JP4584972B2 - プローブコンタクトの製造方法およびプローブコンタクト - Google Patents

Description

本発明は、半導体デバイスや表示パネル等を通電検査するためのプローブコンタクトの製造方法およびプローブコンタクトに関し、特に通電検査する検体の微小ピッチ化する電極に簡便にしかも効果的に対応できるプローブコンタクトの製造方法およびプローブコンタクトに関する。

近年、半導体集積回路、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）等の電子デバイス基板あるいは回路配線基板等の検体に配設されている端子用の電極は、益々微小ピッチ化する傾向にある。また、上記端子用電極の導電体材料として例えば金（Ａｕ）のような不活性金属、あるいはアルミニウム（Ａｌ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）のように表面に酸化膜を有する金属まで種々の金属材料が使用され、それと共にそれ等の材料特性も種々に異なったものになっている。そこで、これ等の電子デバイスあるいは回路配線板の通電検査では、通電検査装置側において、これ等の電極ピッチに対応した微小ピッチのプローブコンタクト、および、上記端子用電極の種々の導電体材料に自在に対応でき接触性に優れたプローブコンタクトが必要になる。

従来、微小ピッチのプローブコンタクトを製造する方法として、フォトリソグラフィを用いた微細加工による手法が提示されている（例えば、特許文献１参照）。この手法では、コンタクト用基板の平坦な表面に基板の端部まで配設された細長導電層のリードが形成され、その後、リードの先端部が基板の縁端から突出するように基板端部の所定領域が切除されて、そのリードの先端部がコンタクト用基板の縁端から突出した弾性接片（以下、接触子ともいう）になるプローブコンタクトが作製される。しかし、この方法では上記所定領域の切除の際にリードに対して変形等の損傷を与える恐れがあった。

そこで、微小ピッチのプローブコンタクトの製造において、コンタクト用基板を破断する際のリードの損傷を防止するプローブコンタクトの製造方法が提示された（例えば、特許文献２参照）。この方法では、基板の平坦な表面の端部の領域に犠牲層を形成し、特許文献１と同様なフォトリソグラフィを用いた微細な加工技術により、上記犠牲層上に先端が位置するリードを形成し、リードの犠牲層上に形成される部位の真下を通る溝を基板の裏面に形成する。そして、上記リードを形成した後に犠牲層を除去し、その後に上記溝から基板を破断するようになっている。

ところで、現在、電子デバイス等の検体の小型化および高性能化による端子用電極の微小ピッチ化に伴い、コンタクト用基板上に形成されるリード先端の接触子の数（ピン数）は増加の一途をたどって多ピン化し、例えば数十〜１０００程度になる多ピン数のプローブコンタクトが要求されている。この場合、これ等のリードおよび接触子群の配設ピッチは例えば２０μｍ程度の微小ピッチになり、その厚さは１０〜２０μｍ程度になる。そして、これ等の接触子の上記電極との接触圧の均一性を考慮して、上記厚さバラツキの許容範囲は±１μｍ以下となる。

しかしながら、上述した従来のプローブコンタクトの製造においては、リードおよびその接触子はメッキ法を用いて形成されることから、その厚さは例えば±４μｍ程度のバラツキがあり、端子用電極との接触圧が多数の接触子間で不均一になり易い。

上記接触圧の均一性が悪いと、使用の際に必要なオーバードライブ量（接触子先端が検体の電極に接触してから垂直方向に押込まれる量）が得られなくなる可能性がある。これは、プローブコンタクトが片持ち梁構造であり、接触子の厚さが接触荷重とピン根元部分にかかる応力に大きく影響するためである。特に、微細ピッチの場合、接触子の厚さによるバラツキがあると必要な接触荷重と、ピン根元部分の曲げ応力とを考慮した場合に必要なオーバードライブ量が得られなくなる場合も考えられる。
そこで、プローブコンタクトの製造においては、プローブコンタクトの全ての接触子の接触圧が製品規格に入るようにしなければならない。上記接触子群における厚さバラツキはプローブコンタクト製品の不良率を増大させ、その製造歩留まりが劣化する。

このような問題は、上記電極における微小ピッチ化および多電極化が進み、リードおよび接触子が微小ピッチになるに従い益々顕著に現れるようになる。なお、上記問題を解決する手段として、電解メッキ法において膜厚の均一性を向上させるメッキ条件を改善することも考えられる。しかし、今後、上記電極の微小ピッチ化および多電極化は更に進み、それと共に更に微小ピッチのプローブコンタクトが必要になることから、メッキ法のメッキ条件改善による膜厚の均一性の向上だけでは充分に対応できない。また、このプローブコンタクトのリードおよび接触子の厚さは例えば１０μｍ程度以上に厚く、スパッタリング法、真空蒸着法等の膜厚均一性に優れた他の金属成膜方法を適用することができない状況にある。

また、電子デバイスあるいは回路配線基板等の電子部品の小型化／高性能化に伴って、上記端子用電極の微小ピッチ化と共に上記電極の導電体材料が種々に変化してきている。そこで、このような導電体材料に自在に対応でき電気的な接触特性に優れた微小ピッチの接触子を有するプローブコンタクトが要求されるようになってきている。
特開平８−１５３１８号公報 特開２００７−３２６３号公報

本発明は、上述の事情に鑑みてなされたもので、小型化／高性能化する電子デバイス等の検体の端子用電極が微小ピッチ化するなかで、上記電極に弾性接触させ検体を通電検査するプローブコンタクトの接触子を高精度に形成できるようにすることを主目的とする。そして、上記接触子の形状を安定的に高い寸法精度に制御し、接触子群の上記電極との接触圧の均一化を容易にし、また、電極の金属材料が種々に変化しても電気的な接触特性に優れた自在な対応を容易にし、微小ピッチ化する電極に効果的に対応できるプローブコンタクトの製造方法およびプローブコンタクトを提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、第一の発明にかかるプローブコンタクトの製造方法は、基板の表面に配設された複数のリードおよびそれ等の先端部であって前記基板の縁端から突出する接触子を有し、検体の通電検査をするために前記接触子が前記検体の電極に弾性接触するプローブコンタクトの製造方法において、前記基板表面に導電性の密着層を形成する工程と、前記リードに対応した開口を有するレジストパターンを前記密着層上に形成する工程と、前記開口の前記密着層上に、電解メッキにより弾性を有する第１の金属層を形成する工程と、前記レジストパターンおよび前記第１の金属層を化学的機械研磨しそれ等の上面を平坦化する工程と、前記平坦化の工程後に残存する前記レジストパターンを除去する工程と、を有し、前記上面の平坦化された前記第１の金属層を前記リードにする、という構成になっている。

そして、第一の発明の好適な態様では、前記化学的機械研磨による平坦化の工程後に、前記レジストパターンの上面を所定の深さまで除去して前記第１の金属層の側面を露出させ、前記密着層を給電層とした電解メッキにより前記第１の金属層の上面および前記側面に第２の金属層を形成し、その後に前記残存するレジストパターンの除去を行う。

また、第二の発明にかかるプローブコンタクトは、基板の表面に配設された複数のリードおよびそれ等の先端部であって前記基板の縁端から突出する接触子を有し、検体の通電検査をするために前記接触子が前記検体の電極に弾性接触するプローブコンタクトであって、前記複数のリードが第１の金属層を有して成り、それ等の上面が平坦化されている、という構成になっている。

そして、第二の発明の好適な態様では、前記リードの上面および少なくとも前記接触子の側面が第２の金属層で被覆されている。

本発明の構成により、微小寸法となる接触子の寸法制御および形状制御が可能になり、接触子群の安定した弾性特性およびその適正な押込み量が簡便に確保できるようになる。また、検体の端子用電極の金属材料が種々に変化しても電気的な接触特性に優れ自在に対応する接触子が提供できる。このようにして、例えば接触子が多ピン化しても、微小ピッチの電極との接触圧の均一性および電気的な接触安定性に優れた接触特性を有するプローブコンタクトの製造方法およびプローブコンタクトを提供することができる。

以下、本発明の実施形態の幾つかについて図面を参照して説明する。なお、互いに同一または類似の部分には共通の符号を付して、重複説明は一部省略される。但し、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なる。
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態にかかるプローブコンタクトの製造方法およびプローブコンタクトについて図１ないし図７を参照して説明する。図１は本実施形態にかかるプローブコンタクトの一例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）はそのＸ_１−Ｘ_１矢視断面図、（ｃ）はそのＸ_２−Ｘ_２矢視断面図である。そして、図２は本実施形態にかかるプローブコンタクトの製造方法を説明するために、複数のプローブコンタクトが一括作製される一枚の基板を示した上面図である。図３および図４は、本実施形態にかかるプローブコンタクトの製造方法を説明するために、図１のＡ_１−Ａ_１で切断したところの製造工程別断面図である。同様に、図５および図６は、図１のＡ_２−Ａ_２で切断したところの製造工程別断面図である。図７は本実施形態の効果の説明に供するためにプローブコンタクトと検体の端子用電極の接触状態を模式的に示す断面図である。

本実施形態にかかるプローブコンタクトでは、図１に示すように基板１１上に所要数（図１では５本）の適正な弾性特性をもつリード１２が形成されている。ここで、例えば、それ等の先端部１２ａは接触子として基端部１２ｂのピッチよりも狭められ、検体の端子用電極に応じた位置に微小ピッチでビーム状に配設されて、基板１１の一縁端から突出している。なお、このリード１２は所要の弾性特性の金属材料から成り、基板１１上に密着層１３を介して配設されている。

そして、本実施形態のプローブコンタクトは、図１（ｂ）に示されるように、全てのリード１２の上面が、それ等の先端部１２ａから基端部１２ｂにかけて平坦化されて形成されている。あるいは、これ等の各リード１２はそれぞれにその上面および側面に被着した被覆層１４により覆われている。これに伴い、リード１２における接触子すなわち先端部１２ａは、その上面と共にその端面１２１の一部が被覆層１４により一体被覆される。ここで、被覆層１４はリード１２に電気的に接続している。

そして、リード１２の基端部１２ｂは、図示しないが、はんだ、異方性導電フィルム（ＡＣＦ；Anisotropic Conductive Film）、バンプ等の接合部を介して例えばフレキシブル配線板に接続され、通電検査装置に電気的につながるようになっている。

次に、本実施形態にかかるプローブコンタクトの製造方法ついて説明する。この説明の中で、上記プローブコンタクトの構造の特徴が更に明らかにされる。このプローブコンタクトの製造工程では、図２に示すように、複数のプローブコンタクト（図２では８個）が、後述されるある工程までは一枚の基板１１ａに一括的にリード１２等が作製される。その後は、一枚の基板１１ａは図２に示した切り取り線１５に沿った切り取りにより基板１１に個別化される。そして、個別化された基板１１毎は、それ以後の製造工程を経てプローブコンタクトとして製造される。

図３（ａ）および図５（ａ）に示すように、１枚で複数のプローブコンタクト製品を作製する基板１１ａ表面に犠牲層１６を形成する。ここで、基板１１ａは、その厚さが数百μｍになる例えばジルコニア、アルミナ、ガラス、シリコン等の絶縁体材料から成る。また、犠牲層１６は、膜厚が数十ｎｍ以上、好ましくは１００ｎｍ以上の膜厚の例えば銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）あるいはそれらの複合層からなる膜等から成り、例えば銅薄膜の成膜後のフォトリソグラフィを用いたエッチング加工、あるいはリフトオフ法による所要パターンの選択的な成膜等によって、図２に示された基板１１ａ上の所定の領域に所望数に形成される。

なお、リフトオフ法で犠牲層１６を形成する場合、基板１１ａ表面にフォトリソグラフィによって断面形状が逆テーパの開口を有するレジストパターンを形成した後、この開口内の基板１１ａ表面およびレジストパターン表面に犠牲膜をスパッタ成膜し、上記レジストパターンをその上の犠牲膜と共に除去することになる。

そして、上記犠牲層１６および基板１１ａ表面を被覆して密着膜１７をスパッタリング法で成膜する。この密着膜１７は、例えばチタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）等の基板１１ａに対して大きな接着力を有する金属材料からなる金属層と、後述する電解メッキに用いる例えばニッケル（Ｎｉ）−鉄（Ｆｅ）、Ｎｉ−マンガン（Ｍｎ）、Ｎｉ−コバルト（Ｃｏ）等のＮｉ合金からなる給電層からなる複合層が好ましい。
しかしながら、基板１１ａに対する接着性を有し電解メッキ時に給電層となる金属材料であれば、単層で形成されてもかまわない。

次に、図３（ｂ）および図５（ｂ）に示すように、例えばスクリーン印刷法によるメッキ用のレジスト膜の形成およびそのレジスト膜のフォトリソグラフィによる露光・現像によって、所望のメッキ用のレジストパターン１８を密着膜１７上に形成する。ここで、レジストパターン１８は、上記リード１２のそれぞれに対応する開口パターンを有し、その膜厚が例えば２０〜４０μｍ程度になる。なお、これ等の開口パターンは、フォトリソグラフィにおいて周知である異なる層間の位置合わせ手法により、犠牲層１６のパターンに位置合わせして形成される。

その後、図３（ｃ）および図５（ｃ）に示すように、これ等のレジストパターン１８の開口内の密着膜１７上に電解メッキにより、第１の金属層であるリード用メッキ層１９を成長させる。ここで、リード用メッキ層１９は、所要の弾性特性をもつ金属材料、例えばニッケル（Ｎｉ）−鉄（Ｆｅ）、Ｎｉ−マンガン（Ｍｎ）、Ｎｉ−コバルト（Ｃｏ）等のＮｉ合金から成り、電解メッキの給電層として機能する密着膜１７上に積層して形成される。

この電解メッキにおいて、リード用メッキ層１９の厚さは、基板１１ａ上でバラツキが生じ、例えば従来の技術で説明したように±４μｍ程度になっていても構わない。但し、このリード用メッキ層１９の厚さはレジストパターン１８の厚さよりも薄くなるようにする。このようにして、開口内でのリード用メッキ層１９の上面がレジストパターン１８の上面より下方に位置するようになる。

次に、図３（ｄ）および図５（ｄ）に示すように、化学的機械研磨（Chemical Mechanical Polishing；ＣＭＰ）法により、上記レジストパターン１８およびリード用メッキ層１９の上面が平坦になるように研磨除去する。このＣＭＰでは、レジストパターン１８とリード用メッキ層１９の研磨速度を略同程度にするスラリーが選択される。また、基板１１ａと研磨に用いられる装置の基板１１ａに対向する面との平行度調整が実施される研磨が行われる。このようにして、表面が平坦加工されたリード１２およびその先端部１２ａがレジストパターン１８ａと共に形成される。

次に、図３（ｅ）および図５（ｅ）に示すように、レジストパターン１８ａ上面を追加加工する。この追加加工では、レジストパターン１８ａを選択的に研磨することのできるスラリーを用いたＣＭＰ、あるいは、レジストパターン１８ａを選択的にエッチングする酸素を含むプラズマ処理により行うことができる。この追加加工により、レジストパターン１８ａ上面は、例えば０．５μｍ〜数十μｍ除去され、リード１２上面およびその先端部１２ａ上面から後退して段差が形成されてレジストパターン１８ｂとなる。ここで、レジストパターン１８ｂの厚さは基板１１ａ上でそのバラツキが生じても構わない。

次に、図４（ａ）および図６（ａ）に示すように、密着膜１７を給電層とした電解メッキにより、例えば膜厚が０．５μｍ〜１μｍ程度の第２の金属層である被覆層１４を形成する。ここで、被覆層１４は、リード１２の上面およびその先端部１２ａの上面および上記段差が形成され露出した上記リード１２等の側面に電気的に接続して形成される。この被覆層１４は例えばＡｕ、Ａｕ合金等から成る。なお、この被覆層１４はレジストパターン１８ｂ表面には形成されない。

続いて、図４（ｂ）および図６（ｂ）に示すように、公知の有機溶剤による剥離あるいは酸素プラズマによるアッシング等でレジストパターン１８ｂを除去する。そして、図４（ｃ）および図６（ｃ）に示すように、上記レジストパターン１８ｂの除去により露出した密着膜１７をエッチング除去して、リード１２下およびその先端部１２ａ下の密着層１３とする。

以上のような工程後、図２に示した状態の基板１１ａは、ダイシング、サンドブラスト、レーザ加工等によりそれぞれのプローブコンタクト領域に切り取られて複数個の所要形状の基板１１に個別化される。

その後、図４（ｃ）に示すように、基板１１ａから切り出され個別化した基板１１の裏面の所定範囲に直線状に延在する切り込み溝２０を形成する。この切り込み溝２０は、ダイシング、サンドブラスト、レーザ加工等、あるいは、例えば、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）のようなＨＤＰ（High Density Plasma）のＤＲＩＥ（Deep Reactive Ion Etching）方法等により、その線幅が数十〜数百μｍ程度になり、その加工後の残厚が基板１１の厚さを考慮して数十μｍになるように形成される。ここで、切り込み溝２０の深さ方向の溝先端は、例えばリード１２の配設される方向にほぼ直交した方向に延在している。そして、犠牲層１６のパターン辺のほぼ直下に位置するように形成されると好適である。

次に、図４（ｄ）および図６（ｄ）に示すように、犠牲層１６を選択的に溶解する例えば塩化第二鉄のようなエッチング液を用い銅薄膜から成る犠牲層１６を除去する。犠牲層１６を除去することにより、リード１２の犠牲層１６上に形成された先端部１２ａは基板１１表面から浮き離れた状態になる。

次に、図４（ｅ）および図６（ｅ）に示すように、切り込み溝２０に沿って基板１１を破断し、先端部１２ａ側にあった基板を切除する。これにより、上記切り込み溝２０の領域を縁端２０ａとし、この縁端２０ａから例えば数百μｍ長に突出した先端部１２ａ、その下面の密着層１３およびその上面と側面の被覆層１４から成る接触子が形成される。

最後に、図示しないが、リード１２の基端部１２ｂに、はんだ、ＡＣＦ、バンプ等の接合部を介して例えばフレキシブル配線板に接続し、通電検査装置に電気的につながるようにする。このようにして、本実施形態のプローブコンタクトが完成する。

上記実施形態においては、レジストパターン１８となるレジスト膜は、感光性を有する有機系高分子材料、無機系高分子材料あるいはこれ等のコンポジット系材料からなり、上記平坦化のためのＣＭＰにおいて、リード用メッキ層１９との研磨速度が略同じになるように構成される。

また、リード１２および接触子であるその先端部１２ａは、適度な弾性特性を有する導電体材料から成る。そして、その導電体材料として、Ｎｉ系金属材料の他に、例えばロジウム（Ｒｈ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ルテニウム（Ｒｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、銅合金等が挙げられる。

また、被覆層１４は、耐酸化性の金属材料あるいは酸化しても導電性を有する金属材料からなり、端子用電極２１に対する耐磨耗性を有するものが選択される。例えばＡｕ−Ｃｏ合金、Ａｕ−Ｃｕ合金、Ａｕ−Ｐｄ合金等のＡｕ合金の他に、酸化しても導電性を有するＲｕ、Ｉｒ金属およびこれ等の合金が挙げられる。

上記プローブコンタクトを用いて検体を検査する場合、図７に示されるように、基板１１の表面側を検体の端子用電極２１に対向させ、しかも所定の角度で傾斜させ、所要の弾性特性をもつ接触子である先端部１２ａを端子用電極２１表面に弾性接触させる。そして、リード１２の基端部１２ｂに電気接続された例えば上述したフレキシブル配線板を介して、通電検査装置から検査信号を入力して検体の検査をすることになる。ここで、端子用電極２１は、従来の技術で説明した金属材料以外に、例えばアルミニウム（Ａｌ）、アルミ合金、酸化インジウム錫膜（ＩＴＯ膜）、酸化インジウム亜鉛膜（ＩＺＯ膜）等で構成されている。

上記検査においては、電子デバイス等の検体の動作の高速化に対応して、高周波のパルス信号となる検査信号をリード１２の先端部１２ａから端子用電極２１を通して検体に高速に伝送するために、先端部１２ａと端子用電極２１間での低インダクタンスおよび低インピーダンスを確保すべく所定の接触圧が必要になる。そこで、検体を搭載したステージが上昇し、プローブコンタクトの接触子である先端部１２ａは、端子用電極２１に押圧され、それと共に電極の移動方向２２にスクラブする。このため先端部１２ａは適正なオーバードライブ量ができるように、その弾性特性を決める一要因になる先端部１２ａの寸法およびその形状の制御が極めて重要になる。

本実施形態のプローブコンタクトでは、上述したようにリード１２上面は平坦化されることから、先端部１２ａの厚さが高精度に制御される。このため、プローブコンタクトの製造工程の図３（ｃ）および図５（ｃ）で説明した電解メッキによるリード用メッキ層１９の厚さのバラツキが、例え１枚の基板１１ａ面内で大きくなったとしても、ＣＭＰの平坦化によりリード１２およびその先端部１２ａの厚さバラツキは±１μｍ以下に低減する。この先端部１２ａの厚さ寸法の制御により、例え接触子が多ピン化しても全ての接触子において上記適正な押込み量制御が可能になり、弾性特性および接触特性に優れたプローブコンタクトが得られるようになる。

また、本実施形態のプローブコンタクトでは、リード１２およびその先端部１２ａの上面および側面に被覆層１４が形成される。そして、先端部１２ａはその被覆層１４が端子用電極２１表面に接触する。ここで、被覆層１４は、上述したように端子用電極２１の金属材料が種々に変化しても、それに自在に合わせた金属材料とすることができることから、電気的な接触特性が優れたものになる。そして、被覆層１４は、先端部１２ａの上面と共にその端面１２１を一体に覆っていることから、先端部１２ａに対する移動方向２２のスクラブによる摩擦力により、先端部１２ａの界面での剥がれが生じることはない。なお、被覆層１４が先端部１２ａの上面のみに形成されている場合には、プローブコンタクトの多数回使用において、上記界面での剥がれが生じる。

本実施形態では、プローブコンタクトの全てのリードの上面が平坦化されることから、リードの先端部である全ての接触子の寸法および形状が高い精度で同一にできる。このために、検体の端子用電極が微小ピッチ化あるいは多ピン化しても、プローブコンタクトの全接触子は、上記電極に対して弾性特性および接触特性に優れ、それ等の押込み量が容易に制御できる。

また、本実施形態では、電子デバイス等の検体の小型化あるいは高性能化に伴い、上記端子用電極の微小ピッチ化と共にその導電体材料が種々に変化しても、電気的な接触性に優れ自在に対応したプローブコンタクトを製造することができる。そして、接触圧の安定性および接触の繰り返し耐久性に優れて、信頼性の高い接触子群から成るプローブコンタクトが高歩留まりに製造できる。

このようにして、本実施形態のプローブコンタクトは通電検査における検体の端子用電極の微小ピッチ化および多ピン化に簡便に対応できるようになる。

次に、本実施形態の変形例について図８を参照して説明する。図８は本実施形態にかかるプローブコンタクトの変形例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）はそのＸ₃−Ｘ₃矢視断面図、（ｃ）はそのＸ₄−Ｘ₄矢視断面図である。この変形例の特徴は、図１で示したようなプローブコンタクトにおいてリード１２全体を絶縁層で被覆するところにある。以下、この絶縁層について主に説明する。

図８に示されるように、絶縁層２３が、プローブコンタクトにおいて基板１１表面に形成されたリード１２の先端部１２ａおよび基端部１２ｂを除き、その上面および側面を被覆するように形成されている。ここで、この絶縁層２３としては基板１１との密着性のよい絶縁体薄膜が好適である。例えば酸化シリコン膜（ＳｉＯ_２膜）、あるいは窒化シリコン膜（ＳｉＮ膜）などの無機膜や感光性ポリイミド膜等の有機膜が挙げられる。ここで、これ等の絶縁体薄膜は５μｍ以下の膜厚が好ましい。

この絶縁層２３の形成では、上述したような絶縁体薄膜が、上記実施形態で説明したのと同様な製造方法でプローブコンタクトを形成した後に、例えば、マスク治具（シャドウマスク）を用いたスパッタリングにより、基板１１表面上から、リード１２の先端部１２ａおよび基端部１２ｂを除くリード１２を被覆するように成膜される。ここで、絶縁層２３がＳｉＯＮ膜の場合、そのＳｉ、Ｏ、Ｎの組成は種々に変えることができる。そして、基板１１あるいはリード１２との熱膨張係数の差を低減させ、クラック発生が生じないようにする。

この変形例では、上記実施形態で説明したのと同じ効果が奏される上に、更に、リード１２間の短絡防止および基板１１表面でのリード１２の剥離防止が強化される。これ等の強化効果は、プローブコンタクトにおける接触子の微小ピッチ化あるいは多ピン化において顕著に現れてくる。

（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態にかかるプローブコンタクトの製造方法およびプローブコンタクトについて図９ないし図１１を参照して説明する。図９は本実施形態にかかるプローブコンタクトの製造方法を説明するために、複数のプローブコンタクトが一括作製される一枚の基板を示した上面図である。図１０および図１１は本実施形態にかかるプローブコンタクトの製造方法を説明するために製造工程別に示す模式図である。本実施形態の特徴は、第１の実施形態で説明した被覆層１４がリード１２の上面とその先端部１２ａの一部側面に形成されるところにある。

図９において、第１の実施形態の図３（ｄ）および図５（ｄ）で説明したレジストパターン１８およびリード用メッキ層１９のＣＭＰによる平坦化の工程までは、同じ製造工程を施し、図１０（ａ）に示すように、基板１１ａ上にあってレジストパターン１８の開口に埋め込まれ表面が平坦になったリード１２群を形成する。次に、図９に示すように、複数のプローブコンタクトのリード１２においてビーム状に配列された先端の領域のレジストパターン１８を所定の厚さまで除去し、凹陥部２４をそれぞれに形成する。ここで、図１０（ｂ）に示すように、この凹陥部２４において各リード１２の先端部の一部側面が露出される。

この凹陥部２４は、例えば、スキャン操作のレーザ加工によるレジスト膜の選択的なエッチング除去、凹陥部２４に対応した開口を有するシャドウマスクを用いたサンドブラストあるいは酸素プラズマによる選択エッチングにより極めて容易に形成できる。

次に、図１１（ａ）に示すように、第１の実施形態で説明したのと同様に密着層１３を給電層とした電解メッキにより例えばＡｕ合金から成る被覆層１４をリード１２および凹陥部２４で露出した先端部１２ａの上面と側面に被着させる。その後は、第１の実施形態で説明したのと同様にして、例えば図１１（ｂ）に示すようにレジストパターン１８をして除去し、また、基板１１を所定のところで例えば破断し、図１１（ｃ）に示すように、基板１１の縁端から突出する接触子である先端部１２ａ群を形成する。

そして、図示しないが、第１の実施形態で説明したのと同様にして、リード１２の基端部１２ｂを例えばフレキシブル配線板に接続し、通電検査装置に電気的につながるようにする。このようにして、被覆層１４がリード１２の上面とその先端部１２ａの側面に形成されたプローブコンタクトが製造される。

この第２の実施形態において、第１の実施形態の変形例で説明したのと同様に、基板１１の一部の表面と、先端部１２ａおよび基端部１２ｂを除いたリード１２の上面および側面を被覆する絶縁層２３を形成するようにしてもよい。この絶縁層２３の形成により同様の効果が奏される。

本実施形態では、第１の実施形態に比べてプローブコンタクトにおける被覆層１４の作製が簡便になり、その製造コストを低減させることができる。そして、第１の実施形態で説明したのと同じ効果を奏することができる。

以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、上述した実施形態は本発明を限定するものでない。当業者にあっては、具体的な実施態様において本発明の技術思想および技術範囲から逸脱せずに種々の変形・変更を加えることが可能である。

例えば、レジストパターン１８は、異なるエッチング特性を有する感光性の有機系高分子材料あるいは無機系高分子材料が積層構造に形成されるようになっていてもよい。この場合には、リード１２上面の平坦化の後の工程で行うレジストパターン１８のエッチバック制御あるいは凹陥部２４の深さ制御が高精度になる。

また、上記実施形態において、リード１２および接触子となる先端部１２ａの上面が平坦化され、上述した被覆層１４が形成されないでも構わない。但し、この場合には、リード１２および先端部１２ａは、上述した適切な弾性特性を有する上に、検体の端子用電極２１との電気的な接触特性に優れ、好ましくは耐磨耗性を有する導電体材料により形成される。

また、上記実施形態において、電解メッキにより成長させるリード用メッキ層１９は、レジストパターン１８の開口を埋め更にその一部がレジストパターン１８の上部にオーバーフローするようになってもよい。但し、この場合には、続くＣＭＰの工程において、リード用メッキ層１９が選択的に研磨できるスラリーを用い、上記リード用メッキ層１９を開口に充填させるように上記オーバーフロー分を研磨除去する。

あるいは、プローブコンタクトの接触子であるリード１２の先端部１２ａが基板１１の縁端から突出しない構造になっていてもよい。但し、この場合には、リード１２および先端部１２ａは適度な弾性と靭性を有する導電体材料により形成される。

本発明の第１の実施形態にかかるプローブコンタクトの一例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）はそのＸ_１−Ｘ_１矢視断面図、（ｃ）はそのＸ_２−Ｘ_２矢視断面図である。 本発明の第１の実施形態にかかるプローブコンタクトの製造方法を説明するために、複数のプローブコンタクトが一括作製される一枚の基板を示した上面図である。 本発明の第１の実施形態にかかるプローブコンタクトの製造方法を説明するために、図１のＡ_１−Ａ_１で切断したところの製造工程別断面図である。 図３に続くプローブコンタクトの製造工程を示す製造工程別断面図である。 本発明の第１の実施形態にかかるプローブコンタクトの製造方法を説明するために、図１のＡ_２−Ａ_２で切断したところの製造工程別断面図である。 図５に続くプローブコンタクトの製造工程を示す製造工程別断面図である。 本発明の第１の実施形態の効果の説明に供するためにプローブコンタクトと検体の端子用電極の接触状態を模式的に示す断面図である。 本発明の第１の実施形態における変形例のプローブコンタクトの一例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）はそのＸ_３−Ｘ_３矢視断面図、（ｃ）はそのＸ_４−Ｘ_４矢視断面図である。 本発明の第２の実施形態にかかるプローブコンタクトの製造方法を説明するために、複数のプローブコンタクトが一括作製される一枚の基板を示した上面図である。 本発明の第２の実施形態にかかるプローブコンタクトの製造方法を説明するために製造工程別に示す模式図である。 図１０に続くプローブコンタクトの製造工程を示す模式図である。

符号の説明

１１，１１ａ…基板、１２…リード、１２ａ…先端部、１２ｂ…基端部、１３…密着層、１４…被覆層、１５…切り取り線、１６…犠牲層、１７…密着膜、１８，１８ａ，１８ｂ…レジストパターン、１９…リード用メッキ層、２０…切り込み溝、２１…端子用電極、２２…移動方向、２３…絶縁層、２４…凹陥部、１２１…端面

Claims (5)

1. 基板の表面に配設された複数のリードおよびそれ等の先端部であって前記基板の縁端から突出する接触子を有し、検体の通電検査をするために前記接触子が前記検体の電極に弾性接触するプローブコンタクトの製造方法において、
   前記基板表面に導電性の密着層を形成する工程と、
   前記リードに対応した開口を有するレジストパターンを前記密着層上に形成する工程と、
   前記開口の前記密着層上に、電解メッキにより弾性を有する第１の金属層を形成する工程と、
   前記レジストパターンおよび前記第１の金属層を化学的機械研磨しそれ等の上面を平坦化する工程と、
   前記化学的機械研磨による平坦化の工程後に、前記レジストパターンの上面を所定の深さまでエッチバックして前記第１の金属層の側面を露出させ、前記密着層を給電層とした電解メッキにより前記第１の金属層の上面および前記側面に第２の金属層を形成し、前記平坦化の工程後に残存する前記レジストパターンを除去する工程と、
   を有し、前記上面の平坦化された前記第１の金属層を前記リードにすることを特徴とするプローブコンタクトの製造方法。
2. 前記レジストパターン上面のエッチバックは、前記レジストパターンの選択的な化学的機械研磨により行うことを特徴とする請求項１に記載のプローブコンタクトの製造方法。
3. 基板の表面に配設された複数のリードおよびそれ等の先端部であって前記基板の縁端から突出する接触子を有し、検体の通電検査をするために前記接触子が前記検体の電極に弾性接触するプローブコンタクトの製造方法において、
   前記基板表面に導電性の密着層を形成する工程と、
   前記リードに対応した開口を有するレジストパターンを前記密着層上に形成する工程と、
   前記開口の前記密着層上に、電解メッキにより弾性を有する第１の金属層を形成する工程と、
   前記レジストパターンおよび前記第１の金属層を化学的機械研磨しそれ等の上面を平坦化する工程と、前記化学的機械研磨による平坦化の工程後に、前記第１の金属層の先端部領域の前記レジストパターンを所定の深さまで除去して前記第１の金属層の先端部の側面を露出させ、前記密着層を給電層とした電解メッキにより前記第１の金属層の上面および前記側面に第２の金属層を形成し、その後に前記残存するレジストパターンの除去を行うことを特徴とするプローブコンタクトの製造方法。
4. 前記第１の金属層をリードにした後に、前記リードおよび前記基板の一部を被覆する絶縁層を形成することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載のプローブコンタクトの製造方法。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項に記載のプローブコンタクトの製造方法によって製造されたことを特徴とするプローブコンタクト。

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