JPH02237047A - 半導体試験装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、半導体試験装置に関し、特に、半導体ウェ
ハ上に形成された多数の半導体装置を一括して試験する
ことのできる半導体試験装置に関する。

［従来の技術］ 一般に、半導体集積回路装置（ＩＣ）の製造工程では、
Ｉｃｅ験のためウェハプローバと称する検査装置を用い
て、半導体ウェハ上に形成された半導体装置の電気的特
性が測定される。

第１０図は、従来のウェハブローバを理解しやすくする
ため、分解して示した斜視図であり、特に、第１０図（
ａ）はテストヘッドを示し、第１０図（ｂ）はブローブ
カードを示し、第１０図（ｃ）ウェハの一部を示す。第
１１図は下方から見たブローブカードの外観を示す斜視
図であり、ｍｌ２図はウェハ上の電極パッドに細長い導
体針（以下、プローブ針と称する）が接触している状態
を示す部分拡大斜視図である。第１３図はウェハプロー
バの使用状態を示す断面図である。次に、第１０図ない
し第１３図を参照して、従来のウェハブローバの構成に
ついて説明する。

第１０図を参照して、ウェハ３は、その主面３１に縦横
に設けられたスクライブライン３２により多数の半導体
チップ３３に区画されている。各半導体チップ３３には
、ＬＳＩ　（Ｌａｒｇｅ　　Ｓｃａｌｅ　　Ｉｎｔｅｇ
ｒａｔｉｏｎ）等の半導体装置が作り込まれており、そ
の半導体装置を取り囲んで電源供給および信号入出力の
ための電極バッド３４が多数設けられている。

第１０図に示す例では、２個の半導体チップを単位とし
てテストできるように、２個の半導体チップ上にある各
電極パッドに対面するように、ブローブカード２には多
数の細長いブローブ針２１が設けられている。ブローブ
針２１は、タングステン，クロムまたはタングステンー
クロム合金等からなり、第１１図に示すように、絶縁材
料からなるブローブカード２の一方面に樹脂からなるリ
ング部材２２で固定されている。ブローブ針２１はプロ
ーブカード２の上記一方面に設けられた金属パターン配
線２３に半田２４等により電気的に接続されている。

電極パッド３４の表面上にブローブ針２１が接触する表
面積は約５０〜１００μｍφ程度である。

ブローブカード２１側に接続されるブローブ針２１の外
径は約１５０〜２００μｍφ程度である。

ブローブカード２１上に形成される金属パターン配線２
３は、スルーホール２５を介してブローブ針２１が接続
される側の表面と反対側の表面上に形成された金属パタ
ーン配線２６に電気的に接続されている。この金属パタ
ーン配線２６は、上記反対側の表面に設けられた比較的
大きな平面禎を有する金属膜２７に電気的に接続されて
いる。

第１０図（ｂ）には、スルーホール２５，金属パターン
配線２６および金属膜２７がそれぞれ４個ずつ示されて
いるが、これらは各ブローブ針２１ごとに設けられてい
るものと理解されたい。なお、ブローブカード２にはブ
ローブ針２１が電極パッド３４に接触していることを目
視確認するための開口部２８が設けられている。

テストへッド１は、ＬＳＩ等からなる論理回路が正常に
動作するか否かを試験する機能動作試験や、所定の負荷
をかけたとき正常な出力電圧を維持するか否かを試験す
るＤＣ試験等によりＬＳＩの良否を判定するための試験
装置（以下、ＩＣテスタと称す）のヘッドである。テス
トヘッド１の開口部１１のまわりには、上記ブローブカ
ード２の各金属膜２７に対面するようにポゴビン１２が
設けられている。第１０図（ａ）には、簡略化のため数
本のボゴピン１２が示されている。ボゴピン１２は試験
のための信号をＬＳＩに与え、かつＬＳＩからの信号を
受取るためのものである。

第１３図を参照して、ウェハ３はウェハチャック４に載
置され固定されている。ウェハチャック４は移動機構５
によって、互いに直交する３方向に移動可能になってい
る。ブローブカード２はウェハブローバの基板固定部６
に指示固定されている。ブローブカード２の金属膜２７
には、テストヘッド１のポゴピン１２が圧着接触してい
る。

次に、上記のようなウェハブローバを用いてウェハ状態
のままで半導体装置の電気的特性試験を行なう手順につ
いて説明する。

移動機構５を用いて、ウェハチャック４上に固定されて
いるウェハ３内のいずれか２つの半導体チップ３３の各
電極パッド３４と、ブローブカード２上に固定されてい
る各ブローブ針２１とが対向して接触するように位置合
せされる。ブローブ針２１は、ウェハチャック４が第１
３図に示すＡ方向に動作することによって、電極バッド
３４の表面上に接触する。

ＬＳＩに与えられる信号波形は、テストヘッド１で形成
され、ボゴピン１２により出力される。

ポゴピン１２は、ブローブカード２の金属膜２７に圧着
接触されているため、テストヘッド１からの信号は金属
膜２７から延びた金属パターン配線２６，スルーホール
２５および金属パターン配線２３を介して、半田付けさ
れたプローブ針２１に伝達され、ブローブ針２１に圧着
接触している電極パッド３４から半導体チップ３３内の
ＬＳＩに印加される。ＬＳＩからの出力信号は上浦とは
逆経路でテストヘッド１に与えられ、テストヘッド１か
ら図示しないＩＣテスタに与えられる。このようにして
、ＬＳＩの電気的特性試験が行なわれる。

［発明が解決しようとする課題］ 上述のごとく、従来より、複数個の半導体チップの電気
的特性を同時に測定することのできるウェハブローバが
知られている。しかしながら、同時に測定することので
きる半導体チップの個数は、ブローブカード２１側に接
続されるプローブ針２１の外径が大きいこと、ブローブ
針２１と金属パターン配線２３とを半田付けするのに或
る程度の領域が必要であること、およびプローブ針２１
が電極パッド３４に接触していることを目視確認するた
めの開口部２８が必要であり、そのためにブローブ針２
１は開口部２８の周囲に配置せざるを得ないことなどに
より、制限される。このため、同時に測定することので
きる半導体チップの個数は、数個が限度であった。

ウェハを移動させることなく、一度に全チップをａｌ定
することのできるような半導体集積回路の試験方法が特
開昭５９−１７１１３１号公報に開示されている。そこ
には、選択的に上下に可動な複数のプローブ針がマトリ
クス状に配設された基板を、複数の半導体集積回路が形
成された半導体ウェハ上に載置し、制御系によって所望
のブローブ針を選択的に上下動させ、各半導体集積回路
のパッドに接触せしめて該半導体集積回路の電気的特性
を試験する技術が記載されている。

その試験方法では、ブローブ針はエア駆動力により押し
下げられ、エア駆動力がなくなったときばねの力により
復帰するようになっている。したがって、所望のプロー
ブ針を選択するとき、所望のプローブ針をエア駆動によ
り押し下げ、かつそれ以外のブローブ針をばね力により
復帰する必要がある。このように、この試験方法ではエ
ア駆動力によりブローブ針を機械的に運動させるため、
その選択動作が遅いという問題がある。

また、ブローブ針近辺に上下動させための機構を設けな
ければならないので、微細化には限度があり、電極パッ
ドのサイズやピッチ（間隔）が微細なものに適用するの
は困難である。

さらに、ウェハ内に形成される電極パッドが微細化して
、１００μｍｘ５０μｍ程度となり、また、ピッチが８
０μｍ以下になると、ブローブ針を電極パッドに接触さ
せることができなくなる。

このため、ウェハ内に作り込まれる電極パッドのサイズ
やピッチが微細化すると、それに応じてプローブ針の外
径も小さくする必要がある。しかしながら、ブローブ針
の外径を微細化すると、プローブ針の製造が困難となり
、ブロープカードへのブローブ針の実装も困難となると
いう問題がある。

チップの微細化に伴う製造加工の困難性を解消するため
、ブローブ針の代わりにバンブ状の導電性接触子を用い
たブローブカードが実開昭６１−１７９７４７号公報に
開示されている。第１４図は、このような導電性接触子
を示す断面図である。

第１４図を参照して、フレキシブル絶縁基板４１にはス
ルーホール４２が形成され、スルーホール４２にはめっ
き４３が施されている。スルーホール４２を囲むめっき
４３上には、半田を滴下するこどによりバンブ状の導電
性接触子４４が形成されている。

上述の導電性接触子によれば、ブローブ針２１に比べて
組立加工は容易になる。しかしながら、半田の滴下によ
り接触子を形成しているので、接触子を高精度に形成す
ることは困難である。

それゆえに、この発明の目的は、ウェハ上に形成された
多数の半導体装置を一括して試験することができ、かつ
ウェハ内に微細加工によって形成された多数の電極パッ
ドに対して高い精度の位置合わせが可能でありかつ製造
容易な接触子を有する半導体試験装置を提供することで
ある。

［課題を解決するための手段］ この発明に係る半導体試験装置は、光透過性の絶縁性基
板と、半導体ウェハ上に形成された半導体装置のｎ１定
すべきすべての電極に対応して、絶縁性基板と一体的に
形成され、絶縁性基板の表面から突き出した突出し部と
、突出し部上に形成され、電極と電気的に接触可能な導
電層を含む接触部と、接触部と試験信号発生装置との間
に設けられ、測定すべき電極を選択するために試験信号
発生装置と接触部のいずれかとを接続するように電気的
に切換える切換回路手段とを備えて構成される。

［作用］ この発明においては、電気絶縁性の基板に、半導体ウェ
ハ上の測定対象とすべきすべての電極に対応して基板表
面から突き出した接触部が形成されている。そして、該
接触部の導電層が電極と電気的に接触可能なようになっ
ている。したがって、半導体ウェハを平行移動させるこ
となく、半導体ウェハ単位で一括して測定することがで
きる。

また、測定すべき電極を選択するために試験信号発生装
置と接触部のいずれかとを接続するように電気的に切換
える切換回路が設けられている。

したがって、切換えを高速に行なえるので、テスト時間
を短縮することができる。

基板が光透過性であるため、半導体ウェハ上の電極と接
触部との接触状態，位置合わせ状態が視覚的に確認でき
る。

また、基板の突出し部は導電層自身によって形成されて
おらず、電気絶縁性基板に形成されている。このため、
微細に形成された半導体装置の電極に対応して、写真製
版技術を用いて微細な間隔で高密度に突出し部を基板上
に形成することが可能になる。

さらに、安価な絶縁性材料に突出し部および導電層を写
真製版技術により形成することができるので、自由なバ
ッドレイアウトに対するブローブカードが安価にかつ高
精度に得られる。

［発明の実施例］ 以下、この発明の実施例を図について説明する。

第１図は、この発明の一実施例によるウェハブローバを
理解しやすくするために分解して示した斜視図であり、
特に、第１図（ａ）はテストヘッドを示し、第１図（ｂ
）はブローブカードを示し、第１図（Ｃ）はウェハを示
す。第２図はウェハ上に設けられた半導体チップの電極
パッドを示す図であり、第３図は電極パッドにブローブ
カードの接触子が接触しようとしている状態を示す部分
拡大斜視図である。第４図はウェハブローバの使用状態
を示す断面図である。第５図はウェハプローバの電気的
構成を示す概略ブロック図である。

次に、第１図ないし第５図を参照して、この発明の一実
施例のウェハブローバの構造についテ説明する。

テストヘッド１は、ウェハ３上に形成された半導体チッ
プ３３の機能動作の良否を判定するためのＩＣテスタの
ヘッドであり、半導体チップ３３へ印加する信号波形を
形成して、ポゴピン１２から出力し、また、ボゴビン１
２を介して半導体チップ３３からの信号を受取るもので
ある。ポゴビン１２は、第１図（ａ）に示すように、４
本あるいは８本を１組として開口部１１の中心から放射
状にかつ開口部１１の周囲に沿って数百本配置される。

第１図（ａ）には、簡略化のため４本１組のボゴビンが
４組示されている。複数組のポゴピンのうち、少なくと
も１組のポゴピンはウェハ３上の半導体チップ３３を選
択するための信号（以下、チップ選択信号と称する）を
ブローブカード２に供給するために用いられる。残りは
、電源洪給．テスト信号入出力等のために用いられる。

開口部１１の大きさは、位置合わせを容易に行なうため
に、ウェハ３よりも大きいことが好ましい。

プローブカード２は透明または半透明の絶縁材料からな
る。このような材料としてガラスまたはセラミックスが
用いられる。透明または半透明の材料を用いたので、プ
ローブカード２に開口部がなくても、ブローブカードに
設けられる接触子とウェハ上の電極パッドとの接触状態
およびウェハ３上の位置マーク３５による位置合わせ状
態を視覚的に確認することができる。ブローブカード２
上には、ポゴピン１２の各組に対応して、金属膜２７が
形成される。各金属膜２７は、４本のボゴピンの各々に
対応して４つの部分２７１，２７２，２７３および２７
４に絶縁分離されている。ブローブカード２上には、金
属膜２７の各部分と金属パターン配線２６を介して電気
的に接続される選択回路２８が設けられる。選択回路２
８は、後の第５図で詳細に説明するが、テストヘッド１
からボゴピン１２、金属膜２７および金属パターン配線
２６を介して入力される信号に基づいて、ウェハ３上に
設けられた複数の電極パッド３４のうち、測定すべき電
極パッドを選択するための回路である。なお、上記チッ
プ選択信号は必ずしもテストヘッド１から供給される必
要はない。テストヘッド１から供給しない場合には、た
とえば外部装置７からチップ選択信号を選択回路２８に
供給する。

ウェハ３上の各半導体チップ３３にそれぞれ対応するブ
ローブカード２の各領域２９には、複数のスルーホール
２９０が設けられる。第１０図（ｂ）には、簡略化のた
め１つの領域２９のみが示されている。選択回路２８が
設けられた表面とは反対のブローブカード２の表面には
、スルーホール２９０に近接して接触子２９４が設けら
れる。

接触子２９４は、ブローブカード２がウェハ３上の所定
位置に位置合せされたとき、第２図に示す半導体チップ
３３内の各電極パッド３４と対面するように形成される
。第３図に示すように、接触子２９４の表面は、金属薄
膜２９６に被覆されていて、電極バッド３４と電気的に
接触するようになっている。この金属薄膜２９６は、ス
ルーホール２９０を介して、選択回路２８から延びる金
属パターン配線２９２に電気的に接続される。

接触子２９４の間隔は〜８０μ程度であり、各接触子２
９４の電極パッド３４と接触する面の大きさは、〜５０
μｍｘ〜５０μｍ程度である。これらの寸法は、試験対
象としての半導体チップ３３内に設けられる電極バッド
３４のサイズおよびピッチに対応して設定される。この
ように、微細寸法，微細ピッチで接触子を形成すること
ができるので、微細寸法，微細ピッチのパッドを有する
ＬＳＩ，多ピンを有するＬＳＩのウェハテストに効力を
発揮する。

第３図に示すように、接触子２９４ａは、ブローブカー
ド２の表面から突出しており、試験対象である電極パッ
ド３４ａの近傍に試験対象でない電極パッド３４ｂが存
在している場合に、金属薄膜２９６ａが電極パッド３４
ｂに接触しないようにしている。すなわち、第３図に示
す段差Ｈは、電極パッドの高さｈ（約２０μｍ程度）よ
りも大きくなっており、約５０〜１００μｍ程度である
。

第４図を参照して、多数個のＬＳＩが作り込まれたウエ
八３はウェハチャック４に載置されて固定されている。

ウェハチャック４は少なくとも矢印八方向に移動可能に
なっている。この発明におけるウェハブローバはウェハ
単位で一括して測定することができるので、ウェハチャ
ック４は従来例のように大きく移動できる必要はないが
、位置合わせのために矢印八方向に対して垂直な面内で
も移動できるようになっている。ウェハチャック４が移
動することにより、ウェハ３内に設けられた電極バッド
３４と、ブローブカード２の接触子２９４との位置合わ
せが行なわれる。プローブカード２は、透明または半透
明の材料で構成されているので、位置合わせを容易に行
なうことができる。

ブローブカード２はブローブ支持体７０に取付けられた
汎用性アタッチメントボード７１にねじ８０によって固
定されている。電極パッド３４に接する接触子２９４か
ら延び、ブローブカード２上に所定のパターンに従って
形成された金属パターン配線２９２は、選択回路２８に
つながっている。選択回路２８から延びる金属パターン
配線２６に電気的に接続された金属膜２７はポゴピン１
２ａに電気的に接続している。ボゴピン１２ａは、汎用
性アタッチメントボード７１上に形成された金属配線層
７２に電気的に接続されている。この金属配線層は、テ
ストヘッド１に設けられたボゴピン１２に電気的に接続
している。

なお、第４図において、破断線の内側の領域はその外側
の領域に比べて長手力向にのみ拡大されていること、お
よび選択回路２８はその拡大された寸法では描ききれな
いので単に概念的に示されていることに注意されたい。

上述のように構成されたウェハブローバにおける電気的
構成を第５図を参照して詳細に説明する。

第５図において、簡略化のために３個の半導体チップ３
３ａ〜３３ｃを試験対象とする場合が示されている。

第５図を参照して、テストヘッド１と選択回路２８とは
？ＩｔＭライン６０ａ，信号ライン６０ｂ，チップ選択
信号ライン６０Ｃ，クロツク信号ライン６０ｄおよび６
０ｅを介して接続される。電源ライン６０ａは電源を供
給するためのものである。

信号ライン６０ｂは半導体チップ３３ａ〜３３ｃに与え
られる試験のための信号および半導体チップ３３ａ〜３
３ｃから出力される試験結果としての信号を伝送するた
めのものである。チップ選択信号ライン６０ｃは、チッ
プ選択信号を伝送するためのものである。クロック信号
ライン６０ｄ，６０ｅは２相のクロック信号を伝送する
ためのものである。

選択回路２８には、各半導体チップに対応してシフトレ
ジスタ２８１ａ〜２８１ｃが設けられるとともに、各電
極パッドに対応してリレー２８２が設けられる。シフト
レジスタ２８１ａ〜２８１Ｃはチップ選択信号を格納す
るもので、２相のクロック信号に基づき動作する。チッ
プ選択信号を各シフトレジスタに供給するため、各シフ
トレジスタ２８１ａ〜２８１Ｃは信号ライン６０ｃを介
して接続されている。リレー２８２はシフトレジスタの
各ビットに応答して、電源ライン６０ａと電極バッド３
４との間または信号ライン６０ｂと電極バッド３４との
間を導通もしくは遮断するためものである。リレー２８
２は、たとえば電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）により
構成される。ＦＥＴは高速に動作するので、速い選択動
作が得られる。

次に、テストモードにおけるウェハブローバの動作につ
いて説明する。

テストヘッド１からチップ選択信号ライン６０Ｃを介し
てチップ選択信号が選択回路２８に与えられる。チップ
選択信号はビット列からなり、そのビット長は各シフト
レジスタのビット列の和と等しいか、それよりも長い信
号となっている。第５図に示す例では、ビット列はたと
えば１３ビットからなる。このビット列のうち、最初の
５ビットはシフトレジスタ２８１ａに格納され、次の５
ビットはシフトレジスタ２８ｌｂに格納され、残りの３
ビットはシフトレジスタ２８１Ｃに格納される。各ビッ
トは、たとえば“０＃であれば、対応するリレー２８２
により回路を遮断すべきことを示し、”１″であれば、
回路を導通すべきことを示す。したがって、テストヘッ
ド１から試験対象とすべき電極パッドのみが“１”であ
るようなビット列からなるチップ選択信号を選択回路２
８に与えることにより、テストヘッド１から試験対象の
電極パッド３４に対して信号が伝達できる状態となる。

次に、テストへッド１から電源あるいは試験のための信
号が電源ライン６０ａあるいは信号ライン６０ｂを介し
て各電極パッド３４に与えられる。

このとき、リレー２８２により導通状態となっている電
極パッド３４にのみ電源あるいは信号が与えられる。試
験結果としての信号は当該電極バッド３４から出力され
、電源ライン６０ａあるいは信号ライン６０ｂを介して
テストヘッド１に与えられる。これにより、半導体チッ
プ３３に作り込まれているＬＳＩのテストが行なわれる
。

なお、チップ選択信号により半導体チップ３３ａの電極
パッド３４ｃと半導体チップ３３ｂの電極パッド３４ｄ
とを選択し、半導体チップ３３ａのＬＳＩと半導体チッ
プ３３ｂのＬＳＩとを電気的に接続して両者の有機的な
作用をテストすることもできる。たとえば、半導体チッ
プ３３ａのＬＳＩがＣＰＵであり、半導体チップ３３ｂ
のＬＳ゛■がメモリであるような場合である。このよう
にして、選択回路２８により、同時に複数個の半導体チ
ップをテストすることもできるし、１つ１つ半導体チッ
プを切換えてテストすることもできるし、半導体チップ
を複数個組合わせて総合的にテストすることもできる。

なお、シフトレジスタの代わりにラッチ回路を用いても
よい。

選択回路２８は、ガラス基板等に金属膜および絶縁膜を
パターニングすることによって形成することができるの
で、安価にかつ大量に生産することができるとともに、
小型かつ軽量であるので取扱いやすい。

第６図，第７図および第８図はこの発明の他の実施例を
示す図である。第６図を参照して、ブローブカード２は
ウェハ内の半導体チップを電気的に接続する機能を有す
ることができる。ブローブカード２に設けられた金属パ
ターン配線２９７により１つの半導体チップ３３ｄの出
力信号を他の半導体チップ３３ｅに入力することができ
る。金属パターン配線２９７は途中で分岐した例であり
、金属パターン配線２９８は分岐しない例である。

第７図を参照して、ブローブカード２は、ウェハ内に任
意に設けられた半導体チップの電極パッドの配置に対応
することができる。第７図では、接触子２９４はそれぞ
れ形状の異なる半導体チツブ３３ｆ．３３ｇおよび３３
ｈの電極パッド３４に対応して形成されている。このよ
うに、接触子を構成することにより、多品種小量生産の
ＬＳＩのウェハテストに効力を発揮する。第８図は複数
の半導体チップから構成されたウェハの例を示す。

次に、第３図に示されたブローブカードの製造方法につ
いて説明する。一例として、ブローブカ−ドの材料とし
て、感光性ガラスを用いた場合について説明する。ｉＱ
Ａ図〜第９Ｇ図はこの発明に従ったブローブカードの製
造方法を工程順に示す断面図である。

まず、第９Ａ図を参照して、両面が研摩された感光性ガ
ラス２００の上にマスク２１０が形成される。このマス
ク２１０は紫外線を透過する領域２１１を有する。この
マスク２１０を用いて、矢印で示される方向に紫外線が
照射されることによって感光性ガラス２００が露光処理
される。

次に、第９Ｂ図を参照して、感光性ガラス２００におい
て潜像が形成される領域、すなわち、感光した部分のみ
が所定の熱処理によって結晶化される。感光性ガラスは
紫外線に感光し、感光後の加熱現像処理によって金属コ
ロイドが生じ、さらにその金属コロイドが核となって結
晶が生成する。

このように結晶化された部分２０１が感光性ガラス２０
０において感光した部分に形成される。この結晶化した
部分は非常に微細で酸に溶けやすい性質を有する。

さらに、第９Ｃ図に示すように、結晶化した部分２０１
が酸によってエッチングされる。このようにして、スル
ーホール２９０となる部分が形成される。

第９Ｄ図に示すように、透過する部分２２１を有するマ
スク２２０が感光性ガラス２００上に形成される。この
マスク２２０を用いて矢印で示される方向に紫外線が照
射されることによって感光性ガラス２００が露光される
。

第９Ｅ図を参照して、所定の現像処理が施されることに
よって感光した部分、すなわち、潜像が形成される部分
のみが結晶化した部分２０１となる。

第９Ｆ図に示すように、結晶化した部分２０１を酸によ
ってエッチングする。このとき、エッチング時間を調節
することによって、除去される深さを調整し、段差部分
が形成される。このようにして、凸部２３０を有するブ
ローブカード２が形成される。

第９Ｇ図を参照して、ブローブカード２の表面上に、た
とえばニッケル等の無電解めっきによって金属薄膜２９
６が付着される。次に、これをバターニングして第３図
に示すブローブカード２が得られる。

［発明の効果］ 以上のようにして、この発明によれば、ウェハ単位で一
括して半導体装置を試験することのできる半導体試験装
置が得られる。また、ウェハ内に微細加工によって形成
された多数の電極パッドに対して高精度の位置合わせが
可能であり、かつ製造容易な接触部を有する半導体試験
装置が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例によるウェハブローバを理
解しやすくするために分解して示した斜視図である。第
２図はウェハ上に設けられる半導体チップの電極パッド
を示す図である。第３図は電極パッドにブローブカード
の接触子が接触しようとしている状態を示す部分拡大斜
視図である。 第４図はウェハプローバの使用状態を示す断面図である
。第５図はウェハブローバの電気的構成を示す概略ブロ
ック図である。第６図，第７図および第８図はこの発明
の他の実施例を示す図である。 第９Ａ図ないし第９Ｇ図はこの発明に従ったブローブカ
ードの製造方法工程順に示す断面図。第１０図は従来の
ウェハブローバを理解しやすくするために分解して示し
た斜視図である。第１１図は下方から見たブローブカー
ドの外観を示す斜視図である。第１２図はウェハ上の電
極パッドに細長い導電針が接触している状態を示す部分
拡大斜視図である。第１３図はウェハブローバの使用状
態を示す断面図である。第１４図は従来の導電性接触子
を示す断面図である。 図において、１はテストヘッド、２はブローブカード、
３は半導体ウェハ、１２はボゴピン、２６は金属パター
ン配線、２７は金属膜、２８は選択回路、３３は半導体
チップ、３４は電極パッド、２８１ａ　〜２８１ｃはシ
フトレジスタ、２８２はリレー、２９０はスルーホール
、２９２は金属パターン配線、２９４は接触子、２９６
は金属薄膜を示す。 なお、図中、同一符号は同一または相当する部分を示す
。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　試験信号発生装置からの試験信号を用いて半導体ウェ
   ハ上に形成された半導体装置の電気的特性を試験する半
   導体試験装置であって、 光透過性の絶縁性基板と、 前記半導体ウェハ上に形成された前記半導体装置の測定
   すべきすべての電極に対応して、前記絶縁性基板と一体
   的に形成され、前記絶縁性基板の表面から突き出した突
   出し部と、 前記突出し部上に形成され、前記電極と電気的に接触可
   能な導電層を含む接触部と、 前記接触部と前記試験信号発生装置との間に設けられ、
   測定すべき前記電極を選択するために前記試験信号発生
   装置と前記接触部のいずれかとを接続するように電気的
   に切換える切換回路手段とを備えた、半導体試験装置。