JP2010540935A - シリアル制御インテリジェントスイッチを使用してデバイスをテストするための方法及び装置 - Google Patents

シリアル制御インテリジェントスイッチを使用してデバイスをテストするための方法及び装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2010540935A
JP2010540935A JP2010527123A JP2010527123A JP2010540935A JP 2010540935 A JP2010540935 A JP 2010540935A JP 2010527123 A JP2010527123 A JP 2010527123A JP 2010527123 A JP2010527123 A JP 2010527123A JP 2010540935 A JP2010540935 A JP 2010540935A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
test
switches
ics
bit
assembly
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2010527123A
Other languages
English (en)
Inventor
エドワード ベリー,トミー
スポーク,エー.,ニコラス
Original Assignee
フォームファクター, インコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by フォームファクター, インコーポレイテッド filed Critical フォームファクター, インコーポレイテッド
Publication of JP2010540935A publication Critical patent/JP2010540935A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/06Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067Measuring probes
    • G01R1/073Multiple probes
    • G01R1/07307Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07342Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being at an angle other than perpendicular to test object, e.g. probe card
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
    • G01R31/2889Interfaces, e.g. between probe and tester

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)

Abstract

【課題】 シリアル制御インテリジェントスイッチを使用してデバイスをテストする方法及び装置を提供する。
【解決手段】 いくつかの実施形態では、チェーンを形成するようにシリアル結合された複数の集積回路 (IC)を含むプローブカードアセンブリを提供することができ、このチェーンは、少なくとも1つの シリアル制御線に結合され、複数のICは、複数のテストプローブに結合された複数のスイッチを含み、これら複数のスイッチの各々は、少なくとも1つのシリアル制御線上の制御信号に応答してプログラム可能である。
【選択図】 図3

Description

[0001] 本発明の実施形態は概して、半導体デバイスをテストするためのウェーハプローブカードに関し、特に、ウェーハプローブカードの性能を向上させることに関する。
[0002] テストは、使用するための半導体デバイスの製造における重要なステップである。一般的に、部分的又は完全に完成した半導体デバイスは、テスト対象のデバイス(「試験中の装置(DUT)」ともいう)の上面に配置された端子を、例えば、テストシステムの一部として、プローブカードアセンブリに含まれる弾性接触要素に接触させることによってテストされる。テストチャネルの数を増やしたテストシステムコントローラは、テストシステムの重大なコスト要因となり得る。テストシステムコントローラは進化してチャネルの数が増え、よって、並行してテストできるデバイスの数が増えてきた。残念なことに、ウェーハ毎のDUTの数の増え方は、一般的に、テストシステムコントローラの開発のペースよりも速い。従来、利用できるチャネルの数は、一般的にウェーハ上のすべてのDUTを同時にテストするためには不十分である。
[0003] 有限な数のテストチャネルを備えたウェーハ上のコンポーネントのテストに対応するための1つの技術は、プローブカードアセンブリのテストシステムコントローラから多数の伝送線に信号をファンアウトする(fan out)ことである。すなわち、通常1つのDUTに提供されるテスト信号を、プローブカードアセンブリ内の多数のDUTにファンアウトすることができる。この技術は、固定数のテストシステムチャネルに対する1回のタッチダウンの間に、より多い数のDUTのテストを可能とすることができる。
[0004] ファンアウトとのテスト整合性をより良く保証するために、プローブカードアセンブリ上により多くの回路(increased circuitry)を提供することによって、複数のファンアウト線の1本における障害(例えば、DUTを介したアース端子への短絡)の影響を最小限に抑えることができる。ファンアウト線上に接続されたコンポーネントの障害は、ファンアウトされたテストシステムチャネル上のすべてのDUTのためのテスト信号を大きく減衰させ得る。1つの解決法は、チャネル線の分岐点とプローブの間でリレーを使用することによって、障害のあるコンポーネントによって引き起こされる減衰を小さくすることができる。各リレーは、その状態を制御するために少なくとも1本の別の線を必要とする。しかし、プローブカードアセンブリは、数千のこのような分岐点を含んでもよく、数千のリレーを必要とする。プローブカードアセンブリ上のリレーを制御するために数千の制御線を含めることは、必要とされる面積及びコストの点で望ましくない。
[0005] 従って、当技術分野においては、少なくとも上述の欠点を克服することを試みる、半導体デバイスをテストするための方法及び装置の技術が必要とされる。
[0006] 本発明の実施形態は、プローブカードアセンブリに関するものであり得る。いくつかの実施形態では、プローブカードアセンブリは、チェーンを形成するようにシリアル結合された複数の集積回路(IC)を含むことができ、このチェーンは、少なくとも1本のシリアル制御線に結合され、前記複数のICは、複数のテストプローブに結合された複数のスイッチを含み、これら複数のスイッチの各々は、少なくとも1本のシリアル制御線上の制御信号に応答してプログラム可能である。
[0007] 本発明の実施形態は、テストアセンブリに関するものであり得る。いくつかの実施形態では、テストアセンブリは、試験装置に接続するためのコネクタ、及び少なくとも1つの制御信号を提供するシリアル制御線を含む、プリント配線板と、複数のテストプローブを支持するプローブヘッドと、少なくとも1本のシリアル制御線に結合された少なくとも1つの集積回路(IC)であって、当該少なくとも1つのICは、複数のテストプローブの少なくとも一部に結合された複数のスイッチを含み、当該複数のスイッチの各々は、シリアル制御線上の連続ビットストリームとして送信される制御信号に応答してプログラム可能である、少なくとも1つのICとを含む。
[0008] 本発明の実施形態は、プローブカードアセンブリを使用してウェーハ上のコンポーネントをテストする方法に関するものであり得る。いくつかの実施形態では、プローブカードアセンブリを使用してウェーハ上のコンポーネントをテストする方法は、制御信号に応答してプログラムされる複数のスイッチを含む複数の集積回路(IC)からなるチェーンを介して制御信号をシリアルシフトすることと、コンポーネントをテストするために前記複数のスイッチを介してテストプローブと試験装置との間でテスト信号を通信することとを含む。
[0009] 本発明の様々な実施形態の上述の特徴を詳細に理解できるように、実施形態を参照して本発明のより詳細な説明(その概要が上述され、その他は後述される)がなされ得るものであり、これら実施形態のいくつかは添付図面に示されている。但し、注記すべき点として、添付図面は本発明の典型的な実施形態のみを図示するものであり、従って、本発明の範囲を限定すると見なされるものではなく、本発明は、他の同様に有効な実施形態を認め得る。
[0010] 図1は、本発明のいくつかの実施形態に従うテストシステムを示すブロック図である。 [0011] 図2は、本発明のいくつかの実施形態に従うプローブカードアセンブリを示す。 [0012] 図3は、本発明の実施形態に従うシリアル制御インテリジェントスイッチングを提供するように構成されたICを示す概略図である。 [0013] 図4は、本発明の実施形態に従う制御語を示すブロック図である。 [0014] 図5は、本発明の実施形態に従うプローブカードアセンブリ上のコンポーネントを示す回路図である。 [0015] 図6は、本発明の実施形態に従ってプローブカードアセンブリを使用してウェーハ上のコンポーネントをテストする方法を示すフロー図である。
[0016] 可能な場合は、複数の図に共通する同一の要素を指定するために、同一の符号が用いられる。図面で使用されているイメージは、例示的な目的で単純化されており、必ずしも原寸に比例して図示されていない。
[0017] 本発明は、シリアル制御インテリジェントスイッチを使用してデバイスをテストするための方法及び装置を提供する。インテリジェントスイッチは、ICに含まれてもよく、複数のICは結合されてICのシリアルチェーンを形成する。インテリジェントスイッチの各々は、ICのチェーンへのシリアルインタフェースを使用して独立して制御されてもよい。よって、1本のシリアル制御線が、多数のインテリジェントスイッチを制御するために使用されてもよい。「シリアル」とは、シリアル制御線上の信号が、連続ビットストリームとして送信され得ること(すなわち、ビット単位での送信)を意味する。インテリジェントスイッチは、複数のデバイスをテストするように構成されたプローブカードアセンブリ上のテストリソースをファンアウトするために使用されてもよい。特定のICのチェーンのために1本の制御線を使用することによって、プローブカードアセンブリ上に必要な制御線の数が大幅に減る。本発明の上述の及びその他の実施形態及び態様については、以下に詳細に説明する。
[0018] 図1は、本発明のいくつかの実施形態に従うテストシステム100を示すブロック図である。テストシステム100は一般に、テストシステムコントローラ102と、試験装置104と、プローバ106とを含み得る。テストシステムコントローラ102は、通信リンク108によって試験装置104に結合することができる。プローバ106は、テスト対象である試験中の装置(DUT)112を取り付けるためのステージ110と、プローブカードアセンブリ114とを含むことができる。DUT112は、テスト対象となるあらゆる電子デバイス(単数又は複数)であり得る。適切なDUTの限定されない例には、個別化されていない(unsingulated)半導体ウェーハの1つ以上のダイ、ウェーハから個別化された(singulated)1つ以上の半導体ダイ(パッケージ化されているか又はパッケージ化されていない)、キャリア又は他の保持デバイスに配された個別化された半導体ダイの配列、1つ以上のマルチダイ電子ICモジュール、1つ以上のプリント配線板、又はあらゆるその他の種類の電子デバイス(単数又は複数)を含む。本明細書で用いられているDUTという用語は、1つ又は複数のこのような電子デバイスを意味し得る。プローブカードアセンブリ114は、DUT112と接触するプローブ116(「テストプローブ」ともいう)を含むことができる。ステージ110は、DUT112をプローブ116に接触させるために可動とすることができる。
[0019] テストシステム100では、テストデータは、試験装置104によって生成され、プローブカードアセンブリ114、プローブ116を介して、そして最終的にはDUT112へと送信され得る。テストデータの生成は、テストシステムコントローラ102(例えば汎用コンピュータ)によって制御されてもよい。次に、テスト結果は、DUT112からプローブカードアセンブリ114を介して試験装置104に戻すことができる。試験装置104は、分析のために、テスト結果をテストシステムコントローラ102に送信してもよい。
[0020] 試験装置104から提供されるテストデータは、個々のテストチャネルに分割することができる。テストチャネルは、コネクタ118によってプローブカードアセンブリ114にリンクすることができる。コネクタ118は、任意の適切なコネクタ(例えば、フレキシブルケーブルコネクタ、ポゴピン、ゼロ挿入力(ZIF)コネクタなど)であってもよい。プローブカードアセンブリ114は、テストチャネルの各々を多数のプローブ116にファンアウトすることができる。プローブカードアセンブリ114は、ファンアウトを有効にし(enabling)、ファンアウト線上の障害を分離するための電子装置120を含むことができる。いくつかの実施形態では、電子装置120は、複数のインテリジェントスイッチを含むことができる。インテリジェントスイッチのグループは、集積回路(IC)を使用して実装されてもよい。インテリジェントスイッチは、1本以上のシリアル制御線を使用して制御可能とし得る。インテリジェントスイッチの諸々の態様については、以下に説明する。
[0021] 図2は、本発明のいくつかの実施形態に従うプローブカードアセンブリ114を示す。プローブカードアセンブリ114は、一般に、試験装置104とDUT112との間のインタフェースとして作用する。プローブカードアセンブリ114は、試験装置104からの複数のテストチャネル(図示されていない)と電気的接続するように構成される電気コネクタ204を含むことができる。また、プローブカードアセンブリ114は、テストプローブとして1つ以上の弾性接触要素226を含むこともできる。弾性接触要素226は、DUT112の1つ以上の入力及び/又は出力端子220に対して押し付けられ、よってこれと一時的な電気的接続するように構成することができる。弾性接触要素226は、一般的にDUT112の望ましい端子220に対応するように構成され、望ましい形状寸法を有する1つ以上の配列に配置されてもよい。
[0022] プローブカードアセンブリ114は、コネクタ204及び弾性接触要素226を支持し、かつこれらの間の電気的接続を提供するように構成された1つ以上の基板を含み得る。図2に示される例示的なプローブカードアセンブリ114は、3つのこのような基板を有するが、他の実装では、プローブカードアセンブリ114は、これより多い又は少ない基板を有することができる。図2に示される実施形態では、プローブカードアセンブリ114は、配線基板202(「プリント配線板」ともいう)、インターポーザ基板208、及びプローブ基板224(「プローブヘッド」ともいう)を含む。配線基板202、インターポーザ基板208、及びプローブ基板224は、一般に、あらゆる種類の適切な材料(例えば、プリント回路配線板、セラミック、有機又は無機材料など、又はこれらの組み合わせを含むが、これらに制限されない)から作成することができる。
[0023] さらに、プローブカードアセンブリ114は、1つ以上の能動的又は受動的な電子コンポーネント(例えば、コンデンサ、抵抗器など)を含み得る。いくつかの実施形態では、インテリジェントスイッチ230は、配線基板202上に配置することができる。他の実施形態では、インテリジェントスイッチ230は、インターポーザ408上に配置されてもよい。さらに別の実施形態では、インテリジェントスイッチ230は、弾性接触要素226とともに、プローブ基板224上に配されてもよい。他の実施形態では、インテリジェントスイッチ230は、配線基板202、インターポーザ基板208、及びプローブ基板224のうちの1つ以上の任意の組み合わせの上に配することができる。
[0024] 導電性経路(図示されていない)は、通常、コネクタ204から様々な基板及びインテリジェントスイッチ230を介して弾性接触要素226へと設けられる。例えば、図2に示される実施形態では、導電性経路(図示されていない)は、コネクタ204から配線基板202を介して複数の導電性バネ相互接続構造体206へと設けられ得る。他の導電性経路(図示されていない)は、バネ相互接続構造体206からインターポーザ基板208を介して複数の導電性バネ相互接続構造体219へと設けられ得る。さらに他の導電性経路(図示されていない)は、バネ相互接続構造体219からプローブ基板224を介して弾性接触要素226へとさらに設けられ得る。配線基板202、インターポーザ基板208、及びプローブ基板224を通った導電性経路は、配線基板202、インターポーザ基板208、及びプローブ基板224の上、その中、かつ/又はこれらを通して配され得る導電性ビア、トレースなどを含み得る。上述の導電性経路のファンアウトを、そしてDUT112上の障害からのファンアウト線の分離を有効にするために、上述の導電性経路の少なくともいくつかの経路の配線基板202、インターポーザ基板208、及び/又はプローブ基板224のうちの1つ以上の上にインテリジェントスイッチ230を設けることができる。
[0025] 配線基板202、インターポーザ基板208、及びプローブ基板224は、1つ以上のブラケット222及び/又は他の適切な手段(例えばボルト、ネジ、又は他の適切な締結具)によってまとめられてもよい。図2に示されるプローブカードアセンブリ114の構成は、例示的なものにすぎず、図示と説明を容易にするために簡素化されており、多くのバリエーション、修正、及び追加が企図される。例えば、プローブカードアセンブリは、図2に示されているプローブカードアセンブリ114よりも少ない又は多くの基板(例えば202、208、224)を有してもよい。別の例として、プローブカードアセンブリは、1つのプローブ基板(例えば224)よりも多くを有してもよく、かつこのようなプローブ基板はそれぞれ独立して調整可能であってもよい。多数のプローブ基板を備えるプローブカードアセンブリの限定されない例は、2005年6月24日に出願された米国特許出願第11/165,833号に開示されている。プローブカードアセンブリのさらに限定されない例は、1999年11月2日に発行された米国特許第5,974,662号、及び2003年1月21日に発行された米国特許第6,509,751号、並びに上述の米国特許出願第11/165,833号に例示されている。これらの特許及び出願に記載されているプローブカードアセンブリの様々な特徴が、図2に示されるプローブカードアセンブリ114に実装されてもよく、また上述の特許及び出願で記載されているプローブカードアセンブリが、本明細書に記載の発明的なインテリジェントスイッチ及びその構成の使用の恩恵を受け得ることが企図されている。
[0026] 図3は、本発明のいくつかの実施形態に従ってシリアル制御インテリジェントスイッチングを提供するように構成されたIC300を示す概略図である。IC300は、インテリジェントスイッチ302−1〜302−4(以下、総称して「インテリジェントスイッチ302」という)と、シフトレジスタ304と、制御ロジック305とを含むことができる。本例では、制御ロジック305は、レジスタ306とコントローラ308とを含むことができる。インテリジェントスイッチ302の各々は、スイッチ回路310と、デバウンスロジック312と、電流センサ314とを含むことができる。スイッチ回路310、デバウンスロジック312、及び電流センサ314は、少なくとも本明細書で説明されている機能を提供するために、様々な種類の回路及びロジックコンポーネント(例えば、トランジスタ、ロジックゲート、フリップフロップ、比較器、演算増幅器など)を含み得る。例によって明確にする目的で、インテリジェントスイッチ302−1のみが詳細に示されている。インテリジェントスイッチ302−2〜302−4の各々は、インテリジェントスイッチ302−1と同一に構成され得ることが理解されるべきである。さらに、4つのインテリジェントスイッチのみが示されているが、IC300は、一般に4つより多く又は少ないインテリジェントスイッチを含み得る。
[0027] インテリジェントスイッチ302の各々は、2つの端子、すなわち、指定された端子A(第1端子)及び端子B(第2端子)を含む。また、インテリジェントスイッチ302の各々は、後述のとおり、制御端子を含み得る。図示の実施形態において、スイッチ回路310は、単極単投(SPST)スイッチを含むことができる。閉状態では、端子Aは端子Bに接続され、電流はスイッチ回路310を介して流れ得る。開状態では、端子Aと端子Bの間にほとんど又はまったく電流は流れない。後述のとおり、スイッチ回路310の一方の端子は、テストリソースに接続されてもよく、スイッチ回路310の他方の端子は、プローブカードアセンブリ上のテストプローブに接続されてもよい。スイッチ回路310はSPSTスイッチとして説明されているが、当業者は、スイッチ回路310が一般に、切り替えるべき対応する数の端子とともに、1つ以上の極及び1つ以上のスイッチ切り替え(throws)を有してもよいことを理解する。
[0028] 電流センサ314は、スイッチ回路310を介して流れる電流を測定するように構成することができ、測定された電流が閾値を超える(例えば、電流センサ314が過電流状態(overcurrent condition)を感知する)場合は、信号をアサート(assert)する。電流センサは、端子Aと端子Bの各々に接続することができる。電流センサ314は、制御ロジック305からの電流閾値でプログラムすることができる。従って、インテリジェントスイッチ302の各々は、プログラム可能電流レベルに応答して開くように構成されてもよい。また、電流センサ314は、電流センサ314を較正するために使用できる制御ロジック305から較正信号を受信してもよい。電流センサ314は、周知の技術を使用して較正され得る。電流センサ314は、制御ロジック305からセンスイネーブル信号(sense enable signal)をさらに受信してもよい。センスイネーブル信号は、電流センサ314によって電流感知を有効(enable)又は無効(disable)にするために使用することができる。
[0029] 電流センサ314は、出力端子を介してデバウンスロジック(debounce logic)312を駆動することができる。デバウンスロジック312は、時間領域の過電流状態の条件(qualification)を有効にする。すなわち、デバウンスロジック312は、電流センサ314が閾値期間(以下「『デバウンス』時間」という)において過電流を感知した後にのみ、過電流状態を報告する。過電流状態がデバウンス期間に存在する場合は、デバウンスロジック312は、スイッチ回路310が開くようにすることができる。従って、インテリジェントスイッチ302の各々は、プログラム可能デバウンス期間において存在するプログラム可能電流レベルに応答して開くように構成され得る。デバウンスロジック312は、制御ロジック305からのデバウンス閾値でプログラムされてもよい。デバウンスロジック312の出力は、デバウンス期間に存在する過電流状態によってトリップされ(開かれ)、よって「トリップ状態」をもたらすか否かを示すことができる。トリップ状態信号は、制御ロジック305に提供されてもよい。デバウンスロジックは、スイッチ回路の制御端子と電流センサの出力端子の間に結合され得る。
[0030] また、スイッチ回路310は、スイッチ制御信号に基づいて開かれ又は閉じられるように構成することができる。スイッチ制御信号は、制御ロジック305から受信されてもよい。スイッチ回路310は、その開状態又は閉状態を報告してもよい。スイッチ状態は、制御ロジック305に提供され得る。また、スイッチ回路310は、制御ロジック305からトリップイネーブル信号(trip enable signal)を受信してもよい。トリップイネーブル信号は、デバウンスロジック312による過電流表示(overcurrent indication)に応じてスイッチ回路310のトリップ能力を有効又は無効にするために使用することができる。
[0031] インテリジェントスイッチ302は、制御語をシフトレジスタ304にシリアルシフトすることによってプログラムすることができる。「データイン」端子における制御ビットは、例えば、「クロックイン」端子におけるクロック信号に従ってシフトレジスタ304にシフトすることができる。シフトレジスタ304の端部におけるビットは、「データアウト」端子でシフトアウトすることができる。クロック信号は、「クロックアウト」端子で提供することができる。後述のように、シフトレジスタ304のデータアウト端子及びクロックアウト端子は、複数のICのシリアルチェーンの一部を形成するように、別のICのシフトレジスタ304のデータイン端子及びクロックイン端子それぞれのデータに結合されてもよい。制御語のビットは、IC300の操作を制御することができる。
[0032] 図4は、本発明のいくつかの実施形態に従う制御語400を示すブロック図である。制御語400は、制御ビット402と、いくつかの実施形態ではデータビット404とを含むことができる。制御ビット402は、コントローラ308によって処理することができる。コントローラ308は、制御イネーブル信号に応答して制御ビット402を取得又はその他の態様で分析してもよい。いくつかの実施形態では、制御ビット402は、コマンド406と、いくつかの実施形態ではヘッダー408とを含むことができる。コマンド406は、レジスタ306がどのように利用されるかを決定することができる。データビット404は、レジスタ306によって処理することができる。コントローラ308は、コマンド406に応答して、データビット404をシフトレジスタ304からレジスタ306にロードされるようにし得る。いくつかの実施形態では、コントローラ308は、コマンド406に応答して、データビット404をレジスタ306からシフトレジスタ304にロードされるようにし得る(例えばリードバックの場合)。さらに他の実施形態では、コントローラ308は、データビット404のいくつかをシフトレジスタ304からレジスタ306にロードされるようにし、かつデータビット404のその他の部分をレジスタ306からシフトレジスタ304にロードされるようにしても得る。いくつかの実施形態では、データビット404は、インテリジェントスイッチ302に対応するフィールド410を含むことができる。この例では、データビット404は、それぞれインテリジェントスイッチ302−1〜302−4に対応するフィールド410−1〜410−4を含むことができる。
[0033] いくつかの実施形態では、コマンド406は、インテリジェントスイッチ302の各々に対してデバウンス期間を設定するための指示を含み得る。例えば、データビット404がスイッチ302に対応するフィールド410を含む実施形態では、フィールド410の各々は、インテリジェントスイッチ302のそれぞれ1つについてデバウンス期間を制御する値を含み得る。いくつかの実施形態では、コマンド406は、インテリジェントスイッチ302の各々に対して電流閾値を設定するための指示を含み得る。例えば、データビット404がスイッチ302に対応するフィールド410を含む実施形態では、フィールド410の各々は、インテリジェントスイッチ302のそれぞれ1つについて電流閾値を制御する(電流トリップを設定する)値を含み得る。いくつかの実施形態では、コマンド406は、インテリジェントスイッチ302の状態を制御するとともに、インテリジェントスイッチ302から状態情報を取得するための指示を含み得る。例えば、データビット404がスイッチ302に対応するフィールド410を含む実施形態では、フィールド410の各々は、それぞれ1つのインテリジェントスイッチ302における1つ以上の状態を制御する1つ以上の値を含み得る(例えば、スイッチ回路310のオン/オフ状態、センスイネーブル、及びトリップイネーブル)。さらに、フィールド410の各々は、それぞれ1つのインテリジェントスイッチ302における1つ以上の状態値を伝えるように構成された1つ以上の書き込み可能ビットを含み得る(例えばスイッチ状態(オン又はオフ)及び/又はトリップ状態(トリップされた又はトリップされていない))。いくつかの実施形態では、コマンドは、インテリジェントスイッチ302の各々における電流センサ314を較正する指示を含み得る。コマンド406は、例としてスイッチ毎にフィールドを有すると説明してきたが、コマンドは、スイッチよりも少ないフィールドを有してもよいことが理解されるべきである。このような場合は、フィールドは、複数のスイッチのうちの2つ以上に適用し得る。
[0034] シフトレジスタ304と制御ロジック305との間のデータの転送は、制御イネーブル信号に従って発生し得る。例えば、制御イネーブル信号がアサートされた場合、データ転送が生じる。制御イネーブル信号は、データ転送が複数のICの各々で生じるように、チェーンをなす複数のICの各々に適用され得る。転送が完了すると、制御イネーブル信号は、デアサートされてもよい。このような時に、シフトレジスタ304のビットは、「クロックイン」端子におけるクロック信号に従って「データアウト」端子からシフトされ得る。ビットは、クロック信号に従ってチェーンをなす複数のICの各々でシフトアウトされてもよい。クロック信号は、「クロックアウト」端子で提供される。このようにして、インテリジェントスイッチ302(並びにチェーンの仲のその他のICのインテリジェントスイッチ)と関連付けられたデータ(例えばトリップ状態及び/又はスイッチ状態)は、シフトレジスタ304からシリアルストリームを介してリードバックされ得る。
[0035] 図5は、本発明のいくつかの実施形態に従うプローブカードアセンブリ114上のコンポーネントを示す回路図である。試験装置104は一般に、複数のテストリソース(総じて「リソース」という)と、少なくとも1つのコントローラ508とを含むことができる。リソースは、電圧をDUT112に供給する電圧供給リソース、デジタル信号をDUT112に供給するデジタルリソース、及び/又はアナログ信号をDUT112に供給するアナログリソースのあらゆる組み合わせを含み得る。リソース502−1〜502−N(総じて「リソース502」という)の例示的なセットが図5に示されるが、ここでNは2以上の整数である。図5に示される例では、DUT112は、デバイス504−1〜504−M(総じて「デバイス504」という)のセットを含むが、ここでMは2以上の整数である。すなわち、DUT112は、多数のテストサイト(テスト対象のデバイス)を含む。
[0036] リソース502は、IC506−1〜506−K(総じて「IC506」という)を介してデバイス504と関連付けることができるが、ここでKは1以上の整数である。IC506の各々は、上述のIC300と同様に実装され得る。すなわち、IC506の各々は、上述のとおり、制御語をシフトレジスタにシリアルロードすることによってプログラム可能である複数のインテリジェントスイッチを含み得る。本実施例では、リソース502−1は、多数のIC506の各々のインテリジェントスイッチに結合されている様子が示されている。リソース502のその他のリソースは、同様の態様でIC506の他のインテリジェントスイッチに結合され得る(かかる接続は、明確にするために省略されている)。IC506内のインテリジェントスイッチは、一時的な圧力接続505を介してデバイス504と通信することができる。上述のとおりテストプローブを使用して、一時的な圧力接続をもたらしてもよい。IC506内のインテリジェントスイッチの少なくとも1つは、試験装置によってテストプローブの1つに適用されるテスト信号(例えば、DUTへのテスト信号の適用)を切り替えてもよい。IC506内のインテリジェントスイッチの少なくとも1つは、テストプローブの1つによって試験装置に適用されるテスト信号(例えば、DUTからのテスト信号のリードバック)を切り替えてもよい。
[0037] 本実施例では、IC506−1内のインテリジェントスイッチはデバイス504−1と通信でき、IC506−2内のインテリジェントスイッチはデバイス504−2と通信でき、以下同様である。このようにして、リソース502−1をデバイス504の間に分散することができる。デバイス504のいずれか1つが過剰な電流(すなわち、閾値電流よりも大きい電流)を引き込む(draw)場合は、複数のIC506のうちの対応する1つのICの対応するインテリジェントスイッチは、トリップに設定され、よって、当該デバイスをリソース502−1から分離することができる。他のデバイスは、動作上の影響(operational effect)なしにリソース出力を受信し続けることができる。図5に示されるリソース、IC、及びデバイスの構成は、単に例示的なものにすぎない。その他の構成では、リソースは、1つのICの2つ以上の端子(すなわちICの2つ以上のインテリジェントスイッチ)に結合され得る。同様に、1つのICは2つ以上のデバイスに結合され得る(すなわち、ICの2つ以上のインテリジェントスイッチは、1つのデバイスを駆動し得る)。ICよりも多い又は少ないリソースがあってもよく、またデバイスよりも多い又は少ないICがあってもよい。
[0038] 複数のIC506は、ICのシリアルチェーンを形成することができる。コントローラ508は、シリアルインタフェース510を介してIC506−1のシリアル入力に接続することができる。IC506−1のシリアル出力は、IC506−2のシリアル入力に接続することができ、IC506−2のシリアル出力は、IC506−3のシリアル入力に接続することができ、以下同様にして、シリアルチェーンを形成する。コントローラ508は、制御語をIC506の各々にロードする制御信号で、ICのチェーンを駆動することができる。上述のとおり、特定のICについて、制御語は、ICの動作を制御することができる。例えば、コントローラ508は、IC506の各々のインテリジェントスイッチについて電流閾値を設定するための制御信号を生成し得る。コントローラ508は、IC506の各々のインテリジェントスイッチについてデバウンス期間を設定するための制御信号を生成し得る。コントローラ508は、IC506の各インテリジェントスイッチの状態を設定するための制御信号を生成し得る。コントローラは、状態情報をキャプチャするためにIC506のチェーンから制御信号をリードバックしてもよい。よって、DUT112の複数のデバイス504の間のリソース502の分散及び分離を制御するために、1本の制御線を使用することができる。1本の制御線を使用することによって、リソース502のこのような分散及び分離を制御するために、プローブカードアセンブリ上で必要なルーティングリソースの数を大幅に減らすことができる。またこれにより、プローブカードアセンブリを製造するためのコストが減少する。
[0039] 本実施例では、IC506の1つのチェーンが提供される。いくつかの実施形態では、ICの複数のチェーンが提供され得る。このような実施形態では、コントローラ508は、複数のICチェーン506をシリアル制御するための複数のシリアルインタフェース510を含み得る。他の実施形態では、試験装置104は、多数のICのチェーンを駆動するための多数のコントローラを含み得る。他の実施形態では、1つ以上のコントローラ508が、多数のシリアルインタフェース510をICチェーン506に提供し得る。すなわち、ICチェーン506は、複数のシリアル制御信号を受信かつ伝搬し得る。各シリアル制御信号は、IC506の各々の1つ以上のインテリジェントスイッチのグループを制御してもよい。
[0040] 図6は、本発明のいくつかの実施形態に従ってプローブカードアセンブリを使用してウェーハ上のコンポーネントをテストするプロセス600を示すフロー図である。プロセス600では、複数のインテリジェントスイッチをプログラムするために、ICのチェーン(複数のIC)を介して制御信号をシリアルシフトする(ブロック602)。1つ以上の動作を実行するために、1つ以上の繰り返しのチェーンを介して制御信号をシフトしてもよい。いくつかの実施形態では、複数のインテリジェントスイッチの各々についてプログラム可能電流トリップ及び電流感知能力を選択的に有効にするために、制御信号のビット(第1ビット)をICの各々のシフトレジスタにロードすることができる。いくつかの実施形態では、インテリジェントスイッチの各々についてプログラム可能電流トリップの電流閾値をプログラムするために、制御信号のビット(第2ビット)をICの各々のシフトレジスタにロードすることができる。いくつかの実施形態では、インテリジェントスイッチの各々についてプログラム可能電流トリップのデバウンス時間をプログラムするために、制御信号のビット(第3ビット)をICの各々のシフトレジスタにロードすることができる。いくつかの実施形態では、インテリジェントスイッチの電流感知能力の較正を引き起こすために、制御信号のビット(第4ビット)をICの各々のシフトレジスタにロードすることができる。いくつかの実施形態では、上述の操作の組み合わせは、ブロック602で行うことができる。
[0041] いくつかの実施形態では、ICのチェーンからリードバック信号をキャプチャし得る(ブロック604)。リードバック信号は、ICのインテリジェントスイッチの状態を示すビット(第5ビット)を含み得る。上述のとおり、ICの各々のシフトレジスタからビットをシフトすることによって、リードバック信号をキャプチャし得る。コンポーネントをテストするために、インテリジェントスイッチを介してテストプローブと試験装置との間でテスト信号を通信し得る(ブロック606)。いくつかの実施形態では、ICのチェーンからリードバック信号をキャプチャし得る(ブロック608)。リードバック信号は、コンポーネントのテストの後のICのインテリジェントスイッチの状態を示すビットを含み得る。これは、インテリジェントスイッチのどれが過電流状態のせいでトリップしたかを指し示し、よってテストされているコンポーネントのどれに障害がある可能性があるかを指し示すことができる。よって、リードバック信号は、テストされている複数のコンポーネントの中で障害の位置特定を可能にすることができる。
[0042] 以上、シリアル制御インテリジェントスイッチを使用してデバイスをテストする方法及び装置を説明してきた。インテリジェントスイッチはICに含められてもよく、これらのICはシリアルチェーンを形成するように結合される。インテリジェントスイッチの各々は、ICのチェーンへのシリアルインタフェースを使用して独立して制御されてもよい。よって、多数のインテリジェントスイッチを制御するために、1本のシリアル制御線を使用し得る。インテリジェントスイッチは、複数のデバイスをテストするように構成されたプローブカードアセンブリ上のテストリソースをファンアウトするために使用されてもよい。特定のICのチェーンについて1本の制御線を使用することにより、プローブカードアセンブリ上に必要な制御線の数を大幅に減らす。インテリジェントスイッチの各々は、プログラム可能電流トリップ能力を有し得る。スイッチ毎の電流制限閾値は、試験中の装置の損傷を防止し、かつ、リソースをテストするために使用することができる。インテリジェントスイッチによって生成されるデータは、シリアルインタフェースを介してICのチェーンからリードバックされ得る。このスイッチ毎のリードバック能力は、試験中の複数の装置の中における障害分離のプロセスを支援することができる。
[0043] 本発明の実施形態を上述してきたが、本発明の基本範囲を逸脱することなしに本発明の他の実施形態及び追加の実施形態を考案することができ、当該本発明の基本範囲は、以下の請求項によって定義される。

Claims (37)

  1. 少なくとも1つのシリアル制御線に接続されたチェーンを形成するようにシリアル接続された複数の集積回路(IC)を備え、前記複数のICは、複数のテストプローブに接続された複数のスイッチを含み、前記複数のスイッチの各々は前記少なくとも1つのシリアル制御線上の制御信号に応答してプログラム可能である、
    プローブカードアセンブリ。
  2. 前記複数のICの各々が、前記制御信号によって提供される制御語のビットを格納するように構成されたシフトレジスタを含む、請求項1に記載のプローブカードアセンブリ。
  3. 前記複数のICの各々が制御ロジックを含み、前記シフトレジスタは前記制御ロジックを駆動して、前記複数のスイッチをプログラムする、請求項2に記載のプローブカードアセンブリ。
  4. 前記複数のスイッチの各々が、プログラム可能電流レベルに応答して開くように構成されている、請求項1に記載のプローブカードアセンブリ。
  5. 前記複数のスイッチの各々が、プログラム可能デバウンス期間において存在する前記プログラム可能電流レベルに応答して開くように構成されている、請求項4に記載のプローブカードアセンブリ。
  6. 前記複数のスイッチの各々が、
    第1端子、第2端子、及び制御端子を有するスイッチ回路と、
    前記第1端子及び前記第2端子の各々に結合された電流センサであって、出力端子を有する電流センサと、
    前記スイッチ回路の前記制御端子と前記電流センサの前記出力端子との間に結合されたデバウンスロジックと、を備える、請求項1に記載のプローブカードアセンブリ。
  7. 前記複数のICの各々が前記スイッチのうち最大4つを含む、請求項1に記載のプローブカードアセンブリ。
  8. 試験装置に接続するためのコネクタ、及び制御信号を提供するシリアル制御線を含む、プリント配線板と、
    複数のテストプローブを支持するプローブヘッドと、
    前記シリアル制御線に結合された少なくとも1つの集積回路(IC)と、を備え、
    前記少なくとも1つのICは、前記複数のテストプローブの少なくとも一部分に結合された複数のスイッチを含み、前記複数のスイッチの各々は、前記シリアル制御線上で連続ビットストリームとして送信される前記制御信号に応答してプログラム可能である、
    テストアセンブリ。
  9. 前記少なくとも1つのICが、チェーンを形成するように接続された複数のICを含み、前記チェーンは前記シリアル制御線に接続される、請求項8に記載のテストアセンブリ。
  10. 前記少なくとも1つのICが前記プリント配線板に実装される、請求項8に記載のテストアセンブリ。
  11. 前記少なくとも1つのICが前記プローブヘッドに実装される、請求項8に記載のテストアセンブリ。
  12. 前記複数のスイッチの少なくとも1つが、前記試験装置によるテストプローブの1つに適用されるテスト信号を切り替えるように構成されている、請求項8に記載のテストアセンブリ。
  13. 前記複数のスイッチの少なくとも1つが、前記複数のテストプローブの1つによって前記試験装置に適用されるテスト信号を切り替えるように構成されている、請求項8に記載のテストアセンブリ。
  14. 前記複数のスイッチの各々が、プログラム可能デバウンス期間において存在するプログラム可能電流レベルに応答して開くように構成されている、請求項8に記載のテストアセンブリ。
  15. プローブカードアセンブリを使用してウェーハ上のコンポーネントをテストする方法であって、
    前記制御信号に応答してプログラムされる複数のスイッチを含む複数の集積回路(IC)からなるチェーンを介して制御信号をシリアルシフトすることと、
    前記コンポーネントをテストするために、前記複数のスイッチを介してテストプローブと試験装置との間でテスト信号を通信することと
    を含む、方法。
  16. 前記シリアルシフトする動作は、前記制御信号の第1ビットを、前記複数のICの各々のシフトレジスタにロードすることを含み、前記第1ビットは、前記複数のスイッチの各々に対して、プログラム可能電流トリップ及び電流感知能力を選択的に有効にする、請求項15に記載の方法、
  17. 前記シリアルシフトする動作は、前記制御信号の第2ビットを、前記複数のICの各々の前記シフトレジスタにロードすることをさらに含み、前記第2ビットは、前記複数のスイッチの各々に対して、前記プログラム可能電流トリップの電流閾値をプログラムする、請求項16に記載の方法。
  18. 前記シリアルシフトする動作は、前記制御信号の第3ビットを、前記複数のICの各々の前記シフトレジスタにロードすることをさらに含み、前記第3ビットは、前記複数のスイッチの各々に対して、前記プログラム可能電流トリップのデバウンス時間をプログラムする、請求項17に記載の方法。
  19. 前記シリアルシフトする動作は、前記制御信号のビットを、前記複数のICの各々のシフトレジスタにロードすることを含み、前記ビットは、前記複数のスイッチの各々の電流感知能力の較正をもたらす、請求項15に記載の方法。
  20. 前記複数のスイッチの各々についての状態を示すビットを含むリードバック信号を、前記チェーンから取得することをさらに含む、請求項15に記載の方法。
  21. 少なくとも1つのシリアル制御線に結合されたチェーンを形成するようにシリアル結合された複数の集積回路(IC)を備え、
    前記複数のICは、複数のテストプローブに接続された複数のスイッチを含み、前記複数のスイッチの各々は、前記少なくとも1つのシリアル制御線上の制御信号に応答してプログラム可能である、
    テストアセンブリ。
  22. 前記複数のICの各々が、前記制御信号によって提供された制御語のビットを格納するように構成されたシフトレジスタを含む、請求項21に記載のテストアセンブリ。
  23. 前記複数のICの各々が、前記複数のスイッチをプログラムするように構成された制御ロジックを含む、請求項21又は22に記載のテストアセンブリ。
  24. 前記複数のスイッチの各々が、プログラム可能電流レベルに応答して開くように構成されている、
    請求項21乃至請求項23のいずれかに記載のテストアセンブリ。
  25. 前記複数のスイッチの各々が、プログラム可能デバウンス期間において存在する前記プログラム可能電流レベルに応答して開くように構成されている、請求項24に記載のテストアセンブリ。
  26. 前記複数のスイッチの各々が、
    第1端子、第2端子、及び制御端子を有するスイッチ回路と、
    前記第1端子及び前記第2端子の各々に結合された電流センサであって、出力端子を有する電流センサと、
    前記スイッチ回路の前記制御端子と前記電流センサの前記出力端子との間に結合されたデバウンスロジックと
    を備える、請求項21乃至請求項25のいずれかに記載のテストアセンブリ。
  27. 前記少なくとも1つのシリアル制御線、及び試験装置に接続するためのコネクタを含む、プリント配線板と、
    前記テストプローブを支持するプローブヘッドと、
    をさらに備える、請求項21に記載のテストアセンブリ。
  28. 前記複数のICが前記プリント配線板に実装されている、請求項27に記載のテストアセンブリ。
  29. 前記複数のICが前記プローブヘッドに実装されている、請求項27に記載のテストアセンブリ。
  30. 前記複数のスイッチの少なくとも1つが、前記試験装置によって前記複数のテストプローブの1つに適用されるテスト信号を切り替えるように構成されている、請求項27乃至請求項29のいずれかに記載のテストアセンブリ。
  31. 前記複数のスイッチの少なくとも1つが、前記複数のテストプローブの1つによって前記試験装置に適用されるテスト信号を切り替えるように構成されている、請求項27乃至請求項30のいずれかに記載のテストアセンブリ。
  32. プローブカードアセンブリを使用してウェーハ上のコンポーネントをテストする方法であって、
    前記制御信号に応答してプログラムされる複数のスイッチを含む複数の集積回路(IC)からなるチェーンを介して制御信号をシリアルシフトすることと、
    前記コンポーネントをテストするために、前記複数のスイッチを介してテストプローブと試験装置との間でテスト信号を通信することと
    を含む、方法。
  33. 前記シリアルシフトする動作は、前記制御信号の第1ビットを、前記複数のICの各々のシフトレジスタにロードすることを含み、前記第1ビットは、前記複数のスイッチの各々に対して、プログラム可能電流トリップ及び電流感知能力を選択的に有効にする、請求項32記載の前記方法。
  34. 前記シリアルシフトする動作は、前記制御信号の第2ビットを、前記複数のICの各々の前記シフトレジスタにロードすることをさらに含み、前記第2ビットは、前記複数のスイッチの各々に対して、前記プログラム可能電流トリップの電流閾値をプログラムする、請求項33に記載の方法。
  35. 前記シリアルシフトする動作は、前記制御信号の第3ビットを、前記複数のICの各々の前記シフトレジスタにロードすることをさらに含み、前記第3ビットは、前記複数のスイッチの各々に対して、前記プログラム可能電流トリップのデバウンス時間をプログラムする、請求項34に記載の方法。
  36. 前記シリアルシフトする動作は、前記制御信号の第4ビットを、前記複数のICの各々のシフトレジスタにロードすることを含み、前記第4ビットは、前記複数のスイッチの各々の電流感知能力の較正をもたらす、請求項32乃至請求項35のいずれかに記載の方法。
  37. 前記複数のスイッチの各々に対する状態を示す第5ビットを含むリードバック信号を、前記チェーンからキャプチャすることをさらに含む、請求項32乃至請求項36のいずれかに記載の方法。
JP2010527123A 2007-09-27 2008-09-25 シリアル制御インテリジェントスイッチを使用してデバイスをテストするための方法及び装置 Pending JP2010540935A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/862,751 US7977959B2 (en) 2007-09-27 2007-09-27 Method and apparatus for testing devices using serially controlled intelligent switches
PCT/US2008/077586 WO2009042731A1 (en) 2007-09-27 2008-09-25 Method and apparatus for testing devices using serially controlled intelligent switches

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010540935A true JP2010540935A (ja) 2010-12-24

Family

ID=40507472

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010527123A Pending JP2010540935A (ja) 2007-09-27 2008-09-25 シリアル制御インテリジェントスイッチを使用してデバイスをテストするための方法及び装置

Country Status (7)

Country Link
US (2) US7977959B2 (ja)
EP (1) EP2198315A1 (ja)
JP (1) JP2010540935A (ja)
KR (1) KR101374965B1 (ja)
CN (1) CN101855561A (ja)
TW (1) TWI442052B (ja)
WO (1) WO2009042731A1 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7888955B2 (en) * 2007-09-25 2011-02-15 Formfactor, Inc. Method and apparatus for testing devices using serially controlled resources
US7977959B2 (en) 2007-09-27 2011-07-12 Formfactor, Inc. Method and apparatus for testing devices using serially controlled intelligent switches
TWI398650B (zh) * 2009-04-20 2013-06-11 Chroma Ate Inc 用以控制點測機之檢測電流導通的裝置及方法
US8400176B2 (en) * 2009-08-18 2013-03-19 Formfactor, Inc. Wafer level contactor
KR101201860B1 (ko) * 2010-10-29 2012-11-15 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치와 그 테스트 방법 및 제조방법
CN102760089A (zh) * 2011-04-28 2012-10-31 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 主板诊断卡
US8860448B2 (en) * 2011-07-15 2014-10-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Test schemes and apparatus for passive interposers
US9391447B2 (en) * 2012-03-06 2016-07-12 Intel Corporation Interposer to regulate current for wafer test tooling
CN104238549A (zh) * 2014-09-13 2014-12-24 国家电网公司 开闭所监控设备检测设备
TWI641839B (zh) * 2017-08-18 2018-11-21 中華精測科技股份有限公司 偵測裝置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02237047A (ja) * 1989-03-09 1990-09-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体試験装置
JP2004095802A (ja) * 2002-08-30 2004-03-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体試験装置
WO2005103740A2 (en) * 2004-04-21 2005-11-03 Formfactor, Inc. Intelligent probe card architecture
WO2006083856A1 (en) * 2005-01-31 2006-08-10 Formfactor, Inc. Programmable devices to route signals on probe cards
JP2007214778A (ja) * 2006-02-08 2007-08-23 Fujitsu Ltd センサ用サージ検出回路

Family Cites Families (109)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3781683A (en) * 1971-03-30 1973-12-25 Ibm Test circuit configuration for integrated semiconductor circuits and a test system containing said configuration
US3827820A (en) * 1971-08-20 1974-08-06 J Hoffman Drill dispensing container
US4038599A (en) * 1974-12-30 1977-07-26 International Business Machines Corporation High density wafer contacting and test system
US4342958A (en) * 1980-03-28 1982-08-03 Honeywell Information Systems Inc. Automatic test equipment test probe contact isolation detection method
US4523144A (en) * 1980-05-27 1985-06-11 Japan Electronic Materials Corp. Complex probe card for testing a semiconductor wafer
JPS5951109B2 (ja) 1980-08-29 1984-12-12 富士通株式会社 エ−ジング装置における高温部と低温部の接続方法
US4455654B1 (en) * 1981-06-05 1991-04-30 Test apparatus for electronic assemblies employing a microprocessor
US4465972A (en) * 1982-04-05 1984-08-14 Allied Corporation Connection arrangement for printed circuit board testing apparatus
US4706018A (en) * 1984-11-01 1987-11-10 International Business Machines Corporation Noncontact dynamic tester for integrated circuits
US4780670A (en) * 1985-03-04 1988-10-25 Xerox Corporation Active probe card for high resolution/low noise wafer level testing
US4837622A (en) * 1985-05-10 1989-06-06 Micro-Probe, Inc. High density probe card
US4719411A (en) * 1985-05-13 1988-01-12 California Institute Of Technology Addressable test matrix for measuring analog transfer characteristics of test elements used for integrated process control and device evaluation
US5476211A (en) * 1993-11-16 1995-12-19 Form Factor, Inc. Method of manufacturing electrical contacts, using a sacrificial member
US5829128A (en) 1993-11-16 1998-11-03 Formfactor, Inc. Method of mounting resilient contact structures to semiconductor devices
US5917707A (en) 1993-11-16 1999-06-29 Formfactor, Inc. Flexible contact structure with an electrically conductive shell
JPH07111283B2 (ja) 1987-03-20 1995-11-29 株式会社日立製作所 多室形空気調和装置
US5103557A (en) * 1988-05-16 1992-04-14 Leedy Glenn J Making and testing an integrated circuit using high density probe points
US4899099A (en) * 1988-05-19 1990-02-06 Augat Inc. Flex dot wafer probe
JP2660028B2 (ja) 1988-12-13 1997-10-08 株式会社東芝 Lsiのテスト装置
FR2645679B1 (fr) 1989-04-07 1994-05-06 Onera (Off Nat Aerospatiale) Installation de test, en particulier pour plaquettes de materiau semi-conducteur
DE9004562U1 (ja) 1989-04-26 1990-07-19 Atg Electronic Gmbh, 6980 Wertheim, De
DE4012839B4 (de) * 1989-04-26 2004-02-26 Atg Test Systems Gmbh & Co.Kg Verfahren und Prüfvorrichtung zum Prüfen von elektrischen oder elektronischen Prüflingen
US5070297A (en) * 1990-06-04 1991-12-03 Texas Instruments Incorporated Full wafer integrated circuit testing device
JP2928592B2 (ja) * 1990-06-20 1999-08-03 株式会社日立製作所 半導体lsi検査装置用プローブヘッドの製造方法および検査装置
US5187020A (en) * 1990-07-31 1993-02-16 Texas Instruments Incorporated Compliant contact pad
US5090118A (en) * 1990-07-31 1992-02-25 Texas Instruments Incorporated High performance test head and method of making
US5162728A (en) * 1990-09-11 1992-11-10 Cray Computer Corporation Functional at speed test system for integrated circuits on undiced wafers
US5148103A (en) * 1990-10-31 1992-09-15 Hughes Aircraft Company Apparatus for testing integrated circuits
US5172050A (en) * 1991-02-15 1992-12-15 Motorola, Inc. Micromachined semiconductor probe card
US5323107A (en) * 1991-04-15 1994-06-21 Hitachi America, Ltd. Active probe card
US5541505A (en) * 1991-05-15 1996-07-30 Mega Chips Corporation Testing integrated circuits by consolidating a plurality of digital signals as a multilevel signal
US6219908B1 (en) 1991-06-04 2001-04-24 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for manufacturing known good semiconductor die
US5261155A (en) * 1991-08-12 1993-11-16 International Business Machines Corporation Method for bonding flexible circuit to circuitized substrate to provide electrical connection therebetween using different solders
US5357523A (en) * 1991-12-18 1994-10-18 International Business Machines Corporation Memory testing system with algorithmic test data generation
GB2263980B (en) * 1992-02-07 1996-04-10 Marconi Gec Ltd Apparatus and method for testing bare dies
US5345170A (en) * 1992-06-11 1994-09-06 Cascade Microtech, Inc. Wafer probe station having integrated guarding, Kelvin connection and shielding systems
US5389556A (en) * 1992-07-02 1995-02-14 Lsi Logic Corporation Individually powering-up unsingulated dies on a wafer
US5442282A (en) * 1992-07-02 1995-08-15 Lsi Logic Corporation Testing and exercising individual, unsingulated dies on a wafer
US5648661A (en) * 1992-07-02 1997-07-15 Lsi Logic Corporation Integrated circuit wafer comprising unsingulated dies, and decoder arrangement for individually testing the dies
JPH0653299A (ja) * 1992-07-31 1994-02-25 Tokyo Electron Yamanashi Kk バーンイン装置
US5243274A (en) * 1992-08-07 1993-09-07 Westinghouse Electric Corp. Asic tester
JP3135378B2 (ja) * 1992-08-10 2001-02-13 ローム株式会社 半導体試験装置
US5363038A (en) * 1992-08-12 1994-11-08 Fujitsu Limited Method and apparatus for testing an unpopulated chip carrier using a module test card
KR970010656B1 (ko) * 1992-09-01 1997-06-30 마쯔시다 덴기 산교 가부시끼가이샤 반도체 테스트 장치, 반도체 테스트 회로칩 및 프로브 카드
US5371654A (en) 1992-10-19 1994-12-06 International Business Machines Corporation Three dimensional high performance interconnection package
JPH06180342A (ja) 1992-12-14 1994-06-28 Ono Sokki Co Ltd Ic評価装置
US5422574A (en) * 1993-01-14 1995-06-06 Probe Technology Corporation Large scale protrusion membrane for semiconductor devices under test with very high pin counts
US5452239A (en) * 1993-01-29 1995-09-19 Quickturn Design Systems, Inc. Method of removing gated clocks from the clock nets of a netlist for timing sensitive implementation of the netlist in a hardware emulation system
US5367254A (en) * 1993-02-01 1994-11-22 International Business Machines Corporation Test probe assembly using buckling wire probes within tubes having opposed overlapping slots
KR960011265B1 (ko) * 1993-06-25 1996-08-21 삼성전자 주식회사 노운 굳 다이 어레이용 테스트 소켓
US5570032A (en) * 1993-08-17 1996-10-29 Micron Technology, Inc. Wafer scale burn-in apparatus and process
JPH07115113A (ja) * 1993-08-25 1995-05-02 Nec Corp 半導体ウエハの試験装置および試験方法
US5983493A (en) 1993-11-16 1999-11-16 Formfactor, Inc. Method of temporarily, then permanently, connecting to a semiconductor device
US5772451A (en) 1993-11-16 1998-06-30 Form Factor, Inc. Sockets for electronic components and methods of connecting to electronic components
US5897326A (en) 1993-11-16 1999-04-27 Eldridge; Benjamin N. Method of exercising semiconductor devices
US5878486A (en) 1993-11-16 1999-03-09 Formfactor, Inc. Method of burning-in semiconductor devices
US5974662A (en) 1993-11-16 1999-11-02 Formfactor, Inc. Method of planarizing tips of probe elements of a probe card assembly
US6064213A (en) * 1993-11-16 2000-05-16 Formfactor, Inc. Wafer-level burn-in and test
US6029344A (en) 1993-11-16 2000-02-29 Formfactor, Inc. Composite interconnection element for microelectronic components, and method of making same
US6525555B1 (en) * 1993-11-16 2003-02-25 Formfactor, Inc. Wafer-level burn-in and test
US5806181A (en) 1993-11-16 1998-09-15 Formfactor, Inc. Contact carriers (tiles) for populating larger substrates with spring contacts
US6336269B1 (en) 1993-11-16 2002-01-08 Benjamin N. Eldridge Method of fabricating an interconnection element
US5884398A (en) 1993-11-16 1999-03-23 Form Factor, Inc. Mounting spring elements on semiconductor devices
JP3076185B2 (ja) * 1993-12-07 2000-08-14 日本電気株式会社 半導体メモリ装置及びその検査方法
US5534784A (en) * 1994-05-02 1996-07-09 Motorola, Inc. Method for probing a semiconductor wafer
US5491426A (en) * 1994-06-30 1996-02-13 Vlsi Technology, Inc. Adaptable wafer probe assembly for testing ICs with different power/ground bond pad configurations
JP3443947B2 (ja) 1994-07-22 2003-09-08 株式会社デンソー バーンイン専用ウェハおよびそれを用いたバーンイン方法
JPH0850162A (ja) 1994-08-05 1996-02-20 Fujitsu Ltd 半導体装置の試験方法及び試験装置
US6577148B1 (en) 1994-08-31 2003-06-10 Motorola, Inc. Apparatus, method, and wafer used for testing integrated circuits formed on a product wafer
JP3360179B2 (ja) * 1994-09-06 2002-12-24 ザ ウィタカー コーポレーション ボールグリッドアレーソケット
JP2632136B2 (ja) * 1994-10-17 1997-07-23 日本電子材料株式会社 高温測定用プローブカード
JP2725615B2 (ja) 1994-10-31 1998-03-11 日本電気株式会社 集積回路試験装置
US5495667A (en) * 1994-11-07 1996-03-05 Micron Technology, Inc. Method for forming contact pins for semiconductor dice and interconnects
EP1439397A3 (en) 1994-11-15 2009-09-02 FormFactor, Inc. Method of performing a burn-in
JP2675763B2 (ja) 1994-12-28 1997-11-12 山一電機株式会社 半導体ウェハの検査装置
US6133744A (en) 1995-04-28 2000-10-17 Nec Corporation Apparatus for testing semiconductor wafer
US5701085A (en) * 1995-07-05 1997-12-23 Sun Microsystems, Inc. Apparatus for testing flip chip or wire bond integrated circuits
US5642054A (en) * 1995-08-08 1997-06-24 Hughes Aircraft Company Active circuit multi-port membrane probe for full wafer testing
US5600257A (en) * 1995-08-09 1997-02-04 International Business Machines Corporation Semiconductor wafer test and burn-in
US5686842A (en) * 1995-08-31 1997-11-11 Nat Semiconductor Corp Known good die test apparatus and method
US5736850A (en) * 1995-09-11 1998-04-07 Teradyne, Inc. Configurable probe card for automatic test equipment
US5834946A (en) 1995-10-19 1998-11-10 Mosaid Technologies Incorporated Integrated circuit test head
JP3838381B2 (ja) 1995-11-22 2006-10-25 株式会社アドバンテスト プローブカード
WO1998001906A1 (en) 1996-07-05 1998-01-15 Formfactor, Inc. Floating lateral support for ends of elongate interconnection elements
US5764072A (en) * 1996-12-20 1998-06-09 Probe Technology Dual contact probe assembly for testing integrated circuits
US6059982A (en) 1997-09-30 2000-05-09 International Business Machines Corporation Micro probe assembly and method of fabrication
US6265889B1 (en) * 1997-09-30 2001-07-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor test circuit and a method for testing a semiconductor liquid crystal display circuit
JP3188876B2 (ja) 1997-12-29 2001-07-16 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ−ション プロダクト・チップをテストする方法、テスト・ヘッド及びテスト装置
US6500257B1 (en) * 1998-04-17 2002-12-31 Agilent Technologies, Inc. Epitaxial material grown laterally within a trench and method for producing same
US6098027A (en) * 1998-07-02 2000-08-01 Industrial Technology Research Institute Charge mode open/short test circuit
US6221221B1 (en) * 1998-11-16 2001-04-24 Applied Materials, Inc. Apparatus for providing RF return current path control in a semiconductor wafer processing system
US6316988B1 (en) 1999-03-26 2001-11-13 Seagate Technology Llc Voltage margin testing using an embedded programmable voltage source
FR2792798B1 (fr) 1999-04-26 2001-05-25 Thomson Multimedia Sa Procede et dispositif de quantification pour compression video
US6400173B1 (en) * 1999-11-19 2002-06-04 Hitachi, Ltd. Test system and manufacturing of semiconductor device
JP3825689B2 (ja) * 2001-02-13 2006-09-27 三井金属鉱業株式会社 プリント配線基材及び電解スズ系合金メッキ方法
US6856150B2 (en) 2001-04-10 2005-02-15 Formfactor, Inc. Probe card with coplanar daughter card
US6788091B1 (en) * 2001-11-05 2004-09-07 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for automatic marking of integrated circuits in wafer scale testing
DE10202904B4 (de) * 2002-01-25 2004-11-18 Infineon Technologies Ag Vorrichtung und Verfahren zum parallelen und unabhängigen Test spannungsversorgter Halbleiterspeichereinrichtungen
US6665214B1 (en) * 2002-07-22 2003-12-16 Advanced Micro Devices, Inc. On-chip erase pulse counter for efficient erase verify BIST (built-in-self-test) mode
US7119567B2 (en) * 2002-09-12 2006-10-10 Infineon Technologies North America Corp. System and method for testing one or more dies on a semiconductor wafer
US7317324B2 (en) 2003-11-04 2008-01-08 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor integrated circuit testing device and method
JP4314096B2 (ja) 2003-11-04 2009-08-12 キヤノン株式会社 半導体集積回路検査装置および半導体集積回路検査方法
US8581610B2 (en) * 2004-04-21 2013-11-12 Charles A Miller Method of designing an application specific probe card test system
KR100856432B1 (ko) * 2004-06-30 2008-09-04 인텔 코포레이션 웨이퍼 온도 제어 방법, 장치, 시스템 및 제품
US7555366B2 (en) * 2005-02-01 2009-06-30 Abb Oy Thermal overload protection
JP4445510B2 (ja) * 2007-03-23 2010-04-07 三菱電機株式会社 配線異常検出装置
JP5351389B2 (ja) * 2007-06-06 2013-11-27 日本電子材料株式会社 プローブカード
US7598625B2 (en) * 2007-06-08 2009-10-06 Honeywell International Inc. Network-based aircraft secondary electric power distribution system
US7977959B2 (en) 2007-09-27 2011-07-12 Formfactor, Inc. Method and apparatus for testing devices using serially controlled intelligent switches

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02237047A (ja) * 1989-03-09 1990-09-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体試験装置
JP2004095802A (ja) * 2002-08-30 2004-03-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体試験装置
WO2005103740A2 (en) * 2004-04-21 2005-11-03 Formfactor, Inc. Intelligent probe card architecture
WO2006083856A1 (en) * 2005-01-31 2006-08-10 Formfactor, Inc. Programmable devices to route signals on probe cards
JP2007214778A (ja) * 2006-02-08 2007-08-23 Fujitsu Ltd センサ用サージ検出回路

Also Published As

Publication number Publication date
US20090085590A1 (en) 2009-04-02
KR20100057098A (ko) 2010-05-28
KR101374965B1 (ko) 2014-03-14
EP2198315A1 (en) 2010-06-23
WO2009042731A1 (en) 2009-04-02
US7977959B2 (en) 2011-07-12
CN101855561A (zh) 2010-10-06
US8872534B2 (en) 2014-10-28
US20110267085A1 (en) 2011-11-03
TWI442052B (zh) 2014-06-21
TW200931025A (en) 2009-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8872534B2 (en) Method and apparatus for testing devices using serially controlled intelligent switches
KR101240238B1 (ko) 반도체 디바이스 테스터용 인터페이스 장치
TWI407120B (zh) 路由探針卡上信號的可程式裝置
US7590902B1 (en) Methods and apparatuses for external delay test of input-output circuits
TWI471574B (zh) 用於電子裝置測試之直流測試資源分享技術
US10082535B2 (en) Programmable test structure for characterization of integrated circuit fabrication processes
US9885746B2 (en) Switching matrix and testing system for semiconductor characteristic measurement using the same
US9275187B2 (en) Programmable test chip, system and method for characterization of integrated circuit fabrication processes
JP2014062925A (ja) 信号測定装置
JP2007534943A (ja) インテリジェントなプローブカードのアーキテクチャ
JP2013527426A (ja) ウェハレベル接触器
JP6185969B2 (ja) シリアル制御された資源を使用して装置を検査するための方法及び装置
JPH02171668A (ja) 電子素子のテスト方法
US8122309B2 (en) Method and apparatus for processing failures during semiconductor device testing
KR20020087931A (ko) 조절가능한 경계 스캔 경로를 가지는 인쇄회로 어셈블리
JP4234826B2 (ja) 半導体集積回路の評価方法
KR100921222B1 (ko) 반도체 테스트 헤드 장치
JP2006112942A (ja) 半導体素子およびこれを用いた実装検査方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110922

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130708

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130710

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131008

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131031

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20140131

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20140207

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20140227

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20140306

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20140528