JP5276836B2 - プローブカード - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態によるプローブカード10を含むプローブ装置1の概略構成の一例を示した図であり、プローブ装置1内部の様子が示されている。このプローブ装置1は、プローブカード10と、検査対象物2が載置される可動ステージ3と、可動ステージ3を昇降させる駆動装置4と、可動ステージ3及び駆動装置4が収容される筐体5により構成される。
図2(a)及び(b)は、図1のプローブ装置1におけるプローブカード10の構成例を示した図であり、図中の(a)は、検査対象物2側(図1の下方側)から見た平面図であり、図中の(b)は、側面図である。
コンタクトプローブ8は、検査対象物2上に形成された微細な電極パッド21に対し、弾性的に当接させるプローブ(探針)である。各コンタクトプローブ8は、プローブ基板7における一方の主面上に整列配置されて固着されている。各コンタクトプローブ8は、プローブ基板7の主面が鉛直方向下側に向けて配置されることにより、可動ステージ3に配置された検査対象物2と対向するようになっている。
次に、コンタクトプローブ8a,8bの各構成部分の材料について説明する。コンタクトプローブ8a,8bは、抵抗値が低いほど望ましいことから、コンタクトプローブの各構成部分は、導電率の高い材料で構成されている必要がある。このような高導電性材料には、例えば、銀Ag、銅Cu、金銅合金Au−Cu、ニッケルNi、パラジウムニッケル合金Pd−Ni、ニッケルコバルト合金Ni−Co、ニッケルタングステンNi−W、白金Pt、金Au、ロジウムRhなどがある。
図5の(a)〜(e)は、図3に示したコンタクトプローブ8の製造プロセスの一例を示した図である。コンタクトプローブ8は、いわゆるMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)技術を用いて作製される。MEMS技術とは、フォトリソグラフィ技術及び犠牲層エッチング技術を利用して、微細な立体的構造物を作成する技術である。フォトリソグラフィ技術は、半導体製造プロセスなどで利用される感光レジストを用いた微細パターンの加工技術である。また、犠牲層エッチング技術は、犠牲層と呼ばれる下層を形成し、その上に構造物を構成する層をさらに形成した後、上記犠牲層のみをエッチングして立体的な構造物を作製する技術である。
2 検査対象物
21 電極パッド
3 可動ステージ
4 駆動装置
5 筐体
10 プローブカード
6 メイン基板
61 外部端子
62 コネクタ
7 プローブ基板
8 コンタクトプローブ
8a 第1コンタクトプローブ
8b 第2コンタクトプローブ
81,811 コンタクト部
81a 第1コンタクト部
81b 第2コンタクト部
82 ビーム部
82a 第1ビーム部
82b 第2ビーム部
83 基板固定部
84 弾性変形部
85,85a,85b 当接面
9 連結部材
11 犠牲層
12 基板
13 金属層
14 レジスト層
15 領域
16 ロジウム層
Claims (2)
- 検査対象物に接触させるための複数のコンタクトプローブを備え、各コンタクトプローブは、弾性変形部の自由端側にコンタクト部が形成され、上記コンタクト部を検査対象物に押圧することにより、上記弾性変形部を弾性変形させるプローブカードにおいて、
上記コンタクトプローブには、上記検査対象物に電源を供給するための第1コンタクトプローブと、上記検査対象物との間で信号を伝送するための第2コンタクトプローブとが含まれ、
第1コンタクトプローブは、第2コンタクトプローブに比べて、上記弾性変形部の断面積が大きく、かつ、上記コンタクト部と上記検査対象物との接触点の数が多いことを特徴とするプローブカード。 - 第1コンタクトプローブは、第2コンタクトプローブに比べて上記弾性変形部の幅が大きく、
同一のコンタクトプローブが有する複数の上記接触点は、上記弾性変形部の幅方向に延びる直線上に並ぶように配置されていることを特徴とする請求項1に記載のプローブカード。
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