CN108342685A - 电镀掩模、利用其制造的有机发光显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

公开了电镀掩模、利用该电镀掩模制造的有机发光显示装置以及该电镀掩模的制造方法。其中，电镀掩模包括金属膜以及在第一方向上贯穿所述金属膜而形成的多个开口部，其中，所述金属膜在所述多个开口部之间具有与所述第一方向垂直的平面。此处，所述金属膜中的95％以上的金属结晶具有面心立方格子结构。

Description

电镀掩模、利用其制造的有机发光显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及电镀掩模、利用该电镀掩模制造的有机发光显示装置以及该电镀掩模的制造方法，更具体地，涉及能够改善阴影不合格率的电镀掩模、利用上述电镀掩模制造的有机发光显示装置以及上述电镀掩模的制造方法。
背景技术
在有机发光显示装置中，形成有机化合物薄膜的方法包括真空沉积法(Vacuumdeposition Method)、溅射法(Sputtering)、离子束沉积法(Ion-beam Deposition)、脉冲激光沉积法、分子束沉积法、化学气相沉积法(CVD；chemical vapor deposition)和旋涂法(Spin coating)等。
其中通常最常用的为真空沉积法，作为在真空腔室内通过将沉积源与用于形成膜的衬底进行组合来形成薄膜的方法，其为形成有机电致发光器件的发光层的代表性方法。然而，由于这种沉积工艺中所使用的掩模是通过蚀刻法制造的，所以在制造宽度上存在局限性。
为了制造能够应对高分辨率产品的掩模，使用电镀法。由于电镀掩模能够实现高分辨率产品，因此其多用于形成有机电致发光器件的发光层。
发明内容
解决的技术问题
本发明的目的在于提供能够通过改善热膨胀率来改善阴影不合格率的电镀掩模以及该电镀掩模的制造方法。
本发明的另一目的在于提供利用上述电镀掩模制造的有机发光显示装置。
解决方法
根据本发明一实施方式的电镀掩模包括金属膜和在第一方向上贯穿所述金属膜而形成的多个开口部，其中，所述金属膜在所述多个开口部之间具有与所述第一方向垂直的平面，此处，所述金属膜中的95％以上的金属结晶具有面心立方格子结构。
根据本发明一实施方式的电镀掩模包括金属膜和多个开口部，其中，多个开口部在第一方向上贯穿所述金属膜而形成并且在平面上查看时具有多边形结构，其中，所述金属膜在所述多个开口部中相邻的两个开口部之间具有梯形形状的截面。此处，所述金属膜中的95％以上的金属结晶具有面心立方格子结构，并且所述金属膜的晶粒具有600nm至1200nm之间的大小。
根据本发明实施方式的有机发光显示装置包括基础衬底、位于所述基础衬底上的有机发光器件以及用于驱动所述有机发光器件的驱动电路。
所述有机发光器件具有第一电极、形成在所述第一电极上的发光层以及位于所述发光层上并且与所述第一电极相对的第二电极，并且在平面上查看时，所述发光层具有多边形形状。
根据本发明实施方式的电镀掩模制造方法包括以下步骤：在基础衬底上电铸金属物质以形成具有多个开口部的金属膜；在150℃至800℃的温度下对所述金属膜进行热处理；以及从所述金属膜分离所述基础衬底以完成电镀掩模。
有益效果
根据本发明的电镀掩模、利用所述电镀掩模制造的有机发光显示装置以及所述电镀掩模的制造方法，通过热处理工艺来实现较低的热膨胀率。因此使得电镀掩模的制造变得可能。
此外，在对如所述发光层那样要求高工艺温度的有机物质进行沉积时，能够防止掩模因沉积温度而膨胀，其结果，能够改善阴影不合格率。由此，在所述有机发光显示装置中，能够使发光层准确地图案化为所期望的形状。
附图说明
图1是根据本发明一实施方式的电镀掩模的平面图。
图2是沿着图1中所示的切割线I-I`切割的剖视图。
图3是根据比较例的蚀刻掩模的平面图。
图4是示出根据本发明一实施方式的电镀掩模的制造过程的流程图。
图5a至图5d是示出根据热处理的结晶结构变化的视图。
图6是示出根据电镀掩模的热处理温度的热膨胀率的图表。
图7a是示出根据比较例的掩模的表面粗糙度的平面图。
图7b是示出根据本发明一实施方式的电镀掩模的表面粗糙度的平面图。
图8a是沿着图7a中所示的切割线Ⅱ-Ⅱ`切割的剖视图。
图8b是沿着图7b中所示的切割线Ⅲ-Ⅲ`切割的剖视图。
图9a和图9b是根据电镀掩模的截面结构和倾斜角的上/下表面宽度变化的视图。
图10是根据本发明一实施方式的电镀掩模的平面图。
图11是根据本发明一实施方式的有机发光显示装置的剖视图。
图12是图11中所示的像素的平面图。
图13是根据本发明一实施方式的有机发光显示装置的剖视图。
图14是图13中所示像素的平面图。
具体实施方式
本发明可进行多种变型并且可具有多种形态，并且将在附图中示例性地示出特定实施方式并在本文中进行详细的说明。然而，这并不旨在将本发明限定为特定的公开形态，而是应理解为涵盖包含在本发明的思想及技术范围内的所有变型、等同物乃至替代物。
图1是根据本发明一实施方式的电镀掩模的平面图，且图2是沿着图1中所示的切割线I-I`切割的剖视图。
参照图1和图2，根据本发明一实施方式的电镀掩模100作为通过电铸方式制造的金属掩模，其包括金属膜110和在第一方向D1上贯穿上述金属膜110而形成的多个开口部OP。
在上述多个开口部OP之间，上述金属膜110具有与上述第一方向D1垂直的两个平面。具体地，在彼此相邻的两个开口部OP之间，上述金属膜110具有梯形形状的截面结构。上述金属膜110在两个开口部OP之间具有在与上述第一方向D1垂直的第二方向D2上平行的上表面110a和下表面110b。限定上述开口部OP的侧表面110c可具有以预定角度倾斜的倾斜面结构。
在平面上查看时，上述开口部OP中的每个可具有多边形形状。例如，上述开口部OP中的每个可具有三角形、四边形、五边形和六边形形状中的任一种形状。虽然在图1中上述开口部OP中的每个示出为具有六边形形状的结构，但并不限于此。
图3是根据比较例的蚀刻掩模的平面图。
参照图3，通常的蚀刻掩模200是通过压延方式制造的掩模。上述蚀刻掩模200中也形成有开口部OP2。然而，在通过压延方式而不是通过电镀方式制造的情况下，由于制造的限制，上述开口部OP2无法在与图1中所示的电镀掩模100中所形成的开口部OP相同的尺寸下形成为具有多边形形状。
对于上述蚀刻掩模200，即使图案化为多边形形状，拐角也会崩塌而不显示在上述开口部OP2中。
相反，上述电镀掩模100中可形成有具有至少一个拐角的多边形形状的开口部OP。
图4是示出根据本发明一实施方式的电镀掩模的制造过程的流程图。
参照图4，在基础衬底上电铸金属物质而形成具有多个开口部(OP，图1中示出)的金属膜(S201)。然后，在150℃至800℃的温度下对上述金属膜进行热处理(S202)。
从上述金属膜分离上述基础衬底，并完成电镀掩模(100，图1中示出)(S203)。
上述热处理步骤可在真空或N2气体气氛下进行。此外，上述热处理步骤可利用快速热退火(RTA：Rapid Thermal Annealing)和快速热处理(RTP：Rapid Thermal Process)等在350℃至650℃的温度下急速进行。在急速进行的情况下，可在约1分钟至120分钟内完成热处理工艺。在通过这种方式急速进行的情况下，可改善在热处理过程中可能发生的金属膜表面的氧化或变色等问题。
作为本发明的另一实施方式，上述热处理步骤可在350℃至650℃的温度下注入氢气或者氨气来进行。以这种方式在热处理过程中注入氢气或者氨气的情况下，可通过置换反应来改善上述金属膜的表面氧化问题。
图5a至图5d是示出根据热处理的结晶结构变化的视图。在图5a至图5b中，第一颜色表示具有体心立方结构(BCC)的结晶分布，并且第二颜色表示面心立方结构(FCC)的结晶分布。
图5a是示出热处理步骤之前的金属膜的结晶结构的视图，图5b示出在370℃中经热处理的金属膜的结晶结构，图5c示出在570℃中经热处理的金属膜的结晶结构，并且图5d示出在650℃中经热处理的金属膜的结晶结构。
[表1]
热处理温度 体心立方格子(％) 面心立方格子(％)
热处理之前 99.0 1.0
370℃ 4.0 96.0
570℃ 0.7 99.3
650℃ 0.1 99.9
参照图5a，热处理步骤之前的金属膜具有体心立方结构(BCC)的结晶结构。大体上，测量出99％的金属结晶具有体心立方格子结构(BCC)，且1％的金属结晶具有面心立方格子结构(FCC)。
参照图5b至图5d，在热处理步骤(图4中示出)中，以370℃进行热处理的情况下，显示出上述金属膜的金属结晶中的96％具有面心立方格子结构(FCC)。在以570℃进行热处理的情况下，具有面心立方格子结构(FCC)的金属结晶的比例增加至99.3％。在以650℃进行热处理的情况下，具有面心立方格子结构(FCC)的金属结晶的比例为99.9％，已很接近100％。
因此，根据本发明一实施方式，在经过热处理步骤制造的上述电镀掩模100中，约95％以上的金属结晶可具有面心立方格子结构(FCC)。
[表2]
热处理温度 晶粒尺寸(nm)
热处理之前 188
370℃ 617
570℃ 1008
650℃ 1163
根据本发明，上述电镀掩模中所使用的金属膜的晶粒尺寸可以是约600nm至1200nm。在热处理步骤之前，上述金属膜的晶粒尺寸为约188nm。然而，在进行热处理时，上述晶粒尺寸增加。在370℃的温度下进行热处理的情况下，上述金属膜的晶粒尺寸增加到约617nm，且在570℃的温度下进行热处理的情况下，上述晶粒尺寸增加到约1000nm以上。在650℃的温度下进行热处理的情况下，上述晶粒尺寸的增加比例变缓，但是仍增加到1163nm。
当晶粒尺寸增加到约600nm以上时，可具有对热比较稳定的特性。因此，热处理步骤可在约350℃至650℃的温度范围中进行，并且上述晶粒尺寸可具有约600nm至1200nm之间的值。
图6是示出根据电镀掩模的热处理温度的热膨胀率的图表。
参照图6，在热处理之前，上述电镀掩模的热膨胀率为约5.3μm/m℃高，而相反，在370℃的温度下进行热处理的情况下，热膨胀率减小到1.7μm/m℃。其后显示出，直至温度达到600℃，根据热处理温度的热膨胀率减小至-1.5μm/m℃。
因此，在150℃至800℃中对上述金属膜进行热处理的情况下，上述电镀掩模可具有5μm/m℃至-1.5μm/m℃的热膨胀率。
在掩模的热膨胀率高达5μm/m℃时，工艺温度随着沉积张数增加而上升，因此阴影(shadow)不合格率可能会增加。然而，在根据本发明的电镀掩模的情况下，可通过热处理过程将热膨胀率降低至5μm/m℃以下。当热膨胀率降低时，即使工艺温度上升，阴影不合格率也可以不增加。
图7a是示出根据比较例的掩模的表面粗糙度的平面图，并且图7b是示出根据本发明一实施方式的电镀掩模的表面粗糙度的平面图。图8a是沿着图7a中所示的切割线Ⅱ-Ⅱ`切割的剖视图，并且图8b是沿着图7b中所示的切割线Ⅲ-Ⅲ`切割的剖视图。
参照图7a和图8a，示出了通过压延方式制造的掩模的表面粗糙度。在通过压延方式制造的掩模的情况下，显示出在20μm厚度下具有约1.181μm的表面粗糙度。
然而，参照图7b和图8b，显示出根据本发明一实施方式的电镀掩模在10μm的厚度下具有约0.109μm的表面粗糙度。此时，在上述电镀掩模中，镍金属的比例为35％左右。虽然上述电镀掩模的表面粗糙度可随着上述镍金属的比例而变化，但是与通过压延方式制造的掩模相比，根据本发明的电镀掩模的表面粗糙度可降低。
图9a和图9b是根据电镀掩模的截面结构和倾斜角的上/下表面宽度变化的视图。
参照图9a和图9b，在根据本发明一实施方式的上述电镀掩模(100，图1中示出)中，上述金属膜110在相邻的两个开口部OP之间具有梯形形状的截面结构。
上述金属膜110具有上表面110a、下表面110b和连接上述上表面与上述下表面的侧表面110c。在上述上表面110a的宽度和上述金属膜110的厚度恒定的情况下，上述下表面110b的宽度可根据上述侧表面110c相对于上述下表面110b的倾斜角度而决定。
在上述上表面110a具有第一宽度a1且上述倾斜角度为第一角度θ1的情况下，上述下表面110b具第三宽度a3，上述第三宽度a3比上述第一宽度a1大相当于第二宽度a2的两倍的大小。此处，上述第一角度θ1可以是60°。
另外，在上述倾斜角度为第二角度θ2的情况下，上述下表面110b具有第五宽度a5，上述第五宽度a5比上述第一宽度a1大相当于第四宽度a4的两倍的大小。即，上述下表面110b的宽度可随着上述倾斜角度减小而增加。
图10是根据本发明另一实施方式的电镀掩模的平面图。
参照图10，根据本发明另一实施方式的电镀掩模101作为通过电镀方式制造的金属掩模，其包括金属膜111和贯穿上述金属膜111而形成的多个开口部OP`。
在平面上查看时，上述开口部OP`中的每个可具有多边形形状。例如，上述开口部OP`中的每个可具有三角形、四边形、五边形和六边形形状中的任一种形状。虽然在图10中上述开口部OP`中的每个示出为具有五边形形状的结构，但并不限于此。
图11是根据本发明一实施方式的有机发光显示装置的剖视图，并且图12是图11中所示的像素的平面图。虽然有机发光显示装置包括多个像素，但为了说明的便利，在图11和图12中示出了多个像素中的一个像素的截面和平面结构。
参照图11，有机发光显示装置包括基础衬底SUB、驱动晶体管T1、控制晶体管T2和有机发光二极管OLED。
上述驱动晶体管T1、上述控制晶体管T2和有机发光二极管OLED布置在上述基础衬底SUB的上表面上。
上述驱动晶体管T1包括第一输入电极IE1、第一输出电极OE1、第一控制电极CE1和第一半导体图案SP1。上述驱动晶体管T1与上述有机发光二极管OLED连接。上述控制晶体管T2包括第二输入电极IE2、第二输出电极OE2、第二控制电极CE2和第二半导体图案SP2。
上述有机发光二极管OLED包括阳电极AE、第一电荷控制层HCL、发光层EML、第二电荷控制层ECL和阴电极CE。在本实施方式中，第一电荷控制层HCL可以是空穴控制层，且上述第二电荷控制层ECL可以是电子控制层。另外，上述阳电极AE和上述阴电极CE的位置可彼此替换，并且在这种情况下，上述第一电荷控制层HCL可以是电子控制层，且上述第二电荷控制层ECL可以是空穴控制层。
上述基础衬底SUB可以是能够布置有上述驱动晶体管T1和上述控制晶体管T2的层、膜或板。上述基础衬底SUB可包括塑料衬底、玻璃衬底、金属衬底等。塑料衬底可包括丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯、乙烯类树脂、环氧类树脂，氨基甲酸酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰亚胺类树脂，聚酰胺类树脂和苝类树脂中的至少任一种。
上述基础衬底SUB的上表面与上述驱动晶体管T1以及上述控制晶体管T2之间可布置有缓冲层BFL。上述缓冲层BFL提高基础衬底SUB与导电性图案或半导体图案的结合力。上述缓冲层BFL可包括无机物和/或有机物。虽然没有另外示出，但是上述基础衬底SUB的上表面上还可布置有防止异物流入的阻挡层。上述缓冲层BFL和阻挡层可选择性地布置或省略。
上述缓冲层BFL上布置有第一半导体图案SP1。上述第一半导体图案SP1可包括结晶质半导体物质。例如，上述第一半导体图案SP1可包括如多晶硅的多晶半导体物质。
上述第一半导体图案SP1可划分为包含杂质的第一区域AR11和第三区域AR13，以及与上述第一区域AR11和上述第三区域AR13相邻的第二区域AR12。杂质可以是掺杂物(dopant)。上述第一区域AR11与第一输入电极IE1连接，且上述第三区域AR13与第一输出电极OE1连接。
上述第二区域AR12可布置在上述第一区域AR11与上述第三区域AR13之间并且可在平面上与第一控制电极CE1重叠。上述第二区域AR12可以是上述驱动晶体管T1的沟道区域。
上述驱动晶体管T1的沟道区域可包括多晶半导体物质。由此，上述驱动晶体管T1可用作具有提升的移动性以及具有高可靠性的驱动器件。
第一半导体图案SP1上布置有第一绝缘层10。上述第一绝缘层10可包括无机物和/或有机物。例如，上述第一绝缘层10可包括氮化硅和/或氧化硅。
上述第一绝缘层10可布置在上述缓冲层BFL上以覆盖上述第一半导体图案SP1的至少一部分。另外，这是示例性示出的，且上述第一绝缘层10可以是在平面上与上述第二区域AR12重叠的绝缘图案。
上述第一绝缘层10上布置有第一控制电极CE1。上述第一控制电极CE1至少与第二区域AR12重叠。上述第一控制电极CE1与上述第一半导体图案SP1相隔开，而上述第一绝缘层10位于上述第一控制电极CE1与上述第一半导体图案SP1之间。上述第一控制电极CE1控制构成沟道区域的上述第二区域AR12中的电荷移动。
上述第一绝缘层10上布置有第二半导体图案SP2。第二半导体图案SP2可包括氧化物半导体。例如，氧化物半导体可包括锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、钛(Ti)等金属氧化物或锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、钛(Ti)等金属与其氧化物的混合物。另外，上述第二半导体图案SP2可包括结晶化的氧化物半导体。上述氧化物半导体的结晶可具有竖直方向的方向性。
上述第二半导体图案SP2可划分为包含杂质的第四区域AR21和第六区域AR23，以及与上述第四区域AR21和上述第六区域AR23相邻的第五区域AR22。上述第四区域AR21与上述第六区域AR23彼此相隔开，而上述第五区域AR22位于上述第四区域AR21与上述第六区域AR23之间。
上述第五区域AR22可以是上述控制晶体管T2的沟道区域。在上述第二半导体图案SP2中，杂质可以是还原的金属物质。上述第四区域AR21和上述第六区域AR23可包括从构成上述第五区域AR22的金属氧化物还原的金属物质。由此，上述控制晶体管T2能够降低漏电流，从而可用作导通-截止特性得到改善的开关器件。
上述第一控制电极CE1和上述第二半导体图案SP2上布置有第二绝缘层20。上述第二绝缘层20布置在上述第一绝缘层10上以覆盖第一控制电极CE1。上述第二绝缘层20可包括有机物和/或无机物。
上述第二绝缘层20上布置有第二控制电极CE2。上述第二控制电极CE2上布置有第三绝缘层30。上述第三绝缘层30包括无机物和/或有机物。
上述第三绝缘层30上布置有第一输入电极IE1、第一输出电极OE1、第二输入电极IE2和第二输出电极OE2。第一输入电极IE1、第一输出电极OE1、第二输入电极IE2和第二输出电极OE2中的每个可贯穿第一绝缘层10、第二绝缘层20和第三绝缘层30中的至少一部分，并与第一半导体图案SP1或第二半导体图案SP2连接。
具体地，第一输入电极IE1和第一输出电极OE1经由贯穿第一绝缘层10、第二绝缘层20和第三绝缘层30的第一接触孔OP1分别与第一半导体图案SP1的第一区域AR11和第三区域AR13连接。第二输入电极IE2和第二输出电极OE2经由贯穿第二绝缘层20和第三绝缘层30的第二接触孔OP2分别与第二半导体图案SP2的第四区域AR21和第六区域AR23连接。
上述第三绝缘层30上布置有中间膜ILD。中间膜ILD包括无机物和/或有机物。中间膜ILD中可限定有贯穿中间膜ILD的第三接触孔OP3。上述第三接触孔OP3可由与第一输出电极OE1重叠的区域限定。
上述中间膜ILD上布置有上述阳电极AE。上述阳电极AE经由上述第三接触孔OP3与上述驱动晶体管T1的第一输出电极OE1连接。
上述中间膜ILD上布置有像素限定膜PDL。上述像素限定膜PDL可包括无机膜和/或有机膜。上述像素限定膜PDL中限定有预定的像素开口部OP-PX。上述像素开口部OP-PX暴露上述阳电极AE的至少一部分。作为本发明一示例，在使用图1中所示的上述电镀掩模100在上述像素限定膜PDL上形成上述像素开口部OP-PX的情况下，形成在上述像素限定膜PDL中的上述像素开口部OP-PX的宽度可能具有约13.6μm的制造限制。
上述阳电极AE上依次堆叠有第一电荷控制层HCL、发光层EML、第二电荷控制层ECL和阴电极CE。上述发光层EML可以是与像素开口部OP-PX重叠的发光图案。上述发光层EML可利用图1中所示的上述电镀掩模100来形成。
参照图11，在平面中查看时，上述发光层EML的形状和上述像素开口部OP-PX的形状可以几乎是一致的。上述发光层EML和上述像素开口部OP-PX可具有多边形形状。作为本发明一示例，虽然在图12中上述发光层EML和上述像素开口部OP-PX示出为具有六边形形状的结构，但并不限于此，它们可变形为三角形、四边形和五边形形状。然而，上述发光层EML可形成为大于或等于上述像素开口部OP-PX的大小。
上述有机发光二极管OLED可利用上述阳电极AE与上述阴电极CE之间的电压差从上述发光层EML产生光。另外，虽然未示出，但是根据本发明一实施方式的有机发光显示装置还可包括布置在上述阴电极CE上的有机膜和/或无机膜。
图13是根据本发明一实施方式的有机发光显示装置的剖视图，且图14是图13中所示像素的平面图。图13和图14中示出了省略了上述像素限定膜的结构。
参照图13和图14，上述阳电极AE上可直接形成有上述发光层EML，而不形成有上述像素限定膜(PDL，图11中示出)。上述发光层EML可利用图1中所示的上述电镀掩模100来形成。
参照图14，在平面上查看时，上述发光层EML可具有多边形形状。作为本发明一示例，虽然在图14中上述发光层EML示出为具有六边形形状的结构，但并不限于此，其可变形为三角形、四边形和五边形形状。
在图1至图10中所示的电镀掩模100、101的情况下，因为其通过进行热处理来形成，所以热膨胀率较低。因此，在如上述发光层EML那样要求高工艺温度的有机物质进行沉积时，能够防止掩模因沉积温度而膨胀。其结果，能够改善阴影不合格率。由此，形成在上述电镀掩模100、101中的开口部OP的形状不会因热而变形，并且能够使上述发光层EML准确地图案化为所需的形状。
本领域普通技术人员将理解，本发明并不限于所记载的实施方式，而是能够在不背离本发明的思想和范围的情况下进行多种修改及变型。因此，那种变型例或修改例也应落入本发明的保护范围内。
附图标记说明
100、101：电镀掩模 110、111：金属膜
OP、OP`：开口部 110a：上表面
110b：下表面 110c：侧表面

Claims (19)

1.电镀掩模，包括：
金属膜；以及
多个开口部，所述多个开口部在第一方向上贯穿所述金属膜而形成，
其中，所述金属膜在所述多个开口部之间具有与所述第一方向垂直且彼此平行的两个平面，以及
所述金属膜中的95％以上的金属结晶具有面心立方格子结构。
2.如权利要求1所述的电镀掩模，其中，所述金属膜的热膨胀率为5μm/m℃至-1.5μm/m℃。
3.如权利要求1所述的电镀掩模，其中，所述金属膜的晶粒具有600nm至1200nm之间的大小。
4.如权利要求1所述的电镀掩模，其中，所述金属膜在相邻的两个开口部之间具有梯形形状的截面结构。
5.如权利要求1所述的电镀掩模，其中，在平面上查看时，所述开口部具有多边形形状。
6.如权利要求5所述的电镀掩模，其中，所述开口部具有三角形、四边形、五边形和六边形形状中的任一种形状。
7.电镀掩模，包括：
金属膜；以及
多个开口部，所述多个开口部在第一方向上贯穿所述金属膜而形成，并且在平面上查看时具有多边形形状，
其中，所述金属膜在所述多个开口部中相邻的两个开口部之间具有梯形形状截面，
所述金属膜中的95％以上的金属结晶具有面心立方格子结构，以及
所述金属膜的晶粒具有600nm至1200nm之间的大小。
8.如权利要求7所述的电镀掩模，其中，所述金属膜由镍与铁的合金构成。
9.如权利要求7所述的电镀掩模，其中，所述金属膜的热膨胀率为5μm/m℃至-1.5μm/m℃。
10.如权利要求7所述的电镀掩模，其中，所述开口部中的每个具有三角形、四边形、五边形和六边形形状中的任一种形状。
11.有机发光显示装置，包括：
基础衬底；
有机发光器件，位于所述基础衬底上；以及
驱动电路，用于驱动所述有机发光器件，
其中，所述有机发光器件包括：
第一电极；
发光层，形成在所述第一电极上；以及
第二电极，位于所述发光层上并且与所述第一电极相对，
其中，在平面上查看时，所述发光层具有多边形形状。
12.如权利要求11所述的有机发光显示装置，其中，所述发光层具有三角形、四边形、五边形和六边形形状中的任一种形状。
13.如权利要求11所述的有机发光显示装置，还包括：
像素限定膜，形成在所述第一电极上，并且具有用于暴露所述第一电极的一部分的像素开口部。
14.如权利要求13所述的有机发光显示装置，其中，在平面上查看时，所述发光层与所述像素开口部具有相同的形状。
15.电镀掩模制造方法，包括以下步骤：
在基础衬底上电铸金属物质，以形成具有多个开口部的金属膜；
在150℃至800℃的温度下对所述金属膜进行热处理；以及
从所述金属膜分离所述基础衬底以完成所述电镀掩模。
16.如权利要求15所述的电镀掩模制造方法，其中，所述热处理步骤在真空或N2气体气氛下进行。
17.如权利要求16所述的电镀掩模制造方法，其中，所述热处理步骤在350℃至650℃的温度下进行。
18.如权利要求15所述的电镀掩模制造方法，其中，所述热处理步骤在350℃至650℃的温度下注入氢气或氨气来进行。
19.如权利要求15所述的电镀掩模制造方法，其中，
在所述热处理之前，所述金属膜中的95％以上的金属结晶具有体心立方格子结构，以及
在所述热处理之后，所述金属膜中的95％以上的金属结晶具有面心立方格子结构。
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