KR20090066245A - 투명전도막 및 이의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 투명전도막 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 투명전도막은 투명산화물층과 금속층이 교차적으로 다층 적층되어 있는 것으로, 투명산화물층은 ZnO를 주성분으로 한 인듐-프리 산화물층이고, 금속층은 Ag을 주성분으로 한다. 본 발명에 따른 투명 전도막은 가시광선영역에서 빛의 투과도가 80% 인 높은 투명성과 면저항이 5Ω/□인 저저항을 쉽게 실현할 수 있어 디스플레이 분야를 포함한 다양한 분야에 적용될 수 있다.
투명전도막, 금속층, 산화물층
Description
본 발명은 투명전도막 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 인듐을 포함하지 않는 투명산화물층과 금속층이 교차적으로 적층된 다층 구조로서 가시광선영역에서 빛의 투과도가 80% 이상이고, 면저항이 5 Ohm/□ 이하인 저저항 투명 전도막과 이의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 지식경제부 및 정보통신연구진흥원의 IT원천기술개발사업의 일환으로 수행한 연구로부터 도출된 것이다[과제관리번호: 2006-S-079-02, 과제명: 투명 전자 소자를 이용한 스마트 창].
현재 디스플레이 산업이 발달하면서 다양한 디스플레이에 대한 수요가 생겨나고 있다. 이에 따라서 가시광선 영역에서 투명한 전도막의 필요성이 점차 확대되고 있다. 지금까지 주로 사용되는 대표적인 투명 전도막 재료는 인듐-틴 산화물(ITO)이다.
현재 투명 전도막 재료로 사용되는 물질로써 ITO라고 불리는 인듐-틴 산화물 이 대표적이고, 이외에도 산화아연을 주성분으로 하면서 인듐과 같은 3가 이온을 첨가한 물질이 사용되고 있다. 이러한 물질들은 투명도는 우수하지만, 전기 전도도에 있어서 금속에 미치지를 못한다.
이런 문제를 해결하기 위해 개발된 것이 산화물층/금속층/산화물층 구조를 가지는 투명전도막으로, 여기서 산화물층은 산화아연물질에 In과 Zn을 포함하는 투명 산화물 박막을 말하고, 금속은 Ag를 주성분으로 하는 금속 박막을 말한다. 이러한 구조에서 투명도를 유지하면서 동시에 전기 전도도를 금속에 가깝게 개선시킬 수 있다.
그러나, 최근 ITO에 대한 수요가 급증하면서 인듐의 가격이 급등하고 있다. 이에 본 발명자들은 산화물층/금속층/산화물층 구조를 가지면서, 동시에 인듐을 포함하지 않는 투명 전도막에 대한 연구를 진행하면서, 산화물층에 주성분으로 산화아연을 사용하면서, 산화물층 및 금속층의 두께 또는 불순물의 종류를 제어하는 경우, 투명도가 우수하면서 저항이 낮은 투명전도막을 제조할 수 있음을 발견하고 본 발명을 완성하였다.
따라서, 상기 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한, 본 발명의 기술적 과제는 인듐을 포함하지 않으면서 저항값이 낮고 투과율이 높은 투명 전도막을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 또 다른 기술적 과제는 인듐을 포함하지 않으면서 저항값이 낮고 투과율이 높은 투명 전도막의 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 첫 번째 기술적 과제를 달성하기 위해, 본 발명은 투명산화물층과 금속층이 교차적으로 다층 적층되어 있는 투명 전도막에 있어서, 투명산화물층은 ZnO를 주성분으로 한 인듐-프리(Indium-free) 산화물층이고, 금속층은 Ag을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전도막을 제공한다.
본 발명에 따른 투명전도막에서 상기 투명산화물층들은 각각 독립적으로 불순물이 포함되지 않는 ZnO층 및/또는 Al, Sn, Mg 및 Cd로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소를 불순물로 포함한 ZnO층인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 투명전도막에서 상기 금속층들은 각각 Ag 또는 Ag계 합금을 포함하는 단일층 또는 Ag 또는 Ag계 합금으로 된 층과 Ag 이외의 다른 금속으로 된 층을 포함하는 다층인 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 투명전도막에서 상기 투명산화물층의 두께는 30 내지 80㎚의 범위 내에서 선택되고, 상기 금속층의 두께는 5 내지 20㎚의 범위 내에서 선택되는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 투명전도막에서, 금속층과 금속층 상에 형성되는 투명산화물층 사이에는 전도성 산화물로 된 완충층을 1 내지 3㎚의 두께로 더 포함하는 것이 바람직하다.
상기 두 번째 기술적 과제를 달성하기 위해, 본 발명은 (a) 기판 상에 ZnO를 주성분으로 한 제 1 인듐-프리 산화물층을 증착하는 단계; (b) 상기 제 1 인듐-프 리 산화물층 상에 Ag을 포함한 금속층을 증착하는 단계; (c) 상기 금속층 상에 ZnO를 주성분으로 한 제 2 인듐-프리 산화물층을 증착하는 단계를 포함하되, 상기 (b) 및 (c) 단계는 1회 이상 반복되는 투명전도막의 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따른 투명전도막의 제조방법에서, 상기 제 1 및 제 2 인듐-프리 산화물층은 각각 독립적으로 불순물을 포함하지 않는 ZnO로 증착되거나, 또는 Al, Sn, Mg 및 Cd로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소를 불순물로 포함한 ZnO로 증착되는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 투명전도막의 제조방법에서, 상기 금속층들은 각각 독립적으로 Ag 또는 Ag계 합금으로 증착되거나, 또는 Ag 또는 Ag계 합금으로 증착하고, 이어서 Ag 이외의 금속으로 증착되는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 투명전도막의 제조방법에서, 상기 제 1 및 제2 인듐-프리 산화물층은 각각 독립적으로 30 내지 80㎚의 두께로 증착되고, 상기 금속층들은 5 내지 20nm의 두께로 증착되는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 투명전도막의 제조방법에서, 상기 (b)와 (c) 단계 사이에 전도성 산화물로 된 완충층을 산소 공급 없이 1 내지 3㎚의 두께로 증착하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 투명전도막의 제조방법에서, 상기 증착 단계는 물리적 증착법, 화학적 증착법 또는 물리적 증착법과 화학적 증착법의 혼용을 통해 수행되는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 투명전도막은 LCD용 배선, 또는 박막트랜지스터의 게이트 전 극, 소스 전극 또는 드레인 전극에 적용될 수 있다.
본 발명에 따른 투명전도막은 첫 번째, 인듐을 포함하지 않으면서 면저항이 5Ω/□이하인 저저항과 가시광선 영역에서 빛의 투과도가 80% 이상인 높은 투명성을 용이하게 실현할 수 있어, 투명성과 대면적화가 요구되는 디스플레이 분야에 적용될 수 있으며, 또한, 일함수를 달리하는 저저항 투명전극을 제조할 수 있어서 OLED, 무기물 LED, 태양전지등 다양한 분야에 적용될 수 있다.
두 번째, 본 발명에 따른 투명전도막은 희귀금속으로 희소성이 높아지고 있는 인듐을 사용하지 않음에 따라서, 경제적인 이점을 갖는다.
세 번째, 본 발명에 따른 투명전도막은 낮은 온도에서 형성이 가능하여 유리 기판뿐만 아니라 플라스틱 기판상에서도 형성될 수 있다.
네 번째, 본 발명에 따른 투명전도막은 식각율을 제어함에 따라서, 미세패터닝이 가능하며, 일함수를 제어함에 따라서, 다양한 일함수를 갖는 산화물 전도체 및 반도체에 적용될 수 있다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사 한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 발명은 투명산화물층과 금속층이 교차적으로 다층 적층되어 있는 투명 전도막에 있어서, 투명산화물층은 인듐-프리(Indium-free) 산화물층이고, 금속층은 Ag을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전도막을 제공한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명을 더욱 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 투명 전도막을 나타낸 단면도이고, 도 2는 본 발명의 다른 일실시예에 따른 투명 전도막을 나타낸 단면도이고, 도 3은 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 투명 전도막을 나타낸 단면도이다.
본 발명에 따른 투명 전도막은 도 1에 나타낸 바와 같이 기판(10)/인듐-프리 산화물층(20)/금속층(30)/인듐-프리 산화물층(40)의 구조를 갖거나, 도 2에 나타낸 바와 같이 기판(10)/인듐-프리 산화물층(20)/금속층(30)/인듐-프리 산화물층(40)/금속층(50)/인듐-프리 산화물층(60)과 같은 구조를 가질 수 있으며, 도 3에 나타낸 바와 같이, 기판(10)/인듐-프리 산화물층(20)/금속층(30)/완충층(a)/인듐-프리 산화물층(40)의 구조를 가질 수 있다.
상기 기판(10)으로는 실리콘 웨이퍼, 유리, 플라스틱이 될 수 있다.
또한, 인듐-프리 산화물층(20, 40, 60)은 각각 독립적으로 불순물이 포함되지 않는 ZnO로 형성되거나, ZnO를 주성분으로 하는 산화물에 불순물로써 Al, Sn, Mg 및 Cd로 이루어진 군에서 선택된 원소를 하나 이상 포함하는 것으로 형성될 수 있다.
또한, 인듐-프리 산화물층(20, 40, 60)의 두께는 각각 독립적으로 30 내지 80㎚의 범위 내에서 선택되는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 40 내지 50㎚이다.
금속층(30, 50)은 Ag 또는 Ag계 합금으로 된 단일층일 수 있거나 또는 Ag 또는 Ag계 합금으로 된 층과 Ag 이외의 금속으로 된 층의 다층일 수 있다.
또한, 금속층(30, 50)의 두께는 5 내지 20㎚의 범위 내에서 선택되는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10 내지 15㎚이다.
본 발명에 따른 투명전도막에서 요구되는 특성인 투명성과 전기전도성은 트레이드-오프(trade-off) 관계이다. 따라서, 이들을 최적화하는 것이 중요하다.
상기 인듐-프리 산화물층(20, 40, 60)은 투명도에 있어서 결정적 역할을 하며, 전기전도성에 있어서 보조적 역할을 하고, 상기 금속층(30, 50)은 전기전도성에 있어서 결정적 역할을 한다. 따라서, 인듐-프리 산화물층과 금속층의 두께 제어를 통해, 최적의 투명성과 전기전도성을 확보할 수 있다.
상기 인듐-프리 산화물층(20, 40, 60)을 구성하는 산화아연은 전기저항이 낮고, 박막 형성 온도도 낮으며, 비싼 희귀 금속인 인듐을 대신해 사용될 수 있기 때문에 경제적인 이점을 갖는다. 반면, 산화아연은 전기 전도성이 ITO 보다 낮으며, 산화아연으로 형성되는 산화물층은 식각용액에 내구성이 약한 특성을 갖는다.
따라서, 상기 인듐-프리 산화물층(20, 40, 60)을 산화아연을 주성분으로 하 고, Al을 불순물로 첨가하여 형성하는 경우, 전기 전도성을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 인듐-프리 산화물층(20, 40, 60)을 산화아연을 주성분으로 하고, 4가 원소인 Sn을 불순물로 첨가하여 형성하는 경우, 전기 전도성을 향상시키면서 동시에 에칭공정에 적합한 내구성을 갖도록 조절될 수 있다.
또한, 상기 인듐-프리 산화물층(20, 40, 60)을 산화아연을 주성분으로 하면서 Mg와 Cd를 불순물로 첨가하여 형성하는 경우, 일함수를 조절할 수 있다. 예를 들면, 산화아연에 Mg를 첨가하는 경우 밴드갭이 증가하는데, 이 경우 일함수는 감소하게 된다. 따라서, 투명전도막의 일함수를 조절함에 따라서 적용 분야를 넓힐 수 있다. 예를 들면, 낮은 일함수를 갖는 투명전도막은 유기발광소자 또는 무기발광소자에서 애노드 및 캐소드에 적용될 수 있다. 또한, 투명전도막의 일함수를 조절함으로써 다른 금속 및 반도체와 접합할 때, 보다 용이하게 오믹(Ohmic) 접합 또는 쇼트키(Schottky) 접합을 구성할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 투명전도막에서, 산화아연을 주성분으로 한 인듐-프리 산화물층은 인듐-틴 산화물층에 비하여 빠르게 식각된다. 따라서, Ag을 포함하는 금속층의 식각율가 차이가 적기 때문에, 인듐-틴 산화물에 비하여 인듐-프리 산화물의 식각이 더 용이할 수 있어, 습식식각 및 건식식각으로 미세 패터닝을 가능하게 할 수 있다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 투명전도막은 금속층(30)과 인듐-프리 산화물층(40) 사이에 완충층(a)을 포함한다. 완충층(a)은 금속층(30)이 산소플라즈마에 노출되지 않도록 하기 위해 도입된 것이다. 완충층(a)은 인듐-프리 산화물층(40)과 마찬가지로 전도성 산화물로 형성될 수 있으며, 단지 증착시 산소를 공급하지 않은 상태로 증착하여 형성할 수 있다. 보통 산화물을 증착하는 경우, 산소가 공급되지 않으면 산화물 타겟의 산소만으로 박막이 형성되어야 하므로 박막 내부에 결정결함(defect)들이 많이 생겨서 박막의 질이 저하되고 투명도 또한 감소된다. 따라서 산소가 공급되지 않고 형성되는 완충층의 두께는 최소화되어야 한다. 박막의 질의 저하와 투명도 감소를 최소화하는 완충층(a)의 두께는 1 내지 3㎚의 범위 내이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 투명전도막의 제조방법을 나타낸 흐름도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 투명전도막의 제조방법은 (a) 기판 상에 제 1 인듐-프리 산화물층을 증착하는 단계; (b) 상기 제 1 인듐-프리 산화물층 상에 Ag을 포함한 금속층을 증착하는 단계; 및 (c) 상기 금속층 상에 제 2 인듐-프리 산화물층을 증착하는 단계를 포함하며, 단 상기 (b) 및 (c) 단계는 1회 이상 반복될 수 있다.
상기 인듐-프리 산화물층의 증착 단계(a)에서는 ZnO를 단독으로 사용하여 증착할 수 있거나 또는 ZnO에 불순물로써 Al, Sn, Mg 및 Cd로 이루어진 군에서 선택된 일종 이상의 원소를 포함시켜 증착할 수 있으며, 약 30 내지 80㎚의 두께 범위 내에서 증착하는 것이 바람직하다.
상기 금속층의 증착 단계(b)에서는 Ag 또는 Ag계 합금을 사용하여 단일층으로 증착하거나 또는 Ag 또는 Ag계 합금으로 형성된 층과 Ag 이외의 금속으로 형성 된 층을 포함하는 다층으로 증착할 수 있으며, 약 5 내지 20㎚의 두께 범위 내에서 증착하는 것이 바람직하다.
상기 인듐-프리 투명산화물층의 증착 단계(c) 이전에 금속층이 산소에 노출되는 것을 방지하기 위하여 완충층을 증착하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 완충층의 증착은 인듐-프리 산화물층과 같이 전도성 산화물질로 증착하되, 산소를 공급하지 않고 증착시킨다. 따라서, 산소 공급 없이 인듐-프리 산화물층을 증착시켜 완충층을 형성하고, 이후 산소를 공급하면서 인듐-프리 산화물층을 증착시킬 수 있다. 이 경우, 완충층은 산소 공급 없이 박막이 형성되므로 박막의 결정결함들을 생기게 할 수 있기 때문에 그의 두께는 1 내지 3㎚의 범위 내에서 증착되는 것이 바람직하다.
상기 인듐-프리 산화물층의 증착 단계(c)는 증착 단계(a)에서와 같이 ZnO를 단독으로 사용하여 증착할 수 있거나 또는 ZnO에 불순물로써 Al, Sn, Mg 및 Cd로 이루어진 군에서 선택된 일종 이상의 원소를 포함시켜 증착할 수 있으며, 약 30 내지 80㎚의 두께 범위 내에서 증착하는 것이 바람직하다.
이어서, 상기 금속층 증착 단계(b)와 인듐-프리 산화물층의 증착 단계(c)는 반복될 수 있으며, 투명전도막의 총 두께가 200㎚의 두께를 넘지 않는 범위내에서 반복될 수 있다.
상기 각 층의 증착 방법으로는 스퍼터링 법 및 PLD법과 같은 물리적 증착방법을 이용할 수 있으며, 또는 ALD 및 MOCVD와 같은 화학적 증착방법을 이용할 수 있고, 또한 이들을 혼용하여 사용할 수 있다. 증착은 상온에서 이루어 질 수 있으 며, 각 층의 증착 후, 300℃ 이하의 온도로 열처리할 수 있으며, 열처리는 면저항과 투과율을 보다 개선시킬 수 있다.
본 발명에 따른 투명전도막은 LCD용 배선에 사용될 수 있을 뿐만 아니라, 박막트랜지스터의 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극에 적용될 수 있다.
일반적으로 박막트랜지스터는 반도체층으로써 실리콘을 사용하여 왔다. 그러나 최근 산화아연(ZnO), 인듐갈륨아연산화물(IGZO) 등 다양한 산화물 반도체를 사용하여 투명한 박막트랜지스터를 개발하고 있다. 이런 추세에 대응하여 본 발명에 따른 투명전도막은 그의 산화물층이 박막트랜지스터의 반도체층과 유사하여 우수한 특성의 투명 산화물 박막트랜지스터의 제작에 기여할 수 있다.
유기발광소자의 경우 디스플레이 분야뿐만 아니라 벽지와 같은 형태의 조명에 응용되고 있다. 그러나 현재 사용되는 ITO의 경우 전기전도도가 금속에 비하여 크고 약 200℃의 열처리온도가 필요하여 기판 재료선택에 제한이 있는 등 조명을 대면적화하는데 어려움이 있다.
따라서 ITO 보다 전기저항은 낮고, 박막 형성 온도도 낮아 플라스틱 기판 선택의 폭도 넓고 In이 포함되지 않아 재료의 가격도 저렴하여 여러 가지 장점이 있는 본 발명에 따른 투명전도막은 또한 유기발광소자의 애노드, 캐소드 또는 배선에 적용될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 투명전도막은 무기발광소자의 애노드, 캐소드 또는 배선에 적용될 수 있으며, 태양전지의 전극으로도 사용될 수 있다.
실시예 1
기판 상에 대기중에 노출시키지 않고 연속하여 증착할 수 있게 산화아연이 포함된 스퍼터링 챔버와 Ag가 포함된 스퍼터링 챔버가 연결된 스퍼터링 장치를 사용하여 제 1 산화아연층을 40㎚의 두께로 상온에서 산소 플라즈마하에서 증착한 후 열처리하였다. 이어서, 산화아연층 상에 Ag층을 10.0㎚의 두께로 상온에서 증착하고, 열처리하였다. Ag 층 위에 다시 제 2 산화아연층을 40㎚의 두께로 상온에서 산소 플라즈마하에서 증착한 후, 열처리하여 투명전도막을 제작하였다.
실시예 2 내지 7
Ag 층의 두께를 각각 5.0㎚, 7.5㎚, 12.5㎚, 15.0㎚, 17.5㎚ 및 20.0㎚로 증착하는 것만 제외하고, 실시예 1과 동일하게 하여 투명전도막을 제작하였다.
실시예 8 내지 10
제 1 및 제 2 산화아연층의 두께를 각각 20㎚, 30㎚, 및 50㎚로 증착하는 것만 제외하고, 실시예 1과 동일하게 하여 투명전도막을 제작하였다.
상기 실시예 1 내지 7에서 제조된 투명전도막에 대하여 면저항을 조사하여 그 결과를 도 5에 나타내었으며, 또한 실시예 2 내지 7에서 제조된 투명전도막에 대하여 투과율을 조사하여 그 결과를 도 6에 나타내었다.
또한, 실시예 1 및 8 내지 10에서 제조된 투명전도막에 대한 투과율 및 면저항을 조사하여 그 결과를 도 7 내지 8에 나타내었다.
도 5 내지 6의 결과를 참조하면, 금속층의 두께가 증가 될수록 면저항 및 투과율이 감소함을 알 수 있으며, 금속층의 두께가 5 nm ~ 20 nm의 범위에서 투명전 도막으로 사용할 수 있고, 금속층의 두께가 10 nm 정도에서 가장 바람직함을 알 수 있다.
또한, 도 7 내지 8의 결과를 참조하면, 산화물층의 두께가 증가 될수록 면저항 및 투과도가 증가됨을 알 수 있었다.
상술한 본 발명의 설명에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였으나, 여러 가지 변형이 본 발명의 범위에서 벗어나지 않고 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정할 것이 아니고 특허청구범위와 특허청구범위의 균등한 것에 의해 정해져야 한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 투명전도막의 구조를 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 일실시예에 따른 투명전도막의 구조를 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 투명전도막의 구조를 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 투명전도막의 제작과정을 나타낸 흐름도이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 투명전도막에서 금속층의 두께에 따른 면저항 측정 결과를 나타낸 그래프이다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 투명전도막에서 금속층의 두께에 따른 투과도 측정 결과를 나타낸 그래프이다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 투명전도막에서 산화물층의 두께에 따른 투과도 측정 결과를 나타낸 그래프이다.
도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 투명전도막에서 산화물층의 두께에 따른 면저항 측정 결과를 나타낸 그래프이다.
Claims (16)
- 투명산화물층과 금속층이 교차적으로 다층 적층되어 있는 투명 전도막에 있어서,상기 투명산화물층은 ZnO를 주성분으로 한 인듐-프리(Indium-free) 산화물층이고, 상기 금속층은 Ag을 포함하는 것을 특징으로 하는투명전도막.
- 제 1항에 있어서,상기 투명산화물층은 불순물이 포함되지 않는 ZnO층인 투명전도막.
- 제 1항에 있어서,상기 투명산화물층은 Al, Sn, Mg 및 Cd로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소를 불순물로 포함한 ZnO층인 투명전도막.
- 제 1항에 있어서,상기 금속층은 Ag 또는 Ag계 합금을 포함하는 단일층인 투명전도막.
- 제 1항에 있어서,상기 금속층은 Ag 또는 Ag계 합금으로 된 층 및 Ag 이외의 다른 금속으로 된 층을 포함하는 다층인 투명전도막.
- 제 1항에 있어서,상기 투명산화물층의 두께는 30 내지 80㎚의 범위 내에서 선택되고, 상기 금속층의 두께는 5 내지 20㎚의 범위 내에서 선택되는 것인 투명전도막.
- 제 1항에 있어서,상기 금속층과 상기 금속층 상에 형성된 상기 투명산화물층 사이에 전도성 산화물로 된 완충층을 더 포함하는 투명전도막.
- 제 7항에 있어서,상기 완충층의 두께는 1 내지 3㎚의 범위 내에서 선택되는 것인 투명전도막.
- 기판 상에 제 1 인듐-프리 산화물층을 증착하는 단계;상기 제 1 인듐-프리 산화물층 상에 Ag을 포함한 금속층을 증착하는 단계; 그리고상기 금속층 상에 제 2 인듐-프리 산화물층을 증착하는 단계를 포함하며,상기 제1 인듐-프리 산화물층 및 상기 금속층을 증착하는 단계는 1회 이상 반복되는투명전도막의 제조방법.
- 제 9항에 있어서,상기 인듐-프리 산화물층은 불순물을 포함하지 않는 ZnO로 증착되는 투명전도막의 제조방법.
- 제 9항에 있어서,상기 인듐-프리 산화물층은 Al, Ga, Sn, Mg 및 Cd로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소를 불순물로 포함한 ZnO로 증착되는 투명전도막의 제조방법.
- 제 9항에 있어서,상기 금속층은 Ag 또는 Ag계 합금으로 증착되는 투명전도막의 제조방법.
- 제 9항에 있어서,상기 금속층은 Ag 또는 Ag계 합금을 증착하고, 이어서 Ag 이외의 금속으로 증착되는 투명전도막의 제조방법.
- 제 9항에 있어서,상기 산화물층은 30 내지 80㎚의 두께로 증착하고, 상기 금속층은 5 내지 20nm의 두께로 증착하는 투명전도막의 제조방법.
- 제 9항에 있어서,상기 금속층과 상기 제2 인듐 프리 산화물층 사이에 전도성 산화물로 된 완충층을 산소 공급 없이 1 내지 3㎚의 두께로 증착하는 단계를 더 포함하는 투명전도막의 제조방법.
- 제 9항에 있어서,상기 증착 단계는 물리적 증착법, 화학적 증착법 또는 물리적 증착법과 화학적 증착법의 혼용을 통해 수행하는 투명전도막의 제조방법.
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