TWI384226B - Contact probe manufacturing method and contact probe - Google Patents

Description

接觸式探針之製造方法及接觸式探針

本發明係關於一種用以對半導體裝置或顯示面板等進行通電檢查之接觸式探針之製造方法及接觸式探針，尤其係關於一種可簡便且有效地與通電檢查之檢測件之微小間距化之電極相對應的接觸式探針之製造方法及接觸式探針。

近年來，配設於半導體積體電路、平板顯示器(FPD，flat panel display)等電子裝置基板或者電路配線基板等檢測件上的端子用電極，具有日益微小間距化之傾向。又，作為上述端子用電極之導電體材料，係使用如下各種金屬材料，例如如金(Au)般之惰性金屬，或者鋁(Al)、甚至如氧化銦錫(ITO，indium tin oxide)般之表面具有氧化膜之金屬，同時，彼等之材料特性亦各有不同。因此，於該等電子裝置或者電路配線板之通電檢查中，在通電檢查裝置側，需要與該等之電極間距相對應之微小間距之接觸式探針、及可自如地與上述端子用電極之各種導電體材料相對應且接觸性優異之接觸式探針。

先前，作為製造微小間距之接觸式探針之方法，揭示有一種使用了光微影法之微細加工的方法(例如，參照專利文獻1)。該方法中，係以如下方式製作接觸式探針，即，於接觸用基板之平坦表面形成有配設至基板之端部為止的細長導電層之導線，然後，以使導線之前端部自基板之端緣突出之方式將基板端部之特定區域切除，從而成為該導 線之前端部自接觸用基板之端緣突出之彈性接片(以下，亦稱作接點)。然而，該方法中，在將上述特定區域切除時有可能對導線造成變形等損傷。

因此，於微小間距之接觸式探針之製造中，揭示有一種防止接觸用基板斷裂時之導線之損傷的接觸式探針之製造方法(例如，參照專利文獻2)。該方法中，於基板之平坦表面之端部區域形成犧牲層，藉由使用有與專利文獻1相同之光微影法的微細加工技術，而形成前端位於上述犧牲層上之導線，並於基板之背面形成通過導線之形成於犧牲層上之部位之正下方的槽。而且，於形成上述導線後將犧牲層去除，然後使基板自上述槽斷裂。

然而，目前，伴隨因電子裝置等檢測件之小型化及高性能化所引起的端子用電極之微小間距化，形成於接觸用基板上之導線前端之接點之數量(針數量)日趨增加而多針化，要求達到例如數十~1000左右之多針數之接觸式探針。於該情形時，該等導線及接點群之配設間距達到例如20 μm左右之微小間距，其厚度為10~20 μm左右。而且，考慮到該等接點與上述電極之接觸壓力之均勻性，上述厚度不均之容許範圍為±1 μm以下。

然而，於上述先前之接觸式探針之製造中，導線及其接點係使用電鍍法而形成，因此，其厚度具有例如約±4 μm之不均，從而於多個接點間與端子用電極之接觸壓力容易不均勻。

若上述接觸壓力之均勻性較差，則有可能無法獲得使用 時所需之探針行程量(在接點前端接觸到檢測件之電極後向垂直方向壓入之量)。其原因在於，接觸式探針係懸臂樑構造，接點之厚度會對接觸負載與施加至針根部分之應力帶來較大影響。尤其是，為微細間距之情形時，當因接點之厚度而引起不均時，考慮到所需之接觸負載與針根部分之彎曲應力，可能無法獲得所需之探針行程量。

因此，於接觸式探針之製造中，接觸式探針之所有接點之接觸壓力必須符合產品規格。上述接點群之厚度不均會使接觸式探針產品之不良率增加，而使其製造良率劣化。

上述問題隨著上述電極之微小間距化及多電極化之發展、導線及接點為微小間距而變得日益顯著。再者，作為解決上述問題之方法，考慮有於電解電鍍法中改善提高膜厚之均勻性之電鍍條件。然而，今後，隨著上述電極之微小間距化及多電極化進一步發展，與此同時需要更微小間距之接觸式探針，因此，僅利用改善電鍍法之電鍍條件而提高膜厚之均勻性，係無法充分應對上述問題。又，該接觸式探針之導線及接點之厚度例如厚至約10 μm以上，從而會出現無法使用濺鍍法、真空蒸鍍法等膜厚均勻性優異之其他金屬成膜方法的狀況。

又，伴隨電子裝置或者電路配線基板等電子零件之小型化/高性能化，上述端子用電極之微小間距化之同時，上述電極之導電體材料作出各種變更。因此，要求一種可自如地與上述導電體材料相對應且電性接觸特性優異之具有微小間距之接點的接觸式探針。

[專利文獻1]日本專利特開平8-15318號公報

[專利文獻2]日本專利特開2007-3263公報

本發明係鑒於上述情況而完成者，其主要目的在於：於小型化/高性能化之電子裝置等檢測件之端子用電極微小間距化中，可高精度地形成與上述電極彈性接觸，通電檢查檢測件之接觸式探針之接點。而且，本發明之目的在於提供一種接觸式探針之製造方法及接觸式探針，該接觸式探針之製造方法係將上述接點之形狀控制在穩定性較高之尺寸精度，使接點群與上述電極之接觸壓力之均勻化容易，又，即便電極之金屬材料多種變化，亦容易電性接觸特性優異之自如對應，可有效地對應於微小間距化之電極。

為了達成上述目的，第一發明之接觸式探針之製造方法構成為：該接觸式探針具有配設於基板表面之複數個導線及其等之前端部即自上述基板之緣端突出之接點，上述接點彈性接觸於上述檢測件之電極以進行檢測件之通電檢查，其製造方法包括如下步驟：於上述基板表面形成導電性之密著層；於上述密著層上形成具有與上述導線相對應之開口的抗蝕圖案；於上述開口之上述密著層上藉由電解電鍍而形成具有彈性之第1金屬層；對上述抗蝕圖案及上述第1金屬層進行化學機械研磨，以使其等之上表面平坦 化；及將上述平坦化之步驟後殘存之上述抗蝕圖案去除；將上述上表面經平坦化之上述第1金屬層作為上述導線。

而且，第一發明之較佳態樣中，於上述化學機械研磨之平坦化之步驟後，將上述抗蝕圖案之上表面去除至特定深度而使上述第1金屬層之側面露出，藉由將上述密著層作為供電層之電解電鍍而於上述第1金屬層之上表面及上述側面形成第2金屬層，然後將上述殘存之抗蝕圖案去除。

又，第二發明之接觸式探針構成為：具有配設於基板表面之複數個導線及其等之前端部即自上述基板之緣端突出之接點，上述接點彈性接觸於上述檢測件之電極以進行檢測件之通電檢查，且上述複數個導線具有第1金屬層而成，其等之上表面經平坦化。

而且，第二發明之較佳態樣中，上述導線之上表面及至少上述接點之側面係由第2金屬層所覆蓋。

藉由本發明之構成，可進行微小尺寸之接點之尺寸控制及形狀控制，可簡便地確保接點群之穩定彈性特性及其適當之壓入量。又，可提供一種即便檢測件之端子用電極之金屬材料多種變化，電性接觸特性亦優異且自如對應之接點。如此一來，可提供一種即便例如接點多針化，亦具有與微小間距之電極之接觸壓力均勻性及電性接觸穩定性優異之接觸特性的接觸式探針之製造方法及接觸式探針。

以下，參照圖式對本發明之幾個實施形態進行說明。再 者，對彼此相同或類似之部分附上共用之符號，並省略部分重複說明。然而，圖式係模式性者，各尺寸之比率等與現實者不同。

(第1實施形態)

參照圖1至圖7對本發明之第1實施形態中之接觸式探針之製造方法及接觸式探針進行說明。圖1表示本實施形態中之接觸式探針之一例，圖1(a)係平面圖，圖1(b)係圖1(a)之X1-X1箭視剖面圖，圖1(c)係圖1(a)之X2-X2箭視剖面圖。而且，圖2係為了說明本實施形態中之接觸式探針之製造方法，而表示總括製作有複數個接觸式探針之一片基板的俯視圖。圖3及圖4係為了說明本實施形態中之接觸式探針之製造方法，以圖1之A1-A1切斷而成部位之各製造步驟之剖面圖。同樣，圖5及圖6係以圖1之A2-A2切斷之部位之各製造步驟之剖面圖。圖7係為了說明本實施形態之效果，而模式性地表示接觸式探針與檢測件之端子用電極之接觸狀態的部面圖。

本實施形態之接觸式探針中，如圖1所示，於基板11上以所需數量(圖1中為5根)形成著具有適當彈性特性之導線12。此處，例如，彼等導線12之前端部12a係作為接點，以窄於基端部12b之間距、且在與檢測件之端子用電極相對應的位置以微小間距而配設成束狀，並自基板11之一端緣突出。再者，該導線12係由具有所需之彈性特性之金屬材料構成，且經由密著層13而配設於基板11上。

而且，本實施形態之接觸式探針，如圖1(b)所示般，所 有導線12之上表面係自彼等導線12之前端部12a遍及基端部12b平坦化而形成。或者，該等各導線12分別藉由黏附於其上表面及側面之覆蓋層14所覆蓋。與此同時，導線12中之接點即前端部12a，其上表面以及其端面121之一部分藉由覆蓋層14而一體地被覆蓋。此處，覆蓋層14係電性連接於導線12。

而且，對於導線12之基端部12b而言，雖未圖示，係經由焊錫、各向異性導電膜(ACF：Anisotropic Conductive Film)、凸塊等接合部而連接於例如可撓性配線板，且電性連接於通電檢查裝置。

其次，對本實施形態中之接觸式探針之製造方法進行說明。該說明中，使上述接觸式探針之構造之特徵變得更加明顯。該接觸式探針之製造步驟中，如圖2所示，直至後述之某一步驟為止，於一片基板11a上，總括地製作複數個接觸式探針(圖2中為8個)與導線12等。然後，一片基板11a藉由沿著圖2所示之切斷線15之切斷而個別化為基板11。而且，經個別化之每個基板11，經由之後之製造步驟而製造為接觸式探針。

如圖3(a)及圖5(a)所示，於1片欲製作複數個接觸式探針產品之基板11a表面上形成犧牲層16。此處，基板11a係由其厚度達到數百微米(μm)之例如氧化鋯、氧化鋁、玻璃、矽等絕緣體材料構成。又，犧牲層16係由膜厚為數十奈米(nm)以上、較好的是100 nm以上之膜厚之例如銅(Cu)、鈦(Ti)、鉻(Cr)或者該等之複合層而構成之膜等構成，且藉 由例如銅薄膜之成膜後之使用有光微影法之蝕刻加工、或者舉離法之所需圖案之選擇性成膜等，而以所需數量形成於圖2所示之基板11a上之特定之區域。

再者，於利用舉離法形成犧牲層16之情形時，係於基板11a表面藉由光微影法形成具有剖面形狀為倒錐之開口之抗蝕圖案後，於該開口內之基板11a表面及抗蝕圖案表面濺鍍形成犧牲膜，將上述抗蝕圖案與其上之犧牲膜一併去除。

而且，覆蓋上述犧牲層16及基板11a表面且利用濺鍍法形成密著膜17。該密著膜17較好的是由金屬層與供電層構成的複合層，該金屬層係由相對於例如鈦(Ti)、鉻(Cr)等基板11a具有較大之接著力的金屬材料而構成，上述供電層係由用於後述電解電鍍中之例如鎳(Ni)-鐵(Fe)、Ni-錳(Mn)、Ni-鈷(Co)等Ni合金而構成。

然而，只要係對基板11a具有接著性且電解電鍍時作為供電層之金屬材料即可，亦能夠以單層而形成。

其次，如圖3(b)及圖5(b)所示，藉由例如網版印刷法之電鍍用之抗蝕膜之形成及該抗蝕膜之光微影法之曝光‧顯影，於密著膜17上形成所需之電鍍用之抗蝕圖案18。此處，抗蝕圖案18具有與各上述導線12相對應之開口圖案，其膜厚例如為20~40 μm左右。再者，該等開口圖案係藉由光微影法中之眾所周知的不同層間之位置對準方法，與犧牲層16之圖案位置對準而形成。

然後，如圖3(c)及圖5(c)所示，藉由電解電鍍，使作為 第1金屬層之導線用電鍍層19成長於該等抗蝕圖案18之開口內之密著膜17上。此處，導線用電鍍層19係由具有所需之彈性特性之金屬材料，例如鎳(Ni)-鐵(Fe)、Ni-錳(Mn)、Ni-鈷(Co)等Ni合金而構成，且積層形成於作為電解電鍍之供電層而發揮作用的密著膜17上。

該電解電鍍中，導線用電鍍層19之厚度係可於基板11a上存在不均、例如先前技術中所說明般為±4 μm左右。其中，該導線用電鍍層19之厚度較抗蝕圖案18之厚度要薄。如此，開口內之導線用電鍍層19之上表面位於抗蝕圖案18之上表面之下方。

其次，如圖3(d)及圖5(d)所示，藉由化學機械研磨(Chemical Mechanical Polishing：CMP)法，以使上述抗蝕圖案18及導線用電鍍層19之上表面平坦之方式進行研磨去除。該CMP中，選擇使抗蝕圖案18與導線用電鍍層19之研磨速度大致相同程度的漿料。又，進行如下研磨，即，對基板11a與研磨中所使用之裝置之與基板11a相對向的面之平行度實施調整。如此，表面經平坦加工之導線12及其前端部12a與抗蝕圖案18a係一併形成。

其次，如圖3(e)及圖5(e)所示，對抗蝕圖案18a上表面進行追加加工。該追加加工可藉由CMP或者電漿處理而進行，其中上述CMP使用有可對抗蝕圖案18a選擇性地進行研磨之漿料，上述電漿處理包含對抗蝕圖案18a選擇性地進行蝕刻之氧。藉由該追加加工，抗蝕圖案18a上表面被去除例如0.5 μm~數十μm，自導線12上表面及其前端部12a 上表面後退而形成有階差，從而形成抗蝕圖案18b。此處，抗蝕圖案18b之厚度可於基板11a上存在不均。

其次，如圖4(a)及圖6(a)所示，藉由將密著膜17作為供電層之電解電鍍，形成例如膜厚為0.5 μm~1 μm左右之第2金屬層即覆蓋層14。此處，覆蓋層14係電性連接於導線12之上表面及其前端部12a之上表面以及形成有上述階差而露出的上述導線12等之側面而形成。該覆蓋層14由例如Au、Au合金等而構成。再者，該覆蓋層14未形成於抗蝕圖案18b表面。

繼而，如圖4(b)及圖6(b)所示，利用眾所周知之有機溶劑之剝離或者氧電漿之灰化等將抗蝕圖案18b去除。而且，如圖4(c)及圖6(c)所示，將藉由上述抗蝕圖案18b之去除而露出之密著膜17蝕刻去除，從而形成導線12下及其前端部12a下之密著層13。

於以上之步驟後，圖2所示之狀態下之基板11a，藉由切割、噴砂、雷射加工等切斷成各個接觸式探針區域並個別化為複數個所需形狀之基板11。

然後，如圖4(c)所示，於自基板11a切出而個別化之基板11之背面之特定範圍內，形成直線狀延伸之切口槽20。該切口槽20係藉由切割、噴砂、雷射加工等，或者，例如，如ICP(Inductively Coupled Plasma，感應耦合電漿)般之HDP(High Density Plasma，高密度電漿)之DRIE(Deep Reactive Ion Etching，深反應離子刻蝕)方法等，以其線寬為數十~數百μm左右，考慮到基板11之厚度其加工後之剩 餘厚度為數十μm之方式而形成。此處，切口槽20之深度方向之槽前端沿例如與導線12之配設方向大致正交的方向延伸。而且，較佳為以位於犧牲層16之圖案邊之大致正下方的方式而形成。

其次，如圖4(d)及圖6(d)所示，使用選擇性地溶解犧牲層16之例如氯化鐵般之蝕刻液將由銅薄膜構成的犧牲層16去除。藉由將犧牲層16去除，導線12之形成於犧牲層16上之前端部12a成為自基板11表面浮離的狀態。

其次，如圖4(e)及圖6(e)所示，使基板17沿著切口槽20斷裂，將位於前端部12a側的基板切除。藉此，以上述切口槽20之區域作為端緣20a，而形成接點，該接點係由自該端緣20a以例如數百μm長度突出的前端部12a、該前端部12a下表面之密著層13、以及該前端部12a上表面與側面之覆蓋層14而構成。

最後，雖未圖示，將導線12之基端部12b經由焊錫、ACF、凸塊等接合部而連接於例如可撓性配線板，並電性連接於通電檢查裝置。如此，便完成本實施形態之接觸式探針。

上述實施形態中，作為抗蝕圖案18之抗蝕膜構成為，係由具有感光性之有機系高分子材料、無機系高分子材料或者該等之複合系材料而構成，於上述用以平坦化之CMP中，使其與導線用電鍍層19之研磨速度大致相同。

又，導線12及作為接點之其前端部12a，係由具有適當之彈性特性之導電體材料構成。而且，作為該導電體材 料，除了Ni系金屬材料之外，列舉例如銠(Rh)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、釕(Ru)、銥(Ir)、銅合金等。

又，覆蓋層14由耐氧化性之金屬材料或者即便氧化亦具有導電性之金屬材料構成，可選擇具有相對於端子用電極21具有耐磨損性者。除了例如Au-Co合金、Au-Cu合金、Au-Pd合金等Au合金之外，列舉即便氧化亦具有導電性之Ru、Ir金屬及該等之合金。

於使用上述接觸式探針對檢測件進行檢查之情形時，如圖7所示，使基板11之表面側對向於檢測件之端子用電極21，且以特定之角度使該基板11傾斜，以使具有所需之彈性特性之接點即前端部12a彈性接觸於端子用電極21表面。繼而，經由電性連接於導線12之基端部12b之例如上述可撓性配線板，自通電檢查裝置輸入檢查信號而進行檢測件之檢查。此處，端子用電極21除了由先前技術中所說明的金屬材料構成以外，亦可由例如鋁(Al)、鋁合金、氧化銦錫膜(ITO膜)、氧化銦鋅膜(IZO膜)等構成。

上述檢查中，為了應對電子裝置等檢測件之動作之高速化，使作為高頻脈衝信號之檢查信號自導線12之前端部12a通過端子用電極21高速傳輸至檢測件，而需要用以確保前端部12a與端子用電極21間之低電感及低阻抗之特定接觸壓力。因此，使搭載著檢測件之載物台上升，作為接觸式探針之接點之前端部12a按壓於端子用電極21，與此同時，於電極之移動方向22進行劃擦(scrub)。因此，對於前端部12a而言，為了可形成適當之探針行程量，極其重 要的是對決定其彈性特性之主要原因之一的前端部12a之尺寸及其形狀進行控制。

本實施形態之接觸式探針中，如上所述，因導線12上表面經平坦化，故而可高精度地控制前端部12a之厚度。因此，即便因接觸式探針之製造步驟之如圖3(c)及圖5(c)中所說明之電解電鍍而引起的導線用電鍍層19之厚度不均，例如於1片基板11a面內增大，亦可藉由CMP之平坦化而使導線12及其前端部12a之厚度不均降低至±1 μm以下。藉由該前端部12a之厚度尺寸之控制，即便例如接點多針化，亦可對於所有接點進行上述適當之壓入量控制，從而可獲得彈性特性及接觸特性優異之接觸式探針。

又，本實施形態之接觸式探針中，於導線12及其前端部12a之上表面及側面形成有覆蓋層14。而且，前端部12a之覆蓋層14接觸於端子用電極21表面。此處，對於覆蓋層14而言，即便如上所述端子用電極21之金屬材料作出各種變更，亦可設為與其自如對應之金屬材料，因此電性接觸特性優異。而且，覆蓋層14係一體地一併覆蓋前端部12a之上表面以及其端面121，因此藉由相對於前端部12a之移動方向22之擦除所產生的摩擦力，不會產生前端部12a之界面之剝離。再者，於覆蓋層14僅形成於前端部12a之上表面之情形時，接觸式探針之多次使用中，會產生上述界面之剝離。

本實施形態中，因接觸式探針之所有導線之上表面均平坦化，故而作為導線之前端部之所有接點之尺寸及形狀能 夠以較高之精度而相同。因此，即便檢測件之端子用電極微小間距化或者多針化，接觸式探針之所有接點，相對於上述電極彈性特性及接觸特性亦優異，從而可容易地進行彼等之壓入量之控制。

又，本實施形態中，伴隨電子裝置等檢測件之小型化或高性能化，即便上述端子用電極微小間距化並且其導電體材料作出各種變更，亦可製造電性接觸性優異且自如地對應之接觸式探針。而且，可高良率地製造由接觸壓力之穩定性及接觸之重複耐久性優異、可靠性較高之接點群構成的接觸式探針。

如此，本實施形態之接觸式探針可簡便地對應於通電檢查中之檢測件之端子用電極之微小間距化及多針化。

其次，參照圖8對本實施形態之變形例進行說明。圖8表示本實施形態中之接觸式探針之變形例，圖8(a)係平面圖，圖8(b)係圖8(a)之X3-X3箭視剖面圖，圖8(c)係圖8(a)之X4-X4箭視剖面圖。該變形例之特徵在於，於如圖1所示之接觸式探針中利用絕緣層將整個導線12覆蓋。以下，主要對該絕緣層進行說明。

如圖8所示，絕緣層23於接觸式探針上以如下方式而形成，即，形成於基板11表面之導線12之前端部12a及基端部12b除外，將導線12之上表面及側面覆蓋。此處，對於該絕緣層23而言，較好的是與基板11之密著性較佳之絕緣體薄膜。例如列舉氧化矽膜(SiO₂ 膜)、或氮化矽膜(SiN膜)等無機膜或者感光性聚醯亞胺膜等有機膜。此處，該等絕 緣體薄膜較好的是為5 μm以下之膜厚。

該絕緣層23之形成中，如上述般之絕緣體薄膜，係於以與上述實施形態中所說明者相同的製造方法形成接觸式探針後，藉由例如使用了遮罩夾具(shadow mask，蔽蔭遮罩)之濺鍍，以自基板11表面上覆蓋除了導線12之前端部12a及基端部12b之外之導線12的方式成膜。此處，當絕緣層23為SiON膜之情形時，其Si、O、N之組成可作出各種變更。而且，使與基板11或者導線12之熱膨脹係數之差減小，且不會產生龜裂。

該變形例中，除了實現與上述實施形態所說明者相同之效果以外，進而，可強化防止導線12間之短路及防止基板11表面之導線12之剝離。該等強化效果於接觸式探針中之接點之微小間距化或者多針化表現得較為明顯。

(第2實施形態)

參照圖9至圖11對本發明之第2實施形態中之接觸式探針之製造方法及接觸式探針進行說明。圖9係為了說明本實施形態中之接觸式探針之製造方法，而表示總括製作有複數個接觸式探針之一片基板的俯視圖。圖10及圖11係為了說明本實施形態中之接觸式探針之製造方法而按各製造步驟表示的模式圖。本實施形態之特徵在於，第1實施形態中所說明之覆蓋層14係形成於導線12之上表面其前端部12a之一部分側面。

圖9中，直至第1實施形態之圖3(d)及圖5(d)中所說明之抗蝕圖案18及導線用電鍍層19之CMP之平坦化之步驟為 止，實施相同之製造步驟，如圖10(a)所示，於基板11a上形成埋入至抗蝕圖案18之開口而表面平坦之導線12群。其次，如圖9所示，將複數個接觸式探針之導線12中以束狀排列之前端區域的抗蝕圖案18去除，直至達到特定之厚度為止，分別形成凹陷部24。此處，如圖10(b)所示，於該凹陷部24各導線12之前端部之一部分側面露出。

該凹陷部24係例如藉由掃描操作之雷射加工之抗蝕膜之選擇性蝕刻去除、使用具有與凹陷部24相對應之開口之蔽蔭遮罩之噴砂或者氧電漿的選擇蝕刻，而極其容易地形成。

其次，如圖11(a)所示，以與第1實施形態中所說明者相同之方式，藉由將密著層13作為供電層之電解電鍍，將例如由Au合金構成之覆蓋層14黏附於導線12及凹陷部24上所露出之前端部12a之上表面及側面。然後，以與第1實施形態所說明者相同之方式，例如如圖11(b)所示，將抗蝕圖案18去除，又，於特定之部位使基板11例如斷裂，如圖11(c)所示，形成自基板11之端緣突出之接點即前端部12a群。

繼而，雖未圖示，以與第1實施形態中所說明者相同之方式，將導線12之基端部12b連接於例如可撓性配線板，並電性連接於通電檢查裝置。如此，製造覆蓋層14形成於導線12之上表面及其前端部12a之側面之接觸式探針。

該第2實施形態中，亦能夠以與第1實施形態之變形例中所說明者相同之方式，形成將基板11之一部分之表面與除了前端部12a及基端部12b之外之導線12之上表面及側面覆 蓋的絕緣層23。藉由該絕緣層23之形成可實現相同之效果。

本實施形態中，與第1實施形態相比，接觸式探針中之覆蓋層14之製作變得簡便，從而可降低其製造成本。而且，可實現與第1實施形態中所說明者相同之效果。

以上，對本發明之較佳實施形態進行了說明，但上述實施形態並非係限定本發明者。對於業者而言，可於具體之實施態樣中在不脫離本發明之技術思想及技術範圍內添加各種變形‧變更。

例如，抗蝕圖案18亦可為，使具有不同之蝕刻特性的感光性之有機系高分子材料或者無機系高分子材料形成為積層構造。於該情形時，高精度地進行導線12上表面之平坦化之後之步驟中所進行的抗蝕圖案18之回蝕(etchback)控制或者凹陷部24之深度控制。

又，上述實施形態中，導線12及作為接點之前端部12a之上表面平坦化，亦可不形成上述覆蓋層14。其中，於該情形時，導線12及前端部12a除了具有如上述般之適當彈性特性之外，與檢測件之端子用電極21之電性接觸特性優異，較好的是藉由具有耐磨耗性之導電體材料而形成。

又，上述實施形態中，藉由電解電鍍而成長之導線用電鍍層19亦可填充抗蝕圖案18之開口，進而其一部分於抗蝕圖案18之上部溢流。其中，於該情形時，繼CMP之步驟之後，使用可選擇性地對導線用電鍍層19進行研磨之漿料，以使上述導線用電鍍層19填充於開口之方式將上述溢流部 分研磨去除。

或者，作為接觸式探針之接點之導線12之前端部12a亦可成為並不自基板11之端緣突出之構造。其中，於該情形時，導線12及前端部12a係藉由具有適當之彈性與韌性之導電體材料而形成。

11、11a‧‧‧基板

12‧‧‧導線

12a‧‧‧前端部

12b‧‧‧基端部

13‧‧‧密著層

14‧‧‧覆蓋層

15‧‧‧切斷線

16‧‧‧犧牲層

17‧‧‧密著膜

18、18a、18b‧‧‧抗蝕圖案

19‧‧‧導線用電鍍層

20‧‧‧切口槽

21‧‧‧端子用電極

22‧‧‧移動方向

23‧‧‧絕緣層

24‧‧‧凹陷部

121‧‧‧端面

圖1表示本發明之第1實施形態中之接觸式探針之一例，圖1(a)係平面圖，圖1(b)係圖1(a)之X1-X1箭視剖面圖，圖1(c)係圖1(a)之X2-X2箭視剖面圖。

圖2係為了說明本發明之第1實施形態中之接觸式探針之製造方法，而表示總括製作有複數個接觸式探針之一片基板的俯視圖。

圖3(a)-(e)係為了說明本發明之第1實施形態中之接觸式探針之製造方法，以圖1之A1-A1切斷之部位之各製造步驟的剖面圖。

圖4(a)-(e)係表示繼圖3後接觸式探針之製造步驟之各製造步驟之剖面圖。

圖5(a)-(e)係為了說明本發明之第1實施形態中之接觸式探針之製造方法，以圖1之A2-A2切斷之部位之各製造步驟之剖面圖。

圖6(a)-(e)係表示繼圖5後之接觸式探針之製造步驟之各製造步驟之剖面圖。

圖7係為了說明本發明之第1實施形態之效果，而模式性地表示接觸式探針與檢測件之端子用電極之接觸狀態的剖 面圖。

圖8表示本發明之第1實施形態中之變形例之接觸式探針之一例，圖8(a)係平面圖，圖8(b)係圖8(a)之X3-X3箭視剖面圖，圖8(c)係圖8(a)之X4-X4箭視剖面圖。

圖9係為了說明本發明之第2實施形態中之接觸式探針之製造方法，而表示總括製作有複數個接觸式探針之一片基板的俯視圖。

圖10(a)、(b)係為了說明本發明之第2實施形態中之接觸式探針之製造方法而按各製造步驟表示的模式圖。

圖11(a)-(c)係表示繼圖10後之接觸式探針之製造步驟之模式圖。

11‧‧‧基板

12‧‧‧導線

12a‧‧‧前端部

12b‧‧‧基端部

13‧‧‧密著層

14‧‧‧覆蓋層

121‧‧‧端面

Claims (5)

1. 一種接觸式探針之製造方法，該接觸式探針具有配設於基板表面之複數個導線及其等之前端部即自上述基板之緣端突出之接點，上述接點彈性接觸於檢測件之電極以進行上述檢測件之通電檢查，其製造方法之特徵在於包括如下步驟：於上述基板表面形成導電性之密著層之步驟；於上述密著層上形成具有與上述導線相對應之開口的抗蝕圖案之步驟；於上述開口之上述密著層上藉由電解電鍍而形成具有彈性之第1金屬層之步驟；對上述抗蝕圖案及上述第1金屬層進行化學機械研磨，以使其等之上表面平坦化之步驟；及於上述化學機械研磨之平坦化之步驟後，回蝕上述抗蝕圖案之上表面至特定深度而使上述第1金屬層之側面露出，藉由將上述密著層作為供電層之電解電鍍而於上述第1金屬層之上表面及上述側面形成第2金屬層，將上述平坦化之步驟後殘存之上述抗蝕圖案去除之步驟；且將上述上表面經平坦化後之上述第1金屬層作為上述導線。
2. 如請求項1之接觸式探針之製造方法，其中上述抗蝕圖案上表面之回蝕係藉由上述抗蝕圖案之選擇性化學機械研磨而進行。
3. 一種接觸式探針之製造方法，該接觸式探針具有配設於 基板表面之複數個導線及其等之前端部即自上述基板之緣端突出之接點，上述接點彈性接觸於檢測件之電極以進行上述檢測件之通電檢查，其製造方法之特徵在於包括如下步驟：於上述基板表面形成導電性之密著層之步驟；於上述密著層上形成具有與上述導線相對應之開口的抗蝕圖案之步驟；於上述開口之上述密著層上藉由電解電鍍而形成具有彈性之第1金屬層之步驟；對上述抗蝕圖案及上述第1金屬層進行化學機械研磨，以使其等之上表面平坦化之步驟；於上述化學機械研磨之平坦化之步驟後，將上述第1金屬層之前端部區域之上述抗蝕圖案去除至特定深度而使上述第1金屬層之前端部之側面露出，藉由將上述密著層作為供電層之電解電鍍而於上述第1金屬層之上表面及上述側面形成第2金屬層，然後將上述殘存之抗蝕圖案去除。
4. 如請求項1至3中任一項之接觸式探針之製造方法，其中於將上述第1金屬層作為導線後，形成覆蓋上述導線及上述基板之一部分之絕緣層。
5. 一種接觸式探針，其係藉由如請求項1至4中任一項之接觸式探針之製造方法而製造。