JP2002162418A - コンタクトストラクチャ並びにその製造方法及びそれを用いたプローブコンタクトアセンブリ - Google Patents

コンタクトストラクチャ並びにその製造方法及びそれを用いたプローブコンタクトアセンブリ

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JP2002162418A JP2001278088A JP2001278088A JP2002162418A JP 2002162418 A JP2002162418 A JP 2002162418A JP 2001278088 A JP2001278088 A JP 2001278088A JP 2001278088 A JP2001278088 A JP 2001278088A JP 2002162418 A JP2002162418 A JP 2002162418A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】コンタクトターゲットとの電気接続を行うため
のコンタクトストラクチャを提供する。 【解決手段】このコンタクトストラクチャは、コンタク
ト基板と、複数のコンタクタとで構成されている。コン
タクタは、接触点を形成するようその軸線方向に突起し
た先端部と、コンタクタの終端が電気的接続用のコンタ
クトパッドとしてコンタクト基板の裏面から突出するよ
うに、コンタクト基板に設けられたスルーホールに挿入
されるベース部と、その先端部とベース部の間に設けら
れ、コンタクタがコンタクトターゲットに押し当てられ
たときに接触バネ力を発揮するためのスプリング部とで
構成されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、コンタクトスト
ラクチャとその製造方法、そしてそのコンタクトストラ
クチャを使用したコンタクトアセンブリに関し、特に、
多数のコンタクタを有するコンタクトストラクチャの構
成、およびこのような多数のコンタクタを半導体ウェハ
上に水平方向に形成し、そのコンタクタを半導体ウェハ
上から取り除き、基板上にコンタクタを搭載することに
より、コンタクトプローブアセンブリ、プローブカー
ド、ＩＣチップ、その他のコンタクト機構のようなコン
タクトストラクチャを製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩやＶＬＳＩ回路のような高速、ま
た高密度な電子部品をテストするにあたっては、多数の
コンタクタを有するプローブカードのような高性能コン
タクトストラクチャを使用する必要がある。他の応用と
して、ＩＣリード等のＩＣパッケージに、コンタクトス
トラクチャを使用してもよい。本発明は、ＬＳＩやＶＬ
ＳＩチップ、半導体ウェハ等のテスト、半導体ウェハや
ダイ等のバーンイン、パッケージされた半導体デバイ
ス、プリント回路基板等のテストとバーンインに使用す
るコンタクトストラクチャの製造方法に関するものであ
る。さらに本発明は、ＩＣチップ、ＩＣパッケージ、他
の電子デバイス等のリードやターミナルピンの形成のた
めにも応用できる。しかし、以下においては、説明の便
宜のために、主として半導体ウェハテストに関連して本
発明を説明する。
【０００３】被試験半導体部品が半導体ウェハの場合
は、ＩＣテスタのような半導体テストシステムは、自動
的に半導体ウェハをテストするために、自動ウェハプロ
ーバのような基板ハンドラと接続して用いられる。その
ような例が第１図に示されており、半導体テストシステ
ムは、一般に別のハウジングとして形成されケーブル束
１１０でテストシステム本体に接続されたテストヘッド
を有している。テストヘッド１００と基板ハンドラ４０
０は、モーター５１０により駆動されるマニピュレータ
５００により、互いに機械的および電気的に接続されて
いる。被試験半導体ウェハは、基板ハンドラ４００によ
って、自動的にテストヘッド１００のテスト位置に供給
される。
【０００４】テストヘッド１００において、被試験半導
体ウェハには、半導体テストシステムにより生成された
テスト信号が供給されている。被試験半導体ウェハ（半
導体ウェハ上に形成したＩＣ回路）から、テスト信号の
結果としての出力信号が、半導体テストシステムに送信
される。半導体テストシステムでは、半導体ウェハ上に
形成したＩＣ回路が正しく機能しているかを検証するた
めに、半導体ウェハからの出力信号を期待値データと比
較する。
【０００５】第１図において、テストヘッド１００と基
板ハンドラ４００は、インタフェース部１４０を介して
互いに接続されている。インタフェース部１４０は、テ
ストヘッドの電気的配線形状に固有の電気回路接続を有
するプリント回路基板であるパフォーマンスボード１２
０（第２図）と、同軸ケーブル、ポゴピン、コネクタ等
で構成されている。第２図において、テストヘッド１０
０は、多数のプリント回路基板を有し、それら回路基板
は半導体テストシステムのテストチャンネル（テストピ
ン）の数に対応している。プリント回路基板のそれぞれ
は、パフォーマンスボード１２０に備えられた対応する
コンタクトターミナル１２１と接続するためのコネクタ
１６０を有している。パフォーマンスボード１２０上に
は、さらにフロッグリング１３０が、基板ハンドラ４０
０に対するコンタクト位置を正確に決定するために搭載
されている。フロッグリング１３０は、例えばＺＩＦコ
ネクタまたはポゴピンのような、多数のコンタクトピン
１４１を有しており、同軸ケーブル１２４を介して、パ
フォーマンスボード１２０のコンタクトターミナル１２
１に接続している。
【０００６】第２図に示すように、テストヘッド１００
は基板ハンドラ４００上に配置しており、インタフェー
ス部１４０を介して機械的および電気的に基板ハンドラ
４００に接続している。基板ハンドラ４００には、チャ
ック１８０上に被試験半導体ウェハ３００が搭載されて
いる。この例では、プローブカード１７０が被試験半導
体ウェハ３００の上部に備えられている。プローブカー
ド１７０は、被試験半導体ウェハ３００上のＩＣ回路の
回路端子またはコンタクトパッドのようなコンタクトタ
ーゲットと接触するために、多数のプローブコンタクタ
（カンチレバーまたはニードル）１９０を有している。
【０００７】プローブカード１７０の電気ターミナルあ
るいはコンタクトリセプタクル（コンタクトパッド）
は、フロッグリング１３０に備えられたコンタクトピン
１４１と電気的に接続している。コンタクトピン１４１
は、同軸ケーブル１２４により、パフォーマンスボード
１２０上のコンタクトターミナル１２１に接続してい
る。それぞれのコンタクトターミナル１２１は、テスト
ヘッド１００内の対応するプリント回路基板１５０に接
続している。また、プリント回路基板１５０は、数百の
内部ケーブルを有するケーブル束１１０を介して、半導
体テストシステム本体と接続している。
【０００８】この構成の下で、チャック１８０上の半導
体ウェハ３００の表面（コンタクトターゲット）に、プ
ローブコンタクタ１９０が接触し、半導体ウェハ３００
にテスト信号を与え、かつ半導体ウェハ３００から、そ
のテスト信号に対する結果としての出力信号を受ける。
被試験半導体ウェハ３００からの出力信号は、半導体ウ
ェハ３００上の回路が正しく機能しているかを検証する
ために、半導体テストシステムにおいて、期待値と比較
される。
【０００９】第３図は、第２図のプローブカード１７０
の底面図を示している。この例では、プローブカード１
７０は、ニードルまたはカンチレバーとも呼ばれるプロ
ーブコンタクタ１９０が複数搭載されたエポキシリング
を有している。第２図において半導体ウェハ３００を搭
載したチャック１８０が上方に移動すると、カンチレバ
ー１９０の先端は、半導体ウェハ３００上のコンタクト
パッドまたはバンプ（コンタクトターゲット）と接触す
る。カンチレバー１９０の他端はワイヤ１９４に接続
し、そのワイヤ１９４は更にプローブカード１７０に形
成された送信ライン（図示せず）に接続している。送信
ラインは複数の電極（コンタクトパッド）１９７に接続
しており、その電極１９７は更に第２図のコンタクトピ
ン１４１に接続している。
【００１０】一般に、プローブカード１７０は、グラウ
ンド層、パワー層、および信号伝送ライン層等のような
複数のポリイミド基板等により構成された多層基板とな
っている。この技術分野では周知のように、それぞれの
信号伝送ラインは、例えば５０オームのような特性イン
ピーダンスとなるように、ポリイミドの誘電率や透磁
率、プローブカード１７０内の信号経路のインダクタン
スやキャパシタンスのようなパラメータを設定してい
る。従って、信号伝送ラインはインピーダンスマッチし
たラインとなっており、半導体ウェハに定常状態で電流
を供給するとともに、過渡状態においても瞬間的な高ピ
ーク電流を供給できるような高周波数伝送帯域を確立し
ている。プローブカード１７０には、ノイズ除去の為
に、キャパシタ１９３と１９５がパワー層とグラウンド
層間に備えられている。
【００１１】第４図は従来のプローブカード技術におけ
る高周波数特性の限界を説明するために、第３図のプロ
ーブカード１７０の等価回路を示している。第４図
（Ａ）と第４図（Ｂ）に示されているように、プローブ
カード１７０上の信号伝送ラインは、電極１９７から、
ストリップライン（インピーダンスマッチしている）１
９６、ワイヤ１９４、ニードルまたはカンチレバー（コ
ンタクタ）１９０に達している。ワイヤ１９４とニード
ル１９０はインピーダンスマッチしていないので、これ
らの部分は、第４図（Ｃ）に示すように、高周波数帯域
では等価的にインダクタＬとして機能する。ワイヤ１９
４とニードル１９０の全体の長さが２０−３０ｍｍなの
で、被試験部品の高周波性能のテストは、このインダク
タによって大きく制限される。
【００１２】プローブカード１７０の周波数帯域を制限
する他の要因は、第４図（Ｄ）と第４図（Ｅ）に示すパ
ワー用ニードルとグラウンド用ニードルにある。もしパ
ワーラインが被試験部品に十分な電流を供給できるので
あれば、被試験部品のテストにおける周波数帯域をさほ
ど制限することはない。しかし、パワー供給のために直
列接続したワイヤ１９４とニードル１９０や、パワーと
信号をグラウンドするための直列接続したワイヤ１９４
とニードル１９０は、インダクタと等価になるので、高
速電流は大きく制限される。
【００１３】さらに、パワーライン上のサージパルスあ
るいはノイズを除去して被試験部品の正しい性能を検証
するために、キャパシタ１９３とキャパシタ１９５がパ
ワーラインとグラウンドラインの間に備えられている。
キャパシタ１９３は、１０ｕＦ（マイクロファラッド）
のような比較的大きな値であり、必要に応じてスイッチ
でパワーラインから接続をはずすこともできる。キャパ
シタ１９５は、０．０１ｕＦのような比較的小さいキャ
パシタンスの値をとり、ＤＵＴの近くに固定的に取り付
けられている。これらのキャパシタは、パワーラインに
おける高周波成分を除去する。したがって、これらのキ
ャパシタは、プローブコンタクタの高周波数性能を制限
する結果となる。
【００１４】この結果、上述したもっとも広く使用され
るプローブコンタクタでは、周波数帯域が約２００ＭＨ
ｚ程度に制限されてしまい、最近の半導体部品をテスト
するには不十分である。半導体業界では、現在では１Ｇ
Ｈｚからそれを超えるテスター自体の性能の周波数帯域
に相当するだけの周波数帯域が、近い将来にはプローブ
コンタクタに必要になると見られている。また、テスト
のスループットを向上するために、プローブカードによ
り、特にメモリデバイスのような半導体部品を同時に多
数個取り扱えることが望ましい。
【００１５】従来の技術では、第３図に示すようなプロ
ーブカードとプローブコンタクタは、手作業で製造さ
れ、そのため品質にばらつきがある。そのような品質の
ばらつきは、サイズ、周波数帯域、コンタクトフォース
（接触力）、コンタクトレジスタンス（接触抵抗）等の
ばらつきとして現れる。従来技術のプローブコンタクタ
において、コンタクトパフォーマンス（接触性能）の信
頼性を低下する別の要因は、プローブコンタクタと被テ
スト半導体ウェハが異なる温度膨張係数であることであ
る。従って、温度変化が生じると、コンタクト位置が変
位してしまい、コンタクトフォース（接触力）、コンタ
クトレジスタンス（接触抵抗）、周波数帯域等に悪影響
を与えてしまう。よって、次世代半導体テスト技術の要
項を満たすことのできる、新概念を用いたコンタクトス
トラクチャが必要とされている。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、高周波帯域、高ピンカウント、高コンタクトパフォ
ーマンス、そして高信頼性を有し、コンタクトターゲッ
トと電気的接触する多数のコンタクタを有するコンタク
トストラクチャを提供することにある。
【００１７】また、本発明の他の目的は、次世代半導体
技術のテスト要件を満たすような高周波数帯域を有し、
半導体部品テストのような応用において被試験部品との
電気接続を確立するためのプローブカードを形成するた
めのコンタクトストラクチャを提供することである。
【００１８】また、本発明のさらに他の目的は、半導体
部品のテストのような応用において、多数の半導体部品
を並列に同時にテストするのに適した、被試験部品との
電気接続を確立するためのコンタクトストラクチャを提
供することにある。
【００１９】また、本発明のさらに他の目的は、所定の
サイズで所定数のコンタクタを有するプローブコンタク
トアセンブリを形成するために、複数のコンタクトスト
ラクチャを組み立てることができる構成とそのアセンブ
リ機構を提供することである。
【００２０】また、本発明のさらに他の目的は、コンタ
クトストラクチャを形成するにあたって、シリコン基板
上に２次元的に多数のコンタクタを製造し、そのコンタ
クタを取りはずして、コンタクト基板上に３次元的に搭
載する方法を提供することである。
【００２１】また、本発明のさらに他の目的は、コンタ
クトストラクチャを形成するにあたって、シリコン基板
上に２次元的に多数のコンタクタを製造し、そのコンタ
クタをシリコン基板から取り除き、それを接着テープに
移転させて、その後コンタクト基板上に搭載する方法を
提供することである。
【００２２】
【課題を解決するための手段】本発明において、半導体
ウェハ、パッケージされたＬＳＩ、プリント回路基板等
の被試験デバイスをテスト（バーンインも含む）するた
めコンタクトストラクチャは、半導体製造プロセスで確
立されているフォトリソグラフィー技術を用いてシリコ
ン基板の平坦な表面に製造された多数のコンタクタを有
している。本発明のコンタクトストラクチャはさらに、
ＩＣリードやピン等のような電子デバイスの一部として
使用してもよい。
【００２３】本発明の第１の態様は、コンタクトターゲ
ットと電気的接続するためのコンタクトストラクチャの
構成である。本発明のコンタクトストラクチャは、コン
タクト基板と、それぞれがほぼ直線的な形状をした複数
のコンタクタとで構成されている。各コンタクタは、接
触点を形成するための先端部と、コンタクタの終端が電
気的接続用のコンタクトパッドとしてコンタクト基板の
裏面から突出するように挿入されるベース部と、その先
端部とベース部の間に設けられ、コンタクタがコンタク
トターゲットに押し当てられたときに接触バネ力を発揮
するためのスプリング部とで構成されている。
【００２４】本発明の更に他の態様は、コンタクタをシ
リコン基板上に２次元的に製造し、そのコンタクタをシ
リコン基板から取り除いて、コンタクトストラクチャを
製造する方法である。本発明の製造方法は、（ａ）犠牲
層をシリコン基板の表面に形成するステップと、（ｂ）
フォトレジスト層をその導犠牲層上に形成するステップ
と、（ｃ）コンタクタのイメージを有したフォトマスク
を上記フォトレジスト層上に位置合わせし、そのフォト
マスクを介してフォトレジスト層を紫外線で露光するス
テップと、（ｄ）そのフォトレジスト層の表面にコンタ
クタのイメージのパターンを現像するステップと、
（ｅ）電気メッキのプロセスにより電気導電材料による
コンタクタの第１層を上記フォトレジスト層のパターン
に形成するステップと、（ｆ）コンタクタの第２層また
はそれを超える層を形成するために、上記のステップ
（ｂ）から（ｅ）を繰り返すステップと、（ｇ）上記フ
ォトレジスト層を取り除くステップと、（ｈ）上記コン
タクタをシリコン基板から分離するために上記犠牲層を
エッチングで取り除くステップと、（ｉ）各コンタクタ
の少なくとも１の端部が電気的接続のためのコンタクト
パッドとして機能するように、コンタクタをコンタクト
基板に搭載するステップと、により構成されている。
【００２５】本発明の更に他の態様は、コンタクタをシ
リコン基板上に２次元的に製造し、そのコンタクタを接
着テープに移し、さらにその接着テープから取り外し
て、コンタクトストラクチャを製造する方法である。本
発明の製造方法は、（ａ）犠牲層を基板の表面に形成す
るステップと、（ｂ）基板上のその犠牲層上にフォトレ
ジスト層を形成するステップと、（ｃ）コンタクタのイ
メージを有したフォトマスクを上記フォトレジスト層上
に位置合わせし、そのフォトマスクを介してフォトレジ
スト層を紫外線で露光するステップと、（ｄ）上記フォ
トレジスト層の表面にコンタクタのイメージのパターン
を現像するステップと、（ｅ）電気メッキのプロセスに
より電気導電材料によるコンタクタの第１層を上記フォ
トレジスト層のパターンに形成するステップと、（ｆ）
コンタクタの更なる層を形成するために、コンタクタの
上記第１層上に上記ステップ（ｂ）−（ｅ）を繰り返す
ステップと、（ｇ）上記フォトレジスト層を取り除くス
テップと、（ｈ）上記コンタクタの上面が接着テープに
付着するように接着テープをコンタクタに当てるステッ
プと、（ｉ）上記シリコン基板から接着テープに付着し
たコンタクタが上記基板から分離するように、上記犠牲
層をエッチングにより取り除くステップと、（ｊ）各コ
ンタクタの少なくとも１の端部が電気的接続のためのコ
ンタクトパッドとして機能するように、コンタクタをコ
ンタクト基板に搭載するステップと、により構成されて
いる。
【００２６】本発明の更に他の態様は、コンタクタをシ
リコン基板上に２次元的に製造し、そのコンタクタをシ
リコン基板から接着テープに移動する製造方法である。
本発明の製造方法は、（ａ）導電材料により構成された
導電基板を誘電体基板上に形成するステップと、（ｂ）
フォトレジスト層を上記導電基板上に形成するステップ
と、（ｃ）コンタクタのイメージを有するフォトマスク
を上記フォトレジスト層上に位置合わせし、上記フォト
マスクを介して上記フォトレジスト層を紫外線で露光す
るステップと、（ｄ）上記フォトレジスト層の表面にコ
ンタクタのイメージのパターンを現像するステップと、
（ｅ）電気メッキのプロセスにより導電材料により構成
したコンタクタの第１層をフォトレジスト層のパターン
に形成するステップと、（ｆ）コンタクタの更なる層を
形成するために、コンタクタの上記第１層上に上記ステ
ップ（ｂ）−（ｅ）を繰り返すステップと、（ｇ）上記
フォトレジスト層を取り除くステップと、（ｈ）上記誘
電体基板から接着テープに付着したコンタクタが分離す
るように上記導電基板を剥がし取るステップと、（ｉ）
上記のコンタクタの表面が接着テープに付着するよう
に、上記コンタクタの上面に接着テープを当てるステッ
プであり、上記コンタクタと上記接着テープ間の接着力
が、上記コンタクタと上記導電基板間の接着力よりも大
であり、（ｊ）その接着テープに付着したコンタクタが
上記導電基板から分離するように上記導電基板を剥がし
取るステップと、（ｋ）各コンタクタの端部が電気的接
続のためのコンタクトパッドとして機能するように、コ
ンタクト基板に搭載するステップと、により構成されて
いる。
【００２７】本発明のさらに別の態様は、本発明のコン
タクトストラクチャを有したプローブコンタクトアセン
ブリである。本発明のプローブコンタクトアセンブリ
は、その表面に複数のコンタクタを搭載したコンタクト
基板と、そのコンタクト基板を搭載し備えられた電極と
そのコンタクタの間に電気コミュニケーションを確立す
るためのプローブカードと、そのプローブカードに取り
付けられたときそのプローブカードと半導体テストシス
テム間をインタフェースするための複数のコンタクトピ
ンを有するピンブロックとにより構成される。
【００２８】コンタクタはコンタクト基板の水平表面上
に垂直に、あるいは直交方向に搭載されてもよい。各コ
ンタクタはほぼ直線的な形状を有している。それぞれの
コンタクタは、コンタクト点を形成するための先端部
と、コンタクト基板上の対応するスルーホールに挿入さ
れるベース部と、その先端部とベース部との間に形成さ
れ、コンタクトストラクチャがコンタクトターゲットに
対して押されたときに接触バネ力を生成するスプリング
部とで構成される。先端部は、それぞれのコンタクタ
が、コンタクト点を形成するために垂直方向に、あるい
はその軸線方向に突き出ていてもよい。スプリング部は
接触バネ力を発揮するために、曲線形、傾斜形、蛇行
形、あるいはジグザグ形のような形状を有しており、ベ
ース部の上部表面がコンタクト基板の表面から突起し外
部部品との電気接続のためにコンタクトパッドとして機
能する。
【００２９】本発明によれば、コンタクトストラクチャ
は、次世代半導体技術のテスト要件を満たすような高周
波数帯域を有している。多数のコンタクタが、手作業を
用いることなく基板上に同時に製造されているので、コ
ンタクトパフォーマンスの均一な品質、高信頼性、長い
寿命、そして低価格を達成させることが可能である。ま
た、コンタクタが被試験部品と同じ基板材料上に形成さ
れているので、温度の変化により生じる位置エラーを除
去することが可能である。
【００３０】更に、本発明の製造プロセスにおいて、比
較的単純な技術を用いて多数のコンタクタをシリコン基
板上に水平方向に製造することが可能である。コンタク
タは基板上から取り除かれ、コンタクト基板に搭載され
る。基板上から取り除かれたコンタクタは、コンタクト
基板に垂直方向にあるいはその軸線方向に搭載されても
よい。本発明により製造されたコンタクトストラクチャ
は、低価格で高能率、そして高い機械的強度と高信頼性
を有する。
【００３１】
【発明の実施の形態】本発明によるコンタクトストラク
チャの実施例を第５図−第７図に示す。各コンタクトス
トラクチャは、コンタクト基板２０とコンタクタ３０と
で構成されている。第５図の例においては、各コンタク
タ３０１はほぼ垂直方向に延長しており、コンタクト基
板２０に接続したベース部と、好ましくは鋭利な形状を
したコンタクト（接触）点と、ベース部とコンタクト点
の間に形成されコンタクトスプリングとして機能する蛇
行部とにより形成されている。
【００３２】第６図の例では、各コンタクタ３０２は、
ほぼ垂直方向に延長しており、コンタクト基板２０に接
続したベース部と、２個またはそれを超える点に分岐し
好ましくは鋭利な形状をしたコンタクト点と、ベース部
とコンタクト点の間に形成され、コンタクトスプリング
として機能するジグザグ部とで形成されている。
【００３３】第７図の例では、各コンタクタ３０３は、
フック形状を有してほぼ垂直方向に延長しており、コン
タクト基板２０に接続されたベース部と、好ましくは鋭
利な形状を有し垂直方向に形成されたコンタクト点と、
ベース部とコンタクト点の間に形成され、コンタクトス
プリングとして機能する曲線部とで形成されている。
【００３４】このコンタクトストラクチャが半導体ウェ
ハまたはプリント回路基板３００上のコンタクトパッド
３２０に押し当てられたとき、第５図−第７図に示す各
コンタクタは、主に水平方向にカーブした曲線部、例え
ばコンタクタの蛇行形、ジグザグ形、曲線形等により発
生されたバネ力による接触圧力を発生する。また、この
接触圧力により、コンタクタの先端（コンタクト点）が
コンタクトパッド３２０の上面に対しすり削り効果（ス
クラビング）を発揮する。このようなすり削り作用にお
いては、コンタクトパッド３２０の導電材料と電気接触
をするように、コンタクト点がコンタクトパッド３２０
の酸化膜表面をすり削ることにより、酸化膜表面を有し
たパッド３２０に対するコンタクトパフォーマンスがよ
り向上する。
【００３５】なお、本発明において、コンタクタ３０
１、３０２そして３０３は相互に交換可能であり、同様
に使用及び製造可能であるが、本発明のコンタクトスト
ラクチャとその製造方法の説明においては、便宜上、単
に１または２のタイプのコンタクタを用いて説明してい
る。また、第９図−第１３図を参照して、本発明の他の
様々なタイプのコンタクタを後に説明するが、その詳細
な説明は限られたコンタクタにしか行わない。第５図−
第７図と第９図−第１３図に示した本発明のコンタクタ
は、傾いているというより、むしろ垂直にコンタクト基
板の水平表面に搭載されているので、多数のコンタクタ
が、コンタクト基板の限られた面積に搭載できる。
【００３６】このようなコンタクタを製造するための本
発明の基本的なアイデアを第８図（Ａ）−第８図（Ｂ）
に示す。本発明において、第８図（Ａ）に示すように、
コンタクタ３０は、シリコン基板４０あるいは他の誘電
体基板の平面上に水平方向、すなわち２次元的に製造さ
れる。そして、コンタクタ３０はシリコン基板４０から
取り除かれ、第５図−第７図に示すようなコンタクト基
板２０、例えばプリント回路基板、ＩＣチップ、その他
のコンタクト機構等に垂直方向、すなわち３次元的に搭
載される。
【００３７】第８図の例では、シリコン基板４０あるい
は他の誘電体基板４０の平面上に、水平方向に製造され
たコンタクタ３０は、シリコン基板４０から接着部材９
０に、例えば、接着テープ、接着フィルム、接着プレー
ト等（以後「接着テープ」又は「中間プレート」と総称
する）に移動される。接着テープ９０上のコンタクタ３
０は、その後接着テープから取り除かれ、第５図−第７
図に示すコンタクト基板２０、例えばプリント回路基
板、ＩＣチップ、他のコンタクト機構に、ピックアンド
プレース機構を用いて垂直方向すなわち３次元的に搭載
される。
【００３８】第９図（Ａ）−第９図（Ｉ）は、第５図−
第７図に示す方法でコンタクト基板上に搭載する本発明
のコンタクタの様々な形状例を示している。第９図
（Ａ）−第９図（Ｅ）の例では、一端に第５図−第７図
のコンタクト基板２０の上部表面から突起するための平
坦なベースとなっており、他端はコンタクト先端となっ
ている。第９図（Ａ）−第９図（Ｅ）のコンタクト先端
は、低いコンタクト抵抗でコンタクトターゲットの表面
と接触できるようにするための様々な形状をしている。
第９図（Ｄ）の例では、垂直方向に弾性を実現するため
に、スプリング形状のコンタクト先端となっている。プ
ローブアセンブリを組み立てるに当たって、第２３図を
参照して後述するように、コンタクタがコンタクトター
ゲットに接触するときに垂直方向にスプリング力又は弾
性を発揮するように、導電エラストマを用いてもよい。
【００３９】第９図（Ｆ）−第９図（Ｉ）の例では、第
５図−第７図のコンタクト基板２０の上部表面から突起
するベース部が三角形の形状となっている。第９図
（Ａ）−第９図（Ｉ）の各コンタクタは、全体としてほ
ぼ直線的形状となっており、コンタクト基板の水平表面
に対してほぼ垂直に搭載されている。第９図（Ａ）−第
９図（Ｅ）の例と同様に、第９図（Ｆ）−第９図（Ｉ）
のコンタクト先端は、低いコンタクト抵抗でコンタクト
ターゲットの表面と接触するような様々な形状を有して
いる。プローブコンタクトアセンブリの組み立てについ
て第２３図を参照して後述するように、コンタクタがコ
ンタクトターゲットに接触するときに垂直方向にスプリ
ング力又は弾性を発揮するように、導電エラストマを用
いてもよい。
【００４０】第１０図（Ａ）と第１０図（Ｂ）は、本発
明のコンタクタの具体的な例を示しており、第１０図
（Ａ）は正面図、第１０図（Ｂ）は側面図である。第１
０図のコンタクタは、第５図−第７図のコンタクト基板
２０に搭載する際に、その基板の上部表面から上部端が
突起するように構成したベース部と、コンタクトターゲ
ットの表面に接触するための接触点を有する下端のコン
タクト部と、そのベース部とコンタクト部の間に形成さ
れ、第５図−第７図のコンタクト基板２０に挿入される
直線体部とにより構成している。コンタクト部はコンタ
クトターゲットに対して押し付けられた際に、スプリン
グとして機能するように、蛇行形あるいはジグザグ形を
している。
【００４１】第１０図（Ａ）の正面図で示すように、コ
ンタクタのベース部は左右方向に延長している。第１０
図（Ｂ）の側面図に示すように、コンタクト部は、容易
に変形できるようにベース部や直線体部よりも薄く構成
されており、これにより、コンタクトターゲット対して
押されたときにスプリング力を生成するようになってい
る。このように２種類の異なる厚さの構成、すなわちコ
ンタクト部より薄い面と直線体部やベース部より厚い面
とを有する構成とするために、コンタクタの形成過程に
おいて２層またはそれを超える導電層を形成するため
に、導電材料を２回またはそれを超える回数にわたりデ
ポジットを行う。第１０図のコンタクタのサイズの例と
しては、a=1050.00um, b=330.00um, c=200.00um, d=50.
00um, e=150.00um, f=20.00um, g=50.00um, h=20.00um
である（umは「マイクロメータ」以下同じ）。
【００４２】第１１図（Ａ）と第１１図（Ｂ）は、本発
明のコンタクタの他の具体的な例を示しており、第１１
図（Ａ）はその正面図で、第１１図（Ｂ）はその側面図
である。第１１図のコンタクタは、第５図−第７図のコ
ンタクト基板２０に取り付けられたときにその基板の上
部表面から上部端が突起するように構成されたベース部
と、コンタクトターゲットの表面に接触するための接触
点を有する下端のコンタクト部と、そのベース部とコン
タクト部の間に形成され、第５図−第７図のコンタクト
基板２０に挿入される直線体部とにより構成している。
コンタクト部はコンタクトターゲットに対して押し付け
られた際に、スプリングとして機能するように、蛇行形
あるいはジグザグ形をしている。
【００４３】第１１図（Ｂ）の側面図に示すように、こ
のコンタクタのベース部は、第２２図−第２４図に示す
プローブカードのような外部部品と接触するための表面
面積を増加させるために、その厚さが最大となってい
る。さらに第１１図（Ｂ）の側面図に示すように、コン
タクト部は、容易に変形できるように、直線体部または
ベース部よりも薄い形状となっており、これによりコン
タクトターゲット対して押されたときにスプリング力を
生成するようになっている。このようにこのコンタクタ
は、第１にコンタクト部の厚さ、第２に直線体部の厚
さ、第３にベース部の厚さのように、３種類の異なる厚
さとなっているので、コンタクタの製造行程において、
３層またはそれを超える導電層を形成するために、３回
またはそれを超える回数にわたりデポジットを行う。第
１１図のコンタクタのサイズの例としては、a=1000.00u
m, b=1,330.00um, c=200.00um, d=50.00um, f=20.00um,
g=80.00um, h=20.00um, i=50.00umである。
【００４４】第１２図（Ａ）と第１２図（Ｂ）は、本発
明のコンタクタのさらに他の具体的な例を示しており、
第１２図（Ａ）はその正面図で、第１２図（Ｂ）はその
側面図である。第１２図のコンタクタは、第５図−第７
図のコンタクト基板２０に取り付けられたとき、その基
板の上部表面から上部端が突起するように構成されたベ
ース部と、コンタクトターゲットの表面に接触するため
の接触点を有する下端のコンタクト部と、そのベース部
とコンタクト部の間に形成され、第５図−第７図のコン
タクト基板２０に挿入される直線体部とを有して構成し
ている。コンタクト部はコンタクトターゲットに対して
押されたときにスプリングとして機能するように、蛇行
形あるいはジグザグ形をしている。
【００４５】第１２図（Ａ）の正面図に示すように、コ
ンタクタのベースは、左右方向に延長している。第１２
図（Ｂ）の側面図に示すように、コンタクト部は、容易
に変形できるように直線体部またはベース部よりも薄い
形状となっており、コンタクトターゲットに対して押さ
れたときにスプリング力を生成するようになっている。
この例のコンタクト部の厚さは、第１０図と第１１図の
例よりもはるかに小さな値となっている。このように２
つの異なる厚さを有するので、コンタクタの製造過程に
おいて、２層またはそれを超える導電層を形成するため
に、導電材料のデポジットを２回またはそれを超える回
数にわたり行う。第１２図のコンタクタのサイズの例
は、a=1050.00um, b=330.00um, c=200.00um, d=50.00u
m, e=150.00um, f=10.00um, g=50.00um, そしてh=10.00
umである。
【００４６】第１３図（Ａ）と第１３図（Ｂ）は、本発
明のコンタクタの更に他の具体的な例を示しており、第
１３図（Ａ）はその正面図で、第１３図（Ｂ）はその側
面図である。第１３図のコンタクタは、第５図−第７図
のコンタクト基板２０に取り付けられたときその基板の
上部表面から上部端が突起するように構成されたベース
部と、コンタクトターゲットの表面に接触するための接
触点を有する下端のコンタクト部と、そのベース部とコ
ンタクト部の間に形成され第５図−第７図のコンタクト
基板２０に挿入される直線体部とを有して構成してい
る。コンタクト部はコンタクトターゲットに対して押さ
れたときにスプリングとして機能するように、２つのル
ープ形スプリングの形状となっている。
【００４７】第１３図（Ａ）の正面図に示すようにコン
タクタのベース部は左右方向に延長している。第１３図
（Ｂ）の側面図に示すように、コンタクト部は、容易に
変形できるように直線体部またはベース部よりも薄い形
状となっており、コンタクトターゲット対して押された
ときにスプリング力を生成するようになっている。この
ように２つの異なる厚さを有しているので、コンタクタ
の製造工程において、２層またはそれを超える導電層を
形成するために、導電材料を２回またはそれを超える回
数にわたりデポジットする。第１３図のコンタクタのサ
イズの例としては、a=1050.00um, b=500.00um, c=200.0
0um, d=50.00um, e=150.00um, f=20.00um, g=50.00um,
そしてh=20.00umである。
【００４８】第１４図（Ａ）−第１６図（Ｌ）は、コン
タクタ３０（例えば第７図のコンタクタ３０３）を製造
するための本発明の製造プロセスの例を示す概念図であ
る。第１４図（Ａ）において、犠牲層４２をシリコン基
板４０上に形成する。基板４０はシリコン基板が一般的
であるが、例えばガラス基板あるいはセラミック基板等
の他の誘電体基板でも実施可能である。犠牲層４２は、
例えばケミカルべーパーデポジション（ＣＶＤ）等のデ
ポジション（堆積）プロセスによる二酸化シリコン（Ｓ
ｉＯ２）で構成されている。犠牲層４２は、この製造方
法の後段階において、コンタクタ３０をシリコン基板か
ら分離させる機能を果たす。
【００４９】アドヒージョンプロモータ（接着促進）層
４４を、第１４図（Ｂ）に示すように、犠牲層４２上
に、例えば蒸着等により形成する。アドヒージョンプロ
モータ層４４の構成材料例としては、例えば厚さが２０
０−１０００オングストロームのクロミウム（Ｃｒ）や
チタニウム（Ｔｉ）がある。アドヒージョンプロモータ
層４４は、第１４図（Ｃ）に示す導電層４６のシリコン
基板４０への接着を促進させる働きを有している。導電
層４６の構成材料の例としては、例えば厚さが１０００
−５０００オングストロームの銅（Ｃｕ）やニッケル
（Ｎｉ）がある。導電層４６は、後の段階で用いる電気
メッキプロセスにおいて、電気伝導を確立させる働きを
有している。
【００５０】次の段階においては、第１４図（Ｄ）に示
すように、フォトレジスト層４８を導電層４６上に形成
し、その上には紫外線で露光するためにフォトマスク５
０を正確に位置合わせする。フォトマスク５０は、フォ
トレジスト層４８に生成するコンタクタ３０の２次元の
イメージをあらわしている。この技術分野では周知のよ
うに、ポジテイブ反応とネガテイブ反応のフォトレジス
トをこのような目的に使用することができる。ポジテイ
ブ反応レジストを使用した場合、フォトマスク５０のオ
ペーク（不透明）部よりカバーされたフォトレジスト
は、露光後にキュア（凝固）する。フォトレジストの構
成材料の例には、Ｎｏｖｏｌａｋ、ＰＭＭＡ（ポリメチ
ルメタクリレート）、ＳＵ−８、フォトセンシテイィポ
リイミド等がある。現像行程において、レジストの露光
部を溶解して除去すると、第１５図（Ｅ）のフォトレジ
スト層４８には隙間、すなわちパターン「Ａ」が残る。
従って、第１５図（Ｆ）の上面図に示すような、コンタ
クタ３０３のイメージ（形状）を有するフォトレジスト
層４８のパターン、すなわち隙間「Ａ」が形成される。
【００５１】前述のフォトリソグラフィープロセスにお
いて、この技術分野では周知のように、フォトレジスト
層４８は、紫外線のみならず、電子ビームやＸ線等を使
用して露光することも可能である。さらに、フォトレジ
スト層４８に直接書き込みする電子ビーム、Ｘ線、光源
（レーザー）等により、コンタクトストラクチャの形状
イメージをフォトレジスト層４８上に直接形成すること
も可能である。
【００５２】次に、第１５図（Ｇ）に示すコンタクタ３
０を形成するために、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、
アルミニウム（Ａｌ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム
（Ｐｄ）、あるいはタングステン（Ｗ）等の金属、また
はニッケル・コバルト（ＮｉＣｏ）等の合金を、フォト
レジスト層４８のパターン「Ａ」に電気メッキ等により
デポジット（堆積）する。後で説明するように、互いの
エッチング特性を識別するために、導電層４６と異なる
導電材料を、コンタクタの材料として使用することが好
ましい。第１５図（Ｇ）に示すコンタクタ３０のメッキ
過剰部分は、第１５図（Ｈ）に示す研磨（平面化）プロ
セスにより取り除かれる。
【００５３】上述のプロセスを２回またはそれを超える
回数で繰り返して導電層を形成することにより、第１０
図−第１３図に示した異なる厚さのコンタクタを製造す
ることができる。すなわち、第１層のコンタクタ（導電
材料）を形成した後、必要とあれば、コンタクタ３０の
第１層の上に第２層あるいはそれを超える層を形成する
ために、第１４図（Ｄ）−第１５図（Ｈ）のプロセスが
繰り返される。
【００５４】次の段階では、第１６図（Ｉ）に示すよう
に、フォトレジスト層４８を、レジスト除去のプロセス
により取り除く。一般的にはウェットケミカル法により
取り除くが、他のストリッピング法として、アセトンを
基にした除去方法や、二酸化プラズマによる除去方法を
用いてもよい。次に、第１６図（Ｊ）に示すように、コ
ンタクタ３０をシリコン基板から分離するために、犠牲
層４２をエッチングにより取り除く。また、第１６図
（Ｋ）に示すように、コンタクタ３０を、アドヒージョ
ンプロモータ層４４と導電層４６から分離させるため
に、別のエッチング行程をさらに行う。
【００５５】上述のエッチングのプロセスにおいて、コ
ンタクタ３０をエッチングせずに、アドヒージョンプロ
モータ層４４と導電層４６のみをエッチングするよう
に、エッチング条件を設定する。すなわち、上述のよう
にコンタクタ３０をエッチングせずに導電層４６のみを
エッチングするために、コンタクタ３０の導電材料と導
電層４６の導電材料を異ならせる。最後に第１６図
（Ｌ）の斜視図に示すように、コンタクタ３０を、他の
全ての材料からも分離する。上述した第１４図（Ａ）−
第１６図（Ｌ）の製造プロセス例には、１つのコンタク
タ３０のみしか示していないが、実際の製造プロセスに
おいては、第８図（Ａ）−第８図（Ｂ）に示すように、
多数のコンタクタを同時に製造する。
【００５６】第１７図（Ａ）−第１７図（Ｄ）は、本発
明のコンタクタを製造する方法の他の例を示す概念図で
ある。この例では、コンタクタ３０を、シリコン基板４
０から接着テープに移転させるために、接着テープ（中
間プレート）９０を製造プロセスに用いている。第１７
図（Ａ）−第１７図（Ｄ）は、製造プロセスのうち、接
着テープが関係する後半段階の製造プロセスのみを示し
ている。
【００５７】第１７図（Ａ）は、第１６図（Ｉ）と同等
の製造段階を示しており、レジストストリッピング法に
よりフォトレジスト層４８を取り除いた行程を示してい
る。この第１７図（Ａ）の行程において、接着テープ
（中間プレート）９０をコンタクタ３０の上面に当て
て、コンタクタ３０が接着テープ９０に接着するように
している。第８図（Ｂ）に関して先に言及したように、
本発明の態様において、接着フィルムや接着プレート等
の他の接着用部材もこの接着テープ（中間プレート）９
０の概念に含まれている。また、磁気プレートや磁気テ
ープ、電気的チャージされたプレートやテープ等、コン
タクタ３０を引き付ける他の部材もこの接着テープ９０
の概念に含まれる。
【００５８】第１７図（Ｂ）に示すプロセスでは、コン
タクタ３０をシリコン基板４０から分離させるために、
犠牲層４２をエッチングにより取り除く。また、第１７
図（Ｃ）に示すように、コンタクタ３０をアドヒージョ
ンプロモータ層４４と導電層４６から分離させるため
に、別のエッチングの行程が行われる。
【００５９】上述のとおり、コンタクタ３０をエッチン
グせずに、導電層４６のみをエッチングするには、コン
タクタ３０の導電材料と導電層４６の導電材料を、互い
に異なるものとしなければならない。第１７図（Ａ）−
第１７図（Ｃ）に示す製造方法には、１つのコンタクタ
しか示していないが、実際の製造プロセスにおいては、
多数のコンタクタ３０が同時に製造される。従って、第
１７図（Ｄ）の上面図に示すように、多数のコンタクタ
３０が、シリコン基板や他の材料から分離して、接着テ
ープ９０に移転される。
【００６０】第１８図（Ａ）−第２０図（Ｎ）は、コン
タクタを接着テープまたは中間プレートに移転する本発
明のコンタクタ３０を製造する別の製造方法例を示す概
念図である。第１８図（Ａ）では、電気メッキシード層
３４２を、シリコンあるいはガラス等の材料による基板
３４０に形成する。シード層３４２は、例えば厚さが１
０００−５０００オングストロームの銅（Ｃｕ）あるい
はニッケル（Ｎｉ）により構成されている。第１８図
（Ｂ）に示すように、クロム・インコネル層３４４を、
シード層３４２上に、例えばスパッタリング法により形
成する。
【００６１】次の段階の第１８図（Ｃ）では、導電基板
３４６をクロム・インコネル層３４４上に形成する。導
電基板３４６は、例えば厚さが１００−１３０マイクロ
メータのニッケル・コバルト（ＮｉＣｏ）合金により構
成されている。導電基板３４６を不導体化（パシベーシ
ョン）した後、第１８図（Ｄ）に示すように、厚さが１
００−１２０マイクロメータのフォトレジスト層３４８
を導電基板３４６上に形成する。さらに、第１８図
（Ｅ）に示すように、フォトレジスト層３４８を紫外線
で露光するために、フォトマスク３５０を正確に位置合
わせする。フォトマスク３５０には、フォトレジスト層
３４８の表面に生成するコンタクタ３０の２次元のイメ
ージが印刷されている。
【００６２】現像行程において、レジストの露光部を溶
解し除去すると、コンタクタ３０（例えば第７図のコン
タクタ３０３）のイメージを有するフォトマスク３５０
から印刷されたプレーテイング（メッキ）パターンを有
する第１９図（Ｆ）のフォトレジスト層３４８が残る。
第１９図（Ｇ）の行程において、フォトレジスト層３４
８のプレーテイングパターンに、５０−６０マイクロメ
ータの厚さでコンタクタ用導電材料を電気メッキする。
導電材料の一例としては、ニッケル・コバルト（ＮｉＣ
ｏ）の合金がある。このコンタクタ材料としてのニッケ
ル・コバルト合金は、導電基板３４６材料としてのニッ
ケル・コバルト合金との間での接着力は大きくはならな
い。
【００６３】上述のプロセスを２回またはそれを超える
回数で繰り返して導電層を形成することにより、第１０
図−第１３図に示した異なる厚さのコンタクタを製造す
ることができる。すなわち、第１層のコンタクタ（導電
材料）を形成した後、必要とあれば、コンタクタ３０の
第１層の上に第２層あるいはそれを超える層を形成する
ために、コンタクタ第１８図（Ｄ）−第１９図（Ｇ）の
プロセスが繰り返される。
【００６４】次の行程において、第１９図（Ｈ）に示す
ように、フォトレジスト層３４８を、レジストストリッ
ピング法により取り除く。第１９図（Ｉ）では、導電基
板３４６を基板３４０上のクロム・インコネル層３４４
から剥がし取る。導電基板３４６は、コンタクタ３０が
比較的弱い接着力で付着している薄い基板である。コン
タクタ３０を有する導電基板３４６の上面図を第１９図
（Ｊ）に示す。
【００６５】第２０図（Ｋ）は、コンタクタ３０の上面
に接着テープ（中間プレート）９０を乗せて接着させる
プロセスを示している。接着テープ９０とコンタクタ３
０間の接着力は、コンタクタ３０と導電基板３４６間の
接着力よりも強力である。従って、接着テープ９０を導
電基板３４６から取りはずすときには、第２０図（Ｌ）
に示すように、コンタクタ３０は導電基板３４６から接
着テープ９０へと移転する。第２０図（Ｍ）は、コンタ
クタ３０を有する接着テープ９０の上面図であり、第２
０図（Ｎ）は、コンタクタ３０を有する接着テープ９０
の断面図である。
【００６６】第２１図（Ａ）と第２１図（Ｂ）は、コン
タクタ３０を接着テープ（中間プレート）９０から取り
除き（ピック）、それをコンタクト基板２０に搭載する
（プレース）方法の一例を示す概念図である。第２１図
（Ａ）と第２１図（Ｂ）に示すこの「ピックアンドプレ
ース」作用は、接着テープを用いた第１７図（Ａ）−第
１７図（Ｄ）と第１８図（Ａ）−第２０図（Ｎ）で説明
したような本発明の製造方法により製造したコンタクタ
に有利に適用できる。第２１図（Ａ）は、ピックアンド
プレース・メカニズム８０の前半の動作を示す前面図で
ある。第２１図（Ｂ）は、ピックアンドプレース・メカ
ニズム８０の後半の動作を示す前面図である。
【００６７】この例において、ピックアンドプレース・
メカニズム８０は、コンタクタ３０を取り上げ（ピッ
ク）、それを配置（プレース）するためのトランスファ
ー機構８４と、トランスファー機構をＸＹＺ方向に移動
するためのモービルアーム８６、８７と、その位置をＸ
ＹＺ方向に調整できるテーブル８１、８２と、例えばＣ
ＣＤイメージセンサー等を有するモニターカメラ７８と
で構成されている。トランスファー機構８４には、コン
タクタ３０をサクション（吸引：ピック動作）とサクシ
ョンリリース（吸引停止：プレース動作）するサクショ
ンアーム８５を有している。サクションフォース（吸引
力）は、例えば真空等のネガテイブ圧力により生成され
る。サクションアーム８５は、９０度等の所定の角度で
回転する。
【００６８】ピックアンドプレース・メカニズム８０の
動作において、コンタクタ３０を有する接着テープ９０
と、ボンディング位置３２（またはスルーホール）を有
するコンタクト基板２０とを、ピックアンドプレース・
メカニズム８０のそれぞれテーブル８１と８２に配置す
る。第２１図（Ａ）に示すように、トランスファー機構
８４は、サクションアーム８５の吸引力により、コンタ
クタ３０を接着テープ９０から取り上げる（ピック）。
コンタクタ３０を取り上げた後、サクションアーム８５
は、第２１図（Ｂ）に示すように、例えば９０度に回転
する。従って、コンタクタ３０の方向は、水平方向から
垂直方向へと変更される。この方向の変更機能は、単な
る１例であり、この技術分野の通常の知識を有する者
は、コンタクタの方向を変更する他の多くの方法がある
ことを理解できる。トランスファー機構８４は、コンタ
クタ３０をコンタクト基板２０上のボンデイング位置３
２（またはスルーホール）に搭載する。コンタクタ３０
は、コンタクト基板２０の表面にボンディング、または
スルーホールに挿入して取り付けられる。
【００６９】第２２図は、本発明のコンタクトストラク
チャ用いてプローブコンタクトアセンブリを形成するた
めの、全体組立構造の例を示した断面図である。プロー
ブコンタクトアセンブリは、第２図に示すように、被試
験デバイス（ＤＵＴ）とテストヘッド間のインタフェー
スとして使用される。この例では、第２２図に示すよう
に、プローブコンタクトアセンブリは、コンタクトスト
ラクチャの他に、プローブカード２６０と、ポゴピンブ
ロック（フロッグリング）１３０を有している。コンタ
クトストラクチャはコンタクト基板２０上に搭載された
複数のコンタクタ３０１で形成される。コンタクタのそ
れぞれのベース部は、コンタクトパッド３５としてコン
タクト基板２０の上部表面から突起している。
【００７０】プローブカード２６０、ポゴピンブロック
１３０、そしてコンタクトストラクチャは、互いに機械
的および電気的に接続して、プローブコンタクトアセン
ブリを形成している。従って、同軸ケーブル１２４とパ
フォーマンスボード１２０を介して、コンタクタ３０１
の接触点からテストヘッド１００までの電気通路が形成
される（第２図）。したがって、半導体ウェハ３００と
プローブコンタクトアセンブリが押し合わされたとき、
ＤＵＴ（半導体ウェハ３００のコンタクトパッド３２
０）とテストシステム間に電気通路が成立する。
【００７１】ポゴピンブロック（フロッグリング）１３
０は、第２図のポゴピンブロックと等価であり、プロー
ブカード２６０とパフォーマンスボード１２０との間の
インタフェースとなる多数のポゴピンを有している。ポ
ゴピンの上端では、同軸ケーブルのようなケーブル１２
４が、パフォーマンスボード１２０を介して第２図のテ
ストヘッド１００のプリント回路基板（ピンエレクトロ
ニクスカード）１５０に信号を送信するために接続され
ている。プローブカード２６０は、その上部表面と下部
表面にエレクトロード（電極）２６２と２６５を多数有
している。組み立てられたときには、コンタクタ３０の
ベース部のコンタクトパド３５はエレクトロード２６２
に接触する。エレクトロード２６２と２６５は、ポゴピ
ンブロック１３０のポゴピンのピッチに合うように、コ
ンタクトストラクチャのピッチをファンアウト（拡大）
するために、相互接続トレイス２６３に接続されてい
る。
【００７２】第２３図は、本発明のコンタクトストラク
チャを用いたプローブコンタクトアセンブリの他の例を
示した断面図である。プローブコンタクトアセンブリ
は、第２図に示されるように、被試験テスト部品（ＤＵ
Ｔ）とテストヘッド間のインタフェースとして使用され
る。この例では、プローブコンタクトアセンブリは、コ
ンタクトストラクチャの上部に導電エラストマ２５０、
プローブカード２６０、およびポゴピンブロック（フロ
ッグリング）１３０とをそれぞれ有した構成となてい
る。
【００７３】導電エラストマ２５０は、コンタクトスト
ラクチャとプローブカード２６０の間に設けられてい
る。組み立てられると、コンタクタ３０のベース部のコ
ンタクトパッド３５は導電エラストマ２５０に接触す
る。導電エラストマ２５０は、平面の不均一性や垂直方
向のギャップの不均一性を補正することで、コンタクタ
３０１のベース部のコンタクトパド３５とプローブカー
ド２６０のエレクトロード２６２間に、電気コミュニケ
ーションを確立するためのものである。導電エラストマ
２５０の１例は、垂直方向に導電ワイヤを多数有する柔
軟なシートである。例えば、導電エラストマ２５０は、
多数の列配列された金属フィラメント（ワイヤ）とシリ
コンゴムシートで構成されている。金属フィラメント
は、第２３図の垂直方向、すなわち導電エラストマ２５
０の水平シートに対して直角に埋設されている。金属フ
ィラメント間のピッチは、シリコンゴムシートの厚さが
約０．２ｍｍのとき、例えば０．０５ｍｍかそれ以下で
ある。そのような導電エラストマは、シンエツポリマー
社の製造するものがあり、市場で入手できる。
【００７４】第２４図は、本発明のコンタクトストラク
チャを用いたプローブコンタクトアセンブリの別の例を
示した断面図である。プローブコンタクトアセンブリ
は、コンタクトストラクチャが複数のコンタクトストラ
クチャ（基板）ブロックで形成されているということを
除けば、第２３図のものと基本的に同じである。またこ
のコンタクトストラクチャブロックは複数の標準シリコ
ン基板又はシリコンウェハを積み重ねて用いている。例
えば、第２４図のコンタクトストラクチャは、それぞれ
が標準シリコンウェハ２２１、２２２、および２２３を
有するコンタクトストラクチャ（基板）ブロック２０１
と２０２ で形成している。
【００７５】図には１個しか示していないが、複数のコ
ンタクタ３０１が、それぞれのコンタクタ３０１の端が
コンタクト基板２２のスルーホール２５に挿入するよう
にして、コンタクト基板２０に取り付けられている。一
般に、コンタクト基板２２は、シリコンウェハで構成さ
れているが、セラミック、ガラス、ポリイミドのような
他の誘電材料を用いることも可能である。好ましい実施
例では、コンタクト基板２２は、互いに重なった３個の
ウェハ２２１、２２２そして２２３のような、複数の標
準シリコンウェハを有する多層基板である。複数のシリ
コンウェハを使用する理由は、機械的な寸法のトレラン
スを増加させずにコンタクト基板の必要充分な厚さを得
るためである。したがって、固有の設計要求に応じて、
シリコンウェハの数は、１個あるいはそれを超えるよう
に自由に選択することが出来る。積み重ねた標準シリコ
ンウェハは同じ厚さであるが、第２７図に示すように、
端部の外形は異なっており、契合凹凸のような機械的な
接触を形成する構成となっている。歯と凹みのような機
械的な接触を形成する構成となっていてもよい。
【００７６】第２５図は、第２４図のコンタクトアセン
ブリに組み込まれた本発明のコンタクトストラクチャの
詳細を示した断面図である。曲線形状またはフック形状
のコンタクタ３０１は、そのコンタクタ３０１の端部が
スルーホールに挿入されることにより、コンタクト基板
２０に取り付けられている。この例では、コンタクト基
板２０は、それぞれ積み重ねられフュージョンボンドさ
れた３枚の標準シリコンウェハ２２１、２２２そして２
２３を有する多層基板である。シリコンウェハ２２１−
２２３の厚さは約０．５ｍｍである。コンタクト基板２
０に取り付けたとき、コンタクタ３０１の端部は、コン
タクトパッド３５を形成するために、コンタクト基板２
０の底表面から突起している。一例として、コンタクト
パッド３５のサイズは、その幅が０．５ｍｍである。コ
ンタクタ３０１は、スルーホール２５に設けられたステ
ップ（段）に適合するためのフランジ部３４を有してい
る。コンタクタ３０１の先端のコンタクト点は、コンタ
クトターゲットの表面に削り効果を発揮するように鋭利
になっていることが好ましい。
【００７７】第２５図に示す３層コンタクト基板２０と
そのスルーホールを形成するプロセスを、次に簡単に説
明する。まず、第２ウェハ２２２と第３ウェハ２２３
を、例えばシリコンフュージョンボンディングにより直
接結合する。そして、それらウェハ２２２とウェハ２２
３の結合体は、その表面と裏面の両方を磨かれ、エッチ
ング過程によりスルーホールが形成される。そのような
深溝のエッチングは、例えばリアクティブガスプラズマ
を使用したリアクティブイオンエッチングにより達成す
ることができる。第２ウェハ２２２と第３ウェハ２２３
上のスルーホールの径サイズは、スルーホールに第２５
図に示すようなステップを形成するために、コンタクタ
３０のフランジ部３４の外形より小さな寸法で形成する
必要がある。
【００７８】そして、第１ウェハ２２１はその表面と裏
面を磨かれ、上述の深溝エッチングによりスルーホール
が形成される。第１ウェハ２２１のスルーホールのサイ
ズは、上述したようにコンタクタ３０のフランジ部３４
を受け入れるために、第２ウェハ２２２と第３ウェハ２
２３のスルーホールの径サイズよりも大きい。第１ウェ
ハ２２１は第２ウェハ２２２と第３ウェハ２２３に対し
て正確に位置合わせをしてフュージョンボンディングに
より結合される。電気的絶縁を得るために、例えば少な
くとも１マイクロメートルのシリコン酸化層を、コンタ
クト基板全体の表面に形成することが好ましい。コンタ
クタ３０は、必要であれば接着剤でスルーホールに固定
される。
【００７９】第２６図は、それぞれが第８図（Ａ）と第
８図（Ｂ）に示す過程で生成した多数のコンタクタを有
する本発明のコンタクトストラクチャ（基板）ブロック
の例を示す斜視図である。この例では、所定のサイズと
コンタクタ数を有するコンタクトストラクチャを形成す
るために、相互に結合して組み立てる複数のコンタクト
ストラクチャブロック２０を示している。第２６図にお
いては、それぞれのコンタクトストラクチャブロックは
１列に取り付けられたコンタクタを有しているが、本発
明のコンタクトストラクチャブロックは、１列に限るこ
となく、例えばマトリックス状のように２列またはそれ
を超える列に整列してコンタクタを取り付けてもよい。
【００８０】上述のように、本発明の特徴の１つは、複
数のコンタクトストラクチャブロック２０を自由に組み
合わせることにより、全体として所定のサイズやコンタ
クタと数を有したコンタクトストラクチャ（プローブコ
ンタクトアセンブリ）を実現することができることであ
る。第２６図の例では、４個のコンタクトストラクチャ
ブロック２０が互いに接続するようになっている。第２
６図の例には示されていないが、それぞれのコンタクト
基板２２には、係合歯のような結合用メカニズムを有し
ている。
【００８１】第２７図は、本発明による複数のコンタク
トストラクチャ（基板）ブロック（コンタクト基板２
２）で形成されるコンタクトストラクチャの斜視図であ
る。この例では、５個コンタクトストラクチャブロック
を相互に結合して、全体としてのサイズが各コンタクト
ストラクチャブロックのサイズの正数倍であるコンタク
トストラクチャを形成している。図示の簡素化のため
に、コンタクタはこれらのコンタクト基板２２上に示し
ていない。このようにコンタクト基板２２を組み合わせ
ることで、所定のサイズ、例えば１２インチの半導体ウ
ェハのサイズに等価のコンタクトアセンブリが実現でき
る。
【００８２】この例では、コンタクト基板の右と左の側
端には、すなわち、一側端と他側端には、係合歯５５と
リセス（係合凹）６５が備えられている。係合歯５５と
リセス６５のサイズは右と左の側端で互いに同じであ
る。しかし係合歯５５とリセス６５の位置は１個分だけ
シフトしている。よって、コンタクト基板２２の他側端
は、他のコンタクト基板２２の一側端に結合する。第２
７図には示されていないが、コンタクト基板２２の遠方
端に、コンタクト基板の近端の溝７０に結合するような
突起が備えられている。このような突起と溝に代えて、
上述の一側端と他側端のような係合歯とリセス（係合
凹）を用いることも可能である。コンタクタ３０は、第
２６図に示された方法でスルーホール２５により、コン
タクト基板２２上に搭載される。
【００８３】好ましい実施例しか明記していないが、上
述した開示に基づき、添付した請求の範囲で、本発明の
精神と範囲を離れることなく、本発明の様々な形態や変
形が可能である。
【発明の効果】
【００８４】本発明によれば、コンタクトストラクチャ
は、次世代半導体技術のテスト要件を満たすような高周
波数帯域を有している。手作業を用いることなく基板上
に同時に多数のコンタクタを製造することができるの
で、そのコンタクトパフォーマンス（接続性能）は、均
一な品質と、高信頼性、長寿命を達成することが可能で
ある。また、本発明のコンタクタは、被試験部品と同じ
基板材料上に形成することができるので、被試験部品の
温度膨張係数を補正することが可能であり、したがって
位置エラーを除去することができる。また、比較的単純
な技術を用いてシリコン基板上に多数のコンタクタを水
平方向に製造することが可能である。本発明により製造
されたコンタクトストラクチャは、低価格で高効率、そ
して機械的に高い強度と高信頼性を有する。本発明の製
造方法により製造されたコンタクトストラクチャは、半
導体ウェハ、パッケージされたＬＳＩ、マルチチップモ
ジュール等のバーンインテストを含めたテストに有利に
適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】テストヘッドを有する半導体テストシステムと
基板ハンドラとの構造関係を示した概念図である。
【図２】インタフェース部を介して半導体テストシステ
ムのテストヘッドを基板ハンドラに接続するための構造
をより詳細に示した展開図である。
【図３】複数のプローブコンタクタを搭載するためのエ
ポキシリングを有する従来技術におけるプローブカード
の例を示した底面図である。
【図４】（Ａ）から（Ｅ）は、それぞれ第３図のプロー
ブカードの等価回路を示した概念図である。
【図５】シリコン基板に水平方向に製造され、コンタク
ト基板上に直交して搭載されるコンタクタを用いた本発
明のコンタクトストラクチャの構成例を示した概念図で
ある。
【図６】シリコン基板の水平方向に製造され、コンタク
ト基板上に直交して搭載されるコンタクタを用いた本発
明のコンタクトストラクチャの別の構成例を示した概念
図である。
【図７】シリコン基板の水平方向に製造され、コンタク
ト基板上に直交して搭載されるコンタクタを用いた本発
明のコンタクトストラクチャの更に別の構成例を示した
概念図である。
【図８】（Ａ）から（Ｂ）は、多数のコンタクタをシリ
コン基板の平面に形成し、後のプロセスにより取り除く
という本発明の製造方法の基本コンセプトを示した概念
図である。
【図９】（Ａ）から（Ｉ）は、本発明のコンタクトスト
ラクチャの製造過程で形成され本発明のコンタクトスト
ラクチャで使用されるコンタクタの形状例を示した概念
図である。
【図１０】（Ａ）は、本発明のコンタクタのより具体的
構成例を示した図であって、コンタクタの正面図であ
り、（Ｂ）はコンタクタの側面図である。
【図１１】（Ａ）は、本発明のコンタクタのより具体的
構成の他の例を示した図であって、コンタクタの正面図
であり、（Ｂ）はコンタクタの側面図である。
【図１２】（Ａ）は、本発明のコンタクタのより具体的
構成のさらに他の例を示した図であって、コンタクタの
正面図であり、（Ｂ）はコンタクタの側面図である。
【図１３】（Ａ）は、本発明のコンタクタのより具体的
構成のさらに他の例を示した図であって、コンタクタの
正面図であり、（Ｂ）はコンタクタの側面図である。
【図１４】（Ａ）から（Ｄ）は、コンタクタを製造する
ための本発明の製造プロセスの例を示した概念図であ
る。
【図１５】（Ｅ）から（Ｈ）は、コンタクタを製造する
ための本発明の製造プロセスの例を示した他の概念図で
ある。
【図１６】（Ｉ）から（Ｌ）は、コンタクタを製造する
ための本発明の製造プロセスの例を示した、さらに他の
概念図である。
【図１７】（Ａ）から（Ｄ）は、コンタクタを製造する
ための本発明の製造プロセスの他の例を示した概念図で
ある。
【図１８】（Ａ）から（Ｅ）は、基板の水平表面上にコ
ンタクトストラクチャを製造し中間プレートにコンタク
タを移動するための行程例を示した概念図である。
【図１９】（Ｆ）から（Ｊ）は、基板の水平表面上にコ
ンタクトストラクチャを製造し中間プレートにコンタク
タを移動するための行程例を示した他の概念図である。
【図２０】（Ｋ）から（Ｎ）は、基板の水平表面上にコ
ンタクトストラクチャを製造し中間プレートにコンタク
タを移動するための行程例を示した、さらに他の概念図
である。
【図２１】（Ａ）から（Ｂ）は、本発明のコンタクトス
トラクチャを形成するために、コンタクタを取り外し
（ピック）、多層シリコン基板等の基板上に配置する
（プレース）ためのピックアンドプレース機構の例を示
した概念図である。
【図２２】本発明のコンタクトストラクチャを用いたプ
ローブコンタクトアセンブリを、半導体テストシステム
のテストヘッドと被試験デバイスとの間のインタフェー
スとして用いた例を示した断面図である。
【図２３】本発明のコンタクトストラクチャを用いたプ
ローブコンタクトアセンブリを、半導体テストシステム
のテストヘッドと被試験デバイスとの間のインタフェー
スとして用いた他の例を示した断面図である。
【図２４】本発明のコンタクトストラクチャを用いたプ
ローブコンタクトアセンブリを、半導体テストシステム
のテストヘッドと被試験デバイスとの間のインタフェー
スとして用いたさらに他の例を示した断面図である。
【図２５】本発明の製造プロセスにより製造されたコン
タクタと、多層構成した複数の標準シリコン基板を有す
る本発明のコンタクトストラクチャの例を示した概念図
である。
【図２６】所定のサイズのプローブコンタクトアセンブ
リを形成するために、相互に取り付け可能に構成されか
つ多数のコンタクタを有する複数のコンタクトストラク
チャを示した斜視図である。
【図２７】所定のサイズ、形状、コンタクタ数によりプ
ローブコンタクトアセンブリを形成するように複数のコ
ンタクト基板が互いに接続された本発明のコンタクトス
トラクチャの斜視図である。
【符号の説明】
２０ コンタクト基板 ２２１、２２２、２２３ シリコンウェハ ２５ スルーホール ３０ コンタクタ ３４ フランジ部 ３５ コンタクトパッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロバート・エドワード・アルダズ アメリカ合衆国、イリノイ州60188、キャ ロルストリーム パブワース Ｎ214、１ 番 (72)発明者 セオドア・エー・コウリイ アメリカ合衆国、イリノイ州60202、エバ ンストン、メインストリート 1114、３Ｗ 番 Ｆターム(参考） 2G003 AA00 AG03 AG04 AG07 AG08 AG12 AG20 AH05 AH07 2G011 AA16 AA17 AB01 AB08 AC06 AC14 AE01 AF07 2G132 AF02 AF07 AJ01 AJ05 AL03 AL11 4M106 AA01 AA02 AA04 BA01 CA70 DD04 DD06 DD09 DD15

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 コンタクトターゲットと電気的接続を形
    成するためのコンタクトストラクチャにおいて、 その表面上に複数のコンタクタを保持するコンタクト基
    板と、 導電材料により構成され、上記コンタクト基板の表面に
    取り付けられる複数のコンタクタと、 上記各コンタクタは、接触点を形成する先端部と、コン
    タクト基板に挿入するベース部と、その先端部とベース
    部の間に形成され、コンタクトストラクチャがコンタク
    トターゲットに押し当てられたときに接触バネ力を発揮
    するスプリング部とを備え、 上記スプリング部は接触バネ力を発生するために、曲線
    状、傾斜状、蛇行状、あるいはジグザグ状の形状を有し
    ており、 上記ベース部は外部素子との電気接続を実現するための
    コンタクトパッドとして機能するために、上記コンタク
    ト基板の表面からその上部表面が突起しており、 上記を具備することを特徴とするコンタクトストラクチ
    ャ。
  2. 【請求項２】 上記コンタクト基板は単一のシリコンウ
    ェハあるいは複数のシリコンウェハを互いに接着して一
    体的に形成され、 上記コンタクタを搭載するためのスルーホールをそのコ
    ンタクト基板に形成し、 上記スルーホールはエッチングの行程によりそのコンタ
    クト基板に形成される、請求項１に記載のコンタクトス
    トラクチャ。
  3. 【請求項３】 上記コンタクタを搭載するためのスルー
    ホールをそのコンタクト基板に形成し、 上記各コンタクタは、上記スルーホールに係合するよう
    に、その底部にフランジ形状部が形成されている、請求
    項１に記載のコンタクトストラクチャ。
  4. 【請求項４】 上記コンタクト基板は単一のシリコンウ
    ェハにより形成され、上記コンタクタを搭載するための
    上記スルーホールをそのコンタクト基板に形成した、請
    求項１に記載のコンタクトストラクチャ。
  5. 【請求項５】 上記コンタクト基板は第１のシリコンウ
    ェハと第２のシリコンウェハを互いに接着して一体的に
    形成され、上記コンタクタを搭載するための上記スルー
    ホールをそのコンタクト基板に形成した、請求項１に記
    載のコンタクトストラクチャ。
  6. 【請求項６】 上記コンタクト基板は３層のシリコンウ
    ェハを互いに接着して一体的に形成され、上記コンタク
    タを搭載するための上記スルーホールをそのコンタクト
    基板に形成した、請求項１に記載のコンタクトストラク
    チャ。
  7. 【請求項７】 上記３層のシリコンは、第１、第２およ
    び第３のシリコンウェハにより構成され、その第２シリ
    コンウェハと第３シリコンウェハを互いに接着し、その
    第２および第３シリコンウェハに第２のスルーホールを
    形成し、その第１シリコンウェハにその第２のスルーホ
    ールより大きな第１のスルーホールを形成し、その第１
    シリコンウェハを第１および第２のスルーホール位置が
    合致するように位置合わせして、上記第２シリコンウェ
    ハ上に接着して構成した、請求項６に記載のコンタクト
    ストラクチャ。
  8. 【請求項８】 上記コンタクタは、平坦な基板の表面上
    にその平坦基板と並行な方向に形成され、その後その平
    坦基板から取り除かれて、上記コンタクト基板の表面と
    直交する方向にそのコンタクト基板上に搭載される、請
    求項１に記載のコンタクトストラクチャ。
  9. 【請求項９】 所定のサイズのコンタクトアセンブリを
    形成する為に、上記コンタクト基板はその外部エッジに
    おいて他のコンタクト基板の外部エッジと接続するため
    の結合メカニズムを有する、請求項１に記載のコンタク
    トストラクチャ。
  10. 【請求項１０】 上記結合メカニズムは上記コンタクト
    基板の一側端および他側端にそれぞれ形成された係合凹
    凸の組み合わせであり、１のコンタクト基板の側端に形
    成された係合凹凸による結合メカニズムが、他のコンタ
    クト基板の反対側端に形成された係合凹凸による結合メ
    カニズムと係合し、これにより複数のコンタクト基板が
    所定のサイズ、形状、コンタクト数のコンタクトアセン
    ブリを形成するように互いに組み合わせることができ
    る、請求項９に記載のコンタクトストラクチャ。
  11. 【請求項１１】 上記コンタクト基板はシリコンで構成
    されている、請求項１に記載のコンタクトストラクチ
    ャ。
  12. 【請求項１２】 上記コンタクト基板は、ポリイミド、
    セラミック、またはガラスのような誘電体材料で構成さ
    れている、請求項１に記載のコンタクトストラクチャ。
  13. 【請求項１３】 コンタクトストラクチャを形成するた
    めの製造方法において、 （ａ）犠牲層をシリコン基板の表面に形成するステップ
    と、 （ｂ）フォトレジスト層をその犠牲層上に形成するステ
    ップと、 （ｃ）コンタクタのイメージを有したフォトマスクを上
    記フォトレジスト層上に位置合わせし、そのフォトマス
    クを介してフォトレジスト層を紫外線で露光するステッ
    プと、 （ｄ）そのフォトレジスト層の表面にコンタクタのイメ
    ージのパターンを現像するステップと、 （ｅ）電気メッキのプロセスにより電気導電材料による
    コンタクタの第１層を上記フォトレジスト層のパターン
    に形成するステップと、 （ｆ）コンタクタの第２層またはそれを超える層を形成
    するために、上記のステップ（ｂ）から（ｅ）を繰り返
    すステップと、 （ｇ）上記フォトレジスト層を取り除くステップと、 （ｈ）上記コンタクタをシリコン基板から分離するため
    に上記犠牲層をエッチングで取り除くステップと、 （ｉ）各コンタクタの少なくとも１の端部が電気的接続
    のためのコンタクトパッドとして機能するように、コン
    タクタをコンタクト基板に搭載するステップと、 を具備することを特徴とするコンタクトストラクチャの
    製造方法。
  14. 【請求項１４】 コンタクトストラクチャを形成するた
    めの製造方法において、 （ａ）犠牲層を基板の表面に形成するステップと、 （ｂ）基板上のその犠牲層上にフォトレジスト層を形成
    するステップと、 （ｃ）コンタクタのイメージを有したフォトマスクを上
    記フォトレジスト層上に位置合わせし、そのフォトマス
    クを介してフォトレジスト層を紫外線で露光するステッ
    プと、 （ｄ）上記フォトレジスト層の表面にコンタクタのイメ
    ージのパターンを現像するステップと、 （ｅ）電気メッキのプロセスにより電気導電材料による
    コンタクタの第１層を上記フォトレジスト層のパターン
    に形成するステップと、 （ｆ）コンタクタの更なる層を形成するために、コンタ
    クタの上記第１層上に上記ステップ（ｂ）−（ｅ）を繰
    り返すステップと、 （ｇ）上記フォトレジスト層を取り除くステップと、 （ｈ）上記コンタクタの上面が接着テープに付着するよ
    うに接着テープをコンタクタに当てるステップと、 （ｉ）上記シリコン基板から接着テープに付着したコン
    タクタが上記基板から分離するように、上記犠牲層をエ
    ッチングにより取り除くステップと、 （ｊ）各コンタクタの少なくとも１の端部が電気的接続
    のためのコンタクトパッドとして機能するように、コン
    タクタをコンタクト基板に搭載するステップと、 を具備することを特徴とするコンタクトストラクチャの
    製造方法。
  15. 【請求項１５】 コンタクトストラクチャを形成するた
    めの製造方法において、 （ａ）導電材料により構成された導電基板を誘電体基板
    上に形成するステップと、 （ｂ）フォトレジスト層を上記導電基板上に形成するス
    テップと、 （ｃ）コンタクタのイメージを有するフォトマスクを上
    記フォトレジスト層上に位置合わせし、上記フォトマス
    クを介して上記フォトレジスト層を紫外線で露光するス
    テップと、 （ｄ）上記フォトレジスト層の表面にコンタクタのイメ
    ージのパターンを現像するステップと、 （ｅ）電気メッキのプロセスにより導電材料により構成
    したコンタクタの第１層をフォトレジスト層のパターン
    に形成するステップと、 （ｆ）コンタクタの更なる層を形成するために、コンタ
    クタの上記第１層上に上記ステップ（ｂ）−（ｅ）を繰
    り返すステップと、 （ｇ）上記フォトレジスト層を取り除くステップと、 （ｈ）上記誘電体基板から接着テープに付着したコンタ
    クタが分離するように上記導電基板を剥がし取るステッ
    プと、 （ｉ）上記のコンタクタの表面が接着テープに付着する
    ように、上記コンタクタの上面に接着テープを当てるス
    テップであり、上記コンタクタと上記接着テープ間の接
    着力が、上記コンタクタと上記導電基板間の接着力より
    も大であり、 （ｊ）その接着テープに付着したコンタクタが上記導電
    基板から分離するように上記導電基板を剥がし取るステ
    ップと、 （ｋ）各コンタクタの端部が電気的接続のためのコンタ
    クトパッドとして機能するように、コンタクタをコンタ
    クト基板に搭載するステップと、 を具備することを特徴とするコンタクトストラクチャの
    製造方法。
  16. 【請求項１６】 コンタクトターゲットと電気的接続を
    形成するためのプローブコンタクトアセンブリにおい
    て、 その表面上に複数のコンタクタを有するコンタクト基板
    と、 その表面に設けられた電極と上記コンタクタとの間の電
    気コミュニケーションを確立するためにそのコンタクト
    基板を搭載するためのプローブカードと、 複数のコンタクトピンを有し、上記プローブカードに取
    り付けられたとき、上記プローブカードと半導体テスト
    システムの間をインタフェースするピンブロックと、に
    より構成され、 上記コンタクタはそのコンタクト基板の表面に取り付け
    られ、その各コンタクタはほぼ直線形状を有し、接触点
    を形成する先端部と、コンタクト基板に挿入するベース
    部と、その先端部とベース部の間に形成され、コンタク
    トストラクチャがコンタクトターゲットに押し当てられ
    たときに接触バネ力を発揮するスプリング部とにより構
    成され、 上記スプリング部は接触バネ力を発生するために、曲線
    状、傾斜状、蛇行状、あるいはジグザグ状の形状を有し
    ており、上記ベース部は外部素子との電気接続を実現す
    るためのコンタクトパッドとして機能するために、上記
    コンタクト基板の表面からその上部表面が突起している
    ことを特徴とするプローブコンタクトアセンブリ。
  17. 【請求項１７】 上記ベース部の上部表面とプローブカ
    ードの電極との間に電気コミュニケーションを確立する
    ために、上記コンタクト基板とプローブカードとの間に
    供給された導電エラストマを有する、請求項１６に記載
    のプローブコンタクトアセンブリ。
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