JP4372785B2 - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents

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Description

【技術分野】
本発明は、半導体集積回路装置の製造技術に関し、特に、狭ピッチで多数個の電極パッドが配置された半導体集積回路の電気的検査に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
たとえば、日本特開平７−２８３２８０号公報、日本特開平８−５０１４６号公報（対応ＰＣＴ国際公開ＷＯ９５−３４０００）、日本特開平８−２０１４２７号公報、日本特開平１１−２３６１５号公報（対応米国特許公報ＵＳＰ６，３０５，２３０）、日本特開２００１−１５９６４３号公報、日本特開平１０−３０８４２３号公報、日本特開平１１−９７４７１号公報（対応欧州公報ＥＰ１０２２７７５）、および日本特開２０００−１５０５９４号公報（対応欧州公報ＥＰ０９９９４５１）には、半導体集積回路装置の製造技術を用いて形成された探針（接触端子）、絶縁フィルムおよび引き出し用配線を有するプローバの構造と、その製造方法と、テストパッドが狭ピッチ化したチップに対してもそのプローバを用いることによってプローブ検査の実施を可能とする技術とが開示されている。
また、日本特開２００２−１６３９００号公報（対応米国特許公開公報ＵＳ２００２−０６１６０６；２００２．５．２３公開）には、ウエハレベルバーンインにより、良品と判断されたチップのみプローブ検査を行うことにより、不良チップについてはプローブ検査を省略できる技術が開示されている。
また、日本特開平５−７４８８８号公報には、チップ外観検査によって不良品と判定されたチップは特性検査の対象とせず、外観検査で良品とされたチップのみ特性検査を行うことにより、不良品と判定されたチップについてはプローブ検査を省略できる技術が開示されている。
また、日本特開平７−９４５５９号公報には、画像処理によってウエハ上の不良マークのついたチップにはプローブ針を接触させずに電気的特性試験を行うことにより、不良チップについてはプローブ検査を省略できる技術が開示されている。
また、日本特開平７−１４２５４７号公報には、ウエハ上の不良チップをチップ外観検査装置によって検出し、さらに救済できなかった不良チップを特定し、それらのチップはテストを省略することにより、全テスト時間を短縮できる技術が開示されている。
また、日本特開平７−１４７３０４号公報（対応米国特許公報ＵＳＰ５，６４４，２４５）には、プローブ針の針痕が許容範囲なら以降のチップに対してプローブ検査を実行し、針痕が許容範囲外ならプローブ検査を実行しないことにより、針跡トラブルによる不良チップの発生を未然に防止することのできる技術が開示されている。
また、日本特開平５−３２３９号公報には、ウエハ加工プロセスによって発生した不良チップが存在するウエハ外周領域のチップをプローブ検査の対象から除外してプローブ検査を実施し、その後ウエハ外周領域のチップにはバンプ電極を形成しないことにより、不要なバンプ電極の形成を省略できる技術が開示されている。
また、日本特開平８−３０６７４８号公報には、まずウエハ上のすべての素子に対してプローブ検査を行い、救済処置を行った後に、救済不可能な素子を除いた他の素子に対して第２プローブ検査を行うことにより、プローブ検査のスループットを向上できる技術が開示されている。
また、日本特開平６−０８９９２９号公報には、ウエハ内のチップごとに電気的に書き込み可能な永久記録手段を組み込み、試験結果で不良と判定された以降の試験は健全なチップのみに対して行う技術が開示されている。
【発明の開示】
半導体集積回路装置の検査技術として、たとえばプローブ検査がある。このプローブ検査は、所定の機能どおりに動作するか否かを確認する機能テストや、ＤＣ動作特性およびＡＣ動作特性のテストを行って良品／不良品を判別するテスト等を含む。
近年、半導体集積回路装置の多機能化が進行し、１個の半導体チップ（以下、単にチップと記す）に複数の回路を作りこむことが進められている。また、半導体集積回路装置の製造コストを低減するために、半導体素子および配線を微細化して、半導体チップ（以下、単にチップと記す）の面積を小さくし、ウエハ１枚当たりの取得チップ数を増加することが進められている。そのため、テストパッド（ボンディングパッド）数が増加するだけでなく、テストパッドの配置が狭ピッチ化し、テストパッドの面積も縮小されてきている。このようなテストパッドの狭ピッチ化に伴って、上記プローブ検査にカンチレバー状の探針を有するプローバを用いようとした場合には、探針をテストパッドの配置位置に合わせて設置することが困難になってしまう課題が存在する。
本発明者らは、半導体集積回路装置の製造技術を用いて形成された探針を有するプローバを用いることにより、テストパッドが狭ピッチ化したチップに対してもプローブ検査が実現できる技術について検討している。その中で、本発明者らは、以下のような課題を見出した。
すなわち、そのプローバは、たとえば半導体集積回路装置の製造技術を用いて金属膜およびポリイミド膜の堆積や、それらのパターニング等を実施することにより形成された薄膜プローブが備えられたプローブカードを有している。その薄膜プローブにおいて、金属膜の一部は探針となっており、半導体集積回路装置の製造技術によって微細にパターニングされていることから、狭ピッチ化したテストパッドへの対応を可能としている。このようなプローブカードを用いた場合において、検査対象のチップの表面に異物が付着していると、探針がテストパッドと接触する際にその異物が薄膜プローブと接し、薄膜プローブを破損してしまう虞がある。また、テストパッドの形状に異常があった場合にも薄膜プローブを破損してしまう虞がある。このように薄膜プローブが破損してしまった場合には、破損に気付かぬままプローブ検査を続けてしまう虞があり、正確な検査結果を得られなくなってしまう課題が存在する。
また、薄膜プローブの破損に気付いた場合には、薄膜プローブの破損に起因して正確な検査結果が得られていないと思われるチップに対しては、プローブカードの交換後に再度プローブ検査を実施する必要が生じ、プローブ検査に要する時間が延びてしまう課題が存在する。
本願に開示された一つの発明の一つの目的は、薄膜プローブを備えたプローブカードを用いて行うプローブ検査時において、薄膜プローブの破損を防ぐ技術を提供することにある。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
本発明による半導体集積回路装置の製造方法は、
（ａ）複数のチップ領域に区画され、前記複数のチップ領域の各々には半導体集積回路が形成され、主面上において前記半導体集積回路と電気的に接続する複数の第１電極が形成された半導体ウエハを用意する工程と、
（ｂ）前記複数のチップ領域の前記主面の外観を検査し、外観異常が検出された第１チップ領域が配置されている第１位置を第１データとして記録する工程と、
（ｃ）第１配線が形成された配線基板と、前記複数の第１電極に接触させるための複数の接触端子および前記複数の接触端子と電気的に接続する第２配線が形成され、前記第２配線が前記第１配線と電気的に接続し前記複数の接触端子の先端が前記複数の第１電極のうちの対応するものと対向して保持された第１シートと、前記第１シートのうち前記複数の接触端子が形成された領域を裏面より押圧する押圧機構とを有する第１カードを用意する工程と、
（ｄ）前記第１データを基に、前記複数のチップ領域毎に前記複数の接触端子の前記先端を前記複数の第１電極に接触させて前記半導体集積回路の電気的検査を行い、前記第１チップ領域に対しては前記複数の接触端子の前記先端を前記複数の第１電極に接触させず、前記半導体集積回路の電気的検査を省略する工程とを含むものである。
また、本願に開示されたその他の概要を項に分けて簡単に説明するとすれば、以下のごとくである。
１．以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法：
（ａ）半導体集積回路製造工程において、ウエハ工程がほぼ完了し、複数のチップ領域の各々にボンディングパッド（一般にワイヤボンディング用のパッドはアルミニウムを主成分とするＡｌパッドであるが、ワイヤボンディング用以外でもよい）上のボンディングパッド開口またはバンプ電極（ここでは主に金を主要な成分とする金バンプについて説明するが、はんだ金バンプ、銀バンプでもよい）が形成されたウエハを準備する工程（一般にボンディングパッド等のプローブ用電極は、各チップ領域に対して、複数または多数個設けられる）；
（ｂ）前記ウエハ上の前記複数のチップ領域の各々において、少なくとも前記ボンディングパッド開口または前記バンプ電極およびその周辺について、外観検査（一般に光学的な方法で行われる）を実行する工程；
（ｃ）前記複数のチップ領域に対して、薄膜プローブを用いてプローブテストを実行する際に、前記外観検査の結果に基づいて、前記複数のチップ領域の内、前記薄膜プローブを用いて前記プローブテストを実行することが不適当な（ここでは、主に薄膜プローブ等に対するダメージの有無で判断する）第１群の一つまたはそれ以上のチップ領域への前記プローブテストを実行せず、前記第１群に属さない第２群のチップ領域に対して、前記薄膜プローブを用いて前記プローブテストを実行する工程（プローブ検査自体はチップ領域一つずつでも複数個同時でも可能である）。
２．第１項記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記（ｃ）工程の前記プローブテスト中、前記第１群のチップ領域に対しては、前記薄膜プローブの突起針をプローブ用電極としての前記ボンディングパッドまたは前記バンプ電極に接触させない（たとえば、バンプのあるウエハプロセスにおける異物または異常パターンの高さの上限はバンプの高さと同等程度と考えられる。したがって、突起針をプローブ用電極に接触させない限り、たとえそのプローブ用電極またはその近傍に異物等があっても致命的なプローブの損傷は発生しないと考えられる。また、損傷は、電気的測定を行うためのオーミックコンタクト達成のための加圧によって発生すると考えられるので、異物等との接触による突起針の軽度の損傷等を無視するならば、外観異常のあるチップ領域のプローブ用電極に、名目的に突起針を接触させるが、加圧はしないのであれば、実質的に薄膜プローブ等への損傷を大幅に抑えることができる）。
３．第１項記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記（ｃ）工程の前記プローブテスト中、前記第１群のチップ領域に対しては、前記薄膜プローブの突起針をプローブ用電極としての前記ボンディングパッドまたは前記バンプ電極に、少なくとも電気的な測定が可能な程度までは接触させない。
４．第１〜第３項のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程の前記外観検査は、前記（ｃ）工程の前記プローブテストの際に、前記ウエハ上の異物または異常パターンが前記薄膜プローブにダメージを与えるか否かを光学的に検査する工程を含む。
５．第１〜第４項のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程の外観検査は、以下の下位工程を含む：
（ｉ）第１の精度で、前記ボンディングパッド開口または前記バンプ電極およびその周辺に対して外観検査を実行する工程；
（ｉｉ）前記第１の精度よりも粗い第２の精度で、前記ボンディングパッド開口または前記バンプ電極およびその周辺以外の部分に対して外観検査を実行する工程。
６．第２〜第５項のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記プローブ用電極は、バンプ電極である。
７．第２〜第５項のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記プローブ用電極は、ボンディングパッドである。
８．第２〜第６項のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記プローブ用電極は、金を主要な成分とするバンプ電極である。
９．第２〜第５項、および第７項のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記プローブ用電極は、アルミニウムを主要な成分とするボンディングパッドである。
１０．第１〜第９項のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記ボンディングパッドまたは前記バンプ電極よりも下層の相互配線層の少なくとも一部は、銅を主成分とする配線材料で構成された埋め込み配線である。
１１．以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法：
（ａ）半導体集積回路製造工程において、ウエハ工程がほぼ完了し、複数のチップ領域の各々にプローブ用電極が形成されたウエハを準備する工程；
（ｂ）前記ウエハ上の前記複数のチップ領域の各々において、少なくとも前記プローブ用電極およびその周辺について、外観検査を実行する工程；
（ｃ）前記複数のチップ領域に対して、薄膜プローブを用いてプローブテストを実行する際に、前記外観検査の結果に基づいて、前記複数のチップ領域の内、前記薄膜プローブを用いて前記プローブテストを実行することが不適当な第１群の一つまたはそれ以上のチップ領域への前記プローブテストを実行せず、且つ、前記薄膜プローブの突起針を前記プローブ用電極に接触させず、一方、前記第１群に属さない第２群のチップ領域に対して、前記薄膜プローブを用いて前記プローブテストを実行する工程。
１２．第１１項に記載された半導体集積回路装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程の前記外観検査は、前記（ｃ）工程の前記プローブテストの際に、前記ウエハ上の異物または異常パターンが前記薄膜プローブにダメージを与えるか否かを光学的に検査する工程を含む。
１３．第１１項または第１２項記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程の外観検査は、以下の下位工程を含む：
（ｉ）第１の精度で、前記プローブ用電極およびその周辺に対して外観検査を実行する工程；
（ｉｉ）前記第１の精度よりも粗い第２の精度で、前記プローブ用電極およびその周辺以外の部分に対して外観検査を実行する工程。
１４．第１１〜第１３項のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記プローブ用電極は、バンプ電極である。
１５．第１１〜第１３項のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記プローブ用電極は、ボンディングパッドである。
１６．第１１〜第１４項のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記プローブ用電極は、金を主要な成分とするバンプ電極である。
１７．第１１〜第１３項、および１５項のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記プローブ用電極は、アルミニウムを主要な成分とするボンディングパッドである。
１８．第１１〜第１７項のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記プローブ用電極よりも下層の相互配線層の少なくとも一部は、銅を主成分とする配線材料で構成された埋め込み配線である。
１９．以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法：
（ａ）半導体集積回路製造工程において、ウエハ工程がほぼ完了し、複数のチップ領域の各々に金を主要な成分とする金バンプ電極が形成されたウエハを準備する工程；
（ｂ）前記ウエハ上の前記複数のチップ領域の各々において、少なくとも前記金バンプ電極およびその周辺について、外観検査を実行する工程；
（ｃ）前記複数のチップ領域に対して、薄膜プローブを用いてプローブテストを実行する際に、前記外観検査の結果に基づいて、前記複数のチップ領域の内、前記薄膜プローブを用いて前記プローブテストを実行することが不適当な第１群の一つまたはそれ以上のチップ領域への前記プローブテストを実行せず、且つ、前記薄膜プローブの突起針を前記金バンプ電極に少なくとも電気的な測定が可能な程度までは接触させず、一方、前記第１群に属さない第２群のチップ領域に対して、前記薄膜プローブを用いて前記プローブテストを実行する工程。
２０．第１９項記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程の外観検査は、以下の下位工程を含む：
（ｉ）第１の精度で、前記金バンプ電極およびその周辺に対して外観検査を実行する工程；
（ｉｉ）前記第１の精度よりも粗い第２の精度で、前記金バンプ電極およびその周辺以外の部分に対して外観検査を実行する工程。
２１．以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法：
（ａ）半導体集積回路製造工程において、ウエハ工程がほぼ完了し、複数のチップ領域の各々にプローブ用電極が形成されたウエハを準備する工程；
（ｂ）前記ウエハ上の前記複数のチップ領域の各々において、少なくとも前記プローブ用電極およびその周辺について、外観検査を実行する工程；
（ｃ）前記複数のチップ領域に対して、微小針高さプローブ（従来のカンチレバー方式では数十μｍの高さを有する異物等がウエハ上にあっても、プローブ針の先とそれを支える針支持部とのウエハ主面と平行な面方向での高度差は数百μｍもしくはそれ以上あり、まったく問題とならなかった。ところが、薄膜プローブに代表される微小針高さプローブでは、一般に針高さが９０μｍ以下であるため、異物の形状、場所、属性によっては、プローブまたは被測定ウエハを損傷する可能性が高い）を用いてプローブテストを実行する際に、前記外観検査の結果に基づいて、前記複数のチップ領域の内、前記微小針高さプローブを用いて前記プローブテストを実行することが不適当な第１群の一つまたはそれ以上のチップ領域への前記プローブテストを実行せず、且つ、前記微小針高さプローブの突起針を前記プローブ用電極に接触させず、一方、前記第１群に属さない第２群のチップ領域に対して、前記微小針高さプローブを用いて前記プローブテストを実行する工程。
２２．第２１項記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記微小針高さプローブの前記突起針の針高さは、９０μｍ以下である。
２３．第２１項に記載された半導体集積回路装置の製造方法において、
前記微小針高さプローブの前記突起針の針高さは、５０μｍ以下である。
２４．前記第２１項に記載された半導体集積回路装置の製造方法において、
前記微小針高さプローブの前記突起針の針高さは、３０μｍ以下である。
２５．前記第２１項に記載された半導体集積回路装置の製造方法において、
前記微小針高さプローブの前記突起針の針高さは、２０μｍ以下である。
更に、本願に開示されたその他の概要を項に分けて簡単に説明するとすれば、以下のごとくである。
１．以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法：
（ａ）複数のチップ領域に区画され、前記複数のチップ領域の各々には半導体集積回路が形成され、主面上において前記半導体集積回路と電気的に接続する複数の第１電極が形成された半導体ウエハを用意する工程；
（ｂ）前記複数のチップ領域の前記主面の外観を検査し、外観異常が検出された第１チップ領域が配置されている第１位置を第１データとして記録する工程；
（ｃ）第１配線が形成された配線基板と、前記複数の第１電極に接触させるための複数の接触端子および前記複数の接触端子と電気的に接続する第２配線が形成され、前記第２配線が前記第１配線と電気的に接続し前記複数の接触端子の先端が前記複数の第１電極のうちの対応するものと対向して保持された第１シートと、前記第１シートのうち前記複数の接触端子が形成された領域を裏面より押圧する押圧機構とを有する第１カードを用意する工程；
（ｄ）前記第１データを基に、前記複数のチップ領域毎に前記複数の接触端子の前記先端を前記複数の第１電極に接触させて前記半導体集積回路の電気的検査を行い、前記第１チップ領域に対しては前記複数の接触端子の前記先端を前記複数の第１電極に接触させず、前記半導体集積回路の電気的検査を省略する工程。
２．項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記第１電極は、突起電極であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
３．項２記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記外観異常は、前記突起電極の断面形状の異常もしくは前記チップ領域前記主面への異物の付着であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
４．項２記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程は、
（ｂ１）前記複数のチップ領域の各々において、前記チップ領域の外周から前記第１電極より第１距離だけ内側の領域を複数の第１領域に分割し、各々の前記第１領域毎に前記外観を検査する工程、
を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
５．項４記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記突起電極は、平面において長辺と短辺を有する矩形であり、
前記第１距離は、平面における前記突起電極の前記短辺より長いことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
６．項４記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記複数の第１領域の各々は、一辺が１０μｍ以下の矩形であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
７．項４記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程は、
（ｂ２）前記複数の前記第１領域以外の領域を前記第１領域より面積の大きい複数の第２領域に分割し、各々の前記第２領域毎に前記外観を検査する工程、
を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
８．項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記第１電極は、前記複数のチップ領域の前記主面に配置された突起電極下に配置され、前記突起電極と電気的に接続するパッド電極であり、
前記（ｄ）工程は、前記突起電極を形成する前に行うことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
９．項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記第１電極は、前記複数のチップ領域の各々において前記半導体ウエハの前記主面に形成された活性領域、および前記主面上に形成された複数層の配線層であり、
前記（ｄ）工程は、前記活性領域および前記複数層の配線層を形成する毎に行うことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
１０．項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記複数の第１電極の各々は、金を主成分とする突起電極であり、平面において長辺と短辺を有する矩形であり、前記長辺は前記チップ領域の外周に向かって延在していることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
１１．項１０記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
隣り合う前記第１電極の間隔は、前記短辺以下の距離であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
１２．項１０記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記複数の第１電極の各々は、前記チップ領域の外周に沿って配列され、
隣り合う前記第１電極の間隔は１５μｍ以下であり、
隣り合う前記第１電極は第２距離毎に配置され、前記第２距離は３４μｍ以下であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
１３．項１０記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記半導体集積回路装置は、ＬＣＤドライバを含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
１４．項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記複数のチップ領域の各々には、前記主面上に複数層の配線層が形成され、
前記複数の第１電極は、前記複数層の配線層のうちの最上層の前記配線層に含まれることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
１５．項１４記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記複数の第１電極の各々は、前記チップ領域の外周に沿って配列され、
隣り合う前記第１電極の間隔は１５μｍ以下であり、
隣り合う前記第１電極は第２距離毎に配置され、前記第２距離は３４μｍ以下であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
図１は本発明の一実施の形態であるプローブカードの下面の要部平面図である。
図２は図１中のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
図３は本発明の一実施の形態であるプローブカードを用いてプローブ検査を行う対象の半導体チップの平面図である。
図４は図３に示した半導体チップに形成されたパッドの斜視図である。
図５は図４に示した半導体チップの液晶パネルへの接続方法を示す要部断面図である。
図６は本発明の一実施の形態であるプローブカードを形成する薄膜シートの要部平面図である。
図７は図６中のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
図８は図６中のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。
図９は本発明の一実施の形態であるプローブカードを形成する薄膜シートの要部を拡大して示す断面図である。
図１０は本発明の一実施の形態であるプローブカードを用いてプローブ検査を行う対象の半導体チップの平面図である。
図１１は本発明の一実施の形態であるプローブカードを形成する薄膜シートの要部平面図である。
図１２は本発明の一実施の形態であるプローブカードを用いてプローブ検査を行う対象の半導体チップに設けられたバンプ電極上にてプローブが接触する位置を示した要部平面図である。
図１３は本発明の一実施の形態であるプローブカードを形成する薄膜シートの要部平面図である。
図１４は本発明の一実施の形態であるプローブカードを形成する薄膜シートの要部平面図である。
図１５は図１４中のＤ−Ｄ線に沿った断面図である。
図１６は図１４中のＥ−Ｅ線に沿った断面図である。
図１７は本発明の一実施の形態であるプローブカードを形成する薄膜シートの製造工程を説明する要部断面図である。
図１８は図１７に続く薄膜シートの製造工程中の要部断面図である。
図１９は図１８に続く薄膜シートの製造工程中の要部断面図である。
図２０は図１９に続く薄膜シートの製造工程中の要部断面図である。
図２１は図２０に続く薄膜シートの製造工程中の要部断面図である。
図２２は図２１に続く薄膜シートの製造工程中の要部断面図である。
図２３は図２２に続く薄膜シートの製造工程中の要部断面図である。
図２４は図２３に続く薄膜シートの製造工程中の要部断面図である。
図２５は図２４に続く薄膜シートの製造工程中の要部断面図である。
図２６は図２５に続く薄膜シートの製造工程中の要部断面図である。
図２７は本発明の一実施の形態であるプローブカードを形成する薄膜シートが有するプローブと半導体チップのパッドとの接触を説明する要部断面図である。
図２８は本発明の一実施の形態であるプローブカードを形成する薄膜シートが有するプローブと半導体チップのパッドとの接触を説明する要部断面図である。
図２９は本発明の一実施の形態であるプローブカードを形成する薄膜シートの要部平面図である。
図３０は図２９中のＦ−Ｆ線に沿った要部断面図である。
図３１は本発明の一実施の形態であるプローブカードを形成する薄膜シートの要部平面図である。
図３２は図３１中のＦ−Ｆ線に沿った要部断面図である。
図３３は本発明の一実施の形態であるプローブカードを形成する薄膜シートの要部平面図である。
図３４は図３３中のＦ−Ｆ線に沿った要部断面図である。
図３５は本発明の一実施の形態であるプローブカードを形成する薄膜シートの要部平面図である。
図３６は図３５中のＦ−Ｆ線に沿った要部断面図である。
図３７は本発明の一実施の形態であるプローブカードを形成する薄膜シートの要部平面図である。
図３８は図３７中のＦ−Ｆ線に沿った要部断面図である。
図３９は本発明の一実施の形態であるプローブ検査工程に用いる各装置の構成について示した説明図である。
図４０は本発明の一実施の形態であるプローブカードを用いてプローブ検査を行う対象の半導体チップの主面内における領域の規定を説明する平面図である。
図４１は本発明の一実施の形態であるプローブカードを用いてプローブ検査を行う対象の半導体チップの主面に設けられたパッドの形状異常を説明する要部断面図である。
図４２は本発明の一実施の形態であるプローブカードを用いてプローブ検査を行う対象の半導体チップの外観検査の結果をまとめたウエハマップデータを示す説明図である。
図４３は本発明の他の実施の形態であるプローブカードを用いてプローブ検査を行う対象の半導体チップの要部断面図である。
図４４は本発明の他の実施の形態であるプローブカードを用いてプローブ検査を行う対象の半導体チップの要部断面図である。
図４５は本発明の他の実施の形態であるプローブカードを用いてプローブ検査を行う対象の半導体チップの外観検査の結果をまとめたウエハマップデータを示す説明図である。
図４６は本発明の他の実施の形態であるプローブカードを用いてプローブ検査を行う対象の半導体チップ領域が形成された半導体ウエハの平面図である。
図４７は本発明の他の実施の形態である半導体集積回路装置の製造工程中の要部断面図である。
図４８は本発明の他の実施の形態である半導体集積回路装置の製造工程中の要部断面図である。
図４９は本発明の他の実施の形態である半導体集積回路装置の製造工程中の要部断面図である。
図５０は本発明の他の実施の形態である半導体集積回路装置の製造工程中の要部断面図である。
図５１は本発明の他の実施の形態である半導体集積回路装置の製造工程中の要部断面図である。
図５２は本発明の他の実施の形態である半導体集積回路装置の製造工程中の要部断面図である。
図５３はカンチレバー方式のプローブカードの要部断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
本願発明を詳細に説明する前に、本願における用語の意味を説明すると次の通りである。
ウエハとは、集積回路の製造に用いる単結晶シリコン基板（一般にほぼ平面円形状）、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板、サファイア基板、ガラス基板、その他の絶縁、半絶縁または半導体基板等並びにそれらの複合的基板をいう。また、本願において半導体集積回路装置というときは、シリコンウエハやサファイア基板等の半導体または絶縁体基板上に作られるものだけでなく、特に、そうでない旨明示された場合を除き、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）およびＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ−Ｔｗｉｓｔｅｄ−Ｎｅｍａｔｉｃ）液晶等のようなガラス等の他の絶縁基板上に作られるもの等も含むものとする。
デバイス面とは、ウエハの主面であって、その面にリソグラフィにより、複数のチップ領域に対応するデバイスパターンが形成される面をいう。
微小針高さプローブとは、図５３に示すような探針２０１、プローブ基板２０２および針押さえ部２０３などからなる従来のカンチレバー方式のプローブカードのように、探針２０１の先端とそれを実質的に支える部分（針押さえ部２０３）の距離（すなわち針高さＨ１０１）が数百μｍ程度かそれ以上あるものと異なり、針高さが５０μｍ以下（大きくとも９０μｍ以下）、更に望ましくは３０μｍ以下である狭ピッチ半導体集積回路用のプローブである。その典型的な例が、本願実施の形態に詳述する薄膜プローブである。針高さは、薄膜プローブの場合は、一般に針近傍のシート表面（基準面）から測った針先端の高さである。
接触端子とは、シリコンウエハを半導体集積回路の製造に用いるのと同様な、ウエハプロセス、すなわちフォトリソグラフィ技術、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）技術、スパッタリング技術およびエッチング技術などを組み合わせたパターニング手法によって、配線層およびそれに電気的に接続された先端部を一体的に形成したものをいう。
薄膜プローブ（ｍｅｍｂｒａｎｅ ｐｒｏｂｅ）、薄膜プローブカード、または突起針配線シート複合体とは、検査対象と接触する前記接触端子（突起針）とそこから引き回された配線とが設けられ、その配線に外部接触用の電極が形成された薄膜をいい、たとえば厚さ１０μｍ〜１００μｍ程度のものをいう。
プローブカードとは、検査対象となるウエハと接触する接触端子および多層配線基板などを有する構造体をいい、半導体検査装置とは、プローブカードおよび検査対象となるウエハを載せる試料支持系を有する検査装置をいう。
プローブ検査とは、ウエハ工程が完了したウエハに対してプローバを用いて行われる電気的試験であって、チップ領域の主面上に形成された電極に上記接触端子の先端を当てて半導体集積回路の電気的検査を行うことをいい、所定の機能通りに動作するか否かを確認する機能テストやＤＣ動作特性およびＡＣ動作特性のテストを行って良品／不良品を判別するものである。各チップに分割してから（またはパッケージング完了後）行われる選別テスト（最終テスト）とは区別される。プローブ検査の結果は、後述するウエハマップとしてまとめられる。
ウエハ外観検査装置とは、鏡面ウエハ、薄膜付きウエハおよびパターン付きウエハ上において、微細パターンの寸法測定、欠陥検査、膜厚測定および平面度測定などの寸法・形状測定や、異物を検査するパーティクル計測などの検査を実施するものである。これらの測定および検査（以降、ウエハ外観検査と記す）は所定の分解能で行われ、測定結果および検査結果は、次に説明するウエハマップとしてまとめられる。
ウエハマップとは、プローブ検査の結果およびウエハ外観検査の結果をチップ領域の配列通りもしくは測定・検査した領域の配列通りに表示したものをいい、ウエハ処理状態の分布や、ウエハ処理の良否などの判断に用いる。
サーバーとは、ネットワークの中心となるコンピュータをいい、たとえばネットワーク上のファイルを蓄積してネットワークに接続しているユーザーが使えるようにするファイルサーバーがある。本願においては、ウエハマップデータが上記ファイルに相当する。
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。
また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。
さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
また、本実施の形態を説明するための全図において同一機能を有するものは同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
また、本実施の形態で用いる図面においては、平面図であっても図面を見易くするために部分的にハッチングを付す場合がある。
また、本実施の形態においては、絶縁ゲート型電界効果トランジスタをＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）も含めてＭＩＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）と呼ぶ。
また、本願で使用する半導体リソグラフィー技術による薄膜プローブの各詳細については、本発明者および関連する発明者等による以下の特許出願に開示されているので、特に必要な時以外はそれらの内容は繰り返さない。前記特許出願、すなわち、日本特許出願第２００２−２８９３７７号（対応米国出願番号第１０／６７６，６０９号；米国出願日２００３．１０．２）、日本特許出願第２００２−２９４３７６号、日本特許出願第２００３−１８９９４９号、日本特許出願第２００３−０７５４２９号（対応米国出願番号第１０／７６５，９１７号；米国出願日２００４．１．２９）、日本特許出願第２００３−３７１５１５号、日本特許出願第２００３−３７２３２３号、および日本特許出願第２００４−１１５０４８号である。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
（実施の形態１）
図１は本実施の形態１のプローブカードの下面の要部平面図であり、図２は図１中のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
図１および図２に示すように、本実施の形態１のプローブカード（第１カード）は、たとえば多層配線基板１、薄膜シート（薄膜プローブ（第１シート））２およびプランジャ（押圧機構）３などから形成されている。薄膜シート２は押さえリング４によって多層配線基板１の下面に固定され、プランジャ３は多層配線基板１の上面に取り付けられている。多層配線基板１の中央部には開口部５が設けられ、この開口部５内において、薄膜シート２とプランジャ３とは接着リング６を介して接着されている。
薄膜シート２の下面には、たとえば４角錐型または４角錐台形型の複数のプローブ（接触端子）７が形成されている。薄膜シート２内には、プローブ７の各々と電気的に接続し、各々のプローブ７から薄膜シート２の探部まで延在する複数の配線が形成されている。多層配線基板１の下面には、この複数の配線の端部とそれぞれ電気的に接触する複数の受け部（図示は省略）が形成されており、この複数の受け部は、多層配線基板１内に形成された配線（第１配線）を通じて多層配線基板１の上面に設けられた複数のポゴ（ＰＯＧＯ）座８と電気的に接続している。このポゴ座８は、テスタからの信号をプローブカードへ導入するピンを受ける機能を有する。
本実施の形態１において、薄膜シート２は、たとえばポリイミドを主成分とする薄膜から形成されている。このような薄膜シート２は柔軟性を有することから、本実施の形態１では、チップ（半導体集積回路装置）のパッドにすべてのプローブ７を接触させるために、プローブ７が形成された領域の薄膜シート２を上面（裏面）から押圧具（押圧機構）９を介してプランジャ３が押圧する構造となっている。すなわち、プランジャ３内に配置されたばね３Ａの弾性力によって一定の圧力を押圧具９に加えるものである。本実施の形態１において、押圧具９の材質としては、４２アロイを例示することができる。
本実施の形態１において、上記プローブカードを用いてプローブ検査（電気的検査）を行う対象としては、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）ドライバが形成されたチップを例示することができる。図４６は、それら複数のチップ（チップ領域）１０が区画されたウエハＷＨの平面図である。なお、本実施の形態１のプローブカードを用いたプローブ検査は、これら複数のチップ１０が区画されたウエハＷＨに対して行うものである。
また、図３は、そのチップ１０の平面と、その一部を拡大したものを図示している。このチップ１０は、たとえば単結晶シリコン基板からなり、その主面にはＬＣＤドライバ回路が形成されている。また、チップ１０の主面の周辺部には、ＬＣＤドライバ回路と電気的に接続する多数のパッド（第１電極）１１、１２が配置されており、図３中におけるチップ１０の上側の長辺および両短辺に沿って配列されたパッド１１は出力端子となり、チップ１０の下側の長辺に沿って配列されたパッド１２は入力端子となっている。ＬＣＤドライバの出力端子数は入力端子数より多いことから、隣り合ったパッド１１の間隔をできる限り広げるために、パッド１１はチップ１０の上側の長辺および両短辺に沿って２列で配列され、チップ１０の上側の長辺および両短辺に沿って互いの列のパッド１１が互い違いに配列されている。本実施の形態１において、隣り合うパッド１１が配置されているピッチ（第２距離）ＬＰは、たとえば約６８μｍである。また、本実施の形態１において、パッド１１は平面矩形であり、チップ１０の外周と交差（直交）する方向に延在する長辺の長さＬＡは約６３μｍであり、チップ１０の外周に沿って延在する短辺の長さＬＢは約３４μｍである。また、隣り合うパッド１１が配置されているピッチＬＰが約６８μｍであり、パッド１１の短辺の長さＬＢが約３４μｍであることから、隣り合うパッド１１の間隔は約３４μｍとなる。
パッド１１、１２は、たとえばＡｕ（金）から形成されたバンプ電極（突起電極）であり、チップ１０の入出力端子（ボンディングパッド）上に、電解めっき、無電解めっき、蒸着あるいはスパッタリングなどの方法によって形成されたものである。図４は、パッド１１の斜視図である。パッド１１の高さＬＣは約１５μｍであり、パッド１２も同程度の高さを有する。
また、上記チップ１０は、ウエハの主面に区画された多数のチップ領域に半導体製造技術を使ってＬＣＤドライバ回路（半導体集積回路）や入出力端子（ボンディングパッド）を形成し、次いで入出力端子上に上記の方法でパッド１１を形成した後、ウエハをダイシングしてチップ領域を個片化することにより製造することができる。また、本実施の形態１において、上記プローブ検査は、ウエハをダイシングする前に各チップ領域に対して実施するものである。なお、以後プローブ検査（パッド１１、１２とプローブ７とが接触する工程）を説明する際に、特に明記しない場合には、チップ１０はウエハをダイシングする前の各チップ領域を示すものとする。
図５は、上記チップ１０の液晶パネルへの接続方法を示す要部断面図である。図５に示すように、液晶パネルは、たとえば主面に画素電極１４、１５が形成されたガラス基板１６、液晶層１７、および液晶層１７を介してガラス基板１６と対向するように配置されたガラス基板１８などから形成されている。本実施の形態１においては、このような液晶パネルのガラス基板１６の画素電極１４、１５に、それぞれパッド１１、１２が接続するようにチップ１０をフェイスダウンボンディングすることによって、チップ１０を液晶パネルへ接続することを例示できる。
図６は上記薄膜シート２の下面のプローブ７が形成された領域の一部を拡大して示した要部平面図であり、図７は図６中のＢ−Ｂ線に沿った要部断面図であり、図８は図６中のＣ−Ｃ線に沿った要部断面図である。
上記プローブ７は、薄膜シート２中にて平面六角形状にパターニングされた金属膜２１Ａ、２１Ｂの一部であり、金属膜２１Ａ、２１Ｂのうちの薄膜シート２の下面に４角錐型または４角錐台形型に飛び出した部分である。プローブ７は、薄膜シート２の主面において上記チップ１０に形成されたパッド１１、１２の位置に合わせて配置されており、図６ではパッド１１に対応するプローブ７の配置について示している。これらプローブ７のうち、プローブ７Ａは、２列で配列されたパッド１１のうちの相対的にチップ１０の外周に近い配列（以降、第１列と記す）のパッド１１に対応し、プローブ７Ｂは、２列で配列されたパッド１１のうちの相対的にチップ１０の外周から遠い配列（以降、第２列と記す）のパッド１１に対応している。また、最も近い位置に存在するプローブ７Ａとプローブ７Ｂとの間の距離は、図６が記載された紙面の左右方向の距離ＬＸと上下方向の距離ＬＹとで規定され、距離ＬＸは前述の隣り合うパッド１１が配置されているピッチＬＰの半分の約３４μｍとなる。また、本実施の形態１において、距離ＬＹは、約９３μｍとなる。また、図９に示すように、ポリイミド膜２２の表面からプローブ７Ａ、７Ｂの先端までの高さＬＺ（針高さ）は、５０μｍ以下（大きくとも９０μｍ以下）、更に望ましくは３０μｍ以下で揃えられている。
金属膜２１Ａ、２１Ｂは、たとえば下層からロジウム膜およびニッケル膜が順次積層して形成されている。金属膜２１Ａ、２１Ｂ上にはポリイミド膜２２が成膜され、ポリイミド膜２２上には各金属膜２１と電気的に接続する配線（第２配線）２３が形成されている。配線２３は、ポリイミド膜２２に形成されたスルーホール２４の底部で金属膜２１Ａ、２１Ｂと接触している。また、ポリイミド膜２２および配線２３上には、ポリイミド膜２５が成膜されている。
上記したように、金属膜２１Ａ、２１Ｂの一部は４角錐型または４角錐台形型に形成されたプローブ７Ａ、７Ｂとなり、ポリイミド膜２２には金属膜２１Ａ、２１Ｂに達するスルーホール２４が形成される。そのため、プローブ７Ａが形成された金属膜２１Ａおよびスルーホール２４の平面パターンと、プローブ７Ｂが形成された金属膜２１Ｂおよびスルーホール２４の平面パターンとが同じ方向で配置されるようにすると、隣り合う金属膜２１Ａと金属膜２１Ｂとが接触してしまい、プローブ７Ａ、７Ｂからそれぞれ独立した入出力を得られなくなってしまう不具合が懸念される。そこで、本実施の形態１では、図６に示すように、プローブ７Ｂが形成された金属膜２１Ｂおよびスルーホール２４の平面パターンは、プローブ７Ａが形成された金属膜２１Ａおよびスルーホール２４の平面パターンを１８０°回転したパターンとしている。それにより、平面でプローブ７Ａおよびスルーホール２４が配置された金属膜２１Ａの幅広の領域と、平面でプローブ７Ｂおよびスルーホール２４が配置された金属膜２１Ｂの幅広の領域とが、紙面の左右方向の直線上に配置されないようになり、金属膜２１Ａおよび金属膜２１Ｂの平面順テーパー状の領域が紙面の左右方向の直線上に配置されるようになる。その結果、隣り合う金属膜２１Ａと金属膜２１Ｂとが接触してしまう不具合を防ぐことができる。また、狭ピッチでパッド１１（図３参照）が配置されても、それに対応した位置にプローブ７Ａ、７Ｂを配置することが可能となる。
本実施の形態１では、図３を用いてパッド１１が２列で配列されている場合について説明したが、図１０に示すように、１列で配列されているチップも存在する。そのようなチップに対しては、図１１に示すように、上記金属膜２１Ａの幅広の領域が紙面の左右方向の直線上に配置された薄膜シート２を用いることで対応することができる。また、このようにパッド１１が１列で配列され、たとえばチップ１０の外周と交差（直交）する方向に延在する長辺の長さＬＡ約１４０μｍであり、チップ１０の外周に沿って延在する短辺の長さＬＢが約１９μｍであり、隣り合うパッド１１が配置されているピッチＬＰが約３４μｍであり、隣り合うパッド１１の間隔が約１５μｍである場合には、図３に示したパッド１１に比べて長辺が約２倍以上となり、短辺方向でのパッド１１の中心位置を図３に示したパッド１１の中心位置と揃えることができるので、図６〜図８を用いて説明した薄膜シート２を用いることが可能となり、図１２に示す位置ＰＯＳ１、ＰＯＳでプローブ７Ａ、７Ｂのそれぞれがパッド１１に接触することになる。
また、パッド１１の数がさらに多い場合には、３列以上で配列されている場合もある。図１３は３列で配列されたパッド１１に対応した薄膜シート２の要部平面図であり、図１４は４列で配列されたパッド１１に対応した薄膜シート２の要部平面図である。チップ１０のサイズが同じであれば、パッド１１の配列数が増えるに従って、図６を用いて説明した距離ＬＸがさらに狭くなるので、上記金属膜２１Ａ、２１Ｂを含む金属膜が接触してしまうことがさらに懸念される。そこで、図１３および図１４に示すように、金属膜２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ、２１Ｄを、たとえば図６に示した金属膜２１Ａの平面パターンを４５°回転させたものとすることで、金属膜２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ、２１Ｄが互いに接触してしまう不具合を防ぐことが可能となる。また、ここでは図６に示した金属膜２１Ａの平面パターンを４５°回転させた例について説明したが、４５°に限定するものではなく、金属膜２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ、２１Ｄの互いの接触を防ぐことができるのであれば他の回転角でもよい。なお、金属膜２１Ｃには、プローブ７Ｂが対応するパッド１１よりさらにチップ１０内の内側に配置されたパッド１１に対応するプローブ７Ｃが形成され、金属膜２１Ｄには、プローブ７Ｃが対応するパッド１１よりさらにチップ１０内の内側に配置されたパッド１１に対応するプローブ７Ｄが形成されている。
ここで、図１５は図１４中のＤ−Ｄ線に沿った要部断面図であり、図１６は図１４中のＥ−Ｅ線に沿った要部断面図である。図１４に示したように、４列のパッド１１に対応するプローブ７Ａ〜７Ｄを有する金属膜２１Ａ〜２１Ｄを配置した場合には、金属膜２１Ａ〜２１Ｄのそれぞれに上層から電気的に接続する配線のすべてを同一の配線層で形成することが困難になる。これは、上記距離ＬＸが狭くなることによって、金属膜２１Ａ〜２１Ｄのそれぞれ同士が接触する虞が生じるのと共に、金属膜２１Ａ〜２１Ｄに電気的に接続する配線同士も接触する虞が生じるからである。そこで、本実施の形態１においては、図１５および図１６に示すように、それら配線を２層の配線層（配線２３、２６）から形成することを例示することができる。なお、配線２６およびポリイミド膜２５上には、ポリイミド膜２７が形成されている。相対的に下層の配線２３はポリイミド膜２２に形成されたスルーホール２４の底部で金属膜２１Ａ、２１Ｃと接触し、相対的に上層の配線２６はポリイミド膜２２、２５に形成されたスルーホール２８の底部で金属膜２１Ｂ、２１Ｄと接触している。それにより、同一の配線層においては、隣り合う配線２３または配線２６の間隔を大きく確保することが可能となるので、隣り合う配線２３または配線２６が接触してしまう不具合を防ぐことができる。また、パッド１１が５列以上となり、それに対応するプローブ数が増加して上記距離ＬＸが狭くなる場合には、さらに多層に配線層を形成することによって、配線間隔を広げてもよい。
次に、上記の本実施の形態１の薄膜シート２の構造について、その製造工程と併せて図１７〜図２６を用いて説明する。図１７〜図２６は、図６〜図８を用いて説明した２列のパッド１１（図３参照）に対応したプローブ７Ａ、７Ｂを有する薄膜シート２の製造工程中の要部断面図である。なお、薄膜シートの構造および薄膜シートの製造工程と、上記プローブ７（プローブ７Ａ〜７Ｄ）と同様のプローブの構造および製造工程については、特願２００３−７５４２９号、特願２００３−３７１５１５号、特願２００３−３７２３２３号、および特願２００４−１１５０４８号にも記載がある。
まず、図１７に示すように、厚さ０．２ｍｍ〜０．６ｍｍ程度のシリコンからなるウエハ３１を用意し、熱酸化法によってこのウエハ３１の両面に膜厚０．５μｍ程度の酸化シリコン膜３２を形成する。続いて、フォトレジスト膜をマスクとしてウエハ３１の主面側の酸化シリコン膜３２をエッチングし、ウエハ３１の主面側の酸化シリコン膜３２にウエハ３１に達する開口部を形成する。次いで、残った酸化シリコン膜３２をマスクとし、強アルカリ水溶液（たとえば水酸化カリウム水溶液）をもちいてウエハ３１を異方的にエッチングすることによって、ウエハ３１の主面に（１１１）面に囲まれた４角錐型または４角錐台形型の穴３３を形成する。
次に、図１８に示すように、上記穴３３の形成時にマスクとして用いた酸化シリコン膜３２をフッ酸およびフッ化アンモニウムの混合液によるウェットエッチングにより除去する。続いて、ウエハ３１に熱酸化処理を施すことにより、穴３３の内部を含むウエハ３１の全面に膜厚０．５μｍ程度の酸化シリコン膜３４を形成する。次いで、穴３３の内部を含むウエハ３１の主面に導電性膜３５を成膜する。この導電性膜３５は、たとえば膜厚０．１μｍ程度のクロム膜および膜厚１μｍ程度の銅膜を順次スパッタリング法または蒸着法によって堆積することによって成膜することができる。次いで、導電性膜３５上にフォトレジスト膜を成膜し、フォトリソグラフィ技術によって後の工程で金属膜２１Ａ、２１Ｂ（図６〜図８参照）が形成される領域のフォトレジスト膜を除去し、開口部を形成する。
次に、導電性膜３５を電極とした電解めっき法により、上記フォトレジスト膜の開口部の底部に現れた導電性膜３５上に硬度の高い導電性膜３７および導電性膜３８を順次堆積する。本実施の形態１においては、導電性膜３７をロジウム膜とし、導電性膜３８をニッケル膜とすることを例示できる。ここまでの工程により、導電性膜３７、３８から前述の金属膜２１Ａ、２１Ｂを形成することができる。また、穴３３内の導電性膜３７、３８が前述のプローブ７Ａ、７Ｂとなる。なお、導電性膜３５は、後の工程で除去されるが、その工程については後述する。
金属膜２１Ａ、２１Ｂにおいては、後の工程で前述のプローブ７Ａ、７Ｂが形成された時に、ロジウム膜から形成された導電性膜３７が表面となり、導電性膜３７がパッド１１に直接接触することになる。そのため、導電性膜３７としては、硬度が高く耐磨耗性に優れた材質を選択することが好ましい。また、導電性膜３７はパッド１１に直接接触するため、プローブ７Ａ、７Ｂによって削り取られたパッド１１の屑が導電性膜３７に付着すると、その屑を除去するクリーニング工程が必要となり、プローブ検査工程が延びてしまうことが懸念される。そのため、導電性膜３７としては、パッド１１を形成する材料が付着し難い材質を選択することが好ましい。そこで、本実施の形態１においては、導電性膜３７として、これらの条件を満たすロジウム膜を選択している。それにより、そのクリーニング工程を省略することができる。
次に、上記金属膜２１Ａ、２１Ｂ（導電性膜３７、３８）の成膜に用いたフォトレジスト膜を除去した後、図１９に示すように、金属膜２１Ａ、２１Ｂおよび導電性膜３５を覆うようにポリイミド膜２２（図７および図８も参照）を成膜する。続いて、そのポリイミド膜２２に金属膜２１Ａ、２１Ｂに達する前述のスルーホール２４を形成する。このスルーホール２４は、レーザを用いた穴あけ加工またはアルミニウム膜をマスクとしたドライエッチングによって形成することができる。
次に、図２０に示すように、スルーホール２４の内部を含むポリイミド膜２２上に導電性膜４２を成膜する。この導電性膜４２は、たとえば膜厚０．１μｍ程度のクロム膜および膜厚１μｍ程度の銅膜を順次スパッタリング法または蒸着法によって堆積することによって成膜することができる。続いて、その導電性膜４２上にフォトレジスト膜を形成した後に、そのフォトレジスト膜をフォトリソグラフィ技術によってパターニングし、フォトレジスト膜に導電性膜４２に達する開口部を形成する。次いで、めっき法により、その開口部内の導電性膜４２上に導電性膜４３を成膜する。本実施の形態１においては、導電性膜４３として銅膜、または銅膜およびニッケル膜を下層から順次堆積した積層膜を例示することができる。
次に、上記フォトレジスト膜を除去した後、導電性膜４３をマスクとして導電性膜４２をエッチングすることにより、導電性膜４２、４３からなる配線２３を形成する。配線２３は、スルーホール２４の底部にて金属膜２１Ａ、２１Ｂと電気的に接続することができる。
次に、図２１に示すように、ウエハ３１の主面に前述のポリイミド膜２５を成膜する。このポリイミド膜２５は、後の工程でウエハ３１の主面に固着される金属シートの接着層として機能する。
次に、図２２に示すように、ポリイミド膜２５の上面に金属シート４５を固着する。この金属シート４５としては、線膨張率が低く、かつシリコンから形成されたウエハ３１の線膨張率に近い材質を選ぶものであり、本実施の形態１では、たとえば４２アロイ（ニッケル４２％かつ鉄５８％の合金で、線膨張率４ｐｐｍ／℃）またはインバー（ニッケル３６％かつ鉄６４％の合金で、線膨張率１．５ｐｐｍ／℃）を例示することができる。また、金属シート４５を用いる代わりにウエハ３１と同じ材質のシリコン膜を形成してもよいし、シリコンと同程度の線膨張率を有する材質、たとえば鉄とニッケルとコバルトとの合金、またはセラミックと樹脂との混合材料などでもよい。このような金属シート４５を固着するには、ウエハ３１の主面に位置合わせしつつ重ね合わせ、１０〜２００ｋｇｆ／ｃｍ２程度で加圧しながらポリイミド膜２５のガラス転移点温度以上の温度で加熱を行い、加熱加圧圧着することによって実現できる。
このような金属シート４５をポリイミド膜２５を用いて固着することによって、形成される薄膜シート２の強度の向上を図ることができる。また、金属シート４５を固着しない場合には、プローブ検査時の温度に起因する薄膜シート２および検査対象のウエハの膨張または収縮によって、プローブ７Ａ、７Ｂと対応するパッド１１との相対的な位置がずれてしまい、プローブ７Ａ、７Ｂが対応するパッド１１と接触できなくなってしまう不具合が懸念される。一方、本実施の形態１によれば、金属シート４５を固着したことにより、プローブ検査時の温度に起因する薄膜シート２および検査対象のウエハの膨張量または収縮量を揃えることができる。それにより、プローブ７Ａ、７Ｂと対応するパッド１１との相対的な位置がずれてしまうことを防ぐことが可能となる。すなわち、プローブ７Ａ、７Ｂと対応するパッド１１とがプローブ検査時の温度に関係なく常に電気的接触を保つことが可能となる。また、様々な状況下での薄膜シート２と検査対象のウエハとの相対的な位置精度を確保することが可能となる。
次に、フォトリソグラフィ技術によってパターニングされたフォトレジスト膜をマスクとして金属シート４５をエッチングし、プローブ７Ａ、７Ｂ上の金属シート４５に開口部４６を形成し、平面で金属膜２１Ａ間または金属膜２１Ｂ間の領域上の金属シート４５に開口部４７を形成する。本実施の形態１において、このエッチングは、塩化第二鉄溶液を用いたスプレーエッチングとすることができる。
次に、上記フォトレジスト膜を除去した後、図２３に示すように、開口部４６内に、エラストマ４８を形成する。この時、エラストマ４８は所定量が開口部４６の上部へ出るように形成する。本実施の形態１においては、エラストマ４８を形成する方法として、開口部４６内に弾性樹脂を印刷もしくはディスペンサ塗布する方法、またはシリコンシートを設置する方法を例示することができる。エラストマ４６は、多数のプローブ７Ａ、７Ｂの先端がパッド１１に接触する際の衝撃を緩和しつつ、個々のプローブ７Ａ、７Ｂの先端の高さのばらつきを局部的な変形によって吸収し、パッド１１の高さのばらつきに倣った均一な食い込みによってプローブ７Ａ、７Ｂとパッド１１との接触を実現する。
次に、図２４に示すように、たとえばフッ酸とフッ化アンモニウムの混合液を用いたエッチングによって、ウエハ３１の裏面の酸化シリコン膜３４を除去する。続いて、強アルカリ水溶液（たとえば水酸化カリウム水溶液）を用いたエッチングにより、薄膜シート２を形成するための型材であるウエハ３１を除去する。次いで、酸化シリコン膜３４および導電性膜３５を順次エッチングにより除去する。この時、酸化シリコン膜３４はフッ酸およびフッ化アンモニウムの混合液を用いてエッチングし、導電性膜３５に含まれるクロム膜は過マンガン酸カリウム水溶液を用いてエッチングし、導電性膜３５に含まれる銅膜はアルカリ性銅エッチング液を用いてエッチングする。ここまでの工程により、プローブ７Ａ、７Ｂを形成する導電性膜３７（図１８参照）であるロジウム膜がプローブ７Ａ、７Ｂの表面に現れる。前述したように、ロジウム膜が表面に形成されたプローブ７Ａ、７Ｂにおいては、プローブ７Ａ、７Ｂが接触するパッド１１の材料であるＡｕなどが付着し難く、Ｎｉより硬度が高く、かつ酸化され難く接触抵抗を安定させることができる。
次に、図２５に示すように、開口部４７下のポリイミド膜２５、２２を除去し、開口部４９を形成する。この開口部４９は、レーザを用いた穴あけ加工または金属シート４５およびエラストマ４８をマスクとしたドライエッチングによって形成することができる。その後、図２６に示すように、たとえば４２アロイから形成された押圧具５０をエラストマ４８上に接着して本実施の形態１の薄膜シート２を製造する。
上記の工程によって製造した本実施の形態１の薄膜シート２は、金属シート４５が接着されたことにより剛性が向上している。また、図２７に示すように、検査対象のウエハ（チップ１０）に反りが生じていると、パッド１１の高さとパッド１２の高さとの間に差Ｓが生じる。そのため、このような差Ｓが生じていると、相対的に高さの低いパッド１２にプローブ７Ａ、７Ｂが接触できなくなる不具合の発生が懸念される。しかしながら、金属膜２１Ａ間（金属膜２１Ｂ間）に開口部４９が形成されていることにより、薄膜シート２は、この開口部４９での剛性が低下する。それにより、プローブ検査時に押圧具５０により圧力を加えると、エラストマ４８の弾性変形の範囲内で薄膜シート２にも開口部４９で段差を持たせることができる。その結果、薄膜シート２に上記差Ｓを解消するような段差が生じさせることができるので、すべてのプローブ７Ａ、７Ｂをパッド１１、１２に確実に接触させることが可能となる。
また、図２８に示すように、検査対象のウエハ（チップ１０）の主面に異物ＤＳＴが付着しているような場合に、薄膜シート２に上記開口部４９が設けられていないと、プローブ７Ａ、７Ｂをパッド１１、１２に接触させようとした時に薄膜シート２が異物ＤＳＴに乗り上げ、パッド１１、１２にプローブ７Ａ、７Ｂが接触できなくなる不具合の発生が懸念される。また、薄膜シート２が異物ＤＳＴに乗り上げてしまうことによって薄膜シート２が変形してしまうことも懸念され、特に異物ＤＳＴがプローブ７Ａ、７Ｂの近傍に存在する場合には、プローブ７Ａ、７Ｂが薄膜シート２の内部にめり込んでしまう不具合の発生も懸念される。しかしながら、上記開口部４９を設けたことにより、平面で開口部４９内に異物ＤＳＴが位置するようにできるので、それら不具合の発生の確率を低下することが可能となる。
ここで、上記開口部４９の平面パターンについて説明する。図２９、図３１、図３３、図３５および図３７は薄膜シート２の下面の要部平面図であり、図３０、図３２、図３４、図３６および図３８はそれぞれ図２９、図３１、図３３、図３５および図３７中のＦ−Ｆ線に沿った要部断面図である。
本実施の形態１において、開口部４９の平面パターンとしては、まず図２９に示すような矩形のパターンを例示することができる。このような矩形のパターンとすることによって薄膜シート２の剛性が低下し過ぎる場合には、図３１に示すように、平面矩形の開口部４９の対角線上に梁状にポリイミド膜２２、２５および金属シート４５を残す構造としてもよい。これにより、薄膜シート２に所望の剛性を保つことが可能となる。また、図３３に示すように、図３１に示したような開口部４９のパターンをスリット状に加工し、前述の梁状のポリイミド膜２２、２５および金属シート４５を残す構造としてもよい。それによっても薄膜シート２に所望の剛性を保つことが可能となる。このようなスリット状の開口部４９は、図２５を用いて説明したようなレーザを用いた穴あけ加工によって形成することにより、加工に要する時間を短縮することができる。また、図１および図２を用いて説明した押さえリング４、接着リング６および押圧具５０が平面円形である場合には、図３５に示すように、開口部４９を平面円形のパターンとしてもよい。接着リング６および押圧具５０が平面円形である場合に、開口部４９が平面矩形のパターンであると、矩形パターンの角部などに不用な力が集中することが懸念されるが、平面円形のパターンとすることによって、そのような不用な力の集中を防ぐことが可能となる。また、図３を用いて説明したように、検査対象のチップ１０は、平面で短辺および長辺を有する矩形であることから、図３７に示すように、開口部４９を短辺および長辺を有する平面矩形のパターンで形成し、そのパターン内において、短辺に沿った方向に延在する複数の梁状にポリイミド膜２２、２５および金属シート４５を残す構造としてもよい。それにより、薄膜シート２に所望の剛性を保つことが可能となる。
次に、本実施の形態１における上記薄膜シート２を有するプローブカード（図１および図２参照）によるプローブ検査工程について説明する。
図３９は、本実施の形態１におけるプローブ検査工程に用いる各装置の構成について示した説明図である。まず、パッド１１（図３参照）を形成する工程までが完了したウエハＷＨを用意する（図４５参照）。続いて、外観検査装置５１により検査対象であるウエハＷＨの主面の外観を検査する。この外観検査の目的の一つは、チップ１０の主面における前述の異物ＤＳＴ（図２８参照）の有無およびパッド１１の形状を検査し、これらの異常を早期に発見することによって半導体集積回路装置の製造歩留りを維持することにある。たとえば、ウエハＷＨの主面に付着した異物ＤＳＴが導電性物質である場合や、パッド１１の形状（平面）に異常がある場合には、隣接するパッド１１同士が短絡してしまったり、隣接するパッド１１がその異物ＤＳＴを介して短絡してしまったりする虞がある。そのため、その異常を早期に発見するし、その異常が発生した原因を解明することにより、同じ原因での異常の発生を防ぐことが可能となる。すなわち、大量の不良品を製造してしまうことを防ぐことが可能となる。また、その外観検査の他の目的は、異物ＤＳＴが付着していたり、パッド１１の形状に異常のある製品が出荷されてしまったりすることを防ぐことにある。
外観検査装置５１によるウエハＷＨの主面の外観検査時には、図４０に示すように、チップ１０の主面は、チップ１０の主面内において相対的に内側に配列されたパッド１１から、パッド１１の短辺の長さＬＢ（図３参照（たとえば約１９μｍ））より長い距離（第１距離）ＬＲだけ離れた位置より内側の領域１０Ａと、それ以外の領域とに分けられる。そして、領域１０Ａについては、たとえば一辺が約３０μｍの矩形の領域（第２領域）に分割し、それぞれの領域（第２領域）について外観を検査していく。パッド１１が配置され、領域１０Ａを取り囲むように配置されている領域１０Ａ以外の領域については、たとえば一辺が約１０μｍの矩形の領域（第１領域）に分割し、それぞれの領域（第１領域）について外観を検査していく。このように、パッド１１が配置されている領域１０Ａ以外の領域を領域１０Ａより細かく分割したのは、前述したようにウエハＷＨの主面に付着した異物ＤＳＴが導電性物質である場合や、パッド１１の形状（平面）に異常がある場合に、隣接するパッド１１同士が電気的に短絡してしまう虞があることから、より精密な検査が求められるからである。また、本実施の形態１においては、図４１に示すように、パッド１１の高さＬＣ（図４も参照）は、下層の配線と接するバンプ電極用下地膜１１Ａの最下部から突起部１１Ｂを除くパッド１１の上面までと規定するものであり、このような規定のもとで突起部１１Ｂが形成されてしまっている場合をパッド１１の高さの異常とするものである。つまり、外観検査においては、第１領域または第２領域からはみ出している異物ＤＳＴ、またはパッド１１の形状（平面形状および高さ）の異常が検出されたチップ１０を不良とするものである。このような外観検査の結果は、図４２に示すように、ウエハＷＨの面内における各チップ１０の配列通りにウエハマップデータ（第１データ）としてまとめられ、ウエハマップデータ中には、外観異常が検出されたチップ（第１群のチップ領域）１０Ｅ（図４２中にてハッチングを付して図示）が配置されている位置（第１位置）とそれ以外のチップ（第２群のチップ領域）１０が配置されている位置とが記録される。
ウエハＷＨ内のすべてのチップ１０についての外観検査が終わると、上記ウエハマップデータにはさらにウエハＷＨを識別する情報が加えられた後にサーバー５２に送信され、サーバー５２内に蓄積される。その後、ウエハＷＨがプローブ検査装置５３に搬送され、プローブ検査装置５３に搬送されたウエハＷＨに対応するウエハマップデータがサーバー５２からプローブ検査装置５３へ送信される。ここで、配置されている外観検査装置５１およびプローブ検査装置５３は、それぞれ１台に限るものではない。すなわち、外観検査装置５１およびプローブ検査装置５３がそれぞれ複数台配置され、それぞれが１対１で対応していない場合（所定の外観検査装置５１から所定のプローブ検査装置５３へウエハＷＨが搬送されるように決められていない場合）には、外観検査装置５１とプローブ検査装置５３との間にサーバー５２を配置することにより、外観検査装置５１とプローブ検査装置５３との間でのウエハマップデータの受け渡しを実現することができる。また、外観検査装置５１およびプローブ検査装置５３が共に１台であり、外観検査装置５１で外観検査が実施されたウエハＷＨが一時的に他の場所に保管されることなくプローブ検査装置５３へ搬送され、プローブ検査が実施されるような場合には、サーバー５２を省略し、そのウエハＷＨについてのウエハマップデータが外観検査装置５１からプローブ検査装置５３へ直接送信されるようにしてもよい。
プローブ検査装置５３においては、上記薄膜シート２を有するプローブカード（図１および図２参照）を用いたプローブ検査が実施される。プローブ検査装置５３は、サーバー５２から送信されてきたウエハマップデータをもとにウエハＷＨに対してプローブ検査を実施する。すなわち、ウエハマップデータ中において外観異常が検出されたチップ１０Ｅ（図４２参照）となっているチップ１０に対しては、プローブ検査を省略する。その結果、外観異常が検出されたチップ１０Ｅ（図４２参照）となっているチップ１０に対しては、プローブ７Ａ、７Ｂ（図６〜図８参照）をパッド１１に接触させる工程を省略できる。
プローブ７Ａ、７Ｂをパッド１１に接触させる際に、ウエハＷＨ（チップ１０）の主面に、薄膜シート２（図２参照）に開口部４９（図２８参照）を設けたことでも薄膜シート２との接触を防ぎきることのできない異物ＤＳＴが付着していたり、パッド１１に突起部１１Ｂが形成されていたりすると、薄膜シート２が異物ＤＳＴまたは突起部１１Ｂに乗り上げてしまうことによって薄膜シート２が変形してしまうことも懸念され、特に異物ＤＳＴまたは突起部１１Ｂがプローブ７Ａ、７Ｂの近傍に存在する場合には、プローブ７Ａ、７Ｂが薄膜シート２の内部にめり込んでしまう不具合の発生も懸念される。また、このように薄膜シート２が破損しない場合でも、薄膜シート２に異物ＤＳＴまたは突起部１１Ｂとの接触によるダメージが加わることも懸念される。なお、図５３に示したような探針２０１、プローブ基板２０２および針押さえ部２０３などからなる従来のカンチレバー方式のプローブカードのように、探針２０１の先端とそれを実質的に支える部分（針押さえ部２０３）の距離（針高さＨ１０１）が数百μｍ程度かそれ以上あるものの場合には、針高さＨ１０１が本実施の形態１の薄膜シート２における針高さ（ポリイミド膜２２の表面からプローブ７Ａ、７Ｂの先端までの高さＬＺ（図１１参照））より大きくなることから、針押さえ部２０３が異物ＤＳＴまたは突起部１１Ｂに乗り上げてしまうことによって破損してしまう可能性は低くなる。そこで、本実施の形態１のように、ウエハマップデータ中において外観異常が検出されたチップ１０Ｅ（図４２参照）となっているチップ１０に対しては、プローブ７Ａ、７Ｂをパッド１１に接触させる工程を省略することにより、そのような薄膜シート２の破損またはダメージを未然に防ぐことが可能となる。本発明者らが行って実験によれば、外観検査装置５１による外観検査で不良と判定されたチップ１０についてもプローブ検査を実施した場合には、プローブ７Ａ、７Ｂとパッド１１との接触回数が平均で２０万回で薄膜シート２が寿命となったが、不良と判定されたチップ１０についてのプローブ検査を省略する本実施の形態１の場合には、プローブ７Ａ、７Ｂとパッド１１との接触回数が平均で５０万回で薄膜シート２が寿命となった。つまり、本実施の形態１によれば、薄膜シート２の寿命を大幅に延ばすことができる。
（実施の形態２）
次に、本実施の形態２について説明する。
図４３および図４４は、前記実施の形態１でも説明したＬＣＤドライバが形成されたチップ１０の要部断面図であり、それぞれ異なる断面を示している。
基板６１（ウエハＷＨ）は、たとえばｐ型の単結晶Ｓｉからなり、その主面のデバイス形成面には、分離部６２が形成され活性領域Ｌａおよびダミー活性領域Ｌｂが規定されている。分離部６２は、たとえばＬＯＣＯＳ（Ｌｏｃａｌ Ｏｘｉｄｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ Ｓｉｌｉｃｏｎ）法によって形成された酸化シリコン膜からなる。ただし、分離部６２を溝型（ＳＧＩ：Ｓｈａｌｌｏｗ Ｇｒｏｏｖｅ ＩｓｏｌａｔｉｏｎまたはＳＴＩ：Ｓｈａｌｌｏｗ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）の分離部６２で形成しても良い。
図４３に示すパッドＰＤ１下層の基板６１の分離部６２に囲まれた活性領域Ｌａには、たとえばｐｎ接合ダイオードＤが形成されている。このｐｎ接合ダイオードＤは、たとえば静電破壊防止用の保護ダイオードであり、基板６１のｐ型ウエルＰＷＬとその上部のｎ型半導体領域６８とのｐｎ接合により形成されている。基板６１の主面上には、たとえば酸化シリコン膜からなる絶縁膜ＩＳ１が形成されている。その上には、第１層配線Ｍ１が形成されている。第１層配線Ｍ１は、たとえばチタン、窒化チタン、アルミニウム（またはアルミニウム合金）および窒化チタンが下層から順に堆積される構成を有している。このアルミニウムまたはアルミニウム合金等の膜が主配線材料であり、最も厚く形成されている。第１層配線Ｍ１は、絶縁膜ＩＳ１に形成された平面円形状の複数のコンタクトホールＣＮＴを通じてｎ型半導体領域６８と、すなわち、ｐｎ接合ダイオードＤと接続されている。第１層配線Ｍ１は、たとえば酸化シリコン膜からなる絶縁膜ＩＳ２によって覆われている。この絶縁膜ＩＳ２上には、第２層配線Ｍ２が形成されている。第２層配線Ｍ２の材料構成は、上記第１層配線Ｍ１と同じである。第２層配線Ｍ２は、絶縁膜ＩＳ２に形成された平面円形状の複数のスルーホールＴＨ１を通じて第１層配線Ｍ１と電気的に接続されている。第２層配線Ｍ２は、たとえば酸化シリコン膜からなる絶縁膜ＩＳ３によって覆われている。その絶縁膜ＩＳ３上には、第３層配線Ｍ３が形成されている。第３層配線Ｍ３は、絶縁膜ＩＳ３に形成された平面円形状の複数のスルーホールＴＨ２を通じて第２層配線Ｍ２と電気的に接続されている。さらに、第３層配線Ｍ３は、表面保護用の絶縁膜ＩＳ４によってその大半が覆われているが、第３層配線Ｍ３の一部は絶縁膜ＩＳ４の一部に形成された平面長方形状の開口部６９から露出されている。この開口部６９から露出された第３層配線Ｍ３部分がパッドＰＤ１となっている。表面保護用の絶縁膜ＩＳ４は、たとえば酸化シリコン膜の単体膜、酸化シリコン膜上に窒化シリコン膜を積み重ねた構造を有する積層膜あるいは酸化シリコン膜上に窒化シリコン膜およびポリイミド膜を下層から順に積み重ねた構造を有する積層膜からなる。パッドＰＤ１は、開口部６９を通じてバンプ電極用下地膜１１Ａを介してバンプ電極（突起電極）７１（パッド１１（図３および図４参照））と接合されている。バンプ電極用下地膜１１Ａは、バンプ電極７１とパッドＰＤや絶縁膜ＩＳ４との接着性を向上させる機能の他、バンプ電極７１の金属元素が第３層配線Ｍ３側に移動することや反対に第３層配線Ｍ３の金属元素がバンプ電極７１側に移動するのを抑制または防止するバリア機能を有する膜であり、たとえばチタンまたはチタンタングステン等のような高融点金属膜の単体膜やチタン膜上にニッケル膜および金を下層から順に積み重ねた構造を有する積層膜からなる。実施の形態１でも説明したように、バンプ電極７１は、たとえばＡｕ膜からなり、めっき法によって形成されている。
一方、図４４に示すダミー用のパッドＰＤ２下層の基板６１には、上記のようにダミー活性領域Ｌｂが形成されているが、そのダミー活性領域Ｌｂには、特に素子は形成されていない。もちろん、他のパッドＰＤ１と同様にダイオードや他の素子を形成したり、ｐ型ウエルやｎ型ウエル等を設けても良い。このダミー用のパッドＰＤ２下層の第２層配線Ｍ２と第１層配線Ｍ１とは複数のスルーホールＴＨ１を通じて電気的に接続されている。パッドＰＤ２は、ダミーなのでその下層の第２層配線Ｍ２と第１層配線Ｍ１とを電気的に接続する必要はないが、ダミー用のパッドＰＤ２に接合されるバンプ電極４１の天辺の高さを他のパッドＰＤに接合されるバンプ電極４１の天辺の高さにさらに近づけるために、パッドＰＤ２の下層にも複数のスルーホールＴＨ１が配置されている。
次に、このチップ１０の製造工程の一例を説明する。まず、ウエハ状の基板６１（ウエハＷＨ）の主面に、たとえばＬＯＣＯＳ法によって分離部６２を形成し、活性領域Ｌａおよびダミー活性領域Ｌｂを形成した後、分離部６２に囲まれた活性領域Ｌａに素子（たとえば高耐圧ＭＩＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）および低耐圧ＭＩＳＦＥＴ）を形成する。ダミー用のパッドＰＤ２下のダミー活性領域Ｌｂには素子を形成しない。続いて、基板６１の主面上に絶縁膜ＩＳ１をＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等によって堆積した後、絶縁膜ＩＳ１の所定の箇所に平面円形状のコンタクトホールＣＮＴをフォトリソグラフィ技術およびドライエッチング技術によって形成する。その後、その絶縁膜ＩＳ１上に、たとえば窒化チタン、チタン膜、アルミニウム膜および窒化チタン膜を下層から順にスパッタリング法等によって堆積した後、その積層金属膜をフォトリソグラフィ技術およびドライエッチング技術によりパターニングすることにより第１層配線Ｍ１を形成する。次いで、同様に絶縁膜ＩＳ１上に絶縁膜ＩＳ２を堆積し、絶縁膜ＩＳ２にスルーホールＴＨ１を形成後、その絶縁膜ＩＳ２上に第１層配線Ｍ１と同様に第２層配線Ｍ２を形成する。続いて、同様に絶縁膜ＩＳ２上に絶縁膜ＩＳ３を堆積し、絶縁膜ＩＳ３にスルーホールＴＨ２を形成後、その絶縁膜ＩＳ３上に第１層配線Ｍ１と同様に第３層配線Ｍ３を形成する。その後、絶縁膜ＩＳ３上に表面保護用の絶縁膜ＩＳ４を堆積した後、絶縁膜ＩＳ４に、第３層配線Ｍ３の一部が露出される開口部６９を形成し、パッドＰＤ１、ＰＤ２を形成する。次いで、絶縁膜ＩＳ４上に、たとえばチタンまたはチタンタングステン等のような高融点金属膜の単体膜やチタン膜上にニッケル膜および金膜を下層から順に積み重ねた構造を有する積層膜からなる導体膜をスパッタリング法等によって堆積した後、その上にバンプ形成領域が露出され、それ以外が覆われるようなフォトレジストパターンを形成する。
次に、たとえば金からなるバンプ電極７１（パッド１１）を形成する。前述したように、このバンプ電極７１（パッド１１）は、フォトリソグラフィ技術によって開口部が設けられたフォトレジストパターンをマスクとしためっき法にてＡｕ膜を成膜することで形成することができる。
次に、そのフォトレジスト膜を除去し、さらに下地の導体膜をエッチング除去することにより、バンプ電極用下地膜１１Ａを形成する。その後、基板６１（ウエハＷＨ）を各チップ１０へと切断する。
前記実施の形態１では、パッド１１（図３参照）を形成する工程までが完了したウエハＷＨに対して外観検査装置５１（図３９参照）により外観検査を実施し、結果をウエハマップデータとしてまとめる例について説明したが、本実施の形態２では、他の工程後にも外観検査装置５１を用いて外観検査を実施し、ウエハＷＨの主面への異物の付着および配線の形状の異常などの検査結果をウエハマップデータとしてまとめる場合について例示する。たとえば、活性領域Ｌａとダミー活性領域Ｌｂとを形成した後、高耐圧ＭＩＳＦＥＴのゲート電極（図示は省略）を形成した後、低耐圧ＭＩＳＦＥＴのゲート電極（図示は省略）を形成した後、コンタクトホールＣＮＴを形成した後、第１層配線Ｍ１を形成した後、第２層配線Ｍ２を形成した後、第３層配線Ｍ３を形成した後、および絶縁膜ＩＳ４に開口部６９を形成した後のそれぞれにおいても外観検査を実施し、各外観検査時に得られたウエハマップデータを重ね合わせ、最終的なウエハマップデータを作成するものである。なお、このような各工程後に外観検査を実施するのは、本実施の形態２のチップ１０が形成される全ウエハＷＨのうち、１％程度のウエハＷＨとすることを例示できる。ここで、図４５は、その最終的なウエハマップデータを示す説明図であり、活性領域Ｌａとダミー活性領域Ｌｂとを形成した後の外観検査で外観異常が検出されたチップ１０Ｆ、高耐圧ＭＩＳＦＥＴのゲート電極（図示は省略）を形成した後の外観検査で外観異常が検出されたチップ１０Ｇ、活性領域Ｌａとダミー活性領域Ｌｂとを形成した後の外観検査で外観異常が検出されたチップ１０Ｈ、高耐圧ＭＩＳＦＥＴのゲート電極を形成した後の外観検査で外観異常が検出されたチップ１０１、低耐圧ＭＩＳＦＥＴのゲート電極を形成した後の外観検査で外観異常が検出されたチップ１０Ｊ、コンタクトホールＣＮＴを形成した後の外観検査で外観異常が検出されたチップ１０Ｋ、第１層配線Ｍ１を形成した後の外観検査で外観異常が検出されたチップ１０Ｌ、第２層配線Ｍ２を形成した後の外観検査で外観異常が検出されたチップ１０Ｍ、第３層配線Ｍ３を形成した後の外観検査で外観異常が検出されたチップ１０Ｎ、絶縁膜ＩＳ４に開口部６９を形成した後の外観検査で外観異常が検出されたチップ１０Ｑ、パッド１１（バンプ電極７１）を形成した後の外観検査で外観異常が検出されたチップ１０Ｅ、およびそれら以外のチップ１０が示されており、チップ１０Ｅ〜１０Ｑはハッチングを付して示されている。このようにして形成された最終的なウエハマップデータをもとに、プローブ検査装置５３（図３８参照）においては、薄膜シート２を有するプローブカード（図１および図２参照）を用いたプローブ検査が実施される。それにより、各工程時で外観異常が検出されたチップ１０が出荷されてしまうことを防ぐことが可能となる。また、各外観検査時に得られたウエハマップデータを重ね合わせ、最終的なウエハマップデータを作成し、その最終的なウエハマップデータ中で外観異常が検出されていないチップ１０に対してのみプローブ検査を実施することにより、プローブ検査に要する時間を短縮することができる。
上記のような本実施の形態２によっても前記実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
（実施の形態３）
図４７は本実施の形態３の半導体集積回路装置を形成した半導体チップの要部を示す断面図であり、紙面左側の断面は積層配線が形成された領域を示し、紙面右側の断面はボンディングパッド（以降、単にパッドと記す）が形成された領域を示している。
たとえばｐ型の単結晶Ｓｉ（シリコン）からなる基板８１の主面にはｐ型ウエル８２が形成されており、ｐ型ウエルの素子分離領域には素子分離溝８３が形成されている。素子分離溝８３は、基板８１をエッチングして形成した溝に酸化シリコンなどの絶縁膜８４を埋め込んだ構成になっている。
ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎは、主としてゲート酸化膜８５、ゲート電極６およびＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）構造のｎ型半導体領域（ソース、ドレイン）８７からなる。ゲート電極６は、たとえばＰ（リン）がドープされた低抵抗多結晶シリコン膜、ＷＮ（窒化タングステン）膜およびＷ（タングステン）膜を積層した３層の導電性膜によって形成されている。
ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴの上部には、酸化シリコン膜８９が形成されている。この酸化シリコン膜８９にはｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎのｎ型半導体領域（ソース、ドレイン）８７に達するコンタクトホールが形成されており、そのコンタクトホールの内部には、たとえばバリアメタル（ＴｉＮ／Ｔｉ）とＷ膜との積層膜からなるプラグ９０が埋め込まれている。
酸化シリコン膜８９上には、第１層目の配線９１が形成されている。この配線９１は、たとえばＡｌを主成分として含む厚い膜厚のＡｌ合金膜（たとえばＣｕ（銅）およびＳｉを含む）とこのＡｌ合金膜を挟む薄い膜厚のＴｉ膜およびＴｉＮ膜とからなる３層の導電性膜によって形成されている。また、配線９１は、上記プラグ９０を通じてｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎのｎ型半導体領域（ソース、ドレイン）８７の一方と電気的に接続されている。
配線９１の上部には、酸化シリコン膜９２が形成されている。この酸化シリコン膜９２には配線９１に達するコンタクトホールが形成されており、そのコンタクトホールの内部には、上記プラグ９０と同様にバリアメタル（ＴｉＮ／Ｔｉ）とＷ膜との積層膜からなるプラグ９３が埋め込まれている。
酸化シリコン膜９２上には、配線９１と同様の構成の第２層目の配線９４が形成されている。この配線９４は、上記プラグ９３を通じて配線９１と電気的に接続されている。
配線９４上には、酸化シリコン膜９５が形成されている。この酸化シリコン膜９５には配線９４に達するコンタクトホール９６が形成されており、その内部には、上記プラグ９０、９３と同様にバリアメタル（ＴｉＮ／Ｔｉ）とＷ膜との積層膜からなるプラグ９７が埋め込まれている。
酸化シリコン膜９５上には、配線９１、９４と同様の構成の第３層目の配線９８Ａ、９８Ｂが形成されている。積層配線が形成された領域に配置された配線９８Ａは、プラグ９７を通じて配線９４と電気的に接続されている。また、配線９８Ｂは、パッドが形成された領域に配置されている。
配線９８上には、プラズマ中で形成された酸化シリコン膜９９、１００が積層されている。積層配線が形成された領域において、酸化シリコン膜９９、１００には配線９８Ａに達するコンタクトホール１０１Ａが形成されており、その内部には、上記プラグ９０、９３、９７と同様に、薄い膜厚のバリアメタル（ＴｉＮ／Ｔｉ）と厚い膜厚のＷ膜との積層膜からなるプラグ１０２Ａが埋め込まれている。一方、パッドが形成された領域では、酸化シリコン膜９９、１００には配線９８Ｂに達するコンタクトホール１０１Ｂが形成されており、その内部にはバリアメタル（ＴｉＮ／Ｔｉ）とＷ膜との積層膜からなるプラグ１０２Ｂが埋め込まれている。
積層配線が形成された領域においては、酸化シリコン膜１００上に第４層目の配線１０３が形成されている。また、プラグ１０２Ｂの上部にはパッドＢＰが形成されている。
上記配線１０３は、厚い膜厚のＡｌ合金膜とこのＡｌ合金膜を挟む薄い膜厚のＴｉ膜およびＴｉＮ膜とからなる３層の導電性膜から形成されている。この配線１０３は、上記プラグ１０２Ａを通じて配線９８Ａと電気的に接続されている。また、パッドＢＰは、３層の導電性膜によって構成された前記配線１０３と同一の工程で形成された配線を用いて形成される。
第４層目の配線２３およびパッドＢＰの上部には、たとえば酸化シリコン膜１０４Ａと窒化シリコン膜１０４Ｂとを積層した２層の絶縁膜によって構成される表面保護膜１０４が形成されている。また、パッドＢＰの上部において、この表面保護膜１０４にはパッドＢＰに達する開口部１０５が形成されている。
パッドＢＰは、開口部１０５を通じてバンプ電極用下地膜１０６Ａを介してバンプ電極（突起電極）１０６と接合されている。
次に、上記のように構成された本実施の形態３の半導体集積回路装置の製造方法を説明する。
まず、比抵抗が１０Ωｃｍ程度の単結晶シリコンからなる基板８１を熱処理して、その主面に薄い酸化シリコン膜（パッド酸化膜）を形成する。次いでこの酸化シリコン膜の上に窒化シリコン膜をＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で堆積した後、フォトレジスト膜をマスクにしたドライエッチングで素子分離領域の窒化シリコン膜と酸化シリコン膜とを除去する。酸化シリコン膜は、後の工程で素子分離溝の内部に埋め込まれる酸化シリコン膜をデンシファイ（焼き締め）するときなどに基板に加わるストレスを緩和する目的で形成される。また、窒化シリコン膜は酸化されにくい性質を持つので、その下部（活性領域）の基板表面の酸化を防止するマスクとして利用される。
続いて、上記窒化シリコン膜をマスクにしたドライエッチングで素子分離領域の基板８１に、たとえば深さ３５０ｎｍ程度の溝を形成した後、エッチングで溝の内壁に生じたダメージ層を除去するために、基板８１を熱処理して溝の内壁に薄い酸化シリコン膜を形成する。
続いて、基板８１上に酸化シリコン膜８４を堆積した後、この酸化シリコン膜８４の膜質を改善するために、基板８１を熱処理して酸化シリコン膜８４をデンシファイ（焼き締め）する。その後、上記窒化シリコン膜をストッパに用いた化学的機械研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ；ＣＭＰ）法でその酸化シリコン膜８４を研磨して溝の内部に残すことにより、表面が平坦化された素子分離溝８３を形成する。
続いて、熱リン酸を用いたウェットエッチングで基板８１の活性領域上に残った窒化シリコン膜を除去した後、基板８１にＢ（ホウ素）をイオン注入してｐ型ウエル８２を形成する。
続いて、基板８１を熱処理することによって、ｐ型ウエル８２表面にゲート酸化膜８５を形成した後、ゲート酸化膜８５の上部にゲート電極８６を形成する。ゲート電極８６は、たとえばＰをドープした低抵抗多結晶シリコン膜、ＷＮ（窒化タングステン）膜、およびＷ（タングステン）膜をこの順で積層した後に、フォトレジスト膜をマスクとしたドライエッチングによりこれらの薄膜をパターニングし形成する。
次に、ｐ型ウエル８２にＰまたはＡｓ（ヒ素）をイオン注入することよってｎ−型半導体領域を形成する。続いて、基板１上に、たとえば酸化シリコン膜を堆積した後、その酸化シリコン膜を異方的にエッチングすることにより、ゲート電極８６の側壁にサイドウォールスペーサを形成する。次いで、基板８１のｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎを形成する領域にＰまたはＡｓ（ヒ素）をイオン注入することよって、そのサイドウォールスペーサに対してｎ＋型半導体領域を自己整合的に形成し、ＬＤＤ構造のｎ型半導体領域（ソース、ドレイン）８７を形成することができる。ここまでの工程により、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎを形成することができる。
続いて、基板８１上に層間絶縁膜となる酸化シリコン膜８９を形成した後、フォトリソグラフィ技術によりパターニングされたフォトレジスト膜をマスクにしてその酸化シリコン膜８９をドライエッチングすることにより、ｎ型半導体領域（ソース、ドレイン）８７の上部にコンタクトホールを形成する。次いで、そのコンタクトホール内を含む基板８１上に、バリアメタル膜（ＴｉＮ膜／Ｔｉ膜）を形成した後、さらにＷ膜を堆積し、そのコンタクトホールをＷ膜で埋め込む。その後、コンタクトホール以外の酸化シリコン膜８９上のバリアメタル膜およびＷ膜を、たとえばＣＭＰ法により除去し、プラグ９０を形成する。
次に、積層配線が形成される領域に配線９１を形成する。配線９１は、酸化シリコン膜８９の上部にＴｉ膜、Ａｌ合金膜およびＴｉＮ膜を順次堆積した後、これらの薄膜をエッチングすることにより形成する。
続いて、基板８１上に酸化シリコン膜９２を形成した後、その酸化シリコン膜９２をエッチングしてコンタクトホールを形成する。次いで、そのコンタクトホールの内部を含む酸化シリコン膜９２の上部にバリアメタル膜（ＴｉＮ膜／Ｔｉ膜）およびＷ膜を順次堆積した後、酸化シリコン膜９２の上部のバリアメタル膜およびＷ膜をＣＭＰ法により除去し、プラグ９３を形成する。
次に、上記配線９１を形成した工程と同様の工程により、積層配線が形成される領域にＴｉ膜、Ａｌ合金膜およびＴｉＮ膜の３層の薄膜からなる配線９４を形成する。
続いて、基板１上に酸化シリコン膜９５を形成した後、その酸化シリコン膜９５をエッチングしてコンタクトホール９６を形成する。次いで、プラグ９３を形成した工程と同様の工程により、コンタクトホール９６内にプラグ９７を形成する。
次に、上記配線９１、９４を形成した工程と同様の工程により、積層配線が形成される領域およびパッドが形成される領域に、それぞれＴｉ膜、Ａｌ合金膜およびＴｉＮ膜の３層の薄膜からなる配線９８Ａと配線９８Ｂとを形成した後、プラズマＣＶＤ法にて基板８１上に高密度プラズマを用いた酸化シリコン膜９９を堆積する。続いて、その酸化シリコン膜９９上に、高密度プラズマを用いたプラズマＣＶＤ法にて酸化シリコン膜１００を堆積する。次いで、たとえばＣＭＰ法にて酸化シリコン膜１００の表面を研磨し、その表面を平坦化する。
次に、フォトリソグラフィ技術によってパターニングされたフォトレジスト膜（図示は省略）をマスクとして酸化シリコン膜１００、９９をエッチングすることにより、積層配線が形成される領域の配線９８Ａに達するコンタクトホール１０１Ａを形成し、パッドが形成される領域の配線９８Ｂに達するコンタクトホール１０１Ｂを形成する。
次に、コンタクトホール１０１Ａの内部およびコンタクトホール１０１Ｂの内部を含む酸化シリコン膜１００の上部に、膜厚約１０ｎｍのＴｉ膜と膜厚約５０ｎｍのＴｉＮ膜とからなるバリアメタル膜を堆積する。続いて、このバリアメタル膜の上部に、膜厚約５００ｎｍのＷ膜を堆積する。
次に、コンタクトホール１０２Ａ、１０２Ｂの外部のＷ膜およびバリアメタル膜ＣＭＰ法で除去することにより、コンタクトホール１０１Ａの内部にプラグ１０２Ａを形成し、コンタクトホール１０１Ｂの内部にプラグ１０２Ｂを形成する。
次に、酸化シリコン膜１００の上部にＴｉ膜、Ａｌ合金膜およびＴｉＮ膜を順次堆積し、これらの薄膜からなる積層膜を形成する。続いて、その積層膜をエッチングしパターニングすることによって、積層配線が形成される領域に配線１０３を形成し、パッドが形成される領域にパッドＢＰを形成する。
次に、基板８１の表面に膜厚２００ｎｍ程度の酸化シリコン膜１０４Ａおよび膜厚８００ｎｍ程度の窒化シリコン膜１０４Ｂを順次堆積することにより表面保護膜１０４を形成した後、パッドＢＰ上の窒化シリコン膜１０４Ｂおよび酸化シリコン膜１０４Ａをエッチングで除去することにより、平面矩形の開口部１０５を形成する。
次に、開口部１０５内を含む表面保護膜１０４上に、バンプ電極用下地膜１０６Ａを堆積する。このバンプ電極用下地膜１０６Ａは、たとえばＴｉまたはＴｉＷ等のような高融点金属膜の単体膜やＴｉ膜上にＮｉ（ニッケル）膜およびＡｕ膜を下層から順に積み重ねた構造を有する積層膜から形成することができる。続いて、たとえばＡｕからなる平面矩形のバンプ電極１０６を形成する。このバンプ電極１０６は、フォトリソグラフィ技術によって開口部が設けられたフォトレジストパターンをマスクとしためっき法にてＡｕ膜を成膜することで形成することができる。次いで、そのフォトレジスト膜を除去し、さらに下地のバンプ電極１０６下以外のバンプ電極用下地膜１０６Ａをエッチング除去する。
次に、前記実施の形態１で説明したプローブ検査工程（図３９〜図４２参照）と同様の工程によって、プローブ検査を実施する。前記実施の形態１でも説明したように、プローブ検査を実施するに当たっては、まず、外観検査装置５１（図３９参照）により検査対象である基板８１の主面の外観を検査する。外観検査装置５１による基板８１の主面の外観検査時には、前記実施の形態１にて図４０を用いて説明したように、各チップ領域内においては、基板８１の主面内においてバンプ電極１０６から、バンプ電極１０６の短辺の長さより長い距離（第１距離）だけ離れた位置より内側の領域（領域１０Ａ（図４０参照）に相当）と、それ以外の領域とに分けられる。そして、そのチップ主面内において相対的に内側の領域については、複数の矩形の領域（第２領域）に分割し、それぞれの領域（第２領域）について外観を検査していく。バンプ電極１０６が配置され、チップ主面内において相対的に内側の領域を取り囲むように配置されている相対的に外側の領域については、たとえば一辺が前記第２領域の一辺より小さい矩形の領域（第１領域）に分割し、それぞれの領域（第１領域）について外観を検査していく。また、前記実施の形態１において図４１を用いて説明したパッド１１の高さの異常と同様に、本実施の形態３のバンプ電極１０６についても同様の基準で高さの異常を検査する。外観検査の結果は、前記実施の形態１で図４２に示したように、基板８１の面内における各チップ領域の配列通りにウエハマップデータ（第１データ）としてまとめられ、ウエハマップデータ中には、外観異常が検出されたチップ領域（第１チップ領域）が配置されている位置（第１位置）とそれ以外のチップ領域が配置されている位置とが記録される。
基板８１内のすべてのチップ領域についての外観検査が終わると、上記ウエハマップデータにはさらに基板８１を識別する情報が加えられた後にサーバー５２（図３９参照）に送信され、サーバー５２内に蓄積される。その後、基板８１がプローブ検査装置５３に搬送され、プローブ検査装置５３に搬送された基板８１に対応するウエハマップデータがサーバー５２からサーバー５２を介してプローブ検査装置５３へ送信される。
プローブ検査装置５３においては、前記実施の形態１で説明した薄膜シート２（図６〜図３８（図１０および図１２は除く）参照）を有するプローブカード（図１および図２参照）を用いたプローブ検査が実施される。プローブ検査装置５３は、サーバー５２から送信されてきたウエハマップデータをもとに基板８１に対してプローブ検査を実施する。すなわち、ウエハマップデータ中において外観異常が検出されたチップ領域に対しては、プローブ検査を省略する。その結果、外観異常が検出されたチップ領域に対しては、プローブ７Ａ、７Ｂ（図６〜図８参照）をバンプ電極１０６に接触させる工程を省略できる。
プローブ７Ａ、７Ｂをバンプ電極１０６に接触させる際に、基板８１の主面に、異物が付着していたり、バンプ電極１０６に突起部が形成されていたりすると、薄膜シート２が異物または突起部に乗り上げてしまうことによって薄膜シート２が変形してしまうことも懸念され、特に異物または突起部がプローブ７Ａ、７Ｂの近傍に存在する場合には、プローブ７Ａ、７Ｂが薄膜シート２の内部にめり込んでしまう不具合の発生も懸念される。また、このように薄膜シート２が破損しない場合でも、薄膜シート２に異物または突起部との接触によるダメージが加わることも懸念される。そこで、ウエハマップデータ中において外観異常が検出されたチップ領域に対しては、プローブ７Ａ、７Ｂをバンプ電極１０６に接触させる工程を省略することにより、そのような薄膜シート２の破損またはダメージを未然に防ぐことが可能となる。
その後、基板８１を各々のチップへと分割し、本実施の形態３の半導体集積回路装置を製造する。
上記の本実施の形態３では、バンプ電極１０６を形成し、バンプ電極１０６を介して実装するチップの例について説明したが、バンプ電極１０６の代わりにボンディングワイヤを用いて実装する構造としてもよい。その場合には、図４８に示すように、開口部１０５を形成するまでの工程は同様である。その後、上記プローブ検査工程と同様の工程に従ってプローブ検査を実施する。この時、上記プローブ７Ａ、７Ｂが接触するのはパッドＢＰである。プローブ検査が終了した後、基板８１を各々のチップへと分割し、ボンディングワイヤ（図示は省略）をパッドＢＰと実装基板（図示は省略）とに接続することによってチップを実装基板へ実装する。
また、上記の本実施の形態３では、配線１１、１４をＡｌを主成分として形成したが、図４９に示すように、Ｃｕ（銅）を主成分として形成してもよい。このような場合には、プラグ９０を形成した後、酸化シリコン膜９上に、たとえば窒化シリコン膜からなるエッチングストッパ膜９２Ａおよび酸化シリコン膜９２Ｂを順次堆積することにより、層間絶縁膜９２Ｃを形成する。
続いて、層間絶縁膜９２Ｃをエッチングして、その底部がプラグ９０と接する配線溝９１Ｄを形成する。次いで、配線溝９１Ｄの内部を含む酸化シリコン膜９２Ｂの上部に、たとえば窒化チタン膜からなるバリアメタル膜およびＣｕ膜を順次堆積した後、ＣＭＰ法により酸化シリコン膜９２Ｂ上のバリアメタル膜およびＣｕ膜を除去することにより、配線溝９１Ｄの内部に配線９１を形成する。なお、Ｃｕ膜の代わりに、Ｃｕを８０重量パーセント程度以上含む銅合金膜を用いてもよい。
次に、層間絶縁膜９２Ｃの上部に、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜および酸化シリコン膜を順次堆積することにより、層間絶縁膜９５Ａを形成する。なお、この層間絶縁膜９５Ａを形成するに当たり、酸化シリコン膜の代わりに誘電率が約４．３以下の低誘電率絶縁膜（たとえばＳｉＯＦ）を形成してもよい。このような低誘電率絶縁膜を形成することにより、半導体集積回路装置の配線の総合的な誘電率を低減することができるので、配線遅延などの不具合を防ぐことができる。続いて、その層間絶縁膜９５Ａをエッチングして、その底部が配線９１と接するコンタクトホール９３Ａを形成した後、さらに層間絶縁膜９５Ａのうち上層の酸化シリコン膜および窒化シリコン膜をエッチングすることにより、配線溝９３Ｂを形成する。
次いで、配線溝９３Ｂおよびコンタクトホール９３Ａの内部を含む層間絶縁膜９５Ａの上部に、たとえば窒化チタン膜からなるバリアメタル膜およびＣｕ膜を順次堆積した後、ＣＭＰ法により層間絶縁膜９５Ａ上のバリアメタル膜およびＣｕ膜を除去することにより配線９４を形成する。
次に、層間絶縁膜９５Ａの上部に、窒化シリコン膜および酸化シリコン膜を順次堆積することにより、層間絶縁膜９５Ｂを形成する。なお、この層間絶縁膜９５Ｂを形成するにあたり、酸化シリコン膜の代わりに誘電率が約４．３以下の低誘電率絶縁膜（たとえばＳｉＯＦ）を形成してもよい。続いて、その層間絶縁膜９５Ｂをエッチングして、その底部が配線９４と接するコンタクトホール９６を形成する。
次いで、そのコンタクトホール９６の内部を含む層間絶縁膜９５Ｂの上部にバリアメタル膜（ＴｉＮ膜／Ｔｉ膜）およびＷ膜を順次堆積した後、層間絶縁膜９５Ｂの上部のバリアメタル膜およびＷ膜をＣＭＰ法により除去し、プラグ９７を形成する。なお、この時、Ｗ膜の代わりにＣｕ膜を用いてもよい。
その後の工程は、図４７を用いて説明した配線９８Ａ、９８Ｂを形成した工程以降と同様であり、バンプ電極１０６を形成した後に、上記のプローブ検査工程と同様の工程に従ってプローブ検査を実施する。また、バンプ電極１０６を形成せずに、図４８に示した構造と同様に、開口部１０５下のパッドＢＰにボンディングワイヤを接続する構造（図５０参照）としてもよい。
また、配線９８Ａ、９８Ｂは、Ｃｕ膜を主導電層として形成してもよい（図５１および図５２参照）。この場合、酸化シリコン膜９９、１００を窒化シリコン膜および酸化シリコン膜を下層より積層した積層膜９９Ａ、１００Ａと置き換える。配線９８Ａ、９８Ｂは、配線９４を形成した工程と同様の工程により、積層膜９９Ａをエッチングして形成した配線溝９８Ｃ、９８Ｄ内にそれぞれ形成することができる。また、プラグ９７は、配線９８Ａの形成時に一括に形成することができる。
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
たとえば、前記実施の形態では、薄膜シートに形成されたプローブをバンプ電極に接触させてプローブ検査を実施する場合について説明したが、バンプ電極を形成する前に、バンプ電極下に配置されるパッドにプローブを接触させてプローブ検査を実施してもよい。
【産業上の利用可能性】
本発明の半導体集積回路装置の製造方法は、たとえば半導体集積回路装置の製造工程におけるプローブ検査工程に広く適用することができる。

Claims (17)

  1. 以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法：
    （ａ）半導体集積回路製造工程において、ウエハ工程がほぼ完了し、複数のチップ領域の各々にボンディングパッド上のボンディングパッド開口またはバンプ電極が形成されたウエハを準備する工程；
    （ｂ）前記ウエハ上の前記複数のチップ領域の各々において、少なくとも前記ボンディングパッド開口または前記バンプ電極およびその周辺について、外観検査を実行する工程；
    （ｃ）前記複数のチップ領域に対して、薄膜プローブを用いてプローブテストを実行する際に、前記外観検査の結果に基づいて、前記複数のチップ領域のうち、前記薄膜プローブを用いて前記プローブテストを実行することが不適当な第１群のチップ領域への前記プローブテストを実行せず、前記第１群に属さない第２群のチップ領域に対して、前記薄膜プローブを用いて前記プローブテストを実行する工程、
    ここで、前記（ｂ）工程の外観検査は、以下の下位工程を含む：
    （ｉ）第１の精度で、前記ボンディングパッド開口または前記バンプ電極およびその周辺に対して外観検査を実行する工程；
    （ｉｉ）前記第１の精度よりも粗い第２の精度で、前記ボンディングパッド開口または前記バンプ電極およびその周辺以外の部分に対して外観検査を実行する工程。
  2. 請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
    前記（ｃ）工程の前記プローブテスト中、前記第１群のチップ領域に対しては、前記薄膜プローブの突起針をプローブ用電極としての前記ボンディングパッドまたは前記バンプ電極に接触させない。
  3. 請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
    前記（ｃ）工程の前記プローブテスト中、前記第１群のチップ領域に対しては、前記薄膜プローブの突起針をプローブ用電極としての前記ボンディングパッドまたは前記バンプ電極に、少なくとも電気的な測定が可能な程度までは接触させない。
  4. 請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
    前記（ｂ）工程の前記外観検査は、前記（ｃ）工程の前記プローブテストの際に、前記ウエハ上の異物または異常パターンが前記薄膜プローブにダメージを与えるか否かを光学的に検査する工程を含む。
  5. 請求項２記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
    前記プローブ用電極は、バンプ電極である。
  6. 請求項２記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
    前記プローブ用電極は、ボンディングパッドである。
  7. 請求項５記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
    前記プローブ用電極は、金を主要な成分とするバンプ電極である。
  8. 請求項２記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
    前記プローブ用電極は、アルミニウムを主要な成分とするボンディングパッドである。
  9. 請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
    前記ボンディングパッドまたは前記バンプ電極よりも下層の相互配線層の少なくとも一部は、銅を主成分とする配線材料で構成された埋め込み配線である。
  10. 以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法：
    （ａ）半導体集積回路製造工程において、ウエハ工程がほぼ完了し、複数のチップ領域の各々にプローブ用電極が形成されたウエハを準備する工程；
    （ｂ）前記ウエハ上の前記複数のチップ領域の各々において、少なくとも前記プローブ用電極およびその周辺について、外観検査を実行する工程；
    （ｃ）前記複数のチップ領域に対して、薄膜プローブを用いてプローブテストを実行する際に、前記外観検査の結果に基づいて、前記複数のチップ領域のうち、前記薄膜プローブを用いて前記プローブテストを実行することが不適当な第１群のチップ領域への前記プローブテストを実行せず、且つ、前記薄膜プローブの突起針を前記プローブ用電極に接触させず、一方、前記第１群に属さない第２群のチップ領域に対して、前記薄膜プローブを用いて前記プローブテストを実行する工程、
    ここで、前記（ｂ）工程の外観検査は、以下の下位工程を含む：
    （ｉ）第１の精度で、前記プローブ用電極およびその周辺に対して外観検査を実行する工程；
    （ｉｉ）前記第１の精度よりも粗い第２の精度で、前記プローブ用電極およびその周辺以外の部分に対して外観検査を実行する工程。
  11. 請求項１０記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
    前記（ｂ）工程の前記外観検査は、前記（ｃ）工程の前記プローブテストの際に、前記ウエハ上の異物または異常パターンが前記薄膜プローブにダメージを与えるか否かを光学的に検査する工程を含む。
  12. 請求項１０記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
    前記プローブ用電極は、バンプ電極である。
  13. 請求項１０記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
    前記プローブ用電極は、ボンディングパッドである。
  14. 請求項１０記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
    前記プローブ用電極は、金を主要な成分とするバンプ電極である。
  15. 請求項１０記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
    前記プローブ用電極は、アルミニウムを主要な成分とするボンディングパッドである。
  16. 請求項１０記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
    前記プローブ用電極よりも下層の相互配線層の少なくとも一部は、銅を主成分とする配線材料で構成された埋め込み配線である。
  17. 以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法：
    （ａ）半導体集積回路製造工程において、ウエハ工程がほぼ完了し、複数のチップ領域の各々に金を主要な成分とする金バンプ電極が形成されたウエハを準備する工程；
    （ｂ）前記ウエハ上の前記複数のチップ領域の各々において、少なくとも前記金バンプ電極およびその周辺について、外観検査を実行する工程；
    （ｃ）前記複数のチップ領域に対して、薄膜プローブを用いてプローブテストを実行する際に、前記外観検査の結果に基づいて、前記複数のチップ領域の内、前記薄膜プローブを用いて前記プローブテストを実行することが不適当な第１群のチップ領域への前記プローブテストを実行せず、且つ、前記薄膜プローブの突起針を前記金バンプ電極に少なくとも電気的な測定が可能な程度までは接触させず、一方、前記第１群に属さない第２群のチップ領域に対して、前記薄膜プローブを用いて前記プローブテストを実行する工程、
    ここで、前記（ｂ）工程の外観検査は、以下の下位工程を含む：
    （ｉ）第１の精度で、前記金バンプ電極およびその周辺に対して外観検査を実行する工程；
    （ｉｉ）前記第１の精度よりも粗い第２の精度で、前記金バンプ電極およびその周辺以外の部分に対して外観検査を実行する工程。
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