電フィルムのバンプに位置合わせして組み立てた際
に前記第１の異方導電フィルムの一のバンプに当接して
配置される少なくとも３つのバンプからなるバンプ群を
備えたことを特徴とする。
【００１６】さらに、本発明は、半導体ウェハのテスト
機能の一部または全部を具備するＬＳＩテストチップ
と、前記ＬＳＩテストチップを実装する基板と、前記基
板の前記ＬＳＩテストチップの実装面と反対側の面に導
電性接着剤で固定された異方導電フィルムと、を備え、
前記異方導電フィルムが、電気的に絶縁性のフィルムに
貫通孔を形成し、前記貫通孔内に金属を充填すると共に
該金属は前記フィルムの表面及び裏面にてバンプを形成
し、前記フィルムの厚さ方向にのみ電気的に導通するよ
うに構成されてなる第１、第２の異方導電フィルムを備
え、前記第１の異方導電フィルムは被測定半導体ウェハ
のコンタクトパッドに対応して前記バンプを複数備え、
前記第２の異方導電フィルムは前記第１の異方導電フィ
ルムの各バンプに対応して該バンプを中心とする同心円
上にそれぞれ複数のバンプからなるバンプ群を備え、前
記第１の異方導電フィルムのバンプが前記第２の異方導
電フィルムの対応するバンプ群の略中心に嵌合するよう
に位置合わせして組み立てられて成ることを特徴とする
半導体ウェハ測定治具を提供する。
機能の一部または全部を具備するＬＳＩテストチップ
と、前記ＬＳＩテストチップを実装する基板と、前記基
板の前記ＬＳＩテストチップの実装面と反対側の面に導
電性接着剤で固定された異方導電フィルムと、を備え、
前記異方導電フィルムが、電気的に絶縁性のフィルムに
貫通孔を形成し、前記貫通孔内に金属を充填すると共に
該金属は前記フィルムの表面及び裏面にてバンプを形成
し、前記フィルムの厚さ方向にのみ電気的に導通するよ
うに構成されてなる第１、第２の異方導電フィルムを備
え、前記第１の異方導電フィルムは被測定半導体ウェハ
のコンタクトパッドに対応して前記バンプを複数備え、
前記第２の異方導電フィルムは前記第１の異方導電フィ
ルムの各バンプに対応して該バンプを中心とする同心円
上にそれぞれ複数のバンプからなるバンプ群を備え、前
記第１の異方導電フィルムのバンプが前記第２の異方導
電フィルムの対応するバンプ群の略中心に嵌合するよう
に位置合わせして組み立てられて成ることを特徴とする
半導体ウェハ測定治具を提供する。
【００１７】
【作用】上記構成のもと、本発明の異方導電フィルム
は、バンプ付きの２つの異方導電フィルムの一方のバン
プが、他方の異方導電フィルムのバンプの同心円上に配
置されたバンプ群の中心に嵌合するように重ね合わせた
構成としたことにより、コンタクト方向に弾力性を持た
せることが可能とされ、大面積の２つの部品を対向させ
てその間にこのコンタクトを挿入して両者を短距離でコ
ンタクトさせるという用途に好適に適用することができ
る。
は、バンプ付きの２つの異方導電フィルムの一方のバン
プが、他方の異方導電フィルムのバンプの同心円上に配
置されたバンプ群の中心に嵌合するように重ね合わせた
構成としたことにより、コンタクト方向に弾力性を持た
せることが可能とされ、大面積の２つの部品を対向させ
てその間にこのコンタクトを挿入して両者を短距離でコ
ンタクトさせるという用途に好適に適用することができ
る。
【００１８】また、本発明の半導体ウェハ測定治具によ
れば、試験機能の一部または全部を有するＬＳＩテスト
チップを実装した基板に、コンタクト方向に弾力性を持
つ異方導電フィルムを取り付けた構成としたことによ
り、大面積の被測定半導体ウェハに対して真上から近接
してコンタクトさせることが可能となり、高周波の検査
をＬＳＩテストチップ内で代替することができる。
れば、試験機能の一部または全部を有するＬＳＩテスト
チップを実装した基板に、コンタクト方向に弾力性を持
つ異方導電フィルムを取り付けた構成としたことによ
り、大面積の被測定半導体ウェハに対して真上から近接
してコンタクトさせることが可能となり、高周波の検査
をＬＳＩテストチップ内で代替することができる。
【００１９】
【実施例】図面を参照して、本発明の実施例を以下に説
明する。
明する。
【００２０】
【実施例１】図１は、本発明の第１の実施例に係る異方
導電フィルムの構成を説明するための図である。
導電フィルムの構成を説明するための図である。
【００２１】図１を参照して、本実施例に係る異方導電
フィルム１は、フィルム４の両面に複数のバンプ３が形
成された第１の異方導電フィルム２と、第１の異方導電
フィルム２の各バンプ３に当接するようにフィルム４′
の両面に複数のバンプ３′が形成された第２の異方導電
フィルム５とからなり、第１、第２の異方導電フィルム
２、５はフィルム４、４′の素材と同一の材料（例えば
シリコーンゴム等）からなる接着剤６で互いに固定され
ている。
フィルム１は、フィルム４の両面に複数のバンプ３が形
成された第１の異方導電フィルム２と、第１の異方導電
フィルム２の各バンプ３に当接するようにフィルム４′
の両面に複数のバンプ３′が形成された第２の異方導電
フィルム５とからなり、第１、第２の異方導電フィルム
２、５はフィルム４、４′の素材と同一の材料（例えば
シリコーンゴム等）からなる接着剤６で互いに固定され
ている。
【００２２】図２は、図１に示した異方導電フィルム１
を第２の異方導電フィルム５側から見た平面図である。
を第２の異方導電フィルム５側から見た平面図である。
【００２３】図２を参照して、第１の異方導電フィルム
２のバンプ（「第１のバンプ」ともいう）３を中心とし
て第２の異方導電フィルム５のバンプ（「第２のバン
プ」ともいう）３′が同心円上に３個配置されている。
本実施例においては、第１のバンプ３の同心円上に第２
のバンプ３′を少なくとも３個配置したことにより、第
１のバンプ３の位置を規制することが可能となり、この
ため両方のバンプの相対位置を安定して確保できる。
２のバンプ（「第１のバンプ」ともいう）３を中心とし
て第２の異方導電フィルム５のバンプ（「第２のバン
プ」ともいう）３′が同心円上に３個配置されている。
本実施例においては、第１のバンプ３の同心円上に第２
のバンプ３′を少なくとも３個配置したことにより、第
１のバンプ３の位置を規制することが可能となり、この
ため両方のバンプの相対位置を安定して確保できる。
【００２４】図３（ａ）及び図３（ｂ）は、図２に示し
た本実施例における構造の弾性機能を説明するための側
面図である。
た本実施例における構造の弾性機能を説明するための側
面図である。
【００２５】図３（ａ）は、フィルム４、４′がフラッ
ト（平坦）な状態で第１及び第２の異方導電フィルム
２、５の各バンプ３、３′が当接して、被測定物７のパ
ッド８と電気的な接続が行われている状態を模式的に示
している。図３（ｂ）は、図３（ａ）に示す状態からさ
らに第１の異方導電フィルム２を被測定物７側に加圧し
た場合を想定してこれを模式的に示したものである。
ト（平坦）な状態で第１及び第２の異方導電フィルム
２、５の各バンプ３、３′が当接して、被測定物７のパ
ッド８と電気的な接続が行われている状態を模式的に示
している。図３（ｂ）は、図３（ａ）に示す状態からさ
らに第１の異方導電フィルム２を被測定物７側に加圧し
た場合を想定してこれを模式的に示したものである。
【００２６】フィルム素材にシリコーンゴム等弾力性の
あるものを用いると、フィルムは平面方向に僅かではあ
るが伸縮できるため、第１の異方導電フィルム２のバン
プ３から横方向の力を受けた第２の異方導電フィルム５
のバンプ３′は、パッド８との接触点を支点として傾
き、この動きと連動して第１の異方導電フィルム２のバ
ンプ３がコンタクト方向に沈み込むことができる。
あるものを用いると、フィルムは平面方向に僅かではあ
るが伸縮できるため、第１の異方導電フィルム２のバン
プ３から横方向の力を受けた第２の異方導電フィルム５
のバンプ３′は、パッド８との接触点を支点として傾
き、この動きと連動して第１の異方導電フィルム２のバ
ンプ３がコンタクト方向に沈み込むことができる。
【００２７】また、この一連の動作において、第２の異
方導電フィルム５のバンプ３′と被測定物７のパッド８
との間に摺動箇所が生じ、パッド８の表面に例えば酸化
膜が存在するような場合にもバンプ３′との摺動により
この酸化膜が破られ、安定したコンタクトが行えること
になる。
方導電フィルム５のバンプ３′と被測定物７のパッド８
との間に摺動箇所が生じ、パッド８の表面に例えば酸化
膜が存在するような場合にもバンプ３′との摺動により
この酸化膜が破られ、安定したコンタクトが行えること
になる。
【００２８】
【実施例２】図４は、本発明に係る異方導電フィルムの
第２の実施例を説明する図である。図４を参照して、本
実施例は、図１〜図３に示した前記第１の実施例にかか
る異方導電フィルムを３枚重ねたものである。
第２の実施例を説明する図である。図４を参照して、本
実施例は、図１〜図３に示した前記第１の実施例にかか
る異方導電フィルムを３枚重ねたものである。
【００２９】図４に示すように、異方導電フィルム１、
１′、１″を３枚重ねることにより、沈み込み量を３倍
にすることができる。すなわち、このように異方導電フ
ィルムを多層化することにより、弾性機能を増加させる
ことができる。
１′、１″を３枚重ねることにより、沈み込み量を３倍
にすることができる。すなわち、このように異方導電フ
ィルムを多層化することにより、弾性機能を増加させる
ことができる。
【００３０】
【実施例３】図５は、本発明の一実施例に係る半導体ウ
ェハ測定治具の構成を説明するための図である。本実施
例の半導体ウェハ測定治具においては、前記第１、第２
の実施例で説明した異方導電フィルムを介して半導体ウ
ェハと基板とのコンタクトがとられている。
ェハ測定治具の構成を説明するための図である。本実施
例の半導体ウェハ測定治具においては、前記第１、第２
の実施例で説明した異方導電フィルムを介して半導体ウ
ェハと基板とのコンタクトがとられている。
【００３１】図５を参照して、半導体ウェハ測定治具９
は、半導体ウェハ１４の試験機能（例えばＬＳＩテスタ
等における各種試験用回路群）の一部または全部を半導
体集積回路化してなるＬＳＩテストチップ１０と、ＬＳ
Ｉテストチップ１０を実装する基板１１と、基板１１の
ＬＳＩテストチップ１０の実装面と反対側の端面におい
て導電性接着剤１２にて固定された異方導電フィルム１
３と、から構成されている。
は、半導体ウェハ１４の試験機能（例えばＬＳＩテスタ
等における各種試験用回路群）の一部または全部を半導
体集積回路化してなるＬＳＩテストチップ１０と、ＬＳ
Ｉテストチップ１０を実装する基板１１と、基板１１の
ＬＳＩテストチップ１０の実装面と反対側の端面におい
て導電性接着剤１２にて固定された異方導電フィルム１
３と、から構成されている。
【００３２】また、半導体測定治具９は、ケーブル１７
を介して外部簡易テスタ１８に電気的に接続されてお
り、外部簡易テスタ１８と電源、信号及び検査結果の送
受信を行うことができる。
を介して外部簡易テスタ１８に電気的に接続されてお
り、外部簡易テスタ１８と電源、信号及び検査結果の送
受信を行うことができる。
【００３３】測定対象の半導体ウェハ１４は、ＸＹステ
ージ１６上に設置された真空ウェハチャック１５で固定
されており、ステップアンドリピート動作により半導体
ウェハ１４の任意の測定場所を選択できるように構成さ
れている。
ージ１６上に設置された真空ウェハチャック１５で固定
されており、ステップアンドリピート動作により半導体
ウェハ１４の任意の測定場所を選択できるように構成さ
れている。
【００３４】このような構成としたことにより、本実施
例においては、半導体ウェハ１４と、テスト機能を有す
るＬＳＩテストチップ１０とを極めて短い距離で直接電
気的に接続することが可能とされ、高周波の検査を精度
良く行うことができる。そして、本実施例においては、
大面積（大口径）の半導体ウェハ１４の試験においても
被試験半導体装置との電気的コンタクトを安定・確実な
ものとし、半導体ウェハ上の半導体装置を多数個同時に
並列テストを行うことが可能とされ、従来のウェハプロ
ーバとＬＳＩテスタを用いる方式に比べ、半導体ウェハ
の試験時間を大幅に短縮し、テスト・コストを削減する
ことができる。
例においては、半導体ウェハ１４と、テスト機能を有す
るＬＳＩテストチップ１０とを極めて短い距離で直接電
気的に接続することが可能とされ、高周波の検査を精度
良く行うことができる。そして、本実施例においては、
大面積（大口径）の半導体ウェハ１４の試験においても
被試験半導体装置との電気的コンタクトを安定・確実な
ものとし、半導体ウェハ上の半導体装置を多数個同時に
並列テストを行うことが可能とされ、従来のウェハプロ
ーバとＬＳＩテスタを用いる方式に比べ、半導体ウェハ
の試験時間を大幅に短縮し、テスト・コストを削減する
ことができる。
【００３５】以上、本発明を上記実施例に即して説明し
たが、本発明は上記態様にのみ限定されず、本発明の原
理に準ずる各種態様を含むことは勿論である。
たが、本発明は上記態様にのみ限定されず、本発明の原
理に準ずる各種態様を含むことは勿論である。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る異方
導電フィルムは、従来の一層のバンプ付き導電フィルム
がコンタクト方向に弾力性を持っていないのに対して、
二つのバンプ付き導電フィルムを一方のバンプが他方の
バンプの同心円上に配置されたバンプ群の中心に嵌合す
るように重ね合わせた構成にすることにより、コンタク
ト方向に弾力性を持たせることが可能とされ、大面積の
２つの部品を対向させてその間にこのコンタクトを挿入
して両者を短距離でコンタクトさせるという用途に好適
に適用することができるという効果を有する。
導電フィルムは、従来の一層のバンプ付き導電フィルム
がコンタクト方向に弾力性を持っていないのに対して、
二つのバンプ付き導電フィルムを一方のバンプが他方の
バンプの同心円上に配置されたバンプ群の中心に嵌合す
るように重ね合わせた構成にすることにより、コンタク
ト方向に弾力性を持たせることが可能とされ、大面積の
２つの部品を対向させてその間にこのコンタクトを挿入
して両者を短距離でコンタクトさせるという用途に好適
に適用することができるという効果を有する。
【００３７】また、本発明に係る半導体ウェハ測定治具
は、試験機能の一部または全部を有するＬＳＩテストチ
ップを実装した基板に、コンタクト方向に弾力性を持つ
異方導電フィルムを取り付けた構成としたことにより、
大面積の被測定半導体ウェハに対して真上から近接して
コンタクトさせることが可能となり、高周波の検査をＬ
ＳＩテストチップ内で代替することができ、高周波検査
を高精度に低コストにて行うことができるという効果を
有する。そして、本発明によれば大面積の半導体ウェハ
の試験における電気的コンタクトを安定・確実なものと
し、テスト時間の短縮、テスト・コストの削減を達成す
る。
は、試験機能の一部または全部を有するＬＳＩテストチ
ップを実装した基板に、コンタクト方向に弾力性を持つ
異方導電フィルムを取り付けた構成としたことにより、
大面積の被測定半導体ウェハに対して真上から近接して
コンタクトさせることが可能となり、高周波の検査をＬ
ＳＩテストチップ内で代替することができ、高周波検査
を高精度に低コストにて行うことができるという効果を
有する。そして、本発明によれば大面積の半導体ウェハ
の試験における電気的コンタクトを安定・確実なものと
し、テスト時間の短縮、テスト・コストの削減を達成す
る。
【図１】本発明に係る異方導電フィルムの一実施例の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図２】本発明に係る異方導電フィルムの一実施例の平
面図である。
面図である。
【図３】本発明に係る異方導電フィルムの一実施例にお
ける弾性機能を説明するための図である。
ける弾性機能を説明するための図である。
【図４】本発明に係る異方導電フィルムの第２の実施例
の構成を示す図である
の構成を示す図である
【図５】本発明に係る半導体ウェハ測定治具の一実施例
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
【図６】従来の異方導電フィルムの構成を示す図であ
る。
る。
【図７】図６に示した従来の異方導電フィルムを用いた
コンタクトフレキシブル配線基板の構成を示す図であ
る。
コンタクトフレキシブル配線基板の構成を示す図であ
る。
【図８】図７のコンタクトフレキシブル配線基板を用い
た半導体ウェハの測定治具の構成を説明するための図で
ある。
た半導体ウェハの測定治具の構成を説明するための図で
ある。
１、１′、１″、１３、５３ 異方導電フィルム ２ 第１の異方導電フィルム ３、３′、５１、５４ バンプ ４、４′ フィルム ５ 第２の異方導電フィルム ６ 接着剤 ７ 被測定物 ８ パッド ９ 半導体ウェハ測定治具 １０ ＬＳＩテストチップ １１ 基板 １２ 導電性接着剤 １４、５９ 半導体ウェハ １５ 真空ウェハチャック １６ ＸＹステージ １７ ケーブル １８ 外部簡易テスタ ５０ ポリイミド ５２ 金属配線 ５５ プリント回路基板 ５６ スプリング ５７ ガラスプレート ５８ 弾性材
Claims (5)
- 【請求項１】電気的に絶縁性のフィルムに貫通孔を形成
し、前記貫通孔内に金属を充填すると共に該金属は前記
フィルムの表面及び裏面にてバンプを形成し、前記フィ
ルムの厚さ方向にのみ電気的に導通するように構成して
なる第１、第２の異方導電フィルムを備え、 前記第１の異方導電フィルムは被測定物のコンタクトパ
ッドに対応して前記バンプを複数備え、 前記第２の異方導電フィルムは前記第１の異方導電フィ
ルムの各バンプに対応して該バンプを中心とする同心円
上にそれぞれ複数のバンプからなるバンプ群を備え、 前記第１の異方導電フィルムのバンプが前記第２の異方
導電フィルムの対応するバンプ群の略中心に嵌合するよ
うに位置合わせして組み立てられて成ることを特徴とす
る異方導電フィルム。 - 【請求項２】前記第１、第２の異方導電フィルムからな
る異方導電フィルムを複数段積み重ねて構成したことを
特徴とする請求項１記載の異方導電フィルム。 - 【請求項３】前記各バンプが、略半球型の突起形状を有
し、前記第２の異方導電フィルムが、前記第１の異方導
電フィルムのバンプに位置合わせして組み立てた際に前
記第１の異方導電フィルムの一のバンプに当接して配置
される少なくとも３つのバンプからなるバンプ群を備え
たことを特徴とする請求項１記載の異方導電フィルム。 - 【請求項４】半導体ウェハのテスト機能の一部または全
部を具備するＬＳＩテストチップと、 前記ＬＳＩテストチップを実装する基板と、 前記基板の前記ＬＳＩテストチップの実装面と反対側の
面に導電性接着剤で固定された異方導電フィルムと、 を備え、 前記異方導電フィルムが、電気的に絶縁性のフィルムに
貫通孔を形成し、前記貫通孔内に金属を充填すると共に
該金属は前記フィルムの表面及び裏面にてバンプを形成
し、前記フィルムの厚さ方向にのみ電気的に導通するよ
うに構成されてなる第１、第２の異方導電フィルムを備
え、 前記第１の異方導電フィルムは被測定半導体ウェハのコ
ンタクトパッドに対応して前記バンプを複数備え、 前記第２の異方導電フィルムは前記第１の異方導電フィ
ルムの各バンプに対応して該バンプを中心とする同心円
上にそれぞれ複数のバンプからなるバンプ群を備え、 前記第１の異方導電フィルムのバンプが前記第２の異方
導電フィルムの対応するバンプ群の略中心に嵌合するよ
うに位置合わせして組み立てられて成ることを特徴とす
る半導体ウェハ測定治具。 - 【請求項５】前記第１、第２の異方導電フィルムからな
る異方導電フィルムを複数段積み重ねたことを特徴とす
る請求項４記載の半導体ウェハ測定治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13861295A JP2679684B2 (ja) | 1995-05-12 | 1995-05-12 | 異方導電フィルム及び異方導電フィルムを用いた半導体ウェハ測定治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13861295A JP2679684B2 (ja) | 1995-05-12 | 1995-05-12 | 異方導電フィルム及び異方導電フィルムを用いた半導体ウェハ測定治具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08316274A JPH08316274A (ja) | 1996-11-29 |
| JP2679684B2 true JP2679684B2 (ja) | 1997-11-19 |
Family
ID=15226159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13861295A Expired - Fee Related JP2679684B2 (ja) | 1995-05-12 | 1995-05-12 | 異方導電フィルム及び異方導電フィルムを用いた半導体ウェハ測定治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2679684B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009139070A1 (ja) | 2008-05-16 | 2009-11-19 | 株式会社アドバンテスト | 製造方法および試験用ウエハユニット |
| TWI623996B (zh) * | 2017-07-24 | 2018-05-11 | 中華精測科技股份有限公司 | 整合信號及電源完整性模組之積體電路測試座 |
-
1995
- 1995-05-12 JP JP13861295A patent/JP2679684B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08316274A (ja) | 1996-11-29 |
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