KR20180087537A - 전기 도금 마스크, 이를 이용하여 제작된 유기발광 표시장치 및 이의 제작방법 - Google Patents
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Abstract
전기 도금 마스크는 금속막 및 상기 금속막을 제1 방향으로 관통하여 형성된 복수개의 개구부를 포함하고, 상기 복수개의 개구부 사이에서 상기 금속막은 상기 제1 방향과 수직한 평면을 갖는다. 여기서, 상기 금속막 중 95% 이상의 금속 결정이 면심 입방 격자 구조를 갖는다.
Description
본 발명은 전기 도금 마스크, 이를 이용하여 제작된 유기발광 표시장치 및 이의 제작방법에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 쉐도우 불량률을 개선할 수 있는 전기 도금 마스크, 상기 전기 도금 마스크를 이용하여 제작된 유기발광 표시장치 및 상기 전기 도금 마스크의 제작방법에 관한 것이다.
유기발광 표시장치는 유기 화합물의 박막을 형성하는 방법에는 진공 증착법(Vacuum deposition Method), 스퍼터링(Sputtering), 이온빔 증착법(Ion-beam Deposition), Pulsed-laser 증착법, 분자선 증착법, 화학기상증착법(CVD; chemical vapor deposition), 스핀코팅(Spin coating) 등이 있다.
이중 일반적으로 가장 많이 사용되는 진공 증착법은 진공 챔버 내에서 증착원과 막 형성용 기판을 조합하여 박막을 형성하는 방법으로, 이는 유기전계발광소자의 발광층을 형성하는 대표적인 방법이다. 그러나, 이러한 증착 공정시에 사용되는 마스크는 에칭법으로 제작되어, 제작폭의 한계가 정해진다.
고해상도 제품에 대응 가능한 마스크 제작을 위하여 전기 도금법을 이용한다. 전기 도금 마스크는 고해상도 제품을 구현할 수 있어, 유기전계발광소자의 발광층을 형성하는데 많이 사용되고 있다.
본 발명의 목적은 열 팽창률을 향상시켜 쉐도우 불량률을 개선할 수 있는 전기 도금 마스크 및 이의 제작 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 전기 도금 마스크를 이용하여 제작된 유기발광 표시장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전기 도금 마스크는 금속막 및 상기 금속막을 제1 방향으로 관통하여 형성된 복수개의 개구부를 포함하고, 상기 복수개의 개구부 사이에서 상기 금속막은 상기 제1 방향과 수직한 평면을 갖는다. 여기서, 상기 금속막 중 95% 이상의 금속 결정이 면심 입방 격자 구조를 갖는다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전기 도금 마스크는 금속막 및 상기 금속막을 제1 방향으로 관통하여 형성되고, 평면에서 봤을 때 다각 형상을 갖는 복수개의 개구부를 포함하고,상기 복수개의 개구부들 중 인접한 두 개구부 사이에서 상기 금속막은 사다리꼴 형상의 단면을 갖는다. 여기서, 상기 금속막 중 95% 이상의 금속 결정이 면심 입방 격자 구조를 갖고, 상기 금속막의 그레인은 600nm 내지 1200nm 사이의 사이즈를 갖는다.
본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 구비되는 유기 발광 소자, 및 상기 유기 발광 소자를 구동하기 위한 구동회로를 포함한다.
상기 유기 발광 소자는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 형성된 발광층, 및 상기 발광층 상에 구비되고, 상기 제1 전극과 마주하는 제2 전극을 포함하며, 상기 발광층은 평면에서 봤을 때 다각 형상을 갖는다.
본 발명의 실시예에 따른 전기 도금 마스크의 제작 방법은 베이스 기판 상에 금속 물질을 전기 주조하여, 복수개의 개구부를 갖는 금속막을 형성하는 단계; 상기 금속막을 150℃ 내지 800℃의 온도에서 열처리하는 단계; 및 상기 베이스 기판을 상기 금속막으로부터 분리하여 전주 도금 마스크를 완성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 전기 도금 마스크, 상기 전기 도금 마스크를 이용하여 제작된 유기발광 표시장치 및 상기 전기 도금 마스크의 제작방법에 의하면, 열처리 공정을 통해, 열 팽창율이 비교적 낮아 전기 도금 마스크의 제작이 가능하다.
또한, 상기 발광층과 같이 공정 온도가 높은 유기 물질을 증착할 경우, 증착 온도에 의해 마스크가 팽창하는 것을 방지할 수 있고, 그 결과 쉐도우 불량률을 개선할 수 있다. 이로써, 상기 유기발광 표시장치에서 발광층이 원하는 형상으로 정확하게 패터닝될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전기 도금 마스크의 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 절단선 I-I`에 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 비교예에 따른 에칭 마스크의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 전기 도금 마스크의 제작 과정을 나타낸 흐름도이다.
도 5a 내지 도 5d는 열처리에 다른 결정 구조 변화를 나타낸 도면들이다.
도 6은 전기 도금 마스크의 열처리 온도에 따른 열팽창률을 나타낸 그래프이다.
도 7a는 비교예에 따른 마스크의 표면 조도를 나타낸 평면도이다.
도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전주 도금 마스크의 표면 조도를 나타낸 평면도이다.
도 8a는 도 7a에 도시된 절단선 Ⅱ-Ⅱ`에 따라 절단한 단면도이다.
도 8b는 도 7b에 도시된 절단선 Ⅲ-Ⅲ`에 따라 절단한 단면도이다.
도 9a 및 도 9b는 전기 도금 마스크의 단면 구조 및 경사각에 따른 상/하면 폭 변화를 나타낸 도면이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 전기 도금 마스크의 평면도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 단면도이다.
도 12는 도 11에 도시된 화소의 평면도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 화소의 단면도이다.
도 14는 도 13에 도시된 화소의 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 절단선 I-I`에 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 비교예에 따른 에칭 마스크의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 전기 도금 마스크의 제작 과정을 나타낸 흐름도이다.
도 5a 내지 도 5d는 열처리에 다른 결정 구조 변화를 나타낸 도면들이다.
도 6은 전기 도금 마스크의 열처리 온도에 따른 열팽창률을 나타낸 그래프이다.
도 7a는 비교예에 따른 마스크의 표면 조도를 나타낸 평면도이다.
도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전주 도금 마스크의 표면 조도를 나타낸 평면도이다.
도 8a는 도 7a에 도시된 절단선 Ⅱ-Ⅱ`에 따라 절단한 단면도이다.
도 8b는 도 7b에 도시된 절단선 Ⅲ-Ⅲ`에 따라 절단한 단면도이다.
도 9a 및 도 9b는 전기 도금 마스크의 단면 구조 및 경사각에 따른 상/하면 폭 변화를 나타낸 도면이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 전기 도금 마스크의 평면도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 단면도이다.
도 12는 도 11에 도시된 화소의 평면도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 화소의 단면도이다.
도 14는 도 13에 도시된 화소의 평면도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전기 도금 마스크의 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 절단선 I-I`에 따라 절단한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 전기 도금 마스크(100)는 전주 도금 방식으로 제작된 금속 마스크로써, 금속막(110) 및 상기 금속막(110)을 제1 방향(D1)으로 관통하여 형성된 복수개의 개구부(OP)를 포함한다.
상기 복수개의 개구부(OP) 사이에서 상기 금속막(110)은 상기 제1 방향(D1)과 수직한 두 개의 평면을 갖는다. 구체적으로, 서로 인접한 두 개의 개구부(OP) 사이에서 상기 금속막(110)은 사다리꼴 형상의 단면 구조를 갖는다. 상기 금속막(110)은 두 개의 개구부(OP) 사이에서 상기 제1 방향(D1)과 수직한 제2 방향(D2)으로 평행한 상면(110a) 및 하면(110b)을 갖는다. 상기 개구부(OP)를 정의하는 측면(110c)은 소정 각도로 기울어진 경사면 구조를 가질 수 있다.
상기 개구부들(OP) 각각은 평면에서 봤을 때 다각 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 개구부들(OP) 각각은 삼각, 사각, 오각, 및 육각 형상 중 어느 하나의 형상을 가질 수 있다. 도 1에서는 상기 개구부들(OP) 각각이 육각 형상을 갖는 구조를 도시하였으나, 이에 한정되지 않는다.
도 3은 비교예에 따른 에칭 마스크의 평면도이다.
도 3을 참조하면, 일반적인 에칭 마스크(200)는 압연 방식으로 제작된 마스크이다. 상기 에칭 마스크(200)에도 개구부(OP2)가 형성된다. 그러나, 전기 도금 방식이 아닌 압연 방식으로 제작할 경우, 제작 한계에 의해서, 도 1에 도시된 전기 도금 마스크(100)에 형성된 개구부(OP)와 동일한 사이즈에서 다각 형상을 갖도록 상기 개구부(OP2)를 형성할 수 없다.
상기 에칭 마스크(200)의 경우, 다각 형상으로 패터닝하더라도, 상기 개구부(OP2)에는 코너각이 무너져 나타나지 않는다.
반면, 상기 전기 도금 마스크(100)에는 적어도 하나 이상의 코너각을 갖는 다각 형상의 개구부(OP)가 형성될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 전기 도금 마스크의 제작 과정을 나타낸 흐름도이다.
도 4를 참조하면, 베이스 기판 상에 금속 물질을 전기 주조하여, 복수개의 개구부(OP, 도 1에 도시됨)를 갖는 금속막을 형성한다(S201). 이후, 상기 금속막을 150℃ 내지 800℃의 온도에서 열처리한다(S202).
상기 베이스 기판을 상기 금속막으로부터 분리하여 전주 도금 마스크(100, 도 1에 도시됨)를 완성한다(S203).
상기 열처리 단계는, 진공 또는 N2 가스 분위기에서 진행될 수 있다. 또한, 상기 열처리 단계는, RTA(Rapid Thermal Annealing) 및 RTP(Rapid Thermal Process) 등을 이용하여 350℃ 내지 650℃ 의 온도에서 급속으로 진행될 수 있다. 급속으로 진행할 경우, 대략 1분 내지 120분 이내에 열처리 공정이 완료될 수 있다. 이처럼, 급속으로 진행할 경우, 열처리 과정에서 발생할 수 있는 금속막 표면의 산화 또는 변색 등의 문제를 개선할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예로, 상기 열처리 단계는 350℃ 내지 650℃ 의 온도에서 수소 가스 또는 암모니아 가스를 주입하여 진행될 수 있다. 이처럼, 열처리 과정에서 수소 가스 또는 암모니아 가스를 주입할 경우, 치환 반응을 통해서 상기 금속막의 표면 산화 문제가 개선될 수 있다.
도 5a 내지 도 5d는 열처리에 다른 결정 구조 변화를 나타낸 도면들이다. 도 5a 내지 도 5b에서 제1 컬러는 체심 입방 구조(BCC)를 갖는 결정 분포를 나타내고, 제2 컬러는 면심 입방 구조(FCC)의 결정 분포를 나타낸다.
도 5a는 열처리 단계 이전 금속막의 결정 구조를 나타낸 도면이고, 도 4b는 370℃에서 열처리된 금속막의 결정 구조를 나타내며, 도 5c는 570℃에서 열처리된 금속막의 결정 구조를 나타내고, 도 5d는 650℃에서 열처리된 금속막의 결정 구조를 나타낸다.
| 열처리 온도 | 체심 입방 격자(%) | 면심 입방 격자(%) |
| 열처리 전 | 99.0 | 1.0 |
| 370℃ | 4.0 | 96.0 |
| 570℃ | 0.7 | 99.3 |
| 650℃ | 0.1 | 99.9 |
도 5a를 참조하면, 열처리 단계 이전의 금속막은 체심 입방 구조(BCC)의 결정 구조를 갖는다. 대략, 99%의 금속 결정이 체심 입방 격자 구조(BCC)를 갖고, 1%의 금속 결정이 면심 입방 격자 구조(FCC)를 갖는 것으로 측정된다.
도 5b 내지 도 5d를 참조하면, 열처리 단계(도 4에 도시됨)에서, 370℃로 열처리를 진행할 경우, 상기 금속막의 금속 결정 중 96%가 면심 입방 격자 구조(FCC)를 갖는 것으로 나타났다. 570℃로 열처리를 진행할 경우, 면심 입방 격자 구조(FCC)를 갖는 금속 결정의 비율은 99.3%로 증가됐다. 650℃로 열처리를 진행했을 때, 면심 입방 격자 구조(FCC)를 갖는 금속 결정의 비율이 99.9%로 거의 100%에 가까워졌다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 열처리 단계를 거쳐 제작된 상기 전기 금속 마스크(100)에서, 대략 95% 이상의 금속 결정이 면심 입방 격자 구조(FCC)를 가질 수 있다.
| 열처리 온도 | 그레인 사이즈(nm) |
| 열처리 전 | 188 |
| 370℃ | 617 |
| 570℃ | 1008 |
| 650℃ | 1163 |
본 발명에 따른, 상기 전기 도금 마스크에 사용되는 금속막의 그레인 사이즈는 대략 600nm 내지 1200nm 일 수 있다. 열처리 단계 이전에 상기 금속막의 그레인 사이즈는 대략 188nm이다. 그러나, 열처리를 진행하면, 상기 그레인 사이즈가 증가한다. 370℃의 온도에서 열처리를 진행할 경우, 상기 금속막의 그레인 사이즈는 대략 617nm로 증가하고, 570℃의 온도에서 열처리를 진행하면, 상기 그레인 사이즈가 대략 1000nm 이상으로 증가됐다. 650℃로 열처리를 진행할 경우, 상기 그레인 사이즈의 증가 비율은 둔화되지만, 역시 1163nm로 증가됐다.
그레인 사이즈가 대략 600nm 이상으로 증가되면, 비교적 열에 안정화된 특성을 가질 수 있다. 따라서, 열처리 단계는 대략 350℃ 내지 650℃의 온도 범위에서 진행할 수 있고, 상기 그레인 사이즈는 대략 600nm 내지 1200nm 사이의 값을 가질 수 있다.
도 6은 전기 도금 마스크의 열처리 온도에 따른 열팽창률을 나타낸 그래프이다.
도 6을 참조하면, 열처리 이전에는 상기 전기 도금 마스크의 열 팽창률이 대략 5.3㎛/m℃로 높았던 반면, 370℃의 온도에서 열처리를 진행한 경우, 열 팽창률이 1.7㎛/m℃로 감소되었다. 이후, 600℃의 온도까지 열처리 온도에 따라 열 팽창률이 -1.5㎛/m℃까지 감소하는 것으로 나타났다.
따라서, 상기 금속막을 150℃ 내지 800℃에서 열처리할 경우, 상기 전기 도금 마스크는 5㎛/m℃ 내지 -1.5㎛/m℃의 열 팽창률을 가질 수 있다.
마스크의 열팽창율이 5㎛/m℃으로 높은 경우, 증착 매수가 증가할수록 공정 온도가 높아져서 쉐도우(shadow) 불량률이 증가할 수 있다. 그러나, 본 발명에 따른 전기 도금 마스크의 경우, 열처리 과정을 통해 열 팽창률을 5㎛/m℃ 이하로 낮출 수 있다. 열 팽창률이 낮아지면, 공정 온도가 높아지더라도 쉐도우 불량률이 증가하지 않을 수 있다.
도 7a는 비교예에 따른 마스크의 표면 조도를 나타낸 평면도이고, 도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전기 도금 마스크의 표면 조도를 나타낸 평면도이다. 도 8a는 도 7a에 도시된 절단선 Ⅱ-Ⅱ`에 따라 절단한 단면도이고, 도 8b는 도 7b에 도시된 절단선 Ⅲ-Ⅲ`에 따라 절단한 단면도이다.
도 7a 및 도 8a를 참조하면, 압연 방식으로 제작된 마스크의 표면 조도를 나타낸다. 압연 방식으로 제작된 마스크의 경우, 20㎛의 두께에서 대략 1.181㎛의 표면 조도를 갖는 것으로 나타났다.
그러나, 도 7b 및 도 8b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 전기 도금 마스크는 10㎛의 두께에서 대략 0.109㎛의 표면 조도를 갖는 것으로 나타났다. 이때, 상기 전기 도금 마스크에서 니켈 금속의 비율은 34% 정도이다. 상기 니켈 금속의 비율에 따라서 상기 전기 도금 마스크의 표면 조도가 달라질 수 있으나, 압연 방식으로 제작된 마스크에 비하여, 본 발명에 따른 전기 도금 마스크의 표면 조도가 낮아질 수 있다.
도 9a 및 도 9b는 전기 도금 마스크의 단면 구조 및 경사각에 따른 상/하면 비율 변화를 나타낸 도면이다.
도 9a 및 도 9b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 전기 도금 마스크(100, 도 1에 도시됨)에서, 상기 금속막(110)은 인접하는 두 개구부(OP) 사이에서 사다리꼴 형상의 단면 구조를 갖는다.
상기 금속막(110)은 상면(110a), 하면(110b) 및 상기 상면과 하면을 연결하는 측면(110c)를 갖다. 상기 상면(110a)의 폭 및 상기 금속막(110)의 두께가 일정한 경우, 상기 측면(110c)의 상기 하면(110b)에 대한 경사 각도에 따라서 상기 하면(110b)의 폭이 결정될 수 있다.
상기 상면(110a)은 제1 폭(a1)을 갖고, 상기 경사 각도가 제1 각도(θ1)인 경우, 상기 하면(110b) 상기 제1 폭(a1)보다 제2 폭(2a2)만큼 큰 제3 폭(a3)을 갖는다. 여기서, 상기 제1 각도(θ1)는 60°일 수 있다.
한편, 상기 경사 각도가 제2 각도(θ2)인 경우, 상기 하면(110b)은 상기 제1 폭(a1)보다 제4 폭(2a4)만큼 큰 제5 폭(a5)을 갖는다. 즉, 상기 경사 각도가 감소할수록 상기 하면(110b)의 폭이 증가할 수 있다.
도 10는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전기 도금 마스크의 평면도이다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 전기 도금 마스크(10)는 전기 도금 방식으로 제작된 금속 마스크로써, 금속막(111) 및 상기 금속막(111)을 관통하여 형성된 복수개의 개구부(OP`)를 포함한다.
상기 개구부들(OP`) 각각은 평면에서 봤을 때 다각 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 개구부들(OP`) 각각은 삼각, 사각, 오각, 및 육각 형상 중 어느 하나의 형상을 가질 수 있다. 도 10에서는 상기 개구부들(OP) 각각이 오각 형상을 갖는 구조를 도시하였으나, 이에 한정되지 않는다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 단면도이고, 도 12는 도 11에 도시된 화소의 평면도이다. 유기발광 표시장치는 다수의 화소를 포함하지만, 도 11 및 도 12에서는 설명의 편의를 위하여 다수의 화소 중 하나의 화소에 대한 단면 및 평면 구조를 도시하였다.
도 11을 참조하면, 유기발광 표시장치(200)는 베이스 기판(SUB), 구동 트랜지스터(T1), 제어 트랜지스터(T2), 및 유기발광 다이오드(OLED)를 포함한다.
상기 구동 트랜지스터(T1), 상기 제어 트랜지스터(T2), 및 유기발광 다이오드(OLED)는 상기 베이스 기판(SUB)의 상면에 배치된다.
상기 구동 트랜지스터(T1)는 제1 입력 전극(IE1), 제1 출력 전극(OE1), 제1 제어 전극(CE1), 및 제1 반도체 패턴(SP1)을 포함한다. 상기 구동 트랜지스터(T1)는 상기 유기발광 다이오드(OLED)에 연결된다. 상기 제어 트랜지스터(T2)는 제2 입력 전극(IE2), 제2 출력 전극(OE2), 제2 제어 전극(CE2), 및 제2 반도체 패턴(SP2)을 포함한다.
상기 유기발광 다이오드(OLED)는 애노드 전극(AE), 제1 전하 제어층(HCL), 발광층(EML), 제2 전하 제어층(ECL), 및 캐소드 전극(CE)을 포함한다. 본 실시예에서, 제1 전하 제어층(HCL)은 정공 제어층일 수 있고, 상기 제2 전하 제어층(ECL)은 전자 제어층일 수 있다. 한편, 상기 애노드 전극(AE)과 상기 캐소스 전극(CE)의 위치는 서로 교환될 수 있고, 이 경우, 상기 제1 전하 제어층(HCL)은 전자 제어층일 수 있고, 상기 제2 전하 제어층(ECL)은 정공 제어층일 수 있다.
상기 베이스 기판(SUB)은 상기 구동 트랜지스터(T1) 및 상기 제어 트랜지스터(T2)가 배치될 수 있는 층, 필름, 또는 플레이트일 수 있다. 상기 베이스 기판(SUB)은 플라스틱 기판, 유리 기판, 금속 기판 등을 포함할 수 있다. 플라스틱 기판은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실록산계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지 및 페릴렌계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 베이스 기판(SUB)의 상면과 상기 구동 트랜지스터(T1) 및 상기 제어 트랜지스터(T2) 사이에는 버퍼층(BFL)이 배치될 수 있다. 상기 버퍼층(BFL)은 베이스 기판(SUB)과 도전성 패턴들 또는 반도체 패턴들의 결합력을 향상시킨다. 상기 버퍼층(BFL)은 무기물 및/또는 유기물 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 별도로 도시되지 않았으나, 이물질이 유입되는 것을 방지하는 배리어층이 상기 베이스 기판(SUB)의 상면에 더 배치될 수도 있다. 상기 버퍼층(BFL)과 배리어층은 선택적으로 배치되거나 생략될 수 있다.
상기 버퍼층(BFL) 상에 제1 반도체 패턴(SP1)이 배치된다. 상기 제1 반도체 패턴(SP1)은 결정질 반도체 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 반도체 패턴(SP1)은 다결정 실리콘과 같은 다결정 반도체 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 반도체 패턴(SP1)은 불순물이 포함된 제1 영역(AR11) 및 제3 영역(AR13), 상기 제1 영역(AR11)과 상기 제3 영역(AR13)에 인접한 제2 영역(AR12)으로 구분될 수 있다. 불순물은 도펀트(dopant)일 수 있다. 상기 제1 영역(AR11)은 제1 입력 전극(IE1)에 접속되고, 상기 제3 영역(AR13)은 제1 출력 전극(OE1)에 접속된다.
상기 제2 영역(AR12)은 상기 제1 영역(AR11)과 상기 제3 영역(AR13) 사이에 배치되고 제1 제어 전극(CE1)과 평면상에서 중첩될 수 있다. 상기 제2 영역(AR12)은 상기 구동 트랜지스터(T1)의 채널 영역일 수 있다.
상기 구동 트랜지스터(T1)의 채널 영역은 다결정 반도체 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라, 상기 구동 트랜지스터(T1)는 향상된 이동도를 갖고, 높은 신뢰성을 가진 구동 소자로 기능할 수 있다.
제1 반도체 패턴(SP1) 상에 제1 절연층(10)이 배치된다. 상기 제1 절연층(10)은 무기물 및/또는 유기물 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 절연층(10)은 실리콘 질화물 및/또는 실리콘 산화물을 포함할 수 있다.
상기 제1 절연층(10)은 상기 버퍼층(BFL) 상에 배치되어 상기 제1 반도체 패턴(SP1)의 적어도 일부를 커버할 수 있다. 한편, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 상기 제1 절연층(10)은 평면상에서 상기 제2 영역(AR12)에 중첩하는 절연 패턴일 수 있다.
상기 제1 절연층(10) 상에 제1 제어 전극(CE1)이 배치된다. 상기 제1 제어 전극(CE1)은 적어도 제2 영역(AR12)에 중첩한다. 상기 제1 제어 전극(CE1)은 상기 제1 절연층(10)을 사이에 두고 상기 제1 반도체 패턴(SP1)으로부터 이격된다. 상기 제1 제어 전극(CE1)은 채널 영역이 되는 상기 제2 영역(AR12)에서의 전하 이동을 제어한다.
상기 제1 절연층(20) 상에 제2 반도체 패턴(SP2)이 배치된다. 제2 반도체 패턴(SP2)은 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 산화물 반도체는 아연(Zn), 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn), 티타늄(Ti) 등의 금속 산화물 또는 아연(Zn), 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn), 티타늄(Ti) 등의 금속과 이들의 산화물의 혼합물을 포함할 수 있다. 한편, 상기 제2 반도체 패턴(SP2)은 결정화된 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 상기 산화물 반도체의 결정은 수직 방향의 방향성을 가질 수 있다.
상기 제2 반도체 패턴(SP2)은 불순물이 포함된 제4 영역(AR21) 및 제6 영역(AR23), 상기 제4 영역(AR21)과 상기 제6 영역(AR23)에 인접한 제5 영역(AR22)으로 구분될 수 있다. 상기 제4 영역(AR21) 및 상기 제6 영역(AR23)은 상기 제5 영역(AR22)을 사이에 두고 서로 이격된다.
상기 제5 영역(AR22)은 상기 제어 트랜지스터(T2)의 채널 영역일 수 있다. 상기 제2 반도체 패턴(SP2)에 있어서, 불순물은 환원된 금속 물질들일 수 있다. 상기 제4 영역(AR21) 및 제6 영역(AR23)은 상기 제5 영역(AR22)을 이루는 금속 산화물로부터 환원된 금속 물질들을 포함할 수 있다. 이에 따라, 상기 제어 트랜지스터(T2)는 누설전류를 낮출 수 있어 온-오프 특성이 향상된 스위칭 소자로 기능할 수 있다.
상기 제1 제어 전극(CE1) 및 상기 제2 반도체 패턴(SP2) 상에 상기 제2 절연층(20)이 배치된다. 상기 제2 절연층(20)은 상기 제1 절연층(10) 상에 배치되어 제1 제어 전극(CE1)을 커버한다. 상기 제2 절연층(20)은 유기물 및/또는 무기물을 포함할 수 있다.
상기 제2 절연층(30) 상에 제2 제어 전극(CE2)이 배치된다. 상기 제2 제어 전극(CE2) 상에 제3 절연층(30)이 배치된다. 상기 제3 절연층(30)은 무기물 및/또는 유기물을 포함한다.
상기 제3 절연층(30) 상에 제1 입력 전극(IE1), 제1 출력 전극(OE1), 제2 입력 전극(IE2), 및 제2 출력 전극(OE2)이 배치된다. 제1 입력 전극(IE1), 제1 출력 전극(OE1), 제2 입력 전극(IE2), 및 제2 출력 전극(OE2)은 각각 제1 내지 제3 절연층들(10, 20, 30) 중 적어도 일부를 관통하여 제1 반도체 패턴(SP1) 또는 제2 반도체 패턴(SP2)에 접속될 수 있다.
구체적으로, 제1 입력 전극(IE1) 및 제1 출력 전극(OE1)은 제1 내지 제3 절연층들(10, 20, 30)을 관통하는 제1 콘택홀들(OP1)을 통해 각각 제1 반도체 패턴(SP1)의 제1 영역(AR11) 및 제3 영역(AR13)에 접속된다. 제2 입력 전극(IE2) 및 제2 출력 전극(OE2)은 제2 및 제3 절연층(20, 30)을 관통하는 제2 콘택홀들(OP2)을 통해 각각 제2 반도체 패턴(SP2)의 제1 영역(AR21) 및 제3 영역(AR23)에 접속된다.
상기 제3 절연층(30) 상에 중간막(ILD)이 배치된다. 중간막(ILD)은 무기물 및/또는 유기물을 포함한다. 중간막(ILD)에는 중간막(ILD)을 관통하는 제3 콘택홀(OP3)이 정의될 수 있다. 상기 제3 콘택홀(OP3)은 제1 출력 전극(OE1)에 중첩하는 영역에 정의될 수 있다.
상기 중간막(ILD) 상에 상기 애노드 전극(AE)이 배치된다. 상기 애노드 전극(AE)은 상기 제3 콘택홀(OP3)을 통해 상기 구동 트랜지스터(T1)의 제1 출력 전극(OE1)에 접속된다.
상기 중간막(ILD) 상에 화소 정의막(PDL)이 배치된다. 상기 화소 정의막(PDL)은 무기막 및/또는 무기막을 포함할 수 있다. 상기 화소 정의막(PDL)에는 소정의 화소 개구부(OP-PX)가 정의된다. 상기 화소 개구부(OP-PX)는 상기 애노드 전극(AE)의 적어도 일부를 노출시킨다. 본 발명의 일 예로, 도 1에 도시된 상기 전기 도금 마스크(100)를 사용하여 상기 화소 정의막(PDL)에 상기 화소 개구부(OP-PX)를 형성하는 경우, 상기 화소 정의막(PDL)에 형성되는 상기 화소 개구부(OP-PX)의 폭은 대략 13.6㎛의 제작 한계를 가질 수 있다.
상기 애노드 전극(AE) 상에 제1 전하 제어층(HCL), 발광층(EML), 제2 전하 제어층(ECL), 및 제2 전극(CE)이 순차적으로 적층된다. 상기 발광층(EML)은 화소 개구부(OP-PX)에 중첩하는 발광 패턴일 수 있다. 상기 발광층(EML)은 도 1에 도시된 상기 전기 도금 마스크(100)를 이용하여 형성될 수 있다.
도 11을 참조하면, 평면에서 봤을 때, 상기 발광층(EML)과 상기 화소 개구부(OP-PX)의 형상은 거의 일치할 수 있다. 상기 발광층(EML)과 상기 화소 개구부(OP-PX)은 다각 형상을 가질 수 있다. 본 발명의 일 예로, 도 12에서는 상기 발광층(EML)과 상기 화소 개구부(OP-PX)가 오각 형상을 갖는 구조를 도시하였으나, 이에 한정되지 않고, 삼각, 사각 및 육각 형상으로 변형될 수 있다. 다만, 상기 발광층(EML)은 상기 화소 개구부(OP-PX)보다 크거나 같은 사이즈로 형성될 수 있다.
상기 유기발광 다이오드(OLED)는 상기 애노드 전극(AE) 및 상기 캐소드 전극(CE) 사이의 전압 차이를 이용하여 상기 발광층(EML)으로부터 광을 생성한다. 한편, 도시되지 않았으나, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치(300)는 상기 캐소드 전극(CE) 상에 배치되는 유기막 및/또는 무기막을 더 포함할 수 있다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 단면도이고, 도 14는 도 13에 도시된 화소의 평면도이다. 도 13 및 도 14에서는 상기 화소 정의막이 생략된 구조를 도시하였다.
도 13 및 도 14를 참조하면, 상기 애노드 전극(AE) 상에는 상기 화소 정의막(PDL, 도 11에 도시됨)이 형성되지 않고, 바로 상기 발광층(EML)이 형성될 수 있다. 상기 발광층(EML)은 도 1에 도시된 상기 전기 도금 마스크(100)를 이용하여 형성될 수 있다.
도 14를 참조하면, 평면에서 봤을 때, 상기 발광층(EML)은 다각 형상을 가질 수 있다. 본 발명의 일 예로, 도 14에서는 상기 발광층(EML)이 오각 형상을 갖는 구조를 도시하였으나, 이에 한정되지 않고, 삼각, 사각 및 육각 형상으로 변형될 수 있다.
도 1 내지 도 10에 도시된 전기 도금 마스크(100, 101)의 경우, 열처리가 진행되어 형성되므로, 열 팽창율이 비교적 낮다. 따라서, 상기 발광층(EML)과 같이 공정 온도가 높은 유기 물질을 증착할 경우, 증착 온도에 의해 마스크가 팽창하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과 쉐도우 불량률을 개선할 수 있다. 이로써, 상기 전기 도금 마스크(100, 101)에 형성된 개구부(OP)의 형상이 열에 의해서 변형되지 않으며, 상기 발광층(EML)이 원하는 형상으로 정확하게 패터닝될 수 있다.
본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형을 할 수 있음은 이 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 자명하다. 따라서, 그러한 변형예 또는 수정예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 해야 할 것이다.
100, 101: 전기 도금 마스크
110, 111: 금속막
OP, OP`: 개구부 110a: 상면
110b: 하면 110c: 측면
OP, OP`: 개구부 110a: 상면
110b: 하면 110c: 측면
Claims (19)
- 금속막 및 상기 금속막을 제1 방향으로 관통하여 형성된 복수개의 개구부를 포함하고,
상기 복수개의 개구부 사이에서 상기 금속막은 상기 제1 방향과 수직한 평면을 갖고,
상기 금속막 중 95% 이상의 금속 결정이 면심 입방 격자 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 전기 도금 마스크. - 제1항에 있어서, 상기 금속막의 열팽창률은 5㎛/m℃ 내지 -1.5㎛/m℃인 것을 특징으로 하는 전기 도금 마스크.
- 제1항에 있어서, 상기 금속막의 그레인은 600nm 내지 1200nm 사이의 사이즈를 갖는 것을 특징으로 하는 전기 도금 마스크.
- 제1항에 있어서, 상기 금속막은 인접하는 두 개구부 사이에서 사다리꼴 형상의 단면 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 전기 도금 마스크.
- 제1항에 있어서, 상기 개구부는 평면에서 봤을 때 다각 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 전기 도금 마스크.
- 제5항에 있어서, 상기 개구부는 삼각, 사각, 오각, 및 육각 형상 중 어느 하나의 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 전기 도금 마스크.
- 금속막 및 상기 금속막을 제1 방향으로 관통하여 형성되고, 평면에서 봤을 때 다각 형상을 갖는 복수개의 개구부를 포함하고,
상기 복수개의 개구부들 중 인접한 두 개구부 사이에서 상기 금속막은 사다리꼴 형상의 단면을 갖고,
상기 금속막 중 95% 이상의 금속 결정이 면심 입방 격자 구조를 갖고,
상기 금속막의 그레인은 600nm 내지 1200nm 사이의 사이즈를 갖는 것을 특징으로 하는 전기 도금 마스크. - 제7항에 있어서, 상기 금속막은 니켈 및 철의 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 전기 도금 마스크.
- 제7항에 있어서, 상기 금속막의 열팽창률은 5㎛/m℃ 내지 -1.5㎛/m℃인 것을 특징으로 하는 전기 도금 마스크.
- 제7항에 있어서, 상기 개구부들 각각은 삼각, 사각, 오각, 및 육각 형상 중 어느 하나의 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 전기 도금 마스크.
- 베이스 기판;
상기 베이스 기판 상에 구비되는 유기 발광 소자; 및
상기 유기 발광 소자를 구동하기 위한 구동회로를 포함하고,
상기 유기 발광 소자는
제1 전극;
상기 제1 전극 상에 형성된 발광층; 및
상기 발광층 상에 구비되고, 상기 제1 전극과 마주하는 제2 전극을 포함하며,
상기 발광층은 평면에서 봤을 때 다각 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치. - 제11항에 있어서, 상기 발광층은 삼각, 사각, 오각, 및 육각 형상 중 어느 하나의 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.
- 제11항에 있어서, 상기 제1 전극 상에 형성되고, 상기 제1 전극의 일부를 노출시키기 위한 화소 개구부를 갖는 화소 정의막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.
- 제13항에 있어서, 상기 발광층과 상기 화소 개구부는 평면에서 봤을 때 동일한 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.
- 베이스 기판 상에 금속 물질을 전기 주조하여, 복수개의 개구부를 갖는 금속막을 형성하는 단계;
상기 금속막을 150℃ 내지 800℃의 온도에서 열처리하는 단계; 및
상기 베이스 기판을 상기 금속막으로부터 분리하여 전기 도금 마스크를 완성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 도금 마스크 제작 방법. - 제15항에 있어서, 상기 열처리 단계는,
진공 또는 N2 가스 분위기에서 진행되는 것을 특징으로 하는 전기 도금 마스크 제작 방법. - 제16항에 있어서, 상기 열처리 단계는,
350℃ 내지 650℃ 의 온도에서 진행되는 것을 특징으로 하는 전기 도금 마스크 제작 방법. - 제15항에 있어서, 상기 열처리 단계는,
350℃ 내지 650℃ 의 온도에서 수소 또는 암모니아 가스를 주입하여 진행되는 것을 특징으로 하는 전기 도금 마스크 제작 방법. - 제15항에 있어서, 상기 열처리 전 상기 금속막은 95% 이상의 금속 결정이 체심 입방 격자 구조를 갖고,
상기 열처리 후 상기 금속막은 95% 이상의 금속 결정이 면심 입방 격자 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 전기 도금 마스크 제작 방법.
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Cited By (7)
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