CN100446355C - 微接触元件 - Google Patents

Abstract

本发明一种微接触元件，其包括：一导电材料；一包覆于该导电材料外侧的绝缘介电材料；一包覆于该介电材料外侧的导电层；且邻近该导电材料两端的侧边并未受该介电材料及该导电层所包覆而呈裸露状态；使该微接触元件为由一导电材料与绝缘介电材料所构成的长条型柱件，该微接触元件的两末端受力时产生弹性挫曲，并提供作为电讯号连接的媒介。

Description

微接触元件

技术领域

本发明涉及接触元件有关，更详而言之是指一种微接触元件。

背景技术

在测试高密度或高速的电气装置(如LSI或VLSI电路)时，必须使用具有大量微接触元件(探针)的探针卡(Probe Card)，以通过该微接触元件为一具有挠性且可提供电性连接的导电体特性，作为与待测试物间电气导通的元件，如作为LSI及VLSI晶片、半导体晶圆、晶片预烧、封装的半导体装置及印刷电路板的测试接触元件之用。当然，微接触元件，亦可用以作为IC封装的IC引线之用。为便于后续的说明，其微接触元件主要所以作为探针卡的探针加以叙述。

一般常用的微接触元件技术，尤以垂直式探针元件而言，可概分为以传统的锻造方式及以微机电方式所制造而成。

其中，请参阅图10，传统的探针乃是采用金属线材，以锻造的方式制作其可弯曲的弹性部位1(如美国专利第US4027935号)，利用传统的机械加工方式(锻造)，将使得探针弯曲的弹性部位上会残留有较大的残余应力，使得探针在长期操作后易有疲劳断裂的情形；且传统精密机械加工的制作精度亦会较以微机电技术所制造的差，使得各探针间的弹性恢复力差异较大，易造成探针接触阻抗的控制不易；同时在探针变形量较大时，各探针间过大的变形差异，亦将使部分探针产生过大的不当针压而损伤待测试物的接触垫。再者，在对于需以其探针的针尖突破待测试物表面氧化层的应用上，此探针需以人工方式研磨出针尖结构，其制作难度相当的大，而其精度的控制则更是不易。

因此，如美国专利4第US20030057957号申请案，便提出一种利用光刻技术以提高探针的针体制作精度的制程方式，是于一金属薄膜的上下表面以光阻材料利用光刻技术形成探针图案之后，直接采用大面积等向性湿蚀刻的方式批次制造出探针针体。与传统锻造制程相较之下，除其针体轮廓一致性大幅提升外，此种探针针体亦可避免因锻造加工所产生的应力残留，因而加速材料老化的缺点；同时，以此双面等向性湿蚀刻的方式更可同步制作出探针的针尖形状。然而该探针最终仍是利用机械加工方式自一模型框架上加以截断取下，此举不仅易造成探针尾部受过大剪力而变形，同时亦容易造成各探针间长度不一(精度控制不易)的情形；且以大面积等向性湿蚀刻直接蚀刻出针体的方式，蚀刻均匀度与其再现性均不易控制。

再者，如中国台湾专利公告第440897号，其是采用现行微机电制程技术制作探针，该制程主要是于一硅基底上先行成形出一牺牲层，再依次成形一导电种子层，并于该种子层上方涂布一遮蔽层并利用公知的半导体微影蚀刻制程于该遮蔽层上形成开口，而于该开口内沉积一导电材料，再以研磨方式将沉积的导电材料上方表面平整化后，再以蚀刻制程去除遮蔽层、牺牲层及导电种子层，并使该探针针体脱离该硅基底，通过此形成探针结构。但此一制程必须在硅基底上先行成形出一牺牲层，而牺牲层又以二氧化硅(S102)为材料，此一材料易因薄膜应力的问题而造成硅基底弯曲，且其弯曲程度如严重时，会趋近于探针的厚度尺寸，而使得探针的厚度尺寸误差会有过大的情形，导致不合格率增高。另外，该探针在研磨其表面的平整度时，乃是通过由遮蔽层作为支撑之用，但遮蔽层的材质(较软质)本就不利于作为支撑之用，使得探针在研磨时易因遮蔽层的支撑性不足，使得研磨均匀性不佳，探针容易于研磨过程中脱落脱离，而导致制程合格率不佳的情形。再者，此一探针的制程亦无法制作出可用以突破如锡球等待测物的表面氧化层的针尖结构，进而降低接触阻抗以取得较佳的电性通连。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的乃在提供一种微接触元件，是能降低基板应力弯曲，进而提高微接触元件的尺寸精度。

本发明一种微接触元件，其中：

一导电材料；

一包覆于该导电材料外侧的绝缘介电材料；

一包覆于该介电材料外侧的导电层；

且邻近该导电材料两端的侧边并未受该介电材料及该导电层所包覆而呈裸露状态；

使该微接触元件为由一导电材料与绝缘介电材料所构成的长条型柱件，该微接触元件的两末端受力时产生弹性挫曲，并提供作为电讯号连接的媒介。

所述该微接触元件依次连续包覆一至多层绝缘介电材料与导电层材料。

附图说明

图1(A)至图1(H)是本发明第一较佳实施例的制程；

图2(A)至图2(J)是本发明第二较佳实施例的制程；

图3(A)至图3(J)是本发明第三较佳实施例的制程；

图4(A)至图4(L)是本发明第四较佳实施例的制程；

图5(A)至图5(K)是本发明第五较佳实施例的制程；

图6(A)至图6(K)是本发明第六较佳实施例的制程；

图6(f)是图6(K)的顶视立体图；

图7(A)至图7(F)是本发明第七较佳实施例的制程；

图8(A)至图8(F)是本发明第八较佳实施例的制程；

图9(A)至图9(J)是本发明第九较佳实施例的制程；

图9(f)是图9(F)的顶视立体图；

图10是一种现有的探针结构。

具体实施方式

为使能对本发明的特征及目的有更进一步的了解与认同，兹列举以下较佳的实施例，并配合附图说明于后。

请参阅图1(A)至图1(H)，是本发明第一较佳实施例所提供一种微接触元件的制造方法，其中下列制造方法所制造的微接触元件所以探针为实施例，其步骤包含有：

a)如图1(A)所示：于一表层不具导电性的基板11上铺设成形出一导电薄膜12。

其中，该基板11的材料可为半导体材料、表面涂布非导电材质的金属板、高分子材料、陶瓷材料及复合材料等，如硅基板。该导电薄膜12可为具有良好附着性的金属，如钛金属；该导电薄膜12是可通过由公知的半导体制程技术所沉积于该基板11的表层上，其沉积制程可为蒸镀、溅镀或电镀等制程技术。

b)如图1(B)、图1(C)及图1(D)所示：在该导电薄膜12上成形出一具备探针图形开口15的遮蔽层13。

其中，是先于该导电薄膜12上涂布一由光阻材料所构成的遮蔽层13(如图1(B)所示)，并利用半导体制程技术的光刻制程(微影蚀刻制程)(如图1(C)所示)在遮蔽层13中成形出具备探针图形的该开口15(如图1(D)所示)。该光刻制程是利用一光罩14对正于遮蔽层13，并以紫外线(UV light)曝光，如图1(C)所示，光罩14便能将探针图形显影在遮蔽层13上(即形成该开口15)。由于光阻材料可概分成正光阻材料或负光阻材料，而正光阻材料或负光阻材料皆可达成上述显影的目的，惟其差异在于：正光阻材料是指受光罩透光部份所曝光的遮蔽层部份会被溶解或冲洗掉，而被光罩不透光部份所盖住的遮蔽层部份，则会在曝光后硬化而留下；反之，负光阻材料则是指受光罩透光部份所曝光的遮蔽层部份会呈硬化而留下，而被光罩不透光部份所盖住的遮蔽层部份则会被溶解或被冲洗掉。于本实施例中是采用负光阻材料的态样显影，惟正光阻材料亦可同样达成本步骤的目的。

另外，亦可利用灰阶光罩141，即利用在光罩14的特定区域中控制不同的曝光程(强)度，而使遮蔽层13形成出特定区域的斜面(如图1(C)及图1(D)所示)，用以制成探针的针尖部位。

当然，对遮蔽层13曝光的紫外线亦可改为电子束、X-射线或激光…等。此一曝光技术乃属公知技术，在此便不多作赘述。

c)如图1(E)所示：于遮蔽层13的开口15中沉积一导电材料16。

其中，沉积的制程可为半导体制程技术的蒸镀、溅镀或电镀…等。该导电材料16是可为电铸材料，如镍(Ni)金属或其它导电性佳的金属材料。

d)如图1(F)所示：将导电材料16表面平整化。

是利用精密研磨的方式将导电材料16表面加以研整，使其表面达到平整，以通过此一步骤将导电材料16修整出所须的厚度。

e)如图1(G)所示：去除遮蔽层13。

利用蚀刻制程将该遮蔽层13去除，其蚀刻制程可采用电浆离子蚀刻或化学蚀刻方式，且其蚀刻材料及条件经过选择，仅只蚀去遮蔽层13而对导电材料16并无任何影响。

f)如图1(H)所示：去除导电薄膜12以取出由导电材料16所形成的探针。

利用蚀刻制程将导电薄膜12去除，如此一来，该导电材料16便完成探针的型态而可自该基板11上脱离加以取出。蚀刻制程可采用电浆离子蚀刻或化学蚀刻方式，且其蚀刻材料及条件经过选择，只蚀去导电薄膜12对导电材料16并无任何影响。

事实上，亦可在步骤e)中以化学蚀刻方式去除光阻时，搭配超音波震动促使导电材料16与导电薄膜12剥离，以取出由导电材料16所构成的探针，而无需经过步骤f)便可取出探针。

所以，上述即为本实施例所提供第一较佳实施例微接触元件的制造方法，相较于公知的制程，不仅可相对减少涂布牺牲层(即二氧化硅)的步骤，亦能同时减少需蚀刻牺牲层的步骤。而公知制程涂布牺牲层的目的仅在于使当该牺牲层蚀去后，便能将微接触元件与基板脱离，而本发明在通过由直接将导电薄膜蚀刻去除后，或以超音波震动促使微接触元件与导电薄膜剥离，便能使得微接触元件与基板分离，不仅可省去公知涂布牺牲层及蚀刻牺牲层的制程步骤，更可避免由牺牲层的材料(二氧化硅)造成薄膜应力问题而导致基板弯曲的情形，以提升微接触元件的制程精度。

请参阅图2(A)图至图2(J)，是本发明所提供第二较佳实施例微接触元件的制造方法，其步骤包含有：

a)如图2(A)所示：于一表层不具导电性的基板21上成形出一导电薄膜22(与第一较佳实施例的a)步骤相同)。

b)如图2(B)、图2(C)及图2(D)所示：在该导电薄膜22上成形出一具备探针图形开口25的遮蔽层23(与第一较佳实施例的b)步骤相同)。

c)如图2(E)所示：于遮蔽层23的开口25中沉积一导电材料26(与第一较佳实施例的c)步骤相同)。

d)如图2(F)所示：将导电材料26表面平整化(与第一较佳实施例的d)步骤相同)。

e)如图2(G)所示：去除遮蔽层23(与第一较佳实施例的e)步骤相同)。

f)如图2(H)及图2(I)所示：于导电材料26尖端针尖部位涂布一强化薄膜27。

其中，该强化薄膜27具有抗磨耗、低沾粘性、良好导电性的特性，如铑金属，当然亦可利用多种材料构成该强化薄膜；该强化薄膜27是利用一遮罩28，以溅镀的方式涂布于该导电材料26的针尖部位上。

g)如图2(I)所示：完成涂布强化薄膜27。

h)图2(J)所示：蚀刻导电薄膜22以取出由导电材料26及该强化薄膜27所形成的探针。本步骤是利用蚀刻制程将导电薄膜22去除，其蚀刻制程可采用电浆离子蚀刻或化学蚀刻方式，且其蚀刻材料及条件经过选择，只蚀去导电薄膜22对导电材料26及强化薄膜27并无任何影响。

如此一来，通过由上述的制程步骤，便能于由导电材料26所制成的探针(微接触元件)针尖部位，镀上一层强化薄膜27，使探针针尖于接触时便能通过由其强化薄膜27的特性，而增加导电性(增加传输讯号效率)及减少磨耗程度(增长其使用寿命)。

其中于步骤f)涂布强化薄膜27时，亦可因该遮罩28的设计，使强化薄膜27并不仅限制沉积于单一部位的区域(即不仅可沉积于针尖部位，亦可沉积于其它部位上)；亦可将其遮罩28数目的数量增为多张，使涂布强化薄膜27的层数可为一至多层，视实际需求选择适当的制程。

另外，亦可在步骤h)中将蚀刻导电薄膜22的步骤改以超音波震动的方式使由导电材料26所构成的探针与基板剥离。

请参阅图3(A)至图3(J)，是本发明所提供第三较佳实施例微接触元件的制造方法，其步骤包含有：

a)如图3(A)所示：于一表层不具导电性的基板31上成形出一导电薄膜32(与第一较佳实施例的a)步骤相同)。

b)如图3(B)、图3(C)图及图3(D)所示：在该导电薄膜32上成形出一具备探针图形开口35的遮蔽层33(与第一较佳实施例的b)步骤相同)。

c)如图3(E)所示：于遮蔽层33的开口35中填入一支撑材料36(与第一较佳实施例的c)步骤相同)。

d)如图3(F)所示：去除遮蔽层33(与第一较佳实施例的e)步骤相同)。

e)如图3(G)所示：于支撑材料36所形成的开口内沉积一导电材料38。

于步骤c)中，该支撑材料36可以电镀、沉积或涂布的方式形成，且该支撑材料36的材料与导电薄膜32、基板31及导电材料38的材料不同。该支撑材料36的材料可为塑胶材质或铜…等。

f)如图3(H)所示：将支撑材料36与导电材料38同时以研磨方式将其表面平整化。

g)如图3(I)所示：去除支撑材料36。

可利用蚀刻制程将支撑材料36去除，其蚀刻制程可采用电浆离子蚀刻或化学蚀刻方式，且其蚀刻材料及条件经过选择，只蚀去支撑材料36对导电材料38、导电薄膜32及基板31并无任何影响。

h)如图3(J)所示：去除导电薄膜32以取出由导电材料38所形成的探针(与第一较佳实施例的f)步骤相同)。

亦可在步骤g)中以化学湿蚀刻方式去除支撑材料36时，搭配超音波震动促使由导电材料38所构成的探针与导电薄膜32剥离，而无需经过步骤h)即可取出探针。

所以，通过由本发明第三较佳实施例所提供的制程，可使导电材料38在研磨整平其表面时，能通过由材质较硬的支撑材料36将导电材料38稳固支撑，以避免习矢口制程在研磨其导电材料时会有由材质较软的遮蔽层所支撑而发生研磨均匀度不佳的事情。

请参阅图4(A)至图4(L)，是本发明所提供第四较佳实施例微接触元件的制造方法，其步骤包含有：

a)如图4(A)所示：于一表层不具导电性的基板41上成形出一导电薄膜42(与第一较佳实施例的a)步骤相同)。

b)如图4(B)、图4(C)及图4(D)所示：在该导电薄膜42上成形出一具备探针图形开口45的遮蔽层43(与第一较佳实施例的b)步骤相同)。

c)如图4(E)所示：于遮蔽层43上缘及其开口45中沉积一电铸材料47，如镍金属或镍合金。

d)如图4(F)所示：将该电铸材料47的表面研磨整平。

e)如图4(G)所示：去除遮蔽层43及蚀刻导电薄膜42以取出由电铸材料47所形成的电铸模具。

f)如图4(H)所示：利用电铸模具(即电铸材料47)以热压方式在-高分子材料基板48上印出微接触元件(探针)图形的开口44。

g)如图4(I)所示：在高分子材料基板48上沉积一导电薄膜46。

h)如图4(J)所示：在该开口44中的导电薄膜46上沉积一导电材料49。

i)如图4(K)所示：研磨整平该导电材料49的表面。

j)如图4(L)所示：蚀刻导电薄膜46以取出由导电材料49所形成的探针。

亦可在步骤j)中以超音波震动促使探针与导电薄膜46剥离。

所以，本发明所提供的第四较佳实施例，是能在一基板上成形出一与微接触元件(探针)形状相对应的电铸材料模具，而可通过由该模具以热压方式压制出具有探针形状开口的高分子材料基板，以在该高分子材料基板上制出探针。通过此，便可通过由模具直接多次压制出多个具有探针形状开口的模型，以使在大量制造探针时，可减少多次微影蚀刻的制程及时程。

请参阅图5(A)至图5(K)，是本发明所提供第五较佳实施例微接触元件的制造方法，其步骤包含有：

a)如图5(A)所示：于一硅基板51的表层上沉积一氮化硅薄膜52。

b)如图5(B)所示：在该氮化硅薄膜52上以微影蚀刻方式制作出一具图形化的遮蔽层53。

c)如图5(C)所示：以电浆反应式离子蚀刻方式去除特定部位的氮化硅薄膜52。即去除未受遮蔽层53所遮蔽的部份氮化硅薄膜52。

d)如图5(D)所示：去阻遮蔽层53。

e)如图5(E)所示：以非等向性蚀刻制程蚀刻该硅基板51，使受除去氮化硅薄膜52的硅基板51部位，形成出一侧具有斜面的第一凹槽511。

f)如图5(F)所示：去除氮化硅薄膜52。

g)如图5(G)所示：以半导体微影蚀刻技术于该硅基板51上形成出一具有探针图形的遮蔽层54。

h)如图5(H)所示：以电浆反应式离子蚀刻方式蚀去未受遮蔽层54所遮罩的硅基板51部位，以形成出一不具斜面的第二凹槽512，且该第二凹槽512的深度大于欲制成的探针厚度。

i)如图5(I)所示：去除遮蔽层54，使硅基板51成为具有可压制出探针图形的模具。

j)如图5(j)所示：可将由该硅基板51所制成的模具反转以利进行下一步骤。

k)如图5(K)图所示：再进行如第四较佳实施例的第f)、g)、h)、i)、j)步骤，便可制出探针。

所以，本发明所提供第五较佳实施例的微接触元件的制造方法，可利用蚀刻硅基板51的方式直接作为热压的模具，相较于第四实施例所以电铸材料为热压模具，更具有成本较低、加工精度较高的优点。

请参阅图6(A)至图6(K)，是本发明所提供第六较佳实施例微接触元件的制造方法，其步骤包含有：

a)如图6(A)图所示：在一硅基板61上沉积一氮化硅薄膜62。

b)如图6(B)所示：在该氮化硅薄膜62上以微影蚀刻方式制作出一具图形化的遮蔽层63。其中该遮蔽层63具有一探针图形631及一蚀刻深度测试图形632。

c)如图6(C)所示：以等向性蚀刻的方式，将未受遮蔽层63所遮罩的氮化硅薄膜62部位蚀刻去除。

d)如图6(D)所示：去阻遮蔽层63。

e)如图6(E)所示：以非等向性蚀刻该硅基板61，使该硅基板61形成出一具探针图形的针体凹槽64及一呈倒金字塔型的测试凹槽65，且该针体凹槽64中包含有至少一斜面。其中，于进行非等向性蚀刻时，当原本位于测试图形632区域中的硅基板61部位已被蚀刻至呈倒金字塔型时(如图6(E)所示)，即表示已蚀刻至预定的深度，即可停止蚀刻，而此时具探针图形的针体凹槽64亦己形成(如图6(E)所示)，且该针体凹槽64的深度是略大于所欲制出的探针厚度。

f)如图6(F)及图6(f)所示：去除氮化硅薄膜62，并于除去氮化硅薄膜62后，于该硅基板61上沉积一导电薄膜66。

g)如图6(G)所示：以半导体微影蚀刻方式于该导电薄膜66上形成一具有针体图形开口671的遮蔽层67，并使该针体图形开口的至少一端位于该针体凹槽64的斜面上。

h)如图6(H)所示：于该开口671中沉积形成一导电材料68。

i)如图6(I)所示：将该导电材料68的表面研磨整平。

j)如图6(J)所示：去除遮蔽层67。

k)如图6(K)所示：蚀刻导电薄膜66以自该硅基板61上取出由该导电材料68所制成的探针针体。

亦可在步骤j)中以化学湿蚀刻方式去除光阻时，搭配超音波震动促使探针与导电薄膜66剥离，而无需经过步骤k)即可取出探针。

所以，上述所提供本发明第六较佳实施例微接触元件的制造方法，可使得导电材料68于受研磨整平时，受到同样位在针体凹槽64内的遮蔽层67所支撑，使该导电材料68于研磨时可受支撑而较为稳固，使的形成的探针精度可较为增高。

请参阅图7(A)至图7(F)，是本发明所提供第七较佳实施例微接触元件的制造方法，其步骤包含有：

a)如图7(A)所示：进行与第六较佳实施例相同的a)-h)步骤；此时已同样在一硅基板71上成形出一针体凹槽74及一测试凹槽75，并在该硅基板71上沉积一导电薄膜76，而在该导电薄膜76上形成一具针体图形开口771的遮蔽层77，且在该开口中沉积一导电材料78。

b)如图7(B)所示：将遮蔽层77去除。

c)如图7(C)所示：于该导电薄膜76上涂布一支撑材料79，并将该导电材料78加以包覆。

其中该支撑材料79可以电镀、沉积或涂布的方式形成于该导电薄膜76上，并将该导电材料78包覆。该支撑材料79的材料与导电薄膜76、硅基板71及导电材料78的材料不同，该支撑材料79的材料可为塑胶材质或铜等。

d)如图7(D)所示：研磨整平该导电材料78的表面。

e)如图7(E)所示：去除支撑材料79。

其中是利用蚀刻制程将支撑材料79去除，其蚀刻制程可采用电浆离子蚀刻或化学蚀刻方式，且其蚀刻材料及条件经过选择，只蚀去支撑材料79，对导电材料78、导电薄膜76及硅基板71并无影响。

f)如图7(F)所示：去除导电薄膜76以取出由导电材料78所制成的探针。

亦可在步骤e)中以化学湿蚀刻方式去除支撑材料79时，搭配超音波震动促使探针与导电薄膜76剥离，而无需经过步骤f)即可取出探针。

如此一来，本发明第七较佳实施例便可通过由具有足够强度的支撑材料79来支撑受研磨时的导电材料78，使导电材料78受研磨时的稳固性更佳，以维持成形探针后的精度。

请参阅图8(A)至图8(F)，是本发明所提供第八较佳实施例微接触元件的制造方法，其步骤包含有：

a)进行上述各实施例的先前步骤，至仅剩蚀刻导电薄膜便能将导电材料针体取出的步骤。

b)如图8(A)图所示：将仅通过由导电薄膜82连结于基板81上的导电材料83，将裸露部份的导电材料83以两组对向接合的方式进行共温接合。

c)如图8(B)所示：将导电薄膜82蚀刻去除，以取出由导电材料83所制成的探针，且此探针已形成具有对称针尖的型态。

当然，进行步骤a)后的基板、导电薄膜及导电材料的型态会因先前的制程而有所不同，如图8(C)及图8(E)所示，但一样皆可进行b)及c)的步骤，使两组的导电材料接合，如图8(D)及图8(F)图所示。

请参阅图9(A)至图9(J)所示，是本发明所提供第九较佳实施例微接触元件的制造方法，其步骤包含有：

a)如图9(A)所示：于一基板91上涂布一导电薄膜92，并于该导电薄膜92上形成一已完成电铸、平整化及去除侧壁支撑材料的导电材料93。

b)如图9(B)所示：于该导电薄膜92及该导电材料93上沉积一介电材料94。

c)如图9(C)所示：去除位于顶层的介电材料94。

利用非等向性蚀刻将位于该导电薄膜92上方及该导电材料93上方的介电材料94去除，使仅只有位于该导电材料93两侧的介电材料94留下。

d)如图9(D)所示：于该导电薄膜92上涂布一遮蔽层95，利用微影蚀刻方式于遮蔽层95内构成开口，使得该遮蔽层95并未与该导电材料93的两侧接触，而距有一预定的距离。

e)如图9(E)所示：于该导电材料93上方及该介电层94的两侧以电铸或溅镀制程方式形成一导电层96。

f)如图9(F)所示：去除遮蔽层95。

g)如图9(f)所示：蚀刻导电材料93两端的介电材料94。图9(f)是图9(F)旋转90度后的上视图，且导电材料93的两端因于步骤d)中受到遮蔽层95所覆盖，因此由图9(f)可看出该导电材料93的两端已未受该介电材料94及该导电层96的包覆而呈裸露状态。

h)如图9(G)所示：于该导电薄膜92上沉积一支撑材料97，以将该导电材料93、介电材料94及该导电层96加以包覆。

i)如图9(H)所示：研磨整平该导电材料93、介电材料94及该导电层96的顶层表面。

j)如图9(I)所示：去除支撑材料97。

k)如图9(J)所示：去除导电薄膜92以取出由导电材料93、介电材料94及该导电层96所构成的探针。

本实施例所形成的探针，其在导电材料93外侧具有介电材料94的遮蔽效应，可增加传输的频宽、减少讯号耦合与电容效应。

另外，由于本实施例的制程主要在于将导电材料的两侧通过由介电材料所包覆，以达成上述的目的，因此当前述的各实施例在其导电材料仍位在导电薄膜上方而未被取下且其导电材料两侧亦尚未被电铸模具所遮蔽前，皆可接续进行本实施例的步骤。

Claims (2)

1.一种微接触元件，其特征在于包括：

一导电材料；

一包覆于该导电材料外侧的绝缘介电材料；

一包覆于该介电材料外侧的导电层；

且邻近该导电材料两端的侧边并未受该介电材料及该导电层所包覆而呈裸露状态；

使该微接触元件为由一导电材料与绝缘介电材料所构成的长条型柱件，该微接触元件的两末端受力时产生弹性挫曲，并提供作为电讯号连接的媒介。

2.依据权利要求1所述的微接触元件，其特征在于，所述该微接触元件依次连续包覆一至多层绝缘介电材料与导电层材料。

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