JP3502874B2 - 接続装置およびその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、対接する電極に接触し
て電気信号を伝送する接触端子を有する接続装置および
その製造方法、並びに、それを用いた試験装置に関し、
特に、半導体素子検査用の多数で高密度の電極に対して
接触することに好適な接続装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ＬＳＩ用の半導体素子は、半導体ウェハ
上に、多数個が設けられ、それぞれがチップに切り別け
られる。例えば、図２８（Ａ）に示したウェハ１は、そ
の面上に多数のＬＳＩ用の半導体素子（チップ）２が設
けられ、切り離して、それぞれがＬＳＩとして使用に供
される。図２８（Ｂ）は、上記半導体素子２の内の１個
を拡大して示した斜視図である。該半導体素子２の表面
には、その周囲に沿って多数の電極３が列設されてい
る。

【０００３】こうした半導体素子２を工業的に多数生産
し、その電気的性能を検査するには、図２９および図３
０に示すような構造の接続装置が用いられている。この
接続装置は、プローブカード４と、これから斜めに出た
タングステン針からなるプローブ５とで構成される。こ
の接続装置による検査では、プローブ５のたわみを利用
した接触圧により前記電極３をこすって接触をとり、そ
の電気特性を検査する方法が用いられている。

【０００４】また、半導体素子の高密度化が進み、図３
１に示したように、はんだ接続に供するはんだバンプ６
をその電極上に有するチップ状の半導体素子２が開発さ
れている。このような半導体素子２の接続方法として、
図３２に示すように、半導体素子２を、配線基板７の表
面の電極８に対向させ、上記はんだバンプ６を介して接
続する方法がある。この方法は、高密度実装、歩留まり
の高い一括接続に適することから、その応用が拡大して
いる。

【０００５】上記のような半導体素子の高密度化、狭ピ
ッチ化がさらに進み、高速信号による動作試験が必要に
なった場合の半導体素子の特性検査を可能とする検査方
法および検査装置として、特開昭６４−７１１４１号公
報に記載された技術がある。この技術は、互いに反対方
向に突出するようにバネで付勢された２本の可動ピン
を、チューブに出没自在に嵌め込んだ形状のスプリング
プローブを用いるものである。すなわち、このスプリン
グプローブの一端側の可動ピンを、検査対象物の電極に
当接させ、他端側の可動ピンを、測定回路側の基板に設
けられた端子に当接することにより、検査を行う。

【０００６】スプリングプローブ以外の極細プローブの
例として、１９８８年度のＩＴＣ（インターナショナル
テスト コンファレンス）の講演論文集の６０１頁か
ら６０７頁に記載された技術がある。図３３は、その構
造概略図、図３４は同じく要部拡大斜視図である。ここ
で用いられる導体検査用のプローブは、フレキシブルな
誘電体膜１０の上面にリソグラフ技術で配線１１を形成
し、被検査対象の半導体の電極に対応する位置に設けた
誘電体膜１０のビア１２に、めっきにより、半円形のバ
ンプ１３を形成したものを接触端子として用いるもので
ある。この技術は、誘電体膜１０の表面に形成した配線
１１および配線基板１４を通じて検査回路（図示せず）
に接続されているバンプ１３を、板ばね１５によって、
検査対象の半導体素子の電極に押し当てて、信号の授受
を行って検査する方法である。

【０００７】また、特開平５−２１１２１８号公報（対
応米国出願１９９１年７５０８４２号）に記載されるも
のがある。これは、金属板、例えば、ステンレス板に、
テフロン等の非導電皮膜物で部分的に覆い、覆われてい
ない金属部分に、先端が尖った形状である突起を有する
窪みツールを用いて、その突起を押しつけることによ
り、突起の形状に相当する形状の窪みを形成し、これ
に、金属を鍍金して金属層を形成し、さらに、それに、
誘電体基体が積層される。そして、金属層を含む誘電体
基体を金属板から剥がして、構成される。すなわち、こ
のものは、基体上に、尖った接触部分を有するコネクタ
パッドが複数個配置されたものである。そして、この尖
った接触部分を集積回路パッドに押しつけて、検査を行
う。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、半導
体素子の高密度化に伴って、検査用のプローブの高密度
多ピン化が進み、半導体素子の電極と検査回路間で電気
信号を伝送するための簡便な接続装置の開発が望まれて
いる。そこで、このような観点から、上記従来の技術に
ついて検討する。

【０００９】図２９、図３０に示した従来のプローブカ
ードの検査方法では、プローブ５の形状から、そこでの
集中インダクタンスが大きく、高速信号での検査に限界
がある。すなわち、プローブカード上での信号線の特性
インピーダンスをＲ、プローブの集中インダクタンスを
Ｌとすると、時定数はＬ／Ｒとなる。従って、Ｒ＝５０
ｏｈｍ、Ｌ＝５０ｎＨの場合で、時定数は１ｎｓとな
る。この程度の高速信号を扱うと、波形がなまり、正確
な検査ができない。従って、通常は、直流的な特性検査
に限られている。また、上記のプロービング方式では、
プローブの空間的な配置に限界があり、半導体素子の電
極の高密度化、総数の増大に対応できなくなっている。

【００１０】一方、２個の可動ピンからなるスプリング
プローブを用いる方法は、プローブの長さが比較的短い
ため高速電気特性を検査することが可能である。但し、
自己インダクタンスは、裸のプローブ長にほぼ比例す
る。したがって、直径０．２ｍｍ、長さ１０ｍｍのプロ
ーブの場合、そのインダクタンスは、９ｎＨ程度とな
る。高速電気信号を乱すクロストークノイズおよびグラ
ンドレベルの変動（グランドのリターン電流）は、上記
自己インダクタンスの関数となり、裸のプローブ長にほ
ぼ比例する。このため、数百ＭＨｚ以上の高速信号を用
いる場合は、１０ｍｍ以下の短いプローブが必要であ
る。しかし、このようなスプリングプローブを製作する
ことは、困難であり、現実的ではない。

【００１１】また、図３１、図３２に示した銅配線の一
部にめっきにより形成したバンプをプローブとする方法
は、バンプの先端部が平坦あるいは半円形となるため、
アルミニウム電極やはんだ電極などの材料表面に酸化物
を生成する被接触材料に対しては、接触抵抗が不安定に
なり、接触時の荷重を数百ｍＮ以上にする必要がある。
しかし、接触時の荷重を大きくしすぎることには問題が
ある。すなわち、半導体素子の高集積化が進み、高密度
多ピン、狭ピッチの電極が半導体素子表面に形成されて
いる。そのため、電極直下に多数の能動素子が形成され
ているため、半導体素子検査時のプローブの電極への接
触時の荷重が大き過ぎると、電極およびその直下の能動
素子に損傷を与えるおそれがある。

【００１２】また、特開平５−２１１２１８号公報に開
示される方法は、成形型とする金属板に、窪みツールを
押しつけることにより、機械的に穴をあけるため、穴あ
け精度が悪いという問題がある。すなわち、機械的な操
作で行われるため、位置決め精度に限界がある。また、
穴のあき方にもばらつきを生じる。この結果、突起の位
置、形状および大きさにばらつきが生じるという問題が
ある。

【００１３】さらに、特開平５−２１１２１８号公報に
開示される方法は、各突起の接触圧を適度な値とするこ
とが配慮されていない。特に、特開平５−２１１２１８
号公報に開示される方法は、突起の形状等にばらつきが
生じることが予想されるため、接触が不十分な突起を完
全に接触させるには、全体として大きな荷重が必要とな
り、部分的には、過大な接触圧となってしまうという問
題がある。

【００１４】本発明の第１の目的は、被検査対象につい
て、多点かつ高密度で接触できる接触端子を有する接続
装置およびその製造方法を提供することにある。

【００１５】本発明の第２の目的は、プローブの長さを
短くできて、高周波数まで対応できる電気特性を有する
接続装置およびその製造方法を提供することにある。

【００１６】本発明の第３の目的は、加工精度が高く、
しかも、微細な組立て作業を要せずに製造できる接続装
置およびその製造方法を提供することにある。

【００１７】本発明の第４の目的は、小さな荷重で、接
触特性が安定な接触端子を実現させる接続装置およびそ
の製造方法を提供することにある。

【００１８】

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の態様によ
れば、検査対象と電気的に接触して、電気信号を授受す
るための接続装置であって、検査対象と電気的に接触す
るための複数個の接触端子と、各接触端子から引き出さ
れる引き出し用配線と、接触端子および引き出し用配線
を支持する第１の基材とを備え、前記接触端子は、各
々、結晶性の第２の基材を異方性エッチングして得られ
る突起部と、この突起部を支持する突起支持部とを備
え、前記突起部は、少なくともその先端側に、導電性部
分を有し、この導電性部分は、対応する前記引き出し用
配線と接続され、前記第１の基材は、突起部後方部分に
穴を有し、 前記突起支持部は、前記穴の縁で両端が支持
されるブリッジ状に形成された部分を有することを特徴
とする接続装置が提供される。

【００２０】突起部は、例えば、結晶性の第２の基材を
異方性エッチングして得られる突起を有する。そして、
前記突起部は、先端が尖った形状となるように、少なく
とも先端部において、錐または錐台形状を有する形状に
形成される。例えば、角錐、角錐台、より具体的には、
八角錐、八角錐台、四角錐、四角錐台が挙げられる。

【００２１】また、本発明の第２の態様によれば、検査
対象と電気的に接触して、電気信号を授受するための接
続装置の製造方法であって、 絶縁膜と、これを挾んで積
層される第１の基材および第２の基材とを有し、かつ、
前記第２の基材が少なくとも結晶性のものである基板を
用いて接続装置を製造するに際し、第２の基材の複数箇
所について、それぞれその部分を覆うマスクを形成し
て、第２の基材を異方性エッチングする工程と、当該マ
スクを除去して、該マスクで覆われていた箇所に突起を
形成する工程と、前記突起の先端部に、当該先端部を覆
う導電性被覆を形成し、かつ、導電性被覆と接続される
引き出し用配線を形成する工程と、前記突起をその上で
支持する、ブリッジ状の形態を有する絶縁膜を設ける工
程とを有し、前記ブリッジ状の形態を有する絶縁膜を設
ける工程は、前記第１の基材の突起後方部分をエッチン
グにより除去して、該第１の基材に穴を形成すると共
に、前記絶縁膜に、前記突起を挟んで並行し、前記第１
の基材の穴と通じる二つの溝状の穴をエッチングにより
形成することを特徴とする接続装置の製造方法が提供さ
れる。

【００２２】上記穴の縁で両端が支持されるブリッジ状
に形成された絶縁膜は、可撓性の大きさ、剛性の大きさ
等に合わせて、適宜設けることができる。

【００２３】また、本発明の第３の態様によれば、前記
第１の態様にさらに、前記接触端子が、絶縁薄膜の表面
に形成される構成の接続装置が提供される。

【００２４】

【００２５】

【００２６】

【００２７】

【００２８】

【００２９】

【作用】上記の構成によれば、接触端子を、基材の異方
性エッチングにより形成される突起と、この突起に導電
性材料で被覆することにより構成することができる。異
方性エッチングによれば、例えば、角錐形状ないし角錐
台形状の先端が尖った形状が得られる。しかも、エッチ
ング条件を管理することにより、微細で、高密度の接触
端子を、多数個、高精度に配置することができる。従っ
て、測定対象物の高密度化に対応することができる。

【００３０】また、異方性エッチングによる突起を利用
することにより、接触端子の長さを、接触端子をエッチ
ング工程で形成しうる程度に短く（０．００１〜０．５
ｍｍ）形成することができる。これにより、高速信号の
乱れを小さくすることができる。

【００３１】また、高密度多ピン、狭ピッチの半導体素
子の表面電極を全ピン接触することにより、半導体素子
全面で電源供給可能な電圧変動の少ない安定した動作状
態での検査が実現できる。その結果、高速ＡＣ検査が可
能となり、半導体素子の高速動作の確認と出力波形の詳
細な観察が可能となり、半導体素子の特性マージンを把
握することができることにより、半導体素子の設計への
効率の良いフィードバックが可能となる。

【００３２】また、前記絶縁膜は、突起を支持する部分
の突起後方部分に穴が設けられている。そのため、絶縁
膜は、突起後方部分が穴の開口部に位置して、第２の基
材により支持されないため、たわみやすくなる。そのた
め、接続装置に複数個の突起が設けられる場合に、それ
ぞれの突起において、絶縁膜がたわんで、電極と突起の
間隔のばらつきを吸収することができる。穴の縁で一端
が支持される片持ち梁状に形成された絶縁膜、穴の縁で
両端が支持されるブリッジ状に形成された絶縁膜、穴の
縁全周で支持される絶縁膜を、片持ち梁、あるいは、絶
縁膜の表面に形成し、必要に応じて、緩衝層を設けるこ
とにより、電極と接触端子の間隔のばらつきを吸収する
ことができる。すなわち、片持ち梁あるいは、絶縁性膜
の材料、膜厚、サイズ、および、緩衝層の弾性率を適宜
に設定することにより、接触端子は、プロービング時に
電極およびその直下の能動素子に損傷を与えない適度な
値に、容易に設定することが可能である。また、接触対
象である電極に多少の段差があっても、片持ち梁あるい
は、絶縁性膜のたわみ、および、緩衝層の弾性により、
所定の力にて電極に接触することができる。

【００３３】電極パターンの変更に対しては、エッチン
グパターンを取り換えるのみで電極パターンの変更に容
易に対応することができる。

【００３４】基材として、シリコンウェハを用いた場合
は、必要に応じて、一般の半導体素子の製造工程を応用
して、上記接触端子を形成したシリコンの表面に、コン
デンサ、抵抗あるいは集積回路を形成して、電気特性を
改善したり、検査回路を形成することができ、信号の乱
れの少ない高速のＡＣ検査が可能になる。

【００３５】基材として、シリコンウェハを用いること
により、検査対象がシリコン系の半導体素子の場合は、
線膨張率の差による変位が少ない接続装置が実現でき、
例えば、ウェハ状態でも容易に高温で検査可能である。

【００３６】従って、半導体素子の電極を被接触対象と
した高密度、超多ピンで高速信号による動作試験が可能
で、高温でも接触端子の先端位置精度が良好で電極パタ
ーンの変更にも容易に対応できる接触装置が製作可能で
ある。

【００３７】なお、本発明の接続装置は、接触対象が半
導体素子に限定されることなく、対向する電極の接触装
置としても対応でき、狭ピッチ、多ピンであっても製作
可能である。

【００３８】

【実施例】以下、本発明に関わる接続装置、接触端子、
および、検査装置について、実施例に基づいて説明す
る。

【００３９】なお、本実施例では、まず、突起の形状と
して角錐形状ないし角錐台形状の代表例として、四角錐
ないし四角錐台の形状を形成した実施例について説明す
る。もちろん、突起の形状は、これに限られない。突起
の形状は、後述するように、異方性エッチングにおけ
る、エッチング液の成分比、液温、エッチング時間等を
適宜設定することにより変化する。例えば、八角錐ない
し八角錐台などの他の形状とすることができる。

【００４０】図１は、本発明の接続装置の第１実施例の
要部を示す。本実施例の接続装置は、複数個の接触端子
４２が配置された端子配列体２０と、この端子配列体２
０を支持する支持部材４５と、支持部材４５と端子配列
体２０との間に装填される緩衝層４６と、支持部材４５
を搭載する配線基板７０と、各接触端子４２を配線基板
７０の配線と接続するための延長配線シート７１とを備
える。

【００４１】端子配列体２０は、第１の基材を構成する
シリコンウェハ２８と、絶縁膜を構成する二酸化シリコ
ン膜２６、３０と、接触端子４２と、二酸化シリコン膜
２６に設けられ、該接触端子４２から引き出された引き
出し用配線４０とを有する。接触端子４２は、接触端子
となる突起部３５と、これを支持する突起支持部４３と
で構成される。突起部３５は、後述するように、第２の
基材であるシリコンウェハを異方性エッチングすること
により形成される突起３４と、この突起３４を覆う絶縁
膜３６と、絶縁膜３６上に設けられる導電性被覆３７と
で構成される。突起支持部４３は、二酸化シリコン膜２
６で構成される。

【００４２】シリコンウェハ２８の、突起部３５の後方
部分に、穴２８ａが設けられている。上記突起支持部４
３は、この穴２８ａの一部を覆うように、穴の開口に位
置する。この実施例では、突起支持部４３は、穴２８ａ
の周辺の１ヶ所に固定され、片持ち梁状に形成されてい
る。従って、突起部３５は、穴２８ａの開口面部に位置
する状態で、突起支持部４３により支持される。

【００４３】延長配線シート７１は、絶縁フィルム７１
ａと、この上に設けられた引き出し用延長配線７２とで
構成される。この延長配線シート７１は、シリコンウェ
ハ２８の外側で滑らかに折り曲げられて、一端が端子配
列体２０の周縁部に固定され、他端が、配線基板７０の
上に固定される。引き出し用延長配線７２は、引き出し
用配線４０、および、配線基板７０に設けられている電
極７３に、それぞれ電気的に接続される。接続は、例え
ば、はんだ７４を用いて行われる。

【００４４】なお、引き出し用配線４０の周縁部と電極
７３との接続は、絶縁フィルム７１ａに設けられた引き
出し用延長配線７２ではなく、ワイヤボンディングによ
って、接続するようにしてもよい。

【００４５】配線基板７０は、例えば、ポリイミド、ガ
ラスエポキシ等の樹脂材料からなり、上述した電極７３
の他、内部配線７０ａ、接続端子７０ｂ等を有してい
る。配線基板７０と支持部材４５とは、例えば、シリコ
ン系接着剤を用いて接着される。

【００４６】絶縁フィルム７１ａは、可撓性があり、好
ましくは、耐熱性がある樹脂で形成する。本実施例で
は、ポリイミド樹脂が用いられる。緩衝層４６は、エラ
ストマ等の弾性を有する物質で構成される。具体的に
は、シリコンゴム等が用いられる。接触端子４２および
引き出し用配線４０は、導電性被覆で構成される。これ
らの詳細については、後述する。また、図１では、接触
端子４２および引き出し用配線４０は、説明の簡単のた
め、１つの接触端子分のみ示すが、もちろん、実際に
は、後述するように複数個が配置される。

【００４７】図２に、本発明の接続装置の第２実施例の
要部を示す。図２に示す接続装置は、シリコンウェハ２
８に設けられている穴２８ａのエッチング形状が異なる
こと、および、これに関連して、接触端子７５の構造が
異なることの他は、上記図１に示す接続装置と同様に構
成される。すなわち、本実施例では、端子配列体２０に
おいて、穴２８ａがシリコンウェハ２８および二酸化シ
リコン膜３０を貫通する状態で設けられている。また、
本実施例では、突起支持部４３は、穴２８ａの開口部の
全周で固定支持される。従って、接触端子７５は、穴２
８ａの開口部をふさぐ状態で設けられている。この接触
端子７５の詳細については、後述する。

【００４８】図３に、本発明の接続装置の第３実施例の
要部を示す。図３に示す接続装置は、端子配列体２０に
おける、穴２８ａの構造および接触端子７６の構造が異
なる他は、上記図２に示す接続装置と同様に構成され
る。この接触端子７６の詳細については、後述する。

【００４９】図４に、本発明の接続装置の第４実施例の
要部を示す。図４に示す接続装置は、引き出し用配線７
７の表面に絶縁材料７８を設けた接触端子７９の構造が
異なる他は、上記図１および図２および図３に示す接続
装置と同様に構成される。ただし、引き出し用配線７７
の周縁部には、絶縁フィルム７１ａに設けられた引き出
し用延長配線７２が接続され、該絶縁フィルム７１ａに
設けられたビア８０を通して、該引き出し用延長配線７
２が、配線基板７０に設けられている電極７３に、電気
的に接続される。この接触端子７９の詳細については、
後述する。

【００５０】図２３（ｂ１）に、本発明の第５実施例の
要部を示す。図２３（ｂ１）に示す接続装置は、基本的
な構造は、図３に示す第３実施例と同じである。相違す
る点は、突起支持部４３が、穴２６ａの開口部周縁の対
向する２辺で支持され、接触端子７６ａがブリッジ構造
となっている点である。本実施例の接触端子７６ａの詳
細については、後述する。

【００５１】次に、上記第１実施例の接続装置の接触端
子部分の構造および製造方法について説明する。

【００５２】図７に示す接続装置は、片持ち梁構造の突
起支持部４３としての二酸化シリコン膜２６を有し、か
つ、これに接触端子４２とが設けられている。接触端子
４２は、突起３４と、これを被覆する二酸化シリコン３
６とからなる突起状形成物と、その先端部に被着され
た、導電膜３９およびめっき膜４４とからなる導電性被
覆とで構成される。また、この接続装置は、二酸化シリ
コン膜２６の表面に、引き出し用配線４０が、その一端
を接触端子４２の先端部に被着された導電膜３９と接続
されると共に、一体に形成されている。さらに、この突
起支持部４３を表面に形成したシリコンウェハ２８の他
方の面に、緩衝層４６を構成するエラストマとしてのシ
リコンゴムと、支持部材４５を構成するシリコンウェハ
とが配置される。導電膜３９は、本実施例では、クロム
膜３９ａに金膜３９ｂを被着した二層構造で構成され
る。また、めっき膜４４は、ロジウム膜で構成される。
めっき膜４４として、ロジウムを用いる理由は、ロジウ
ムの硬度が金の硬度より大きいことによる。

【００５３】また、図７に、本実施例の接続装置の各部
の代表的な寸法を示す。図７に示す寸法例は、底面の一
辺が３０μｍの四角錐形状の接触端子についてのもので
ある。この接触端子は、シリコンウェハをフォトリソグ
ラフ技術によりパターニングして形成されるので、位置
および大きさが高精度に決められる。また、異方性エッ
チングにより形成されるので、形状がシャープに形成で
きる。特に、先端を、尖った形状とすることができる。
これらの特徴は、他の実施例においても共通する。な
お、寸法および配置は、一例であって、本発明は、これ
に限定されるものではない。また、本実施例に限らず、
他の実施例においても、同程度の寸法および加工精度が
実現できる。

【００５４】接触端子の先端を尖った形状とするのは、
次の理由からである。

【００５５】測定対象の電極がアルミニウムの場合、表
面に酸化膜が形成されていて、接触時の抵抗が不安定と
なる。このような電極に対して、接触時の抵抗値の変動
が０．５Ω以下の安定した抵抗値を得るためには、接触
端子の先端部が、電極表面の酸化膜をつき破って、良好
な接触を確保する必要がある。そのためには、例えば、
接触端子の先端が、半円形の場合、１ピン当たり３００
ｍＮ以上の荷重となる接触圧で、各接触端子を電極に擦
りつける必要がある。一方、接触端子の先端部が、直径
１０μｍ〜３０μｍの範囲の平坦部を有する形状の場合
には、１ピン当たり１００ｍＮ以上の荷重となる接触圧
で、各接触端子を電極に擦りつける必要がある。

【００５６】一方、上記した数値で示される形状を持つ
本実施例の接続装置の接触端子の場合には、１ピン当た
り５ｍＮ以上の荷重となる接触圧があれば、電極に擦り
つけることなく、単に押圧するだけで、安定した接触抵
抗で、通電を行うことができる。その結果、低針圧で電
極に接触すればよいため、電極、または、その直下にあ
る素子に損傷を与えることが防止できる。また、全接触
端子にピン圧をかけるために必要な力を小さくすること
ができる。その結果、この接続装置を用いる試験装置に
おけるプローバ駆動装置の耐荷重を軽減し、製造コスト
を低減することができる。

【００５７】なお、１ピン当たり１００ｍＮ以上の荷重
をかけることができる場合は、例えば、接触端子が四角
錐台の突起であれば、該四角錐台の先端平坦部の一辺を
３０μｍより小さくするならば、点のように尖ってなく
てもよい。ただし、上述した理由から、可能な限り、先
端部の面積は、小さくすることが好ましい。

【００５８】次に、図１に示す接続装置を形成するため
の製造プロセスについて、図５および図６を参照して説
明する。図５および図６は、本発明の第１実施例の接続
装置について、片持ち梁からなる接触端子を有する端子
配列体２０を形成するための製造プロセスを工程順に示
したものである。

【００５９】本実施例では、二酸化シリコン２６を、単
結晶のシリコンウェハ２７および２８に挟みこんだ構造
のＳＯＩ基板を用いて構成される。すなわち、シリコン
ウェハ２７に異方性エッチングで突起３４を形成して、
シリコンウェハ２８にエッチングで穴２８ａを形成し、
かつ、穴２８ａの開口部に、二酸化シリコン膜２６を片
持ち梁状に残して、突起支持部４３を形成して、接触端
子４２を形成する。

【００６０】図５（ａ）は、厚さ０．５〜５μｍ程度の
二酸化シリコン２６をシリコン単結晶２７および２８に
挟みこんだ構造のＳＯＩ基板において、シリコン単結晶
２７および２８の（１００）面に熱酸化により二酸化シ
リコン膜２９および３０を形成する工程を示す。シリコ
ン単結晶２７および２８の酸化は、例えば、ウェット酸
素中で酸化温度１０００℃で１００分の熱酸化により、
二酸化シリコン膜２９および３０を０．５μｍ程度形成
する。

【００６１】図５（ｂ）は、上記二酸化シリコン膜２９
および３０の表面にホトレジストマスク３１および３２
を形成し、二酸化シリコン膜２９をエッチングして、二
酸化シリコン膜３３のマスクを形成する工程を示す。ホ
トレジストマスク３１および３２の形成は、次のように
行う。まず、二酸化シリコン膜２９および３０の表面
に、ホトレジストとしてＯＦＰＲ８００（東京応化工業
製）を塗布する。ついで、接触端子を形成する位置に、
一辺が１０〜４０μｍ程度の正方形のパターンを露光
し、現像液ＮＭＤ３（東京応化工業製）により現像す
る。次に、ホトレジストマスク３１および３２から露出
した二酸化シリコン膜２９を、フッ化水素酸とフッ化ア
ンモニウム液の１：７混液に浸漬してエッチングする。

【００６２】図５（ｃ）は、上記ホトレジストマスク３
１および３２を除去し、二酸化シリコン膜３３をマスク
として、シリコン単結晶２７の（１００）面を異方性エ
ッチングして先端が尖った形状の突起部３４を形成する
途中の段階の工程を示す。シリコン単結晶２７のエッチ
ングは、例えば、水酸化カリウムとイソプロパノールと
水とを含むエッチング液に浸漬することにより行う。エ
ッチング終了後、ホトレジストマスク３１および３２
は、剥離液Ｓ５０２ａ（東京応化工業製）で除去する。

【００６３】図５（ｄ）は、異方性エッチングして、先
端が尖った形状の突起３４を形成した後、突起３４の表
面に熱酸化により、二酸化シリコン膜３６を形成して、
突起部３６を形成する工程を示す。シリコンから成る突
起３４の酸化は、例えば、ウェット酸素中での熱酸化に
より行なう。これによって、二酸化シリコン膜３６を
０．５μｍ程度形成する。なお、図５（ｄ１）は、図５
（ｄ）の突起部３５を下方より見た場合の平面図であ
る。

【００６４】図５（ｅ）は、上記突起部３５の表面の二
酸化シリコン膜３６の表面に、導電性被覆３７を形成
し、突起部３５の表面および配線形成用のパターンとな
るように導電性被覆３７の表面を覆うようにホトレジス
トマスク３８を形成した工程を示す。導電性被覆３７と
しては、例えば、スパッタリング法あるいは蒸着法で、
二酸化シリコンと密着性のよいクロムを０．０２μｍ被
着した後、金を０．２〜０．５μｍ被着した膜を形成す
るか、または、スパッタリング法あるいは蒸着法で、チ
タンを０．０２μｍ被着した後、金を０．２〜０．５μ
ｍ被着した膜を形成すればよい。

【００６５】図５（ｆ）は、上記導電性被覆３７を上記
ホトレジストマスク３８を介してエッチングして、突起
部３５の導電膜３９および配線４０を形成した後、ホト
レジストマスク４１により、二酸化シリコン２６の、突
起部３５を支持する絶縁膜として残すべき部分を、他の
二酸化シリコン膜２６から分離するための溝部２６ａと
なる部分を、エッチングにより除去する工程を示す。こ
の工程では、ホトレジストとしてＯＦＰＲ８００（東京
応化工業製）を塗布して、突起部３５の周辺の二酸化シ
リコン２６の表面のＯＦＰＲ８００（東京応化工業製）
を、長方形の長手方向の２辺と、これと直交する短い１
辺の部分を帯状に露光する。すなわち、コの字に似た形
状（なお、本明細書では、説明の便宜上、この形状をコ
字形状ということにする。）の露光パターンを形成す
る。そして、ＮＭＤ３（東京応化工業製）によって現像
することにより、ホトレジストマスク４１を形成する。
次に、ホトレジストマスク４１から露出した二酸化シリ
コン膜２６を、フッ化水素酸とフッ化アンモニウム液の
１：７混液に浸漬してエッチングする。

【００６６】図６（ｇ）、（ｈ）および（ｉ）は、片持
ち梁構造の突起支持部４３を形成する工程を段階的に示
したものである。すなわち、ここでは、ホトレジストマ
スク４１を除去し、残った二酸化シリコン膜２６をマス
クとして、溝部２６ａから上記シリコン単結晶２８の
（１００）面をエッチングする。これにより、二酸化シ
リコン膜２６で構成され、導電膜３９を設けた突起部３
５をその表面で支持する片持ち梁状の突起支持部４３が
得られる。なお、図６（ｇ１）は（ｇ）を下方から見た
平面図、図６（ｉ１）は（ｉ）を下方から見た平面図、
図６（ｉ２）は（ｉ）を下方から見た斜視図である。

【００６７】ここで、ホトレジストマスク４１は、Ｓ５
０２ａ（東京応化工業製）を用いて除去する。シリコン
単結晶２８のエッチングは、例えば、水酸化カリウムと
水とを含むエッチング液に浸漬することにより行う。な
お、この液に代えて、水酸化カリウムとイソプロパノー
ルと水とを含むエッチング液を用いてもよい。また、こ
の工程に、接触端子先端部の四角錐形状を有した導電膜
３９の表面に、金あるいはロジウム等を０．２〜２μｍ
程度めっきして、めっき膜４４を設けることにより、電
気的な接触特性を安定にすることができる。

【００６８】図７は、接触端子４２を形成した上記シリ
コン単結晶２８および二酸化シリコン２６、３０からな
る基板を、支持部材４５に固定する工程を示す。ここで
は、支持部材４５として、シリコン基板が用いられる。
二酸化シリコン膜３０の表面と支持部材４５との間に緩
衝層４６を挟みこんで、一体化する。本実施例では、例
えば、厚さが０．２〜３ｍｍで、硬さ（ＪＩＳＡ）が１
５〜７０程度のシリコンゴムを、緩衝層４６として用い
ている。しかし、緩衝層４６は、これに限定されない。
なお、二酸化シリコン膜３０およびシリコン支持部材４
５の接着は、シリコンゴム自体に接着力があるので、格
別に接着剤を必要としない。なお、接着剤を用いて接着
するようにしてもよい。

【００６９】本実施例によれば、電極パッド部のピッチ
として１０μｍ程度の接触端子まで容易に形成できる。
また、接触端子の高さの精度として、±２μｍ以内の精
度を達成できる。また、本実施例では、接触端子が片持
ち梁状に構成されているので、その可撓性が大きくな
る。そのため、測定対象物の電極の凹凸の影響を吸収し
やすい。

【００７０】次に、図１に示す接続装置を形成するため
の他の製造プロセスについて、図８および図９を参照し
て説明する。本実施例は、複数絶縁層を１層ずつ間に挟
んだ構造のＳＯＩ基板を用いた例である。なお、図５お
よび図６に示すプロセスと同じ工程については、説明を
省略する。

【００７１】図８（ａ）は、厚さ０．５〜５μｍの二酸
化シリコン２６および４７をシリコン単結晶２７、２８
および４８に挟みこんだ構造のＳＯＩ基板において、シ
リコン単結晶２７および４８の（１００）面に、熱酸化
により二酸化シリコン膜２９および３０を形成した工程
を示す。シリコン単結晶２７および４８の酸化は、例え
ば、ウェット酸素中での熱酸化により、二酸化シリコン
膜２９および３０を０．５μｍ程度形成する。この後、
二酸化シリコン膜２９およびシリコン単結晶２７および
二酸化シリコン２６について、前記図５（ｂ）から
（ｅ）までの工程と同様の工程により、突起部３５の導
電膜３９および配線４０を形成する。

【００７２】図８（ｂ）は、二酸化シリコン２６の、突
起部３５を支持する絶縁膜として残すべき部分を、他の
二酸化シリコン膜２６から分離するための溝部２６ａと
なる部分を、ホトレジストマスク４１により開口させ、
その部分の二酸化シリコン２６を、ホトエッチングによ
り除去する工程を示す。

【００７３】図８（ｃ）、（ｄ）および図９（ｅ）は、
ホトレジストマスク４１を除去し、上記シリコン単結晶
２８の（１００）面を二酸化シリコン層４７が露出する
までエッチングすることにより、突起部３５を表面に有
する、二酸化シリコン膜２６の片持ち梁構造の突起支持
部４３を形成する工程を段階的に示したものである。な
お、図８（ｃ１）は（ｃ）を下方から見た平面図、図９
（ｅ１）は（ｅ）を下方から見た平面図、図９（ｅ２）
は（ｅ）を下方から見た斜視図である。

【００７４】なお、この実施例において、接触端子先端
部の四角錐形状を有した導電膜３９の表面に金あるいは
ロジウム等をめっきすることにより、電気的な接触特性
を安定にすることができる。

【００７５】なお、本製造方法は、二酸化シリコン層４
７が存在することにより、シリコン単結晶２８の異方性
エッチングを、該二酸化シリコン層４７で確実に停止さ
せることができる。これにより、図５および図６の製造
方法と比較して、加工精度の向上と、エッチング工程管
理が容易となる利点がある。

【００７６】次に、図１に示す接続装置を形成するため
の、さらに他の製造プロセスについて、図１０を参照し
て説明する。なお、図５および図６に示すプロセスと同
じ工程については、説明を省略する。

【００７７】図１０（ａ）は、前記の図５（ａ）から
（ｆ）までの工程と同様の工程により、突起部３５の導
電膜３９および配線４０を形成した後、ホトレジストマ
スク４１により、突起部３５の周辺の二酸化シリコン２
６をコの字形にエッチングにより除去した工程を示す。

【００７８】図１０（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）は、ホ
トレジストマスク４１を除去し、上記シリコン単結晶２
８の（１００）面をエッチングすることにより、穴２８
ａを形成する工程、および、二酸化シリコン膜２６の片
持ち梁構造の突起支持部４３を形成する工程を段階的に
示したものである。なお、図１０（ｄ１）は（ｄ）を下
方から見た斜視図である。シリコン単結晶２８のエッチ
ングは、例えば、エチレンジアミンとピロカテコールと
水とを成分に含むエッチング液に浸漬することにより行
う。なお、この液に代えて、水酸化カリウムと水とを含
むエッチング液を用いてもよい。あるいは、水酸化カリ
ウムとイソプロパノールと水とを含むエッチング液を用
いてもよい。

【００７９】なお、この実施例において、接触端子先端
部の四角錐形状を有した導電膜３９の表面に金あるいは
ロジウム等をめっきすることにより、電気的な接触特性
を安定にすることができる。

【００８０】次に、図１に示す接続装置を形成するため
の他の製造プロセスについて、図１１を参照して説明す
る。なお、図５および図６に示すプロセスと同じ工程に
ついては、説明を省略する。

【００８１】図１１（ａ）は、厚さ１〜１０μｍの二酸
化シリコン２６をシリコン単結晶２７および２８に挟み
こんだ構造のＳＯＩ基板において、前記図５（ｃ）まで
の工程と同様な工程により、二酸化シリコン膜３３をマ
スクとして、シリコン単結晶２７の（１００）面を異方
性エッチングして先端が概ね尖った形状の突起３４を形
成する工程を示す。すなわち、本実施例は、四角錐台状
の突起を形成する例である。

【００８２】図１１（ｂ）は、上記二酸化シリコン膜３
３のマスクが、まだ突起部３４に付着して残っている状
態で、シリコン単結晶２７の異方性エッチングを中止
し、上記二酸化シリコン膜３３をエッチングにより除去
する工程を示す。なお、本エッチングでは、二酸化シリ
コン膜２６および二酸化シリコン膜３０も同時に部分的
あるいは全体がエッチングされる。

【００８３】図１１（ｃ）は、熱酸化により、突起３４
およびシリコン単結晶２８の表面に二酸化シリコン膜４
９および５０を形成した工程を示す。シリコンの酸化
は、例えば、ウェット酸素中での熱酸化により、二酸化
シリコン膜を０．５μｍ程度形成する。

【００８４】図１１（ｄ）は、片持ち梁構造の突起支持
部４３を形成する工程である。すなわち、この工程で
は、前記の図５（ｅ）〜図６（ｉ）までの工程と同様な
工程により、シリコン単結晶２８の（１００）面をエッ
チングすることにより、穴２８ａを形成する。これによ
り、先端が概ね尖った形状の突起部３５を表面に有す
る、二酸化シリコン膜４９の片持ち梁構造の突起支持部
４３を形成する。なお、図１１（ｄ１）は、（ｄ）を下
方から見た斜視図である。

【００８５】なお、この実施例において、接触端子先端
部の導電膜３９の表面に金あるいはロジウム等をめっき
することにより、電気的な接触特性を安定にすることが
できる。

【００８６】なお、本製造方法は、図５および図６の製
造方法と比較して、突起部３４の先端部に、任意の大き
さの平坦部を形成することができる。この手法は、図１
１に示した基板構成に限定されることなく、二酸化シリ
コン膜をマスクにして、シリコン単結晶を異方性エッチ
ングすることにより、任意の大きさの平坦部を有する突
起部を形成する工程において有効である。

【００８７】次に、図２に示す接続装置を形成するため
の製造プロセスについて、図１２、図１３および図１４
を参照して説明する。

【００８８】図１２（ａ）は、厚さ０．５〜５μｍの二
酸化シリコン２６を、単結晶のシリコンウェハ２７およ
び５１に挟みこんだ構造のＳＯＩ基板において、シリコ
ンウェハ２７の（１００）面およびシリコンウェハ５１
の（１１０）面に、熱酸化により二酸化シリコン膜２９
および３０を形成する工程を示す。シリコンウェハ２７
および５１の酸化は、例えば、ウェット酸素中での熱酸
化により、二酸化シリコン膜２９および３０を０．５μ
ｍ程度形成する。

【００８９】図１２（ｂ）は、上記二酸化シリコン膜２
９および３０の表面にホトレジストマスク３１および３
２を形成し、二酸化シリコン膜２９をエッチングする工
程を示す。

【００９０】図１２（ｃ）は、上記ホトレジストマスク
３１および３２を除去し、二酸化シリコン膜３３をマス
クとして、シリコンウェハ２７の（１００）面を異方性
エッチングして先端が尖った形状の突起部３４を形成す
る途中の段階の工程を示す。

【００９１】図１２（ｄ）は、異方性エッチングして、
先端が尖った形状の突起３４を形成した後、突起３４の
表面に熱酸化により、二酸化シリコン膜３６を形成し
て、突起部３５を形成する工程を示す。シリコンから成
る突起３４の酸化は、例えば、ウェット酸素中での熱酸
化により、二酸化シリコン膜３６を０．５μｍ程度形成
する。

【００９２】図１２（ｅ）は、突起部３５を形成した上
記二酸化シリコン膜３６および二酸化シリコン膜３０の
表面にホトレジストマスク５２および５３を形成し、二
酸化シリコン膜３０をエッチングする工程を示す。

【００９３】図１２（ｆ）は、上記ホトレジストマスク
５２および５３を除去し、二酸化シリコン膜３０をマス
クとして、シリコンウェハ５１の（１１０）面を、二酸
化シリコン層２６に至るまで異方性エッチングして穴５
１ａを形成する工程を示す。

【００９４】なお、図１２（ｆ１）に示したように、上
記シリコンウェハ５１の（１１０）面を、二酸化シリコ
ン層２６の表面に若干残して、二酸化シリコン層２６お
よびシリコンウェハ５１からなる膜で突起支持部４３を
形成することができる。この場合、シリコンウェハ５１
の厚さによって、突起支持部４３の強さおよび可撓性を
調節するようにしてもよい。その後の工程は、図１２
（ｆ）に引き続いた工程と同様であるため、説明を省略
する。

【００９５】上記した手法は、図１２に示した基板構成
に限定されることなく、以下に述べるシリコンウェハ５
１の（１１０）面あるいは、シリコンウェハ２８の（１
００）面を、二酸化シリコン層２６の方向へ異方性エッ
チングすることにより、任意の厚さのシリコンウェハお
よび二酸化シリコン層２６からなる膜を形成する工程に
おいて有効である。

【００９６】図１３（ｇ）は、上記突起部３５の表面の
二酸化シリコン膜３６の表面に導電性被覆３７を形成
し、突起部３５の表面および配線形成用のパターンとな
るように、導電性被覆３７の表面を覆うホトレジストマ
スク３８を形成する工程を示す。導電性被覆３７として
は、例えば、スパッタリング法あるいは蒸着法で、クロ
ムを０．０２μｍ被着した後、金を０．２〜０．５μｍ
被着した膜を形成するか、または、スパッタリング法あ
るいは蒸着法で、チタンを０．０２μｍ被着した後、金
を０．２〜０．５μｍ被着した膜を形成すればよい。

【００９７】図１３（ｈ）は、上記導電性被覆３７を上
記ホトレジストマスク３８でエッチングして、突起部３
５の導電膜３９および配線４０を形成する工程を示す。
なお、図１３（ｈ１）および（ｈ２）は（ｈ）を下方か
ら見た平面図である。ここで、図（ｈ１）は、シリコン
ウェハ５１を、突起部３５を形成した二酸化シリコン層
２６に至るまで異方性エッチングした部分の一部に、導
電膜３９を形成した例である。（ｈ２）は、該異方性エ
ッチングした部分の全部を覆おうように導電膜３９を形
成した例である。

【００９８】また、この例では、シリコンウェハ５１に
設けられた穴５１ａの開口部全周で二酸化シリコン膜２
６が支持され、穴５１ａの開口が、二酸化シリコン膜２
６で塞がれる。このため、この例は、突起支持部４３に
ついて、片持ち梁構造の場合と比べて、可撓性が小さい
が、逆に、剛性が大きくなるという特徴がある。

【００９９】なお、この工程後に、接触端子先端部の四
角錐形状を有した導電膜３９の表面に、金あるいはロジ
ウム等を０．２〜２μｍ程度めっきすることにより、電
気的な接触特性を安定にすることができる。

【０１００】図１４（ｉ）および（ｊ）は、上記の突起
部３５を表面に有した二酸化シリコン膜２６を形成した
上記シリコンウェハ５１および二酸化シリコン３０から
なる基板の二酸化シリコン膜３０の表面と支持部材４５
との間に緩衝層４６を挟みこんで、一体化する工程を示
す。図１４（ｊ）の実施例では、緩衝層４６は、シリコ
ンウェハ５１に設けられる穴５１ａにも充填される。緩
衝層４６としては、例えば、厚さが０．２〜３ｍｍで、
硬さ（ＪＩＳＡ）が１５〜７０程度のシリコンゴムが用
いられる。しかし、緩衝層用の材料は、これに限定され
ない。なお、二酸化シリコン膜３０および支持部材４５
の接着は、シリコンゴム４６自体に接着力があるので、
格別に接着剤を必要としない。なお、接着剤を用いて接
着するようにしてもよい。また、本実施例では、他の実
施例と同様に、支持部材４５として、シリコン基板を用
いる。

【０１０１】図１４（ｋ）は、上記の突起部３５を表面
に有した二酸化シリコン膜２６を形成した上記シリコン
ウェハ５１および二酸化シリコン３０からなる基板の表
面に絶縁膜５４を被着して用いる例である。

【０１０２】また、図１４（ｌ）は、この絶縁膜５４
を、二酸化シリコン膜３０と支持部材４５との間に挟み
こんで、一体化して用いる例である。本実施例では、例
えば、厚さが５〜２０μｍのポリイミドを、絶縁膜５４
として用いている。しかし、絶縁膜は、これに限定され
ない。なお、該絶縁膜５４と支持部材４５の間に緩衝層
を挟み込む構造にしてもよい。

【０１０３】上記のように、エラストマおよびシリコン
基板を付けた構造、あるいは、絶縁膜を付けた構造にす
ることにより、接触端子部分の強度向上と、弾性率の制
御ができる。

【０１０４】次に、図２に示す接続装置を形成するため
の他の製造プロセスについて、図１５を参照して説明す
る。なお、図１２−１４に示すプロセスと同じ工程につ
いては、説明を省略する。

【０１０５】図１５（ａ）は、二酸化シリコン膜３３を
マスクとして、シリコンウェハ２７の（１００）面を、
異方性エッチングして先端が概ね尖った形状の突起部３
４を形成する工程を示す。基板として、厚さ１〜１０μ
ｍの二酸化シリコン２６を、シリコン単結晶からなるシ
リコンウェハ２７および５１の間に挟みこんだ構造のＳ
ＯＩ基板を用いて、前記の図１２（ａ）−（ｃ）までの
工程と同様な工程により、異方性エッチングを行う。

【０１０６】図１５（ｂ）は、上記二酸化シリコン膜３
３のマスクが、まだ突起部３４に付着して残っている状
態で、シリコンウェハ２７の異方性エッチングを中止
し、上記二酸化シリコン膜３３をエッチングにより除去
する工程を示す。なお、本エッチングでは、二酸化シリ
コン２６および二酸化シリコン膜３０も同時に部分的あ
るいは全体がエッチングされる。

【０１０７】図１５（ｃ）は、熱酸化により、突起３４
およびシリコン単結晶５１の表面に二酸化シリコン４９
および５０を形成して、突起部３５を形成する工程を示
す。シリコンの酸化は、例えば、ウェット酸素中での熱
酸化により、二酸化シリコン膜を０．５μｍ程度形成す
る。

【０１０８】図１５（ｄ）は、前記の図１２（ｅ）〜図
１３（ｈ）までの工程と同様な工程により、シリコンウ
ェハ５１の（１１０）面をエッチングすることにより、
穴５１ａを形成すると共に、先端が概ね尖った形状の突
起部３５の表面の二酸化シリコン膜４９に、導電膜３９
および配線４０を形成する工程を示す。

【０１０９】なお、この工程後に、接触端子先端部の導
電膜３９の表面に金あるいはロジウム等をめっきするこ
とにより、電気的な接触特性を安定にすることができ
る。

【０１１０】なお、本製造方法は、図１２−１４の製造
方法と比較して、突起３４の先端部に、任意の大きさの
平坦部を形成することができる。この手法は、図１５に
示した基板構成に限定されることなく、二酸化シリコン
膜をマスクにして、シリコン単結晶を異方性エッチング
することにより突起部を形成する工程において、有効で
ある。また、本実施例では、穴５１ａの開口の全体が、
二酸化シリコン膜２６で覆われる構造となる。従って、
上記図１３（ｈ１）または（ｈ２）で示した構造と同じ
特徴を有する。特に、この例では、突起部３５が四角錐
台形状であるので、先端の面積が、四角錐形状のものと
比べて大きい。したがって、突起支持部４３の剛性が大
きいことは、突起の接触圧を上げることに役立つことが
期待できる。

【０１１１】次に、図３に示す接続装置を形成するため
の製造プロセスについて、図１６および図１７を参照し
て説明する。なお、図１２−１４に示すプロセスと同じ
工程については、説明を省略する。

【０１１２】図１６（ａ）は、厚さ０．５〜５μｍの二
酸化シリコン２６をシリコンウェハ２７および２８に挟
みこんだ構造のＳＯＩ基板において、シリコンウェハ２
７の（１００）面およびシリコンウェハ２８の（１０
０）面に熱酸化により二酸化シリコン膜２９および３０
を形成する工程を示す。シリコンウェハ２７および２８
の酸化は、例えば、ウェット酸素中での熱酸化により、
二酸化シリコン膜２９および３０を０．５μｍ程度形成
する。

【０１１３】図１６（ｂ）は、二酸化シリコン膜２６上
に突起３４を形成し、シリコンウェハ２８に穴２８ａを
形成すると共に、突起部３５に導電性被覆を形成する工
程を示す。すなわち、この工程では、図１２（ｂ）〜
（ｄ）までの工程と同様な工程により、二酸化シリコン
膜２６上に、先端が尖った形状の突起３４を形成し、次
に、図１２（ｅ）〜１３（ｈ）までの工程と同様な工程
により、シリコンウェハ２８の（１００）面をエッチン
グすることにより、シリコンウェハ２８に、穴２８ａを
形成する。この穴２８ａの開口部は、二酸化シリコン膜
２６で覆われた状態にある。そして、開口部を覆ってい
る二酸化シリコン膜２６上に形成した突起３４および二
酸化シリコン膜２６上に、導電膜３９および引き出し用
配線４０を形成する工程を示す。

【０１１４】なお、図１６（ｂ１）および（ｂ２）は、
（ｂ）を下方から見た平面図である。ここで、図１６
（ｂ１）は、シリコンウェハ２８を、突起３４を形成し
た二酸化シリコン層２６に至るまで異方性エッチングし
た部分の一部に、導電膜３９を形成した例である。

【０１１５】（ｂ２）は、該異方性エッチングした部分
の全部を覆おうように導電膜３９を形成した例である。

【０１１６】なお、この工程後に、接触端子先端部の四
角錐形状を有した導電膜３９の表面に金あるいはロジウ
ム等を０．２〜２μｍ程度めっきすることにより、電気
的な接触特性を安定にすることができる。

【０１１７】なお、前記の図１４（ｉ）〜（ｌ）までの
工程と同様に、図１７（ｃ）〜（ｆ）に示したように、
緩衝層４６、および、支持部材４５としてシリコン基板
を付けた構造、あるいは、絶縁膜５４を付けた構造にす
ることにより、接触端子部分の強度向上と、弾性率の制
御ができる。

【０１１８】図１８に、図１６（ｂ）の突起部３５を支
持する二酸化シリコン層２６を、片持ち梁の構造にする
ための製法を示す。なお、図１６および図１７に示すプ
ロセスと同じ工程については、説明を省略する。

【０１１９】図１８（ａ）は、突起部３５を形成した二
酸化シリコン層２６を、ホトレジストマスク５５および
５６により、突起部３５の周辺の二酸化シリコン２６
を、上述したように、コ字形状にエッチングすることに
より除去する工程を示す。ホトレジストとしてＯＦＰＲ
８００（東京応化工業）を塗布し、突起部３５の周辺の
二酸化シリコン２６の表面のＯＦＰＲ８００（東京応化
工業）を、コ字形状に露光し、ＮＭＤ３（東京応化工
業）により現像することによりホトレジストマスク５５
を形成する。次に、ホトレジストマスク５５に覆われな
い、すなわち、露出した二酸化シリコン膜２６を、フッ
化水素酸とフッ化アンモニウム液の１：７混液に浸漬し
てエッチングする。

【０１２０】図１８（ｂ）は、ホトレジストマスク５５
および５６を除去し、突起部３５を表面に有した二酸化
シリコン膜２６の片持ち梁構造の突起支持部４３を形成
する工程を示したものである。なお、第１図（ｂ１）は
（ｂ）を下方から見た平面図である。ホトレジストマス
ク５５および５６は、Ｓ５０２ａ（東京応化工業）を用
いて除去する。

【０１２１】なお、この例において、接触端子先端部の
四角錐形状を有した導電膜３９の表面に金あるいはロジ
ウム等を０．２〜２μｍ程度めっきすることにより、電
気的な接触特性を安定にすることができる。

【０１２２】図１８（ｃ）は、片持ち梁構造の突起支持
部４３を形成した上記シリコンウェハ２８および二酸化
シリコン２６、３０からなる基板の二酸化シリコン膜３
０の表面とシリコン基板４５との間に緩衝層４６を挟み
こんで、一体化する工程を示す。

【０１２３】次に、図４に示す接続装置を形成するため
の製造プロセスについて、図１９を参照して説明する。

【０１２４】図１９は、基材となるシリコンウェハに異
方性エッチングにより四角錐の穴を形成し、このシリコ
ンウェハを型として用いて、四角錐の接触端子先端部を
薄膜で形成するための製造プロセスを工程順に示したも
のである。

【０１２５】図１９（ａ）は、厚さ０．５〜５μｍ程度
の二酸化シリコン２６をシリコンウェハ２７および２８
に挟みこんだ構造のＳＯＩ基板において、シリコンウェ
ハ２７および２８の（１００）面に、熱酸化により二酸
化シリコン膜２９および３０を形成する工程を示す。シ
リコンウェハ２７および２８の酸化は、例えば、ウェッ
ト酸素中での熱酸化により、二酸化シリコン膜２９およ
び３０を０．５μｍ程度形成する。

【０１２６】図１９（ｂ）は、上記二酸化シリコン膜２
９および３０の表面にホトレジストマスク３１および３
２を形成し、二酸化シリコン膜３０をエッチングする工
程を示す。

【０１２７】図１９（ｃ）は、上記ホトレジストマスク
３１および３２を除去し、二酸化シリコン膜３０をマス
クとして、シリコンウェハ２８の（１００）面を、二酸
化シリコン層２６に至るまで異方性エッチングして穴２
８ａを形成した後、シリコンウェハ２８の表面に熱酸化
により、二酸化シリコン膜５７を形成する工程を示す。
シリコンの酸化は、例えば、ウェット酸素中での熱酸化
により、二酸化シリコン膜５７を０．５μｍ程度形成す
る。

【０１２８】図１９（ｄ）は、上記二酸化シリコン膜５
７の表面にホトレジストマスク５８を形成し、二酸化シ
リコン膜２６をエッチングして、開口２６ｂを形成する
工程を示す。

【０１２９】図１９（ｅ）は、上記ホトレジストマスク
５８を除去し、二酸化シリコン膜２６をマスクとして、
開口２６ｂからシリコンウェハ２７の（１００）面を異
方性エッチングして、四角錐の形状のエッチング穴５９
を形成する工程を示す。

【０１３０】図１９（ｆ）は、導電性被覆３７を形成す
る工程を示す。すなわち、この工程では、まず、前記エ
ッチング穴５９および二酸化シリコン膜２６、５７およ
び３０の表面に、導電性被覆３７を形成する。この後、
上記エッチング穴５９の表面を覆うと共に、配線形成用
のパターンとなるように、該導電性被覆３７の表面にホ
トレジストマスク６０を形成して、該ホトレジストマス
ク６０から露出している該導電性被覆３７をエッチング
する。導電性被覆３７は、例えば、スパッタリング法あ
るいは蒸着法で、金を０．２〜０．５μｍ被着して形成
される。また、導電性被覆３７は、金膜上に、ニッケル
を１〜２μｍ程度、スパッタリング法あるいは蒸着法で
成膜し、その表面に、ニッケル、銅または両者を、２〜
４０μｍ程度めっきするようにしてもよい。

【０１３１】なお、導電性被覆３７として、金、ロジウ
ムなどの貴金属を、０．１〜０．５μｍ程度、スパッタ
リング法あるいは蒸着法で被着した膜に、ニッケルを１
〜２μｍ程度、スパッタリング法あるいは蒸着法で被着
した膜を用いてもよい。

【０１３２】図２０（ｇ）は、上記の導電性被覆３７の
表面に被着したホトレジストマスク６０および二酸化シ
リコン膜３０の表面と、支持部材４５であるシリコン基
板との間に、緩衝層４６を充填して、一体化する工程を
示す。緩衝層４６としては、例えば、シリコンゴムを使
用する。また、ポリイミドを塗布して、加熱硬化して形
成したものを用いることができる。また、熱硬化したポ
リイミドの下面に熱硬化前のポリイミドを塗布した二層
のポリイミド膜を、上記導電性被覆３７の表面に接着し
て、加熱硬化して形成したものを用いることができる。

【０１３３】図２０（ｈ）は、二酸化シリコン膜３１お
よびシリコンウェハ２７を、それぞれエッチングして除
去して、突起部３５を形成する工程を示す。この例は、
突起部３５をシリコンの単結晶の突起３４で構成される
上記した例と異なり、突起部３５は、シリコン単結晶で
は構成されていない。

【０１３４】なお、この例において、接触端子先端部の
四角錐形状を有した導電性被覆３７の表面に金あるいは
ロジウム等を０．２〜２μｍ程度めっきすることによ
り、電気的な接触特性を安定にすることができる。

【０１３５】次に、図４に示す接続装置を形成するため
の他の製造プロセスについて、図２１を参照して説明す
る。なお、図１９および図２０に示すプロセスと同じ工
程については、説明を省略する。

【０１３６】図２１（ａ）は、厚さ０．５〜５μｍ程度
の二酸化シリコン２６をシリコンウェハ２７および２８
に挟みこんだ構造のＳＯＩ基板において、前記の図１９
（ｅ）までの工程と同様な工程により、二酸化シリコン
膜２６をマスクとして、シリコンウェハ２７の（１０
０）面を異方性エッチングして、四角錐の形状のエッチ
ング穴５９を形成した後、該シリコンウェハ２７のエッ
チング穴５９の表面に、二酸化シリコン膜６１を形成す
る工程を示す。

【０１３７】図２１（ｂ）は、導電性被覆３７を形成す
る工程を示す。まず、二酸化シリコン膜６１、２６、５
７および３０の表面に、下地膜３７ａおよび導電性被覆
３７を形成する。

【０１３８】この後、上記エッチング穴５９の二酸化シ
リコン膜６１の表面を覆い、配線形成用のパターンとな
るように、前記導電性被覆３７の表面を覆うホトレジス
トマスク６２を形成して、該ホトレジストマスク６２か
ら露出している該導電性被覆３７および該下地膜３７ａ
をエッチングする。下地膜３７ａは、例えば、スパッタ
リング法あるいは蒸着法で、クロムを０．０２μｍ被着
して形成する。導電性被覆３７は、例えば、スパッタリ
ング法あるいは蒸着法で、下地膜３７ａ上に、金を０．
２〜０．５μｍ被着して形成される。

【０１３９】また、下地膜３７ａは、クロムに代えて、
チタンを、スパッタリング法あるいは蒸着法で、０．０
２μｍ被着してもよい。さらに、導電性被覆３７は、金
膜上に、ニッケルを１〜２μｍ程度、スパッタリング法
あるいは蒸着法で成膜し、その表面に、ニッケル、銅ま
たは両者を、２〜４０μｍ程度めっきするようにしても
よい。

【０１４０】なお、導電性被覆３７として、金、ロジウ
ムなどの貴金属を、０．１〜０．５μｍ程度、スパッタ
リング法あるいは蒸着法で被着した膜に、ニッケルを１
〜２μｍ程度、スパッタリング法あるいは蒸着法で被着
した膜を用いてもよい。

【０１４１】図２１（ｃ）は、上記の導電性被覆３７の
表面に被着したホトレジストマスク６２および二酸化シ
リコン膜３０の表面と、支持部材４５であるシリコン基
板との間に、緩衝層４６を充填して一体化する工程を示
す。緩衝層４６としては、例えば、シリコンゴムを使用
する。また、ポリイミドを塗布して、加熱硬化して形成
したものを用いることができる。また、熱硬化したポリ
イミドの下面に熱硬化前のポリイミドを塗布した二層の
ポリイミド膜を、上記導電性被覆３７の表面に接着し
て、加熱硬化して形成したものを用いることができる。

【０１４２】図２１（ｄ）は、突起部３５を形成する工
程を示す。すなわち、まず、二酸化シリコン膜３１およ
びシリコンウェハ２７を、それぞれエッチングして除去
する。この後、突起部３５を覆っている二酸化シリコン
６１をエッチングして除去した後、下地膜３７ａをエッ
チングして除去する。

【０１４３】なお、この例において、接触端子先端部の
四角錐形状を有した導電性被覆３７の表面に金あるいは
ロジウム等を０．２〜２μｍ程度めっきすることによ
り、電気的な接触特性を安定にすることができる。

【０１４４】図２２に、図２０（ｈ）の突起部３５を形
成した二酸化シリコン層２６を、片持ち梁の構造にする
製法を示す。なお、図１９および図２０に示すプロセス
と同じ工程については、説明を省略する。

【０１４５】図２２（ａ）は、前記の図１９（ａ）〜
（ｃ）までの工程と同様な工程により、二酸化シリコン
層５７を形成した後、ホトレジストマスク６３を形成
し、二酸化シリコン層２６を、該ホトレジストマスク６
３により、突起部を形成する位置６４の二酸化シリコン
膜２６、および該突起部の周辺の二酸化シリコン層２６
をコ字形状６５にエッチングにより除去する工程を示
す。ホトレジストとしてＯＦＰＲ８００（東京応化工
業）を塗布し、突起部形成位置６４の二酸化シリコン膜
２６を正方形に、また、該突起部形成位置の周辺の二酸
化シリコン膜２６の表面のＯＦＰＲ８００（東京応化工
業）を、コ字形状に露光し、ＮＭＤ３（東京応化工業）
により現像することによりホトレジストマスク６３を形
成する。次に、ホトレジストマスク６３から露出した二
酸化シリコン膜２６を、フッ化水素酸とフッ化アンモニ
ウム液の１：７混液に浸漬してエッチングする。

【０１４６】図２２（ｂ）は、ホトレジストマスク６３
を除去し、二酸化シリコン膜２６をマスクとして、シリ
コンウェハ２７の（１００）面を異方性エッチングし
て、四角錐のエッチング穴５９を形成すると同時に、シ
リコンウェハ２７をコ字形状６６にエッチングし、該シ
リコンウェハ２７のエッチング面および二酸化シリコン
膜２６、５７および３０の表面に、導電性被覆３７を形
成する工程を示したものである。導電性被覆３７は、図
１９（ｆ）と同様な材料で形成すればよい。なお、該シ
リコンウェハ２７のエッチング面は、図２１（ａ）と同
様に熱酸化により、二酸化シリコン膜６１を形成して、
下地膜３７ａおよび導電性被覆３７を形成してもよい。

【０１４７】図２２（ｃ）は、上記の四角錐のエッチン
グ穴５９の表面を覆い、コ字形状のエッチング面６６の
導電性被覆３７を被覆せず、配線形成用のパターンを形
成するように、導電性被覆３７の表面を覆うホトレジス
トマスク６７を形成した後、該導電性被覆３７を除去す
る工程を示す。

【０１４８】図２２（ｄ）は、上記の導電性被覆３７の
表面に被着したホトレジストマスク６７および二酸化シ
リコン膜３０の表面と、支持部材４５であるシリコン基
板との間に、緩衝層４６を挟みこんで一体化した後、二
酸化シリコン膜２９およびシリコンウェハ２７を除去す
る工程を示す。なお、図２２（ｄ１）は、（ｄ）を下方
から見た平面図である。

【０１４９】図２３に、本発明の接続装置の第５実施例
の製造工程の一部を示す。本実施例は、基本的には、図
１８に示した実施例と同様のプロセスで製造することが
できる。異なる点は、図１８の例では、突起支持部４３
を片持ち梁構造に形成しているが、本実施例では、突起
支持部４３を、ブリッジ構造、すなわち、両持ち構造に
形成する点にある。従って、プロセスにおいて相違する
点は、突起支持部４３の回りの二酸化シリコン膜２６
を、コ字形状にエッチングするか、２本並行する溝状に
エッチングするかのマスクパターンの相違である。従っ
て、製造プロセスの詳細は、図１８の例を含めて、既に
述べられているので、ここでは、説明を省略する。

【０１５０】なお、この例は、片持ち梁構造の場合よ
り、可撓性は小さいが、剛性は、片持ち梁構造のものよ
り大きい。従って、本実施例は、片持ち梁構造のもの
と、穴２８ａ（または５１ａ）の開口部全体を塞ぐ構造
のものとの中間的な性質を有する。

【０１５１】なお、図１ないし図２３に示した実施例
は、図２４（ａ）および（ｂ）に示すような二酸化シリ
コン膜の正方形のマスク６８を用いて、シリコン単結晶
の（１００）面を異方性エッチングして、四角錐の接触
先端部を有する接触端子を形成する例である。この場
合、接触端子の先端部を形成するための二酸化シリコン
膜の正方形のマスクは、シリコンウェハ２７の（１０
０）面において、図２４（ａ）に示すように、一辺が
〈１１０〉方向と４５度の角をなす方位に配置するか、
あるいは、図２４（ｂ）に示すように、一辺が〈１１
０〉方向と平行の方位に配置するのが望ましい。

【０１５２】なお、これまで述べた例では、接触端子を
形成するための基材として、シリコンウェハを用いてい
る。しかし、本発明は、これに限定されない。異方性エ
ッチングによって、先端が尖った形状の穴が形成できる
結晶であれば、他の結晶を用いてもよい。

【０１５３】また、突起を形成する第２の基材、例え
ば、シリコンウェハ２７については、異方性エッチング
が必要である。しかし、突起の形成に直接用いられない
第１の基材、例えば、シリコンウェハ２８または５１
は、必ずしも異方性エッチングである必要はない。通常
のエッチングであってもよい。従って、第１の基材であ
るシリコンウェハ２８および５１は、単結晶でなくても
よい。例えば、多結晶シリコン、アモルファスシリコン
であってもよい。

【０１５４】さらに、上記説明では、基材を便宜状シリ
コンウェハとしたが、ウェハとして製作されたものに限
定する趣旨ではない。上記したプロセスで、突起部が形
成できるものであればよい。

【０１５５】また、上記各例では、接触端子として設け
られたものは、全て配線が接続され、有効に使用できる
ものである。しかし、配線が接続されない、単なる突起
としてのみ機能するダミー接触端子を設けることができ
る。すなわち、接触端子の高さと同じか、または、適宜
に設定した高さで、ダミーの接触端子を、必要に応じて
適度に配置することができる。これにより、接触端子の
高さばらつき、または、被接触対象への押し付け圧力の
調整が容易になり、接触特性および信頼性を向上するこ
とができる。

【０１５６】上記した実施例において、片持ち梁状の突
起支持部４３は、長方形状の例を示したが、これに限ら
れない。例えば、台形状、平行四辺形状とすることがで
きる。

【０１５７】また、上記各実施例では、突起部３５ごと
に穴２８ａまたは穴５１ａを設けている例を示したが、
本発明は、これに限られない。すなわち、複数の突起部
３５ごとに、１の穴２８ａまたは穴５１ａを設ける構成
としてもよい。すなわち、一つの突起支持部で複数の突
起部３５を支持する構造とすることができる。この場
合、一つの突起部ごとに独立して引き出し用配線４０を
設けて、接触端子４２を突起部３５ごとに形成すること
ができる。次に、それらの例について説明する。なお、
一つの突起支持部において支持される複数の突起部につ
いて、１または２以上の共通の電極を設ける構成として
もよい。

【０１５８】図３５（ａ）−（ｄ）に示す例は、それぞ
れ、第１の基材としてシリコンウェハ５１を用い、第２
の基材としてシリコンウェハ２７を用いた実施例であ
る。

【０１５９】これらの例は、いずれも、図１２（ａ）−
（ｄ）に示す工程と同様にして、突起部３５を形成す
る。そして、図１２（ｅ）および（ｆ）に示す工程と同
様に、穴５１ａを異方性エッチングによりあける。ただ
し、この例では、複数個の突起部３５がその開口面に位
置する大きさで、穴５１ａを設ける。そのため、マスク
をその大きさで開口させる。

【０１６０】また、この穴５１ａは、二酸化シリコン膜
２６に達するまで行われる。なお、図１２（ｆ１）のよ
うに、シリコンウェハ５１の一部を残すようにしてもよ
い。

【０１６１】ついで、図１３（ｇ）および（ｈ）に示す
ように、突起部３５を覆う導電膜３９と、引出し用配線
４０とを設ける。さらに、図１４（ｉ）−（ｌ）に示し
た例と同じように、支持部材４５であるシリコン基板に
固定する。これについては、穴５１ａの大きさを除いて
は、図１４（ｉ）−（ｌ）と同じであるので、説明を省
略する。

【０１６２】図３６（ａ）−（ｄ）に示す例は、それぞ
れ、第１の基材としてシリコンウェハ２８を用い、第２
の基材としてシリコンウェハ２７を用いた実施例であ
る。

【０１６３】これらの例は、いずれも、図１６（ａ）お
よび（ｂ）に示す工程と同様にして、突起部３５を形成
する。そして、図１２（ｅ）および（ｆ）に示す工程と
同様に、穴２８ａを異方性エッチングによりあける。た
だし、この例では、複数個の突起部３５がその開口面に
位置する大きさで、穴２８ａを設ける。そのため、マス
クをその大きさで開口させる。また、この穴２８ａは、
二酸化シリコン膜２６に達するまで行われる。なお、図
１２（ｆ１）のように、シリコンウェハ２８の一部を残
すようにしてもよい。

【０１６４】ついで、図１３（ｇ）および（ｈ）に示す
ように、突起部３５を覆う導電膜３９と、引出し用配線
４０とを設ける。さらに、図１７（ｃ）−（ｆ）に示し
た例と同じように、支持部材４５であるシリコン基板に
固定する。これについては、穴２８ａの大きさを除いて
は、図１７（ｃ）−（ｆ）と同じであるので、説明を省
略する。

【０１６５】次に、突起部３５を、第１の基材の面に沿
って、どのように配列するかに関するいくつかの例を示
す。図３７（ａ）に示す例は、測定対象のチップごと
に、接触端子の突起部３５の配列を対応させたものであ
る。すなわち、測定対象のチップ対応に、シリコンウェ
ハ２８上に想定されたブロック２０１ごとに、複数の突
起部３５を配列したものである。図３７（ｂ）に示す例
は、測定対象のチップ複数個（本実施例では２個の例を
示している）ごとに、シリコンウェハ２８上に想定され
たブロック２０１ごとに、複数個の突起部３５を配列し
たものである。また、図３７（ｃ）に示す例は、シリコ
ンウェハ２８上に列状のブロックを想定し、このブロッ
クごとに、複数個の突起部を配列したものである。

【０１６６】上記各実施例では、接触端子４２の先端部
の形状が、四角錐あるいは、四角錐台の場合について説
明したが、もちろん他の形状の突起部を形成してもよ
い。

【０１６７】例えば、八角錐の接触端子先端部の形状を
形成する例として、上記各実施例の中で、代表して２例
を図３８および図３９に示す。

【０１６８】図３８（ｉ）は、二酸化シリコン膜２６で
構成され、導電膜３９を設けた八角錐の突起部３５を、
その表面で支持する片持ち梁状の突起支持部４３を形成
した工程後の断面を示したものである。なお、図３８
（ｉ１）は（ｉ）を下方から見た平面図、図３８（ｉ
２）は（ｉ）を下方から見た斜視図である。ここでは、
正方形の二酸化シリコン膜をマスクとして、シリコン単
結晶２８の（１００）面を、例えば、水酸化カリウムと
イソプロパノールと水とを含むエッチング液に浸漬する
ことにより、シリコン単結晶２８を異方性エッチングし
て、八角錐状の突起部３５を形成して、図５および図６
で説明した工程と同様な工程で接触端子部を形成する。
ただし、エッチングの条件、すなわち、エッチング液の
成分比、液温、および、エッチング速度は、それらとは
異なる管理がなされる。

【０１６９】図３９（ｈ）は、二酸化シリコン膜２６で
構成され、導電膜３９を設けた八角錐の突起部３５を、
該二酸化シリコン膜２６の表面に形成して接触端子４２
を形成した工程後の断面を示したものである。なお、図
３９（ｈ１）は（ｈ）を下方から見た平面図、図３９
（ｈ２）は（ｈ）を下方から見た斜視図である。ここで
は、正方形の二酸化シリコン膜をマスクとして、シリコ
ン単結晶２８の（１００）面を、水酸化カリウムとイソ
プロパノールと水とを含むエッチング液に浸漬すること
により、シリコン単結晶２８を異方性エッチングして、
八角錐状の突起部３５を形成して、図１２および図１３
で説明した工程と同様な工程で接触端子部を形成する。

【０１７０】次に、上記の各実施例で述べられた接触装
置の具体的な使用例について説明する。使用例として
は、例えば、半導体の検査装置が挙げられる。また、Ｔ
ＦＴ型液晶ディスプレイの検査装置にも適用できる。

【０１７１】図２５は、本発明の接続装置を用いた一実
施例である検査装置の要部を示す説明図である。

【０１７２】本実施例において、検査装置は、半導体装
置の製造におけるウェハプローバとして構成されてい
る。この検査装置は、被検査物を支持する試料支持系１
２０と、被検査物に接触して電気信号の授受を行なうプ
ローブ系１００と、試料支持系１２０の動作を制御する
駆動制御系１５０と、測定を行なうテスタ１７０とで構
成される。なお、被検査物としては、半導体ウェハ１を
対象としている。この半導体ウェハ１の表面には、外部
接続電極としての複数の電極１ａが形成されている。

【０１７３】試料支持系１２０は、半導体ウェハ１が着
脱自在に載置される、ほぼ水平に設けられた試料台１２
２と、この試料台１２２を支持する、垂直に配置される
昇降軸１２４と、この昇降軸１２４を昇降駆動する昇降
駆動部１２５と、この昇降駆動部１２５を支持するＸ−
Ｙステージ１２７とで構成される。Ｘ−Ｙステージ１２
７は、筐体１２６の上に固定される。昇降駆動部１２５
は、例えば、ステッピングモータなどからなる。Ｘ−Ｙ
ステージ１２７の水平面内における移動動作と、昇降駆
動部１２５による上下動などを組み合わせることによ
り、試料台１２２の水平および垂直方向における位置決
め動作が行われるものである。また、試料台１２２に
は、図示しない回動機構が設けられており、水平面内に
おける試料台１２２の回動変位が可能にされている。

【０１７４】試料台１２２の上方には、プローブ系１０
０が配置される。すなわち、当該試料台１２２に平行に
対向する姿勢で、接続装置１００ａおよび配線基板７０
が設けられる。この接続装置１００ａには、複数個の接
触端子４２を有する端子配列体２０が、被検査物と対抗
する位置に設けられる。この端子配列体２０は、上述し
た図１で示されるものが用いられる。すなわち、この端
子配列体２０は、シリコンウェハ２８と、これに支持さ
れる接触端子４２群と、緩衝層４６および支持部材４５
が一体的に設けられて構成される。各々の接触端子４２
は、該接続装置１００ａの延長配線シート７１に設けら
れた引き出し用延長配線７２を介して、配線基板７０の
下部電極７３および内部配線７０ａとを通して、該配線
基板７０に設けられた接続端子７０ｂに接続されてい
る。なお、本実施例では、接続端子７０ｂは、同軸コネ
クタで構成される。この接続端子７０ｂに接続されるケ
ーブル１７１を介して、テスタ１７０と接続される。

【０１７５】なお、ここで用いられる接続装置は、図１
に示した構造のものに限られない。例えば、図２、図
３、図４等に示す構造のものを用いることができる。

【０１７６】駆動制御系１５０は、ケーブル１７２を介
してテスタ１７０と接続されている。また、駆動制御系
１５０は、試料支持系１２０の各駆動部のアクチュエー
タに制御信号を送って、その動作を制御する。すなわ
ち、駆動制御系１５０は、内部にコンピュータを備え、
ケーブル１７２を介して伝達されるテスタ１７０のテス
ト動作の進行情報に合わせて、試料支持系１２０の動作
を制御する。また、駆動制御系１５０は、操作部１５１
を備え、駆動制御に関する各種指示の入力の受付、例え
ば、手動操作の指示を受け付ける。

【０１７７】以下、本実施例の検査装置の動作について
説明する。試料台１２２の上に、半導体ウェハ１を固定
し、Ｘ−Ｙステージ１２７および回動機構を用いて、該
半導体ウェハ１に形成された電極１ａを、接続装置１０
０ａに形成された接触端子４２の直下に位置決めするた
め、調整する。その後、駆動制御系１５０は、昇降駆動
部１２５を作動させ、試料台１２２を所定の高さまで上
昇させることによって、複数の接触端子４２の各々の先
端を目的の半導体素子における複数の電極１ａの各々に
所定圧で接触させる。ここまでは、操作部１５１からの
操作指示に従って、駆動制御系１５０により実行され
る。なお、これらの位置決め等の調整を自動的に行なう
ようにしてもよい。例えば、半導体ウェハ１に基準位置
のマークを予め付しておき、これを読み取り装置で読み
取って、座標の原点を設定するようにして、行なうこと
ができる。この場合、電極の位置は、予め設計データを
受け取ることにより、駆動制御系１５０において既知と
なる。

【０１７８】この状態で、ケーブル１７１、配線基板７
０、延長配線シート７１、および接触端子４２を介し
て、半導体ウェハ１に形成された半導体素子とテスタ１
７０との間で、動作電力や動作試験信号などの授受を行
い、当該半導体素子の動作特性の可否などを判別する。
上記の一連の試験動作が、半導体ウェハ１に形成された
複数の半導体素子の各々について実施され、動作特性の
可否などが判別される。

【０１７９】次に、本発明の接続装置を用いた一実施例
である半導体素子のバーンイン工程での検査装置の一例
について説明する。

【０１８０】図２６は、本発明の接続装置を用いた一実
施例である半導体素子のバーンイン工程での検査装置の
要部を示す斜視図、図２７は、バーンイン用の半導体素
子検査装置の断面図である。

【０１８１】本実施例は、ウェハ状態の半導体素子に電
気および温度ストレスを高温状態で加え、半導体素子の
特性検査を実施するウェハプローバとして構成されてい
る。

【０１８２】また、本実施例は、一度に複数枚のウェハ
１を恒温槽（図示せず）に入れた状態で、特性検査が行
なえるようになっている。

【０１８３】すなわち、本実施例は、図２７に示すよう
に、恒温槽（図示せず）に置かれる支持具１９０に垂直
に取り付けられるマザーボード１８１と、これに垂直
に、すなわち、前記支持具１９０に並行にマザーボード
１８１に取り付けられる、複数の個別プローブ系１８０
とで構成される。

【０１８４】マザーボード１８１は、各個別プローブ系
１８０ごとに設けられるコネクタ１８３と、マザーボー
ド１８１を介して前記コネクタ１８３と通じているケー
ブル１８２とを有する。ケーブル１８２は、本実施例で
は図示していないが、前記図２５に示すテスタ１７０と
同様なテスタに接続される。

【０１８５】個別プローブ系１８０は、被検査物ごとに
設けられる。この個別プローブ系１８０は、上記した接
続装置１００ａと、この接続装置が固定される配線基板
７０と、被検査物である半導体ウェハ１を支持するウェ
ハ支持基板１８５と、このウェハ支持基板１８５が載置
され、個別プローブ系自体をマーザーボード１８１に取
り付けるための支持ボード１８４と、前記接続装置１０
０ａを半導体ウェハ１に当接させるための押さえ基板１
８６とを有する。

【０１８６】ウェハ支持基板１８５より上方にある各部
は、図２６に示す構造となっている。すなわち、ウェハ
支持基板１８５は、例えば、金属板で形成され、半導体
ウェハ１を着脱自在に収容するための凹部１８５ａと、
位置決めのためのノックピン１８７を有する。

【０１８７】接続装置１００ａは、上述したように、接
触端子４２群が設けられている端子配列体２０と、緩衝
層４６および支持部材４５と、延長配線シート７１とで
構成される。この接続装置１００ａは、配線基板７０に
搭載され、各接触端子４２から引出される配線が、配線
７０ｄを介して、コネクタ端子７０ｃに接続される。こ
のコネクタ端子７０ｃは、前記コネクタ１８３と嵌合す
るようになっている。なお、この例は、接続装置１００
ａとして、図１に示すものを用いているが、これに限定
されない。例えば、図２、図３、図４等に示すものを用
いることができる。

【０１８８】この接続装置１００ａの上方には、押さえ
基板１８６が装着される。この押さえ基板１８６は、チ
ャネル状に形成され、そのチャネル１８６ａ内に、配線
基板７０が収容される。また、この押さえ基板１８６の
周縁部には、前記ノックピン１８７と嵌合する穴１８８
が設けられている。

【０１８９】なお、図２７では、複数の個別プローブ系
１８０を、前記支持具１９０に並行にマザーボード１８
１に取り付ける例を示したが、これに限定されない。す
なわち、個別プローブ系１８０ごとに、テスタに直接接
続する構成とすることもできる。

【０１９０】次に、本実施例の測定動作について、説明
する。

【０１９１】ウェハ支持基板１８５の凹部１８５ａに、
半導体ウェハ１を固定し、ノックピン１８７を用いて、
該半導体ウェハ１に形成された各電極を、接続装置１０
０ａに形成された各接触端子４２の直下に位置決めし
て、複数の接触端子４２の各々の先端を、半導体素子に
おける複数の電極のうち、目的の電極の各々に、所定圧
で接触させる。この状態で、ケーブル１８２、マザーボ
ード１８１、コネクタ１８３、配線基板７０、延長配線
用シート７１に設けられた図２６には示していない引き
出し用延長配線７２（図１参照）、および、接触端子４
２を介して、半導体ウェハ１に形成された半導体素子と
テスタとの間で、動作電力や動作試験信号などの授受を
行い、当該半導体素子の動作特性の可否などを判別す
る。上記の一連の操作が、恒温槽（図示せず）内に設置
された支持具１９０に固定されたマザーボード１８１に
固定されたウェハ支持基板１８５に搭載された半導体ウ
ェハ１の各々について実施され、動作特性の可否などが
判別される。

【０１９２】なお、接続装置の接触端子を電極に接触さ
せる場合、上記実施例では、接触端子と電極とを一対一
対応に接続させているが、これに限られない。すなわ
ち、１個の電極について、複数個の接触端子を接触させ
るようにしてもよい。これにより、より確実な接触を確
保できる。

【０１９３】上記各実施例では、引き出し用配線４０お
よび引き出し用延長配線７２を通常の単線での配線とし
て扱ってきたが、本発明は、これに限定されない。接地
層を設けることによって、各引き出し用配線４０および
引き出し用延長配線７２を、マイクロストリップ線路と
する構成としてもよい。これより、ＤＣ検査、高周波
域、例えば、数ＧＨｚ帯までのＡＣ検査等の、半導体素
子の特性検査が可能となる。

【０１９４】上記の特性検査が可能な接続装置１００ａ
を用いることにより、例えば、図２６に示した前記個別
プロ−ブ系１８０、および、図２７に示した半導体素子
検査装置を、前述のバ−ンイン検査に限ることなく、半
導体素子の製造における特性検査用のウェハプロ−バと
して用いることができる。この場合、半導体素子とテス
タ１７０との間の動作電力や動作試験信号などの授受
が、特性検査用とバ−ンイン用とで異なる場合でも、テ
スタからの信号の切り換え、または、マザ−ボ−ドを交
換することにより、前記の個別プロ−ブ系１８０に一旦
ウェハを装着すれば、一連の検査項目が終了するまで、
個別プロ−ブ系１８０に装着したままで検査することが
可能となる。

【０１９５】以上説明した実施例によれば、異方性エッ
チングにより、高さおよび形態のそろった突起を形成で
き、その突起で接触端子を形成できる。また、突起後方
に、穴を形成して、突起支持部の可撓性を大きくして、
検査対象との接触を良好に行える。また、接触端子を、
フォトリソグラフ技術により、高密度かつ高精度に形成
することができる。しかも、多数個の接触端子を、位置
精度よく一括して形成できる。

【０１９６】以上に説明した各実施例は、シリコンウェ
ハを用いているが、本発明は、これに限定されない。結
晶性の他の材料を用いることもできる。

【０１９７】また、上記図１、２、３および４に示す各
実施例では、支持部材４５を介して配線基板に接続装置
を搭載しているが、支持部材を介さずに、緩衝層を介し
て該接続装置を配線基板に固定するようにしてもよい。

【０１９８】上記実施例では、片持ち梁状の接触端子
を、長方形状の突起支持部４３で構成しているが、この
突起支持部の平面形状は、長方形に限られない。例え
ば、台形状とすることもできる。また、Ｕ字状に形成す
ることもできる。

【０１９９】

【発明の効果】本発明によれば、接続装置の接触端子
を、多点、かつ、高密度化でき、しかも、多端子化にお
いて、配線基板の電極パッド部に高密度かつ高精度に先
端部が尖った接続端子を一括形成することができるので
接続装置の組立性を大幅に向上させる効果がある。

【０２００】また、本発明によれば、プローブの長さを
短くできて、高周波数まで対応できる。

【０２０１】さらに、接続端子の高さ方向ばらつきは、
シリコンの（１００）面の異方性エッチングによる（１
１１）面で囲まれた四角錐の形状を形成することによ
り、横方向ばらつきと同様に、ホトレジストマスクパタ
ーンの寸法精度に近いレベルにもっていくことができ
る。また、ＳＯＩ基板を用いることにより、二酸化シリ
コン層が異方性エッチング時のストッパとなるため、異
方性エッチングのプロセス制御が容易である。これによ
り、接続端子の先端部位置精度を大幅に向上させる効果
がある。しかも、薄膜プロセスで形成するので、加工精
度が高く、しかも、微細な組立て作業を要せずに製造で
きる。

【０２０２】また、本発明の構成による緩衝層あるいは
片持ち粱構造の弾性力によって接続端子を対向した電極
に接触させる接続装置においては、接触端子と電極との
あいだの距離のばらつきを吸収して、小さな荷重で、各
接触端子に均等の圧力が加わるようにすることができ
る。それにより、全ピンの接触を確実に行うことができ
る。また、検査対象物に過大な荷重をかけることを防ぐ
ことができる。

【０２０３】また、シリコンおよび二酸化シリコン層に
耐熱性があり、バーンイン試験（〜２００℃）ができ
る。また、ＬＳＩ製造プロセスを接触装置の構成材であ
るシリコン単結晶基板に適用して、接触端子の近傍にコ
ンデンサあるいは抵抗等を形成したり、インピーダンス
整合したりすることによって、高周波特性を改善するこ
とができる。また、接触端子の近傍に、能動素子を形成
して、検査機能を持たせることにより、検査用のテスタ
の負担を少なくすることもできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の接続装置の第１実施例の構成の要部を
示す端面図である。

【図２】本発明の接続装置の第２実施例の構成の要部を
示す端面図である。

【図３】本発明の接続装置の第３実施例の構成の要部を
示す端面図である。

【図４】本発明の接続装置の第４実施例の構成の要部を
示す端面図である。

【図５】図５（ａ）−（ｆ）は、上記第１実施例の接続
装置を形成する製造プロセスの一実施例の工程の前段を
示す端面図。

【図６】図６（ｇ）−（ｉ２）は、上記図５に示す製造
プロセスの工程の後段を示し、図６（ｇ）は端面図、図
６（ｇ１）は接触端子を示す平面図、図６（ｈ）、
（ｉ）は端面図、図６（ｉ１）は接触端子を示す平面
図、図６（ｉ２）は斜視図である。

【図７】本発明の接続装置の第１実施例の構成の詳細な
構造を示す端面図である。

【図８】図８（ａ）−（ｃ）および（ｄ）は、本発明の
接続装置を形成する製造プロセスの他の実施例の工程の
前段を示す端面図、図８（ｃ１）は接触端子の平面図で
ある。

【図９】図９（ｅ）および（ｅ２）は、本発明の接続装
置を形成する製造プロセスの他の実施例の工程の後段を
示す端面図、図９（ｅ１）は接触端子の平面図である。

【図１０】図１０（ａ）−（ｄ）は、本発明に関わる接
続装置を形成する製造プロセスの他の実施例の工程を示
す端面図、図１０（ｄ１）は接続装置の要部斜視図であ
る。

【図１１】図１１（ａ）−（ｄ）は、本発明に関わる接
続装置を形成する製造プロセスの他の実施例を示す端面
図、図１１（ｄ１）は接続装置の要部斜視図である。

【図１２】図１２（ａ）−（ｆ１）は、本発明に関わる
接続装置を形成する製造プロセスの他の実施例の工程の
前段を示す端面図である。

【図１３】図１３（ｇ）および（ｈ）は、本発明に関わ
る接続装置を形成する製造プロセスの他の実施例の工程
の中断を示す端面図、図１３（ｈ１）および（ｈ２）
は、この方法により形成される接触端子の構造の例を示
す平面図である。

【図１４】図１４（ｉ）−（ｌ）は、本発明に関わる接
続装置を形成する製造プロセスの他の実施例の工程の後
段を示す端面図である。

【図１５】図１５（ａ）−（ｄ）は、本発明に関わる接
続装置を形成する製造プロセスの他の実施例を示す端面
図である。

【図１６】図１６（ａ）および（ｂ）は、本発明に関わ
る接続装置を形成する製造プロセスの他の実施例の工程
の前段を示す端面図、図１６（ｂ１）および（ｂ２）
は、この方法により形成される接触端子の平面図であ
る。

【図１７】図１７（ｃ）−（ｆ）は、本発明に関わる接
続装置を形成する製造プロセスの他の実施例の工程の後
段を示す端面図である。

【図１８】図１８（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、本発
明に関わる接続装置を形成する製造プロセスの他の実施
例の工程を示す端面図、図１８（ｂ１）は、この方法に
より形成される接触端子の構成を示す平面図である。

【図１９】図１９（ａ）−（ｆ）は、本発明に関わる接
続装置を形成する製造プロセスの他の実施例の工程の前
段を示す端面図である。

【図２０】図２０（ｇ）−（ｈ）は、本発明に関わる接
続装置を形成する製造プロセスの他の実施例の工程の後
段を示す端面図である。

【図２１】図２１（ａ）−（ｄ）は、本発明に関わる接
続装置を形成する製造プロセスの他の実施例の工程を示
す端面図である。

【図２２】図２２（ａ）−（ｄ）は、本発明に関わる接
続装置を形成する製造プロセスの他の実施例の工程を示
す端面図、図２２（ｄ１）は、この方法によって形成さ
れる接触端子の平面図である。

【図２３】図２３（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、本発
明に関わる接続装置を形成する製造プロセスの他の実施
例の工程を示す端面図、図２３（ｂ１）は、この方法に
よって形成される接触端子の平面図である。

【図２４】図２４（ａ）−（ｂ）は、本発明に関わる接
続装置の接触端子形成用の二酸化シリコンのマスクを形
成する実施例を示す平面図である。

【図２５】本発明の接続装置を搭載した半導体素子検査
装置の駆動部の概要を示す構成図である。

【図２６】本発明の接続装置を搭載したバーンイン用の
半導体素子検査装置の要部を示す斜視図である。

【図２７】バーンイン用の半導体素子検査装置の断面図
である。

【図２８】図２８（Ａ）はウェハの斜視図および図２８
（Ｂ）は半導体素子の斜視図である。

【図２９】従来の検査用プローブの断面図である。

【図３０】従来の検査用プローブの平面図である。

【図３１】はんだボールを電極上に有する半導体素子を
示す斜視図である。

【図３２】はんだ溶融接続をした半導体素子の実装状態
を示す斜視図である。

【図３３】従来のめっきによるバンプを用いた半導体素
子検査装置の要部断面図である。

【図３４】図３３のめっきによるバンプ部分を示す斜視
図である。

【図３５】図３５（ａ）−（ｄ）は、本発明に関わる接
続装置において、複数個の突起部がその開口面に位置す
る大きさで穴が形成されている例を示す端面図である。

【図３６】図３６（ａ）−（ｄ）は、本発明に関わる接
続装置において、複数個の突起部がその開口面に位置す
る大きさで穴が形成されている他の例を示す端面図であ
る。

【図３７】図３７（ａ）−（ｃ）は、本発明に関わる接
続装置において、複数個の突起部をどのように配列する
かの例を示す平面図である。

【図３８】図３８（ｉ）は、上記第１実施例の接続装置
を形成する製造プロセスの工程の後段を示す端面図、図
３８（ｉ１）は接触端子を示す平面図、図３８（ｉ２）
は斜視図である。

【図３９】図３９（ｉ）は、上記第２実施例の接続装置
を形成する製造プロセスの工程の後段を示す端面図、図
３９（ｉ１）は接触端子を示す平面図、図３９（ｉ２）
は斜視図である。

【符号の説明】

１…ウェハ、１ａ…電極、２…半導体素子、３…電極、
４…プローブカード、５…プローブ、６…はんだバン
プ、７…配線基板、８…電極、１０…誘電体膜、１１…
配線、１２…ビア、１３…バンプ、１４…配線基板、１
５…板ばね、２０…端子配列体、２６…二酸化シリコ
ン、２６ａ…穴、２７…シリコンウェハ（第２の基
材）、２８…シリコンウェハ（第１の基材）、２８ａ…
穴、２９、３０…二酸化シリコン膜、３１、３２…ホト
レジストマスク、３３…二酸化シリコン膜、３４…突
起、３５…突起部、３６…二酸化シリコン膜（絶縁
膜）、３７…導電性被覆、３７ａ…下地膜、３８…ホト
レジストマスク、３９…導電膜、３９ａ…クロム膜、３
９ｂ…金膜、４０…引き出し用配線、４１…ホトレジス
トマスク、４２…接触端子、４３…突起支持部、４４…
めっき膜、４５…支持部材（シリコン基板）、４６…緩
衝層、４７…二酸化シリコン、４８…シリコン単結晶、
４９、５０…二酸化シリコン膜、５１…シリコンウェ
ハ、５１ａ…穴、５２、５３…ホトレジストマスク、５
４…絶縁膜、５５、５６…ホトレジストマスク、５７…
二酸化シリコン膜、５８…ホトレジストマスク、５９…
エッチング穴、６０…ホトレジストマスク、６１…二酸
化シリコン膜、６２、６３…ホトレジストマスク、６４
…突起部の形成位置、６５…コ字形状のエッチング位
置、６６…コ字形状のエッチング、６７…ホトレジスト
マスク、６８…正方形のマスク、７０…配線基板、７０
ａ…内部配線、７０ｂ…接続端子、７０ｃ…コネクタ端
子、７０ｄ…配線、７１…延長配線シート、７１ａ…絶
縁フィルム、７２…引き出し用延長配線、７３…電極、
７４…はんだ、７５…接触端子、７６…接続端子、７６
ａ…接触端子、７７…引き出し用配線、７８…絶縁材
料、７９…接続端子、８０…ビア、１００…プローブ
系、１００ａ…接続装置、１２０…試料支持系、１２２
…試料台、１２４…昇降軸、１２５…昇降駆動部、１２
６…筐体、１２７…Ｘ−Ｙステージ、１５０…駆動制御
系、１５１…操作部、１７０…テスタ、１７１，１７２
…ケーブル、１８０…個別プロ−ブ系、１８１…マザ−
ボ−ド、１８２…ケ−ブル、１８３…コネクタ、１８４
…支持ボ−ド、１８５…ウェハ支持基板、１８５ａ…ウ
ェハ支持基板の凹部、１８６…押え基板、１８６ａ…チ
ャンネル、１８７…ノックピン、１８８…ノックピンと
嵌合する穴、１９０…支持具、２０１…ブロック。

フロントページの続き (72)発明者 田勢 隆 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所 中央研究所内 (56)参考文献 特開 平６−18555（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−151623（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−219650（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−147374（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−244749（ＪＰ，Ａ) 実開 平４−63134（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G01R 1/06 - 1/073 G01R 31/28 - 31/3193 H01L 21/64 - 21/66

Claims (9)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】検査対象と電気的に接触して、電気信号を
   授受するための接続装置であって、 検査対象と電気的に接触するための複数個の接触端子
   と、前記接触端子各々から引き出される引き出し用配線
   と、前記接触端子および前記引き出し用配線とを支持す
   るシリコンからなる第１の基材とを備え、 前記接触端子各々は、突起部と当該突起部を支持する突
   起支持部とを備え、 前記突起部は、単結晶のシリコンからなる第２の基材を
   異方性エッチングして形成され、当該突起部の先端側に
   導電性部分を有し、前記導電性部分は、 対応する前記引き出し用配線と接続
   され、 前記第１の基材は、前記突起部後方部分に穴を有し、 前記突起支持部は、絶縁層で形成され、前記穴の縁で両
   端が支持されるブリッジ状に形成された部分を有し、 前記第１の基材と前記第２の基材は、前記絶縁層をシリ
   コン層の間に挟んだ、シリコン―絶縁層―シリコンの構
   造を有するＳＯＩ(Silicon on Insulator)基板を構成す
   るものであること を特徴とする接続装置。
2. 【請求項２】請求項１記載の接続装置であって、 前記突起部後方に形成された穴は、前記突起部ごとに設
   けられていることを特徴とする接続装置 。
3. 【請求項３】請求項１〜２いずれか１項記載の接続装置
   であって、 前記突起部後方に形成された穴は、前記第１の基材を、
   前記第２の基材のある側と反対側から前記絶縁層に達す
   るまでエッチングして形成することを特徴とする接続装
   置 。
4. 【請求項４】請求項１〜２のいずれか１項記載の接続装
   置であって、 前記突起部は角錐であることを特徴とする接続装置 。
5. 【請求項５】請求項１〜２のいずれか１項記載の接続装
   置であって、 前記突起部は角錐台であることを特徴とする接続装置 。
6. 【請求項６】請求項１〜５のいずれか１項記載の接続装
   置であって、 前記引き出し用配線と電気的に接続する配線基板と、緩
   衝層と、支持部材とをさらに有し、 前記配線基板は、前記支持部材を搭載し、 前記支持部材は、前記緩衝層を挟んで前記第１の基材を
   支持することを特徴とする接続装置 。
7. 【請求項７】検査対象と電気的に接続して、電気信号を
   授受するための接続装置の製造方法であって、 絶縁層を挟んで積層されるシリコンからなる第１の基材
   と単結晶シリコンからなる第２の基材とにより構成され
   るＳＯＩ(Silicon on Insulator)基板の、前記第２の基
   材の複数箇所について、それぞれその部分を覆うマスク
   を形成して、当該第２の基材を異方性エッチングする工
   程と、 前記マスクを除去して、当該マスクで覆われていた箇所
   に突起を形成する工程と、 前記突起の先端部に、当該先端部を覆う導電性被覆を形
   成し、かつ、前記導電性被覆と接続される引き出し用配
   線を形成する工程と、 前記突起を支持し、前記絶縁層を用いて構成されるブリ
   ッジ状の突起支持部を形成する工程と、 を有し、 前記ブリッジ状の突起支持部を形成する工程は、 前記第１の基材の前記突起の後方側の部分を、前記第２
   の基材のある面と反対側の面からエッチングして穴を形
   成する工程と、 前記絶縁層に、前記突起を挟んで並行し、前記第１の基
   材の穴と通じる二つの溝状の穴をエッチングにより形成
   する工程とを含むこと を特徴とする接続装置の製造方
   法 。
8. 【請求項８】検査対象と電気的に接続して、電気信号を
   授受するための接続装置の製造方法であって、 絶縁層を挟んで積層されるシリコンからなる第１の基材
   と単結晶シリコンからなる第２の基材とにより構成され
   るＳＯＩ(Silicon on Insulator)基板の、前記第２の基
   材の複数箇所について、それぞれその部分を覆うマスク
   を形成して、当該第２の基材を異方性エッチングする工
   程と、 前記マスクを除去して、当該マスクで覆われていた箇所
   に突起を形成する工程と、 前記突起の先端部に、当該先端部を覆う導電性被覆を形
   成し、かつ、前記導電性被覆と接続される引き出し用配
   線を形成する工程と、 前記突起を支持し、前記絶縁層を用いて構成されるブリ
   ッジ状の突起支持部を形成する工程と、 を有し、 前記ブリッジ状の突起支持部を形成する工程は、 前記絶縁層に、前記突起を挟んで並行し、前記第１の基
   材に達する二つの溝状のマスク穴をあけ、当該マスク穴
   から前記第１の基材をエッチングする工程を含むことを
   特徴とする接続装置の製造方法 。
9. 【請求項９】請求項７〜８いずれか１項記載の接続装置
   の製造方法であって、 前記突起に酸化膜を形成した後、当該突起部の先端部を
   覆う導電性被覆を形成し、かつ、引き出し用配線を形成
   することを特徴とする接続装置の製造方法 。