JP2007003207A - プローブユニット及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 検体の狭い間隔で2次元に配置された電極に導通できるプローブユニット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁性の基板と、前記基板上の直線状のリード非形成領域の両側に形成されている複数のリードと、前記リード非形成領域の両側に前記リード非形成領域の長手方向に交互に位置する前記リードの析出領域と、隣り合う前記析出領域間に位置する前記基板の領域とを少なくとも除いた領域を覆う絶縁層と、前記析出領域上に形成され前記リード上の前記絶縁層より厚い接触部と、を備える。
【選択図】 図1
【解決手段】 絶縁性の基板と、前記基板上の直線状のリード非形成領域の両側に形成されている複数のリードと、前記リード非形成領域の両側に前記リード非形成領域の長手方向に交互に位置する前記リードの析出領域と、隣り合う前記析出領域間に位置する前記基板の領域とを少なくとも除いた領域を覆う絶縁層と、前記析出領域上に形成され前記リード上の前記絶縁層より厚い接触部と、を備える。
【選択図】 図1
Description
本発明はプローブユニット及びその製造方法に関する。
特許文献1、2には、検体の電極に接触する複数の接触部が基板上に2次元に配置されているプローブユニットが記載されている。複数の接触部が基板上に2次元に配置されているプローブユニットは、電極が2次元に配置された検体と導通できる。
しかしながら、特許文献1に記載のプローブユニットでは、絶縁層のリードの一部を露出させる開口部に導電性物質を充填することにより接触部を形成している。したがって微細な接触部を狭い間隔で配置するためには、それらに対応する開口部を絶縁層に形成する必要がある。ところが絶縁層に微細な開口部を狭い間隔で形成することは容易ではない。一方、特許文献2に記載のプローブユニットでは、並列するリード上に接触部を形成しているため、製造プロセスにより規定されるリード間の最小間隔以下の間隔で接触部を配置することができないという問題がある。
特許3177923
特開2003−14781号公報
しかしながら、特許文献1に記載のプローブユニットでは、絶縁層のリードの一部を露出させる開口部に導電性物質を充填することにより接触部を形成している。したがって微細な接触部を狭い間隔で配置するためには、それらに対応する開口部を絶縁層に形成する必要がある。ところが絶縁層に微細な開口部を狭い間隔で形成することは容易ではない。一方、特許文献2に記載のプローブユニットでは、並列するリード上に接触部を形成しているため、製造プロセスにより規定されるリード間の最小間隔以下の間隔で接触部を配置することができないという問題がある。
本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであって、検体の狭い間隔で2次元に配置された電極に導通できるプローブユニット及びその製造方法を提供することを目的とする。
(1)上記目的を達成するためのプローブユニットは、絶縁性の基板と、前記基板上の直線状のリード非形成領域の両側に形成されている複数のリードと、前記リード非形成領域の両側に前記リード非形成領域の長手方向に交互に位置する前記リードの析出領域と、隣り合う前記析出領域間に位置する前記基板の領域とを少なくとも除いた領域を覆う絶縁層と、前記析出領域上に形成され前記リード上の前記絶縁層より厚い接触部と、を備える。
リードのリード非形成領域による分離幅をリードの製造プロセスにより規定されるリード間の最小間隔(以下、リードの最小間隔という。)以上にすれば、リード非形成領域の両側のリードを互いの配置に制約されることなく基板上に形成することができる。さらにリード非形成領域の両側にリード非形成領域の長手方向に交互に位置するリードの析出領域上に接触部を形成することにより、リードの最小間隔以下の間隔で接触部を2次元に配列できるため、検体の狭い間隔で2次元に配置された電極に導通することができる。
リードのリード非形成領域による分離幅をリードの製造プロセスにより規定されるリード間の最小間隔(以下、リードの最小間隔という。)以上にすれば、リード非形成領域の両側のリードを互いの配置に制約されることなく基板上に形成することができる。さらにリード非形成領域の両側にリード非形成領域の長手方向に交互に位置するリードの析出領域上に接触部を形成することにより、リードの最小間隔以下の間隔で接触部を2次元に配列できるため、検体の狭い間隔で2次元に配置された電極に導通することができる。
(2)前記基板は可塑性の材料で形成されており、前記接触部の配列方向に前記基板を伸張させるために保持される保持部を有してもよい。
保持部を保持して接触部の配列方向に基板を伸張させることにより、製造後に接触部の間隔を広げることができる。例えば接触部のピッチを予め適正なピッチよりも狭く製造することにより、製造後に接触部のピッチを適正なピッチに調整することができる。
保持部を保持して接触部の配列方向に基板を伸張させることにより、製造後に接触部の間隔を広げることができる。例えば接触部のピッチを予め適正なピッチよりも狭く製造することにより、製造後に接触部のピッチを適正なピッチに調整することができる。
(3)前記保持部は貫通孔であってもよい。
貫通孔に治具等を貫通させることにより、基板を確実に保持することができる。
貫通孔に治具等を貫通させることにより、基板を確実に保持することができる。
(4)前記リードは、前記基板が内側になるように前記基板とともに折り曲げられ、前記基板間に狭持される弾性部材を更に備えてもよい。
接触部と検体との過度な接触圧を弾性部材により抑制することができる。
接触部と検体との過度な接触圧を弾性部材により抑制することができる。
(5)前記基板は、前記リード非形成領域の両側の前記接触部間で前記弾性部材と接触することにより、前記リード非形成領域の両側の前記接触部間の部位が外側に突に曲がっていてもよい。
リード非形成領域の両側の接触部は基板の曲がりに応じてVの字状に傾斜する。この状態で検体にプローブユニットを相対的に接近させると、プローブユニットはリード非形成領域の両側の接触部の対向する端部で検体に接触するため、大きな接触圧で確実に検体と導通することができる。
リード非形成領域の両側の接触部は基板の曲がりに応じてVの字状に傾斜する。この状態で検体にプローブユニットを相対的に接近させると、プローブユニットはリード非形成領域の両側の接触部の対向する端部で検体に接触するため、大きな接触圧で確実に検体と導通することができる。
(6)上記目的を達成するためのプローブユニットの製造方法は、絶縁性の基板上の直線状のリード非形成領域の両側に複数のリードを形成する段階と、前記リード非形成領域の両側に前記リード非形成領域の長手方向に交互に位置する前記リードの析出領域と、隣り合う前記析出領域間に位置する基板の領域とを少なくとも除いた領域を覆う絶縁層を前記基板上に形成する段階と、前記析出領域上に前記リード上の前記絶縁層より厚い接触部を電解めっきで形成する段階と、を含む。
リード非形成領域の両側にリード非形成領域の長手方向に交互に位置するリードの析出領域と、隣り合う析出部間に位置する基板の領域とを少なくとも除いた領域を覆う絶縁層の形状は、リードの析出領域のみを露出させる複数の開口部を有する絶縁層の形状と比較して単純な形状である。このように単純な形状の絶縁層をマスクとしてリードの析出部上に接触部を電解めっきで形成することにより、絶縁層の製造公差に制約されることなく、狭い間隔で2次元に配列された接触部を形成することができる。
リード非形成領域の両側にリード非形成領域の長手方向に交互に位置するリードの析出領域と、隣り合う析出部間に位置する基板の領域とを少なくとも除いた領域を覆う絶縁層の形状は、リードの析出領域のみを露出させる複数の開口部を有する絶縁層の形状と比較して単純な形状である。このように単純な形状の絶縁層をマスクとしてリードの析出部上に接触部を電解めっきで形成することにより、絶縁層の製造公差に制約されることなく、狭い間隔で2次元に配列された接触部を形成することができる。
尚、本明細書において、「・・・上に形成する」とは、技術上の阻害要因がない限りにおいて、「・・・上に直に形成する」ことと、「・・・上に中間物を介して形成する」ことの両方を含む意味とする。
以下、本発明の実施の形態を複数の実施例に基づいて説明する。各実施例において同一の符号が付された構成要素は、その符号が付された他の実施例の構成要素と対応する。
(第一実施例)
図1は本発明の第一実施例によるプローブユニットの模式図である。(A)は平面図、(B)は(A)のI−I線による断面図である。図2及び図3は本発明の第一実施例によるプローブユニットの製造方法を示す模式図である。以下、図2及び図3に基づいて図1に示すプローブユニット1の製造方法について説明する。
(第一実施例)
図1は本発明の第一実施例によるプローブユニットの模式図である。(A)は平面図、(B)は(A)のI−I線による断面図である。図2及び図3は本発明の第一実施例によるプローブユニットの製造方法を示す模式図である。以下、図2及び図3に基づいて図1に示すプローブユニット1の製造方法について説明する。
はじめに、絶縁性の基板10上にスパッタ等によりシード層12を形成する(図2(A1)、(B1)参照)。基板10は、例えばポリイミド等の樹脂で厚さ25μmのフィルム状に形成されている。シード層12は、リードを電解めっきで形成するための導電性を有し、例えばNi、Ni−Fe、Ni−Mn、Ni−Co等のNi合金やCu等で形成される。シード層12の膜厚は例えばリードの膜厚の半分以下とする。尚、基板10は、ジルコニア、アルミナなどのセラミック、ガラス、ガラスセラミック等の無機材料、無機材料と樹脂等の有機材料との複合材でもよい。また、シード層12の形成前に基板10上に密着層を形成してもよい。密着層は、シード層12よりも基板10との接合強度が高く、基板10よりもシード層12との接合強度が高くなるTi、Cr等で形成する。また、シード層12の形成方法はスパッタに限定されるものではなく、例えばシード層12としての銅箔を基板10に接着してもよい。
次に、リードを形成するための複数のスリット16(図2(A3)、(B3)参照)を有するレジスト層14をシード層12上に形成する(図2(A2)、(B2)参照)。スリット16は基板10上のリード非形成領域18の両側に形成されており、リード非形成領域18には形成されていない。ここでリード非形成領域18とは、リードの製造プロセスにより規定されるリード間の最小間隔以上の幅でその両側のスリット16内に形成されるリードを分離するための領域である。リードはリード非形成領域18の両側にリードの最小間隔以上離間して形成されるため、リード非形成領域18の両側に形成されるリードの配置は互いの配置に制約されない。スリット16からはシード層12の一部が露出している。レジスト層14は、感光性レジストを塗布し、スリット16の形状に対応するマスクで感光、現像することにより形成する。感光性レジストの現像でレジスト層14を形成することにより、微細なスリット16を形成することができる。この結果、微細なリードを形成することができる。
次に、電解めっきによりレジスト層14のスリット16内にリード20を形成する(図2(A4)、(B4)参照)。リード20は、Ni、Ni−Fe、Ni−Mn、Ni−Co、Cu等の金属で形成される。尚、リード20の表面上にAu、Au合金、Rh、Pd、Ir、Ru等の金属で表面層を形成してもよい。リード20の表面上に表面層を形成することにより、リード20の酸化を防止したり、リード20の電気抵抗を低減することができる。特に高周波の電気信号は表皮効果によって表面層を伝わるため、高周波の信号に対する導体損を効果的に低減することができる。
次に、レジスト層14を除去する(図3(A5)、(B5)参照)。レジスト層14の除去には、NMP(N−メチル−2−ピロリドン)等のレジスト剥離液を用いる。
次に、リード20から露出しているシード層12を酸性又はアルカリ性のエッチング液を用いて除去する(図3(A6)、(B6)参照)。尚、シード層12はイオンミリング等により除去してもよい。以上説明した一連の工程が請求項に記載の「リードを形成する段階」に相当する。
次に、リード20から露出しているシード層12を酸性又はアルカリ性のエッチング液を用いて除去する(図3(A6)、(B6)参照)。尚、シード層12はイオンミリング等により除去してもよい。以上説明した一連の工程が請求項に記載の「リードを形成する段階」に相当する。
次に、リード非形成領域18の両側にリード非形成領域18の長手方向(矢印150参照)に交互に位置するリード20の析出領域22と、隣り合う析出領域22間に位置する基板10の領域(図3(B7)に斜線で示す領域参照)24とを少なくとも除いた領域を覆う絶縁層30を基板10上に形成する(図3(A7)、(B7)参照)。絶縁層30はアクリル樹脂等の絶縁物質で形成される。このような絶縁層30は、複数の矩形の島部(例えば島部30a、島部30b、島部30c)の組み合わせ等の単純な形状で形成可能である。この工程が請求項に記載の「絶縁層を形成する段階」に相当する。
尚、絶縁層30は図3(A7)、(B7)に例示した形状に限定されない。例えば絶縁層30は、図4に示すようにリード非形成領域18の両側のリード20の先端部20aを含む析出領域22を交互に露出させ、リード非形成領域18の両側の隣り合う析出領域22の間に位置する基板10の領域をそれぞれに露出させる2つの矩形の島部230a、島部230bで構成されてもよい。また、絶縁層30は、図5に示すようにリード非形成領域18の両側のリード20の析出領域22をそれぞれに露出させ、リード非形成領域18の両側の隣り合う析出領域22の間に位置する基板10の領域をそれぞれに露出させる開口部26と開口部27を有する形状でもよいし、図5に示した絶縁層30の開口部26と開口部27とをリード非形成領域18側に拡大して連通させた1つの開口部を有する形状でもよい。
次に、図3(A8)、(B8)に示すように、絶縁層30をマスクとした電解めっきにより、リード20の析出領域22上にリード20上の絶縁層30より厚い接触部40を形成する。すなわち接触部40は、リード20の厚さ(tr)と絶縁層30の厚さ(ti)と接触部40の厚さ(tc)とに次式(1)に示す関係が成立するように形成される。
tc>ti−tr・・・(1)
この結果、基板10を基準とした高さが絶縁層30より高く絶縁層30から突出した接触部40を形成することができる。例えばリード20を厚さ(tr)10μm、絶縁層30を厚さ(ti)25μm、接触部40を厚さ(tc)18μmに形成した場合、リード20上の絶縁層30の厚さは15μm(=ti−tr)となるため、基板10を基準とした高さが絶縁層30より3μm高く絶縁層30から突出した接触部40を形成することができる。
tc>ti−tr・・・(1)
この結果、基板10を基準とした高さが絶縁層30より高く絶縁層30から突出した接触部40を形成することができる。例えばリード20を厚さ(tr)10μm、絶縁層30を厚さ(ti)25μm、接触部40を厚さ(tc)18μmに形成した場合、リード20上の絶縁層30の厚さは15μm(=ti−tr)となるため、基板10を基準とした高さが絶縁層30より3μm高く絶縁層30から突出した接触部40を形成することができる。
図6は、プローブユニット1の隣り合うリード20の間隔(d)とリード20の配列方向の幅(w)と接触部40の厚さ(tc)との関係を示す模式図である。
接触部40は電解めっきにより等方的に成長するため、隣り合うリード20が接触部40により短絡するおそれがある。この接触部40によるリード20の短絡を防止するため、接触部40は、式(1)に加えて、リード20間の間隔(d)とリード20の配列方向の幅(w)と接触部40の厚さ(tc)とに次式(2)に示す関係が成立するように形成される。
d−w>tc×2・・・(2)
接触部40は、Ni、Ni−Fe、Ni−Mn、Ni−Co、Cu等の金属で形成される。接触部40は、リード20と同一材料で形成されてもよいし、リード20と異なる材料で形成されてもよい。この工程が請求項に記載の「接触部を形成する段階」に相当する。
接触部40は電解めっきにより等方的に成長するため、隣り合うリード20が接触部40により短絡するおそれがある。この接触部40によるリード20の短絡を防止するため、接触部40は、式(1)に加えて、リード20間の間隔(d)とリード20の配列方向の幅(w)と接触部40の厚さ(tc)とに次式(2)に示す関係が成立するように形成される。
d−w>tc×2・・・(2)
接触部40は、Ni、Ni−Fe、Ni−Mn、Ni−Co、Cu等の金属で形成される。接触部40は、リード20と同一材料で形成されてもよいし、リード20と異なる材料で形成されてもよい。この工程が請求項に記載の「接触部を形成する段階」に相当する。
以上説明した本発明によるプローブユニットの製造方法によると、リード20をリード非形成領域18で分離することにより、リード非形成領域18の両側のリード20を互いの配置に制約されることなく基板10上に形成することができる。さらに、リード20のリード非形成領域18の両側にリード非形成領域18の長手方向に交互に位置する析出領域22上に接触部40を形成することにより、リード20の最小間隔以下の間隔で接触部40を2次元に配列することができる。つまり本発明によるプローブユニットの製造方法によると、検体の狭い間隔で2次元に配置された電極に導通可能なプローブユニットを製造することができる。
また、単純な形状の絶縁層30をマスクとして電解めっきで接触部40を形成することにより、絶縁層30の製造公差に制約されることなく、接触部を狭い間隔で2次元に配列することができる。
また、単純な形状の絶縁層30をマスクとして電解めっきで接触部40を形成することにより、絶縁層30の製造公差に制約されることなく、接触部を狭い間隔で2次元に配列することができる。
次に、上述の製造方法で製造されるプローブユニットについて説明する。
図1に示すプローブユニット1は、液晶パネルやIC(Integrated Circuit)等の検体の電気的特性を検査するための検査装置(以下、プローバという。)に装着されるものである。プローブユニット1は、基板10、リード20、絶縁層30、接触部40等から構成されている。リード20は、基板10上のリード非形成領域18の両側に形成されている。接触部40は、リード非形成領域18の両側にリード非形成領域18の長手方向に交互にリード20上に形成されている。接触部40は、リード20上の絶縁層30より厚く形成され、絶縁層30から突出している。絶縁層30は、検体の検査時に接触部40を検体の電極に接触させる際に、リード20が検体に接触することによって検体又はリード20が短絡することを防止する。
図1に示すプローブユニット1は、液晶パネルやIC(Integrated Circuit)等の検体の電気的特性を検査するための検査装置(以下、プローバという。)に装着されるものである。プローブユニット1は、基板10、リード20、絶縁層30、接触部40等から構成されている。リード20は、基板10上のリード非形成領域18の両側に形成されている。接触部40は、リード非形成領域18の両側にリード非形成領域18の長手方向に交互にリード20上に形成されている。接触部40は、リード20上の絶縁層30より厚く形成され、絶縁層30から突出している。絶縁層30は、検体の検査時に接触部40を検体の電極に接触させる際に、リード20が検体に接触することによって検体又はリード20が短絡することを防止する。
尚、先端部20aがリード非形成領域18の両側にリード非形成領域18の長手方向に交互に配列された直線状の複数のリード20を例示した。しかし、リード20は接触部40が形成される析出領域22(図3(B7)に斜線で示す領域参照)がリード非形成領域18の両側にリード非形成領域18の長手方向に交互に配列可能な形状であればよく、リード20は蛇行していてもよいし、複数のリード20は並列していなくてもよい。
次に、図7から図9を用いてプローブユニット1の2種類の使用例について説明する。
図7及び図8は、プローブユニット1の第一の使用例を説明するための図である。プローブユニット1のリード20は、配線基板100と中継基板110を介してプローバと電気的に接続されている。
図7に示すように、リード非形成領域18の一方側のリード20は、基板10が内側になるように基板10とともに折り曲げられる。この結果、リード非形成領域18の一方側のリード20の基端部20bは、リード非形成領域18の他方側のリード20の基端部20b側に折り返される。図8に示すように、折り曲げた基板10間にはゴム等の弾性部材120が狭持させる。接触部40と検体50との接触圧に応じて弾性部材120が変形することより、接触部40と検体50との過度な接触圧を抑制することができる。
図7及び図8は、プローブユニット1の第一の使用例を説明するための図である。プローブユニット1のリード20は、配線基板100と中継基板110を介してプローバと電気的に接続されている。
図7に示すように、リード非形成領域18の一方側のリード20は、基板10が内側になるように基板10とともに折り曲げられる。この結果、リード非形成領域18の一方側のリード20の基端部20bは、リード非形成領域18の他方側のリード20の基端部20b側に折り返される。図8に示すように、折り曲げた基板10間にはゴム等の弾性部材120が狭持させる。接触部40と検体50との接触圧に応じて弾性部材120が変形することより、接触部40と検体50との過度な接触圧を抑制することができる。
図7に示すように、リード非形成領域18の他端側のリード20は、配線基板100の対応するリード102に接続される。リード非形成領域18の一方側のリード20は、中継基板110の対応するリード112を介して、配線基板100の対応するリード104に接続される。プローブユニット1と配線基板100、プローブユニット1と中継基板110、中継基板110と配線基板100は、例えばACF圧着等で固定すればよい。配線基板100の絶縁層106、108及び中継基板110の絶縁層116は、他の導電性の部材との接触により、それぞれ配線基板100のリード102、104及び中継基板110のリード112が短絡することを防止するためのものである。
図8に示すように、プローブユニット1はプローバの治具130に固定される。はじめに、検体50の電極52と接触部40とが一対一で対応するように、プローブユニット1を検体50に対して相対的に移動させる。次に、検体50にプローブユニット1を相対的に接近させることにより、検体50の電極52に接触部40を接触させる。上述したようにプローブユニット1の接触部40は狭い間隔で2次元に配列可能であるため、検体50の狭い間隔で2次元に配置された電極52に導通することができる。
図9は、プローブユニット1の第二の使用例を説明するための図である。
プローブユニット1の第二の使用例は、第一の使用例と弾性部材120の形状及び基板10が弾性部材120に接触する部位が異なる。プローブユニット1の第二の使用例では、基板10は、リード非形成領域18の両側の接触部40間で弾性部材120と接触し、その他の部位では弾性部材120と接触していない。この結果、基板10は、リード非形成領域18の両側の接触部40間の部分が折り曲げられた基板10の外側、すなわち検体50側に突に曲がり、リード非形成領域18の両側の接触部40は、基板10の曲がりに応じてVの字状に傾斜する。この状態で検体50にプローブユニット1を相対的に接近させると、プローブユニット1はリード非形成領域18の両側の接触部40の対向する端部40aで検体50の電極52に接触するため、大きな接触圧で確実に検体50と導通することができる。
プローブユニット1の第二の使用例は、第一の使用例と弾性部材120の形状及び基板10が弾性部材120に接触する部位が異なる。プローブユニット1の第二の使用例では、基板10は、リード非形成領域18の両側の接触部40間で弾性部材120と接触し、その他の部位では弾性部材120と接触していない。この結果、基板10は、リード非形成領域18の両側の接触部40間の部分が折り曲げられた基板10の外側、すなわち検体50側に突に曲がり、リード非形成領域18の両側の接触部40は、基板10の曲がりに応じてVの字状に傾斜する。この状態で検体50にプローブユニット1を相対的に接近させると、プローブユニット1はリード非形成領域18の両側の接触部40の対向する端部40aで検体50の電極52に接触するため、大きな接触圧で確実に検体50と導通することができる。
(第二実施例)
図10は、本発明の第二実施例によるプローブユニット2の平面図である。
プローブユニット2は、第一実施例によるプローブユニット1の使用例で説明したように、リード非形成領域18の一方側のリード20を基板10が内側になるように基板10とともに折り曲げて使用される。プローブユニット2の各構成要素は、基板10に切り欠き部200が形成されていることを除き、第一実施例によるプローブユニット1の対応する構成要素と実質的に同一である。
図10は、本発明の第二実施例によるプローブユニット2の平面図である。
プローブユニット2は、第一実施例によるプローブユニット1の使用例で説明したように、リード非形成領域18の一方側のリード20を基板10が内側になるように基板10とともに折り曲げて使用される。プローブユニット2の各構成要素は、基板10に切り欠き部200が形成されていることを除き、第一実施例によるプローブユニット1の対応する構成要素と実質的に同一である。
切り欠き部200は、基板10の接触部40の配列方向の両側に形成され、上述したリード20の折り曲げの位置を示している。リード20を切り欠き部200が示す位置(点線160参照)で折り曲げることにより、リード20を容易に折り曲げることができ、リード20を適正な位置で折り曲げることができる。例えば基板10がフィルム状の樹脂である場合、切り欠き部200を有する基板10は、切り欠き部200に対応する形状の型で母材から打ち抜くことにより形成することができる。尚、基板10の接触部40の配列方向の両側に2つの切り欠き部200が形成されたプローブユニット2を例示したが、切り欠き部200は基板10の両側に1つ形成されてもよいし、3つ以上形成されてもよいし、基板10の接触部40の配列方向の片側に形成してもよい。また切り欠き部200はどのような形状でもよい。
(第三実施例)
図11は、本発明の第三実施例によるプローブユニット3の平面図である。
プローブユニット3の各構成要素は、基板10にマーク300が付されていることを除き、第一実施例に係るプローブユニット1と実質的に同一である。
プローブユニット3は第二実施例と同様に折り曲げられて使用される。またマーク300は、基板10上の第二実施例に係る切り欠き部200と同様の位置に付されている。リード20をマーク300の位置で折り曲げることにより、リード20を適正な位置で折り曲げることができる。基板10上にリード20を形成する工程においてリード20と同一材料でマーク300をリード20と同時に形成することにより、基板10にマーク300を精度よく付すことができる。尚、基板10の接触部40の配列方向の両側に1つ又は2つのマーク300が付されたプローブユニット3を例示したが、マーク300は基板10の両側に3つ以上付されてもよいし、基板10の接触部40の配列方向の片側に付されてもよい。またマーク300はどのような形状でもよい。
図11は、本発明の第三実施例によるプローブユニット3の平面図である。
プローブユニット3の各構成要素は、基板10にマーク300が付されていることを除き、第一実施例に係るプローブユニット1と実質的に同一である。
プローブユニット3は第二実施例と同様に折り曲げられて使用される。またマーク300は、基板10上の第二実施例に係る切り欠き部200と同様の位置に付されている。リード20をマーク300の位置で折り曲げることにより、リード20を適正な位置で折り曲げることができる。基板10上にリード20を形成する工程においてリード20と同一材料でマーク300をリード20と同時に形成することにより、基板10にマーク300を精度よく付すことができる。尚、基板10の接触部40の配列方向の両側に1つ又は2つのマーク300が付されたプローブユニット3を例示したが、マーク300は基板10の両側に3つ以上付されてもよいし、基板10の接触部40の配列方向の片側に付されてもよい。またマーク300はどのような形状でもよい。
(第四実施例)
図12は、本発明の第四実施例によるプローブユニット4の平面図である。
プローブユニット4の各構成要素は、基板410を除き、第一実施例に係るプローブユニット1と実質的に同一である。
基板410は可塑性の材料で形成されている。基板410には、その外縁の一部が接触部40の配列方向の両側に突出する突出部400が形成されている。プローブユニット4の使用者は、保持部としての突出部400を保持して接触部40の配列方向に基板410を伸張させることにより、プローブユニット4の製造後に接触部40の間隔を広げることができる。例えば接触部40のピッチを予め適正なピッチよりも狭く製造することにより、製造後に接触部40のピッチを適正なピッチに調整することができる。尚、接触部40の配列方向の両側の1箇所に突出部400が形成された基板410を例示したが、突出部400は基板410の接触部40の配列方向の両側の複数箇所に形成してもよい。また突出部400は接触部40の配列方向に基板410を伸張するために保持できればよく、その形状はどのような形状でもよい。また突出部400は基板410と別体であってもよい。
図12は、本発明の第四実施例によるプローブユニット4の平面図である。
プローブユニット4の各構成要素は、基板410を除き、第一実施例に係るプローブユニット1と実質的に同一である。
基板410は可塑性の材料で形成されている。基板410には、その外縁の一部が接触部40の配列方向の両側に突出する突出部400が形成されている。プローブユニット4の使用者は、保持部としての突出部400を保持して接触部40の配列方向に基板410を伸張させることにより、プローブユニット4の製造後に接触部40の間隔を広げることができる。例えば接触部40のピッチを予め適正なピッチよりも狭く製造することにより、製造後に接触部40のピッチを適正なピッチに調整することができる。尚、接触部40の配列方向の両側の1箇所に突出部400が形成された基板410を例示したが、突出部400は基板410の接触部40の配列方向の両側の複数箇所に形成してもよい。また突出部400は接触部40の配列方向に基板410を伸張するために保持できればよく、その形状はどのような形状でもよい。また突出部400は基板410と別体であってもよい。
(第五実施例)
図13は、本発明の第五実施例によるプローブユニット5の平面図である。
プローブユニット5の各構成要素は、基板510に形成されている保持部の形状を除き、第四実施例に係るプローブユニット4と実質的に同一である。
基板510の接触部40の配列方向の両側には貫通孔500が形成されている。プローブユニット5の使用者は、保持部としての貫通孔500に治具等を貫通させることにより基板510を確実に保持しながら、第四実施例に係るプローブユニット4と同様にしてプローブユニット5の製造後に接触部40の間隔を広げることができる。貫通孔500の周囲には、貫通孔500を補強するためのパターン502を形成することが望ましい。パターン502は、例えば基板510上にリード20を形成する工程においてリード20と同一材料でリード20と同時に形成する。尚、接触部40の配列方向の両側の1箇所に貫通孔500が形成された基板510を例示したが、貫通孔500は基板510の接触部40の配列方向の両側の複数箇所に形成してもよい。また貫通孔500は接触部40の配列方向に基板510を伸張するために保持できればよく、その形状はどのような形状でもよい。
図13は、本発明の第五実施例によるプローブユニット5の平面図である。
プローブユニット5の各構成要素は、基板510に形成されている保持部の形状を除き、第四実施例に係るプローブユニット4と実質的に同一である。
基板510の接触部40の配列方向の両側には貫通孔500が形成されている。プローブユニット5の使用者は、保持部としての貫通孔500に治具等を貫通させることにより基板510を確実に保持しながら、第四実施例に係るプローブユニット4と同様にしてプローブユニット5の製造後に接触部40の間隔を広げることができる。貫通孔500の周囲には、貫通孔500を補強するためのパターン502を形成することが望ましい。パターン502は、例えば基板510上にリード20を形成する工程においてリード20と同一材料でリード20と同時に形成する。尚、接触部40の配列方向の両側の1箇所に貫通孔500が形成された基板510を例示したが、貫通孔500は基板510の接触部40の配列方向の両側の複数箇所に形成してもよい。また貫通孔500は接触部40の配列方向に基板510を伸張するために保持できればよく、その形状はどのような形状でもよい。
(第六実施例)
図14は、本発明の第六実施例によるプローブユニット6の平面図である。
プローブユニット6の構成要素は、基板610を除き、第一実施例に係るプローブユニット1と実質的に同一である。
プローブユニット6は第二実施例と同様に折り曲げられて使用される。基板610の接触部40側に付されたアライメントマーク600を基板610の接触部40と反対側から認識できるように、基板610は光が透過するように例えば透明樹脂等で形成されている。基板610は、折り曲げられた状態で接触部40が形成されている側の面(矢印152参照)にその面に対向する面(矢印154参照)が重ならない部位(領域114参照)ができるように形成されている。そして基板610の折り曲げられた状態で重ならない部位にはアライメントマーク600が付されている。基板610の折り曲げられた状態で重ならない部位の透明度は折り曲げられた状態で重なる部位の透明度より高いため、プローブユニット6では、アライメントマーク600を精度よく認識することができ、アライメントマーク600により検体50の電極52と接触部40とを精度よく位置合わせすることができる。
尚、第二実施例から第六実施例に説明した特徴的な構成要素を組み合わせてもよい。例えば、図15に示すプローブユニット7のように、第六実施例によるプローブユニット6の基板610に第四実施例に係る突出部400を形成してもよい。
図14は、本発明の第六実施例によるプローブユニット6の平面図である。
プローブユニット6の構成要素は、基板610を除き、第一実施例に係るプローブユニット1と実質的に同一である。
プローブユニット6は第二実施例と同様に折り曲げられて使用される。基板610の接触部40側に付されたアライメントマーク600を基板610の接触部40と反対側から認識できるように、基板610は光が透過するように例えば透明樹脂等で形成されている。基板610は、折り曲げられた状態で接触部40が形成されている側の面(矢印152参照)にその面に対向する面(矢印154参照)が重ならない部位(領域114参照)ができるように形成されている。そして基板610の折り曲げられた状態で重ならない部位にはアライメントマーク600が付されている。基板610の折り曲げられた状態で重ならない部位の透明度は折り曲げられた状態で重なる部位の透明度より高いため、プローブユニット6では、アライメントマーク600を精度よく認識することができ、アライメントマーク600により検体50の電極52と接触部40とを精度よく位置合わせすることができる。
尚、第二実施例から第六実施例に説明した特徴的な構成要素を組み合わせてもよい。例えば、図15に示すプローブユニット7のように、第六実施例によるプローブユニット6の基板610に第四実施例に係る突出部400を形成してもよい。
1、2、3、4、5、6、7 プローブユニット、10、410、510、610、710 基板、18 リード非形成領域、20 リード、22 析出領域、30 絶縁層、40 接触部、50 検体、120 弾性部材、400 突出部(保持部)、500 貫通孔(保持部)
Claims (6)
- 絶縁性の基板と、
前記基板上の直線状のリード非形成領域の両側に形成されている複数のリードと、
前記リード非形成領域の両側に前記リード非形成領域の長手方向に交互に位置する前記リードの析出領域と、隣り合う前記析出領域間に位置する前記基板の領域とを少なくとも除いた領域を覆う絶縁層と、
前記析出領域上に形成され前記リード上の前記絶縁層より厚い接触部と、
を備えるプローブユニット。 - 前記基板は可塑性の材料で形成されており、前記接触部の配列方向に前記基板を伸張させるために保持される保持部を有する請求項1に記載のプローブユニット。
- 前記保持部は貫通孔である請求項2に記載のプローブユニット。
- 前記リードは、前記基板が内側になるように前記基板とともに折り曲げられ、
前記基板間に狭持される弾性部材を更に備える請求項1から3のいずれか一項に記載のプローブユニット。 - 前記基板は、前記リード非形成領域の両側の前記接触部間で前記弾性部材と接触することにより、前記リード非形成領域の両側の前記接触部間の部位が外側に突に曲がっている請求項4に記載のプローブユニット。
- 絶縁性の基板上の直線状のリード非形成領域の両側に複数のリードを形成する段階と、
前記リード非形成領域の両側に前記リード非形成領域の長手方向に交互に位置する前記リードの析出領域と、隣り合う前記析出領域間に位置する前記基板の領域とを少なくとも除いた領域を覆う絶縁層を前記基板上に形成する段階と、
前記析出領域上に前記リード上の前記絶縁層より厚い接触部を電解めっきで形成する段階と、
を含むプローブユニットの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005180387A JP2007003207A (ja) | 2005-06-21 | 2005-06-21 | プローブユニット及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005180387A JP2007003207A (ja) | 2005-06-21 | 2005-06-21 | プローブユニット及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2007003207A true JP2007003207A (ja) | 2007-01-11 |
Family
ID=37689002
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2005180387A Pending JP2007003207A (ja) | 2005-06-21 | 2005-06-21 | プローブユニット及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2007003207A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009097984A (ja) * | 2007-10-17 | 2009-05-07 | Yamaichi Electronics Co Ltd | プローブコンタクトの製造方法およびプローブコンタクト |
JP2012519867A (ja) * | 2009-03-10 | 2012-08-30 | プロ−2000・カンパニー・リミテッド | パネルテストのためのプローブユニット |
-
2005
- 2005-06-21 JP JP2005180387A patent/JP2007003207A/ja active Pending
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JP4584972B2 (ja) * | 2007-10-17 | 2010-11-24 | 山一電機株式会社 | プローブコンタクトの製造方法およびプローブコンタクト |
TWI384226B (zh) * | 2007-10-17 | 2013-02-01 | Yamaichi Electronics Co Ltd | Contact probe manufacturing method and contact probe |
JP2012519867A (ja) * | 2009-03-10 | 2012-08-30 | プロ−2000・カンパニー・リミテッド | パネルテストのためのプローブユニット |
JP2012519868A (ja) * | 2009-03-10 | 2012-08-30 | プロ−2000・カンパニー・リミテッド | パネルテストのためのプローブユニット |
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