JP2010540935A - シリアル制御インテリジェントスイッチを使用してデバイスをテストするための方法及び装置 - Google Patents
シリアル制御インテリジェントスイッチを使用してデバイスをテストするための方法及び装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010540935A JP2010540935A JP2010527123A JP2010527123A JP2010540935A JP 2010540935 A JP2010540935 A JP 2010540935A JP 2010527123 A JP2010527123 A JP 2010527123A JP 2010527123 A JP2010527123 A JP 2010527123A JP 2010540935 A JP2010540935 A JP 2010540935A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- test
- switches
- ics
- bit
- assembly
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 142
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 105
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 3
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
- G01R1/07342—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being at an angle other than perpendicular to test object, e.g. probe card
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
- G01R31/2889—Interfaces, e.g. between probe and tester
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
Abstract
【解決手段】 いくつかの実施形態では、チェーンを形成するようにシリアル結合された複数の集積回路 (IC)を含むプローブカードアセンブリを提供することができ、このチェーンは、少なくとも1つの シリアル制御線に結合され、複数のICは、複数のテストプローブに結合された複数のスイッチを含み、これら複数のスイッチの各々は、少なくとも1つのシリアル制御線上の制御信号に応答してプログラム可能である。
【選択図】 図3
Description
Claims (37)
- 少なくとも1つのシリアル制御線に接続されたチェーンを形成するようにシリアル接続された複数の集積回路(IC)を備え、前記複数のICは、複数のテストプローブに接続された複数のスイッチを含み、前記複数のスイッチの各々は前記少なくとも1つのシリアル制御線上の制御信号に応答してプログラム可能である、
プローブカードアセンブリ。 - 前記複数のICの各々が、前記制御信号によって提供される制御語のビットを格納するように構成されたシフトレジスタを含む、請求項1に記載のプローブカードアセンブリ。
- 前記複数のICの各々が制御ロジックを含み、前記シフトレジスタは前記制御ロジックを駆動して、前記複数のスイッチをプログラムする、請求項2に記載のプローブカードアセンブリ。
- 前記複数のスイッチの各々が、プログラム可能電流レベルに応答して開くように構成されている、請求項1に記載のプローブカードアセンブリ。
- 前記複数のスイッチの各々が、プログラム可能デバウンス期間において存在する前記プログラム可能電流レベルに応答して開くように構成されている、請求項4に記載のプローブカードアセンブリ。
- 前記複数のスイッチの各々が、
第1端子、第2端子、及び制御端子を有するスイッチ回路と、
前記第1端子及び前記第2端子の各々に結合された電流センサであって、出力端子を有する電流センサと、
前記スイッチ回路の前記制御端子と前記電流センサの前記出力端子との間に結合されたデバウンスロジックと、を備える、請求項1に記載のプローブカードアセンブリ。 - 前記複数のICの各々が前記スイッチのうち最大4つを含む、請求項1に記載のプローブカードアセンブリ。
- 試験装置に接続するためのコネクタ、及び制御信号を提供するシリアル制御線を含む、プリント配線板と、
複数のテストプローブを支持するプローブヘッドと、
前記シリアル制御線に結合された少なくとも1つの集積回路(IC)と、を備え、
前記少なくとも1つのICは、前記複数のテストプローブの少なくとも一部分に結合された複数のスイッチを含み、前記複数のスイッチの各々は、前記シリアル制御線上で連続ビットストリームとして送信される前記制御信号に応答してプログラム可能である、
テストアセンブリ。 - 前記少なくとも1つのICが、チェーンを形成するように接続された複数のICを含み、前記チェーンは前記シリアル制御線に接続される、請求項8に記載のテストアセンブリ。
- 前記少なくとも1つのICが前記プリント配線板に実装される、請求項8に記載のテストアセンブリ。
- 前記少なくとも1つのICが前記プローブヘッドに実装される、請求項8に記載のテストアセンブリ。
- 前記複数のスイッチの少なくとも1つが、前記試験装置によるテストプローブの1つに適用されるテスト信号を切り替えるように構成されている、請求項8に記載のテストアセンブリ。
- 前記複数のスイッチの少なくとも1つが、前記複数のテストプローブの1つによって前記試験装置に適用されるテスト信号を切り替えるように構成されている、請求項8に記載のテストアセンブリ。
- 前記複数のスイッチの各々が、プログラム可能デバウンス期間において存在するプログラム可能電流レベルに応答して開くように構成されている、請求項8に記載のテストアセンブリ。
- プローブカードアセンブリを使用してウェーハ上のコンポーネントをテストする方法であって、
前記制御信号に応答してプログラムされる複数のスイッチを含む複数の集積回路(IC)からなるチェーンを介して制御信号をシリアルシフトすることと、
前記コンポーネントをテストするために、前記複数のスイッチを介してテストプローブと試験装置との間でテスト信号を通信することと
を含む、方法。 - 前記シリアルシフトする動作は、前記制御信号の第1ビットを、前記複数のICの各々のシフトレジスタにロードすることを含み、前記第1ビットは、前記複数のスイッチの各々に対して、プログラム可能電流トリップ及び電流感知能力を選択的に有効にする、請求項15に記載の方法、
- 前記シリアルシフトする動作は、前記制御信号の第2ビットを、前記複数のICの各々の前記シフトレジスタにロードすることをさらに含み、前記第2ビットは、前記複数のスイッチの各々に対して、前記プログラム可能電流トリップの電流閾値をプログラムする、請求項16に記載の方法。
- 前記シリアルシフトする動作は、前記制御信号の第3ビットを、前記複数のICの各々の前記シフトレジスタにロードすることをさらに含み、前記第3ビットは、前記複数のスイッチの各々に対して、前記プログラム可能電流トリップのデバウンス時間をプログラムする、請求項17に記載の方法。
- 前記シリアルシフトする動作は、前記制御信号のビットを、前記複数のICの各々のシフトレジスタにロードすることを含み、前記ビットは、前記複数のスイッチの各々の電流感知能力の較正をもたらす、請求項15に記載の方法。
- 前記複数のスイッチの各々についての状態を示すビットを含むリードバック信号を、前記チェーンから取得することをさらに含む、請求項15に記載の方法。
- 少なくとも1つのシリアル制御線に結合されたチェーンを形成するようにシリアル結合された複数の集積回路(IC)を備え、
前記複数のICは、複数のテストプローブに接続された複数のスイッチを含み、前記複数のスイッチの各々は、前記少なくとも1つのシリアル制御線上の制御信号に応答してプログラム可能である、
テストアセンブリ。 - 前記複数のICの各々が、前記制御信号によって提供された制御語のビットを格納するように構成されたシフトレジスタを含む、請求項21に記載のテストアセンブリ。
- 前記複数のICの各々が、前記複数のスイッチをプログラムするように構成された制御ロジックを含む、請求項21又は22に記載のテストアセンブリ。
- 前記複数のスイッチの各々が、プログラム可能電流レベルに応答して開くように構成されている、
請求項21乃至請求項23のいずれかに記載のテストアセンブリ。 - 前記複数のスイッチの各々が、プログラム可能デバウンス期間において存在する前記プログラム可能電流レベルに応答して開くように構成されている、請求項24に記載のテストアセンブリ。
- 前記複数のスイッチの各々が、
第1端子、第2端子、及び制御端子を有するスイッチ回路と、
前記第1端子及び前記第2端子の各々に結合された電流センサであって、出力端子を有する電流センサと、
前記スイッチ回路の前記制御端子と前記電流センサの前記出力端子との間に結合されたデバウンスロジックと
を備える、請求項21乃至請求項25のいずれかに記載のテストアセンブリ。 - 前記少なくとも1つのシリアル制御線、及び試験装置に接続するためのコネクタを含む、プリント配線板と、
前記テストプローブを支持するプローブヘッドと、
をさらに備える、請求項21に記載のテストアセンブリ。 - 前記複数のICが前記プリント配線板に実装されている、請求項27に記載のテストアセンブリ。
- 前記複数のICが前記プローブヘッドに実装されている、請求項27に記載のテストアセンブリ。
- 前記複数のスイッチの少なくとも1つが、前記試験装置によって前記複数のテストプローブの1つに適用されるテスト信号を切り替えるように構成されている、請求項27乃至請求項29のいずれかに記載のテストアセンブリ。
- 前記複数のスイッチの少なくとも1つが、前記複数のテストプローブの1つによって前記試験装置に適用されるテスト信号を切り替えるように構成されている、請求項27乃至請求項30のいずれかに記載のテストアセンブリ。
- プローブカードアセンブリを使用してウェーハ上のコンポーネントをテストする方法であって、
前記制御信号に応答してプログラムされる複数のスイッチを含む複数の集積回路(IC)からなるチェーンを介して制御信号をシリアルシフトすることと、
前記コンポーネントをテストするために、前記複数のスイッチを介してテストプローブと試験装置との間でテスト信号を通信することと
を含む、方法。 - 前記シリアルシフトする動作は、前記制御信号の第1ビットを、前記複数のICの各々のシフトレジスタにロードすることを含み、前記第1ビットは、前記複数のスイッチの各々に対して、プログラム可能電流トリップ及び電流感知能力を選択的に有効にする、請求項32記載の前記方法。
- 前記シリアルシフトする動作は、前記制御信号の第2ビットを、前記複数のICの各々の前記シフトレジスタにロードすることをさらに含み、前記第2ビットは、前記複数のスイッチの各々に対して、前記プログラム可能電流トリップの電流閾値をプログラムする、請求項33に記載の方法。
- 前記シリアルシフトする動作は、前記制御信号の第3ビットを、前記複数のICの各々の前記シフトレジスタにロードすることをさらに含み、前記第3ビットは、前記複数のスイッチの各々に対して、前記プログラム可能電流トリップのデバウンス時間をプログラムする、請求項34に記載の方法。
- 前記シリアルシフトする動作は、前記制御信号の第4ビットを、前記複数のICの各々のシフトレジスタにロードすることを含み、前記第4ビットは、前記複数のスイッチの各々の電流感知能力の較正をもたらす、請求項32乃至請求項35のいずれかに記載の方法。
- 前記複数のスイッチの各々に対する状態を示す第5ビットを含むリードバック信号を、前記チェーンからキャプチャすることをさらに含む、請求項32乃至請求項36のいずれかに記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/862,751 US7977959B2 (en) | 2007-09-27 | 2007-09-27 | Method and apparatus for testing devices using serially controlled intelligent switches |
PCT/US2008/077586 WO2009042731A1 (en) | 2007-09-27 | 2008-09-25 | Method and apparatus for testing devices using serially controlled intelligent switches |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010540935A true JP2010540935A (ja) | 2010-12-24 |
Family
ID=40507472
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010527123A Pending JP2010540935A (ja) | 2007-09-27 | 2008-09-25 | シリアル制御インテリジェントスイッチを使用してデバイスをテストするための方法及び装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7977959B2 (ja) |
EP (1) | EP2198315A1 (ja) |
JP (1) | JP2010540935A (ja) |
KR (1) | KR101374965B1 (ja) |
CN (1) | CN101855561A (ja) |
TW (1) | TWI442052B (ja) |
WO (1) | WO2009042731A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7888955B2 (en) * | 2007-09-25 | 2011-02-15 | Formfactor, Inc. | Method and apparatus for testing devices using serially controlled resources |
US7977959B2 (en) | 2007-09-27 | 2011-07-12 | Formfactor, Inc. | Method and apparatus for testing devices using serially controlled intelligent switches |
TWI398650B (zh) * | 2009-04-20 | 2013-06-11 | Chroma Ate Inc | 用以控制點測機之檢測電流導通的裝置及方法 |
US8400176B2 (en) * | 2009-08-18 | 2013-03-19 | Formfactor, Inc. | Wafer level contactor |
KR101201860B1 (ko) * | 2010-10-29 | 2012-11-15 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치와 그 테스트 방법 및 제조방법 |
CN102760089A (zh) * | 2011-04-28 | 2012-10-31 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 主板诊断卡 |
US8860448B2 (en) * | 2011-07-15 | 2014-10-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Test schemes and apparatus for passive interposers |
US9391447B2 (en) * | 2012-03-06 | 2016-07-12 | Intel Corporation | Interposer to regulate current for wafer test tooling |
CN104238549A (zh) * | 2014-09-13 | 2014-12-24 | 国家电网公司 | 开闭所监控设备检测设备 |
TWI641839B (zh) * | 2017-08-18 | 2018-11-21 | 中華精測科技股份有限公司 | 偵測裝置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02237047A (ja) * | 1989-03-09 | 1990-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体試験装置 |
JP2004095802A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体試験装置 |
WO2005103740A2 (en) * | 2004-04-21 | 2005-11-03 | Formfactor, Inc. | Intelligent probe card architecture |
WO2006083856A1 (en) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Formfactor, Inc. | Programmable devices to route signals on probe cards |
JP2007214778A (ja) * | 2006-02-08 | 2007-08-23 | Fujitsu Ltd | センサ用サージ検出回路 |
Family Cites Families (109)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3781683A (en) * | 1971-03-30 | 1973-12-25 | Ibm | Test circuit configuration for integrated semiconductor circuits and a test system containing said configuration |
US3827820A (en) * | 1971-08-20 | 1974-08-06 | J Hoffman | Drill dispensing container |
US4038599A (en) * | 1974-12-30 | 1977-07-26 | International Business Machines Corporation | High density wafer contacting and test system |
US4342958A (en) * | 1980-03-28 | 1982-08-03 | Honeywell Information Systems Inc. | Automatic test equipment test probe contact isolation detection method |
US4523144A (en) * | 1980-05-27 | 1985-06-11 | Japan Electronic Materials Corp. | Complex probe card for testing a semiconductor wafer |
JPS5951109B2 (ja) | 1980-08-29 | 1984-12-12 | 富士通株式会社 | エ−ジング装置における高温部と低温部の接続方法 |
US4455654B1 (en) * | 1981-06-05 | 1991-04-30 | Test apparatus for electronic assemblies employing a microprocessor | |
US4465972A (en) * | 1982-04-05 | 1984-08-14 | Allied Corporation | Connection arrangement for printed circuit board testing apparatus |
US4706018A (en) * | 1984-11-01 | 1987-11-10 | International Business Machines Corporation | Noncontact dynamic tester for integrated circuits |
US4780670A (en) * | 1985-03-04 | 1988-10-25 | Xerox Corporation | Active probe card for high resolution/low noise wafer level testing |
US4837622A (en) * | 1985-05-10 | 1989-06-06 | Micro-Probe, Inc. | High density probe card |
US4719411A (en) * | 1985-05-13 | 1988-01-12 | California Institute Of Technology | Addressable test matrix for measuring analog transfer characteristics of test elements used for integrated process control and device evaluation |
US5476211A (en) * | 1993-11-16 | 1995-12-19 | Form Factor, Inc. | Method of manufacturing electrical contacts, using a sacrificial member |
US5829128A (en) | 1993-11-16 | 1998-11-03 | Formfactor, Inc. | Method of mounting resilient contact structures to semiconductor devices |
US5917707A (en) | 1993-11-16 | 1999-06-29 | Formfactor, Inc. | Flexible contact structure with an electrically conductive shell |
JPH07111283B2 (ja) | 1987-03-20 | 1995-11-29 | 株式会社日立製作所 | 多室形空気調和装置 |
US5103557A (en) * | 1988-05-16 | 1992-04-14 | Leedy Glenn J | Making and testing an integrated circuit using high density probe points |
US4899099A (en) * | 1988-05-19 | 1990-02-06 | Augat Inc. | Flex dot wafer probe |
JP2660028B2 (ja) | 1988-12-13 | 1997-10-08 | 株式会社東芝 | Lsiのテスト装置 |
FR2645679B1 (fr) | 1989-04-07 | 1994-05-06 | Onera (Off Nat Aerospatiale) | Installation de test, en particulier pour plaquettes de materiau semi-conducteur |
DE9004562U1 (ja) | 1989-04-26 | 1990-07-19 | Atg Electronic Gmbh, 6980 Wertheim, De | |
DE4012839B4 (de) * | 1989-04-26 | 2004-02-26 | Atg Test Systems Gmbh & Co.Kg | Verfahren und Prüfvorrichtung zum Prüfen von elektrischen oder elektronischen Prüflingen |
US5070297A (en) * | 1990-06-04 | 1991-12-03 | Texas Instruments Incorporated | Full wafer integrated circuit testing device |
JP2928592B2 (ja) * | 1990-06-20 | 1999-08-03 | 株式会社日立製作所 | 半導体lsi検査装置用プローブヘッドの製造方法および検査装置 |
US5187020A (en) * | 1990-07-31 | 1993-02-16 | Texas Instruments Incorporated | Compliant contact pad |
US5090118A (en) * | 1990-07-31 | 1992-02-25 | Texas Instruments Incorporated | High performance test head and method of making |
US5162728A (en) * | 1990-09-11 | 1992-11-10 | Cray Computer Corporation | Functional at speed test system for integrated circuits on undiced wafers |
US5148103A (en) * | 1990-10-31 | 1992-09-15 | Hughes Aircraft Company | Apparatus for testing integrated circuits |
US5172050A (en) * | 1991-02-15 | 1992-12-15 | Motorola, Inc. | Micromachined semiconductor probe card |
US5323107A (en) * | 1991-04-15 | 1994-06-21 | Hitachi America, Ltd. | Active probe card |
US5541505A (en) * | 1991-05-15 | 1996-07-30 | Mega Chips Corporation | Testing integrated circuits by consolidating a plurality of digital signals as a multilevel signal |
US6219908B1 (en) | 1991-06-04 | 2001-04-24 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for manufacturing known good semiconductor die |
US5261155A (en) * | 1991-08-12 | 1993-11-16 | International Business Machines Corporation | Method for bonding flexible circuit to circuitized substrate to provide electrical connection therebetween using different solders |
US5357523A (en) * | 1991-12-18 | 1994-10-18 | International Business Machines Corporation | Memory testing system with algorithmic test data generation |
GB2263980B (en) * | 1992-02-07 | 1996-04-10 | Marconi Gec Ltd | Apparatus and method for testing bare dies |
US5345170A (en) * | 1992-06-11 | 1994-09-06 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer probe station having integrated guarding, Kelvin connection and shielding systems |
US5389556A (en) * | 1992-07-02 | 1995-02-14 | Lsi Logic Corporation | Individually powering-up unsingulated dies on a wafer |
US5442282A (en) * | 1992-07-02 | 1995-08-15 | Lsi Logic Corporation | Testing and exercising individual, unsingulated dies on a wafer |
US5648661A (en) * | 1992-07-02 | 1997-07-15 | Lsi Logic Corporation | Integrated circuit wafer comprising unsingulated dies, and decoder arrangement for individually testing the dies |
JPH0653299A (ja) * | 1992-07-31 | 1994-02-25 | Tokyo Electron Yamanashi Kk | バーンイン装置 |
US5243274A (en) * | 1992-08-07 | 1993-09-07 | Westinghouse Electric Corp. | Asic tester |
JP3135378B2 (ja) * | 1992-08-10 | 2001-02-13 | ローム株式会社 | 半導体試験装置 |
US5363038A (en) * | 1992-08-12 | 1994-11-08 | Fujitsu Limited | Method and apparatus for testing an unpopulated chip carrier using a module test card |
KR970010656B1 (ko) * | 1992-09-01 | 1997-06-30 | 마쯔시다 덴기 산교 가부시끼가이샤 | 반도체 테스트 장치, 반도체 테스트 회로칩 및 프로브 카드 |
US5371654A (en) | 1992-10-19 | 1994-12-06 | International Business Machines Corporation | Three dimensional high performance interconnection package |
JPH06180342A (ja) | 1992-12-14 | 1994-06-28 | Ono Sokki Co Ltd | Ic評価装置 |
US5422574A (en) * | 1993-01-14 | 1995-06-06 | Probe Technology Corporation | Large scale protrusion membrane for semiconductor devices under test with very high pin counts |
US5452239A (en) * | 1993-01-29 | 1995-09-19 | Quickturn Design Systems, Inc. | Method of removing gated clocks from the clock nets of a netlist for timing sensitive implementation of the netlist in a hardware emulation system |
US5367254A (en) * | 1993-02-01 | 1994-11-22 | International Business Machines Corporation | Test probe assembly using buckling wire probes within tubes having opposed overlapping slots |
KR960011265B1 (ko) * | 1993-06-25 | 1996-08-21 | 삼성전자 주식회사 | 노운 굳 다이 어레이용 테스트 소켓 |
US5570032A (en) * | 1993-08-17 | 1996-10-29 | Micron Technology, Inc. | Wafer scale burn-in apparatus and process |
JPH07115113A (ja) * | 1993-08-25 | 1995-05-02 | Nec Corp | 半導体ウエハの試験装置および試験方法 |
US5983493A (en) | 1993-11-16 | 1999-11-16 | Formfactor, Inc. | Method of temporarily, then permanently, connecting to a semiconductor device |
US5772451A (en) | 1993-11-16 | 1998-06-30 | Form Factor, Inc. | Sockets for electronic components and methods of connecting to electronic components |
US5897326A (en) | 1993-11-16 | 1999-04-27 | Eldridge; Benjamin N. | Method of exercising semiconductor devices |
US5878486A (en) | 1993-11-16 | 1999-03-09 | Formfactor, Inc. | Method of burning-in semiconductor devices |
US5974662A (en) | 1993-11-16 | 1999-11-02 | Formfactor, Inc. | Method of planarizing tips of probe elements of a probe card assembly |
US6064213A (en) * | 1993-11-16 | 2000-05-16 | Formfactor, Inc. | Wafer-level burn-in and test |
US6029344A (en) | 1993-11-16 | 2000-02-29 | Formfactor, Inc. | Composite interconnection element for microelectronic components, and method of making same |
US6525555B1 (en) * | 1993-11-16 | 2003-02-25 | Formfactor, Inc. | Wafer-level burn-in and test |
US5806181A (en) | 1993-11-16 | 1998-09-15 | Formfactor, Inc. | Contact carriers (tiles) for populating larger substrates with spring contacts |
US6336269B1 (en) | 1993-11-16 | 2002-01-08 | Benjamin N. Eldridge | Method of fabricating an interconnection element |
US5884398A (en) | 1993-11-16 | 1999-03-23 | Form Factor, Inc. | Mounting spring elements on semiconductor devices |
JP3076185B2 (ja) * | 1993-12-07 | 2000-08-14 | 日本電気株式会社 | 半導体メモリ装置及びその検査方法 |
US5534784A (en) * | 1994-05-02 | 1996-07-09 | Motorola, Inc. | Method for probing a semiconductor wafer |
US5491426A (en) * | 1994-06-30 | 1996-02-13 | Vlsi Technology, Inc. | Adaptable wafer probe assembly for testing ICs with different power/ground bond pad configurations |
JP3443947B2 (ja) | 1994-07-22 | 2003-09-08 | 株式会社デンソー | バーンイン専用ウェハおよびそれを用いたバーンイン方法 |
JPH0850162A (ja) | 1994-08-05 | 1996-02-20 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の試験方法及び試験装置 |
US6577148B1 (en) | 1994-08-31 | 2003-06-10 | Motorola, Inc. | Apparatus, method, and wafer used for testing integrated circuits formed on a product wafer |
JP3360179B2 (ja) * | 1994-09-06 | 2002-12-24 | ザ ウィタカー コーポレーション | ボールグリッドアレーソケット |
JP2632136B2 (ja) * | 1994-10-17 | 1997-07-23 | 日本電子材料株式会社 | 高温測定用プローブカード |
JP2725615B2 (ja) | 1994-10-31 | 1998-03-11 | 日本電気株式会社 | 集積回路試験装置 |
US5495667A (en) * | 1994-11-07 | 1996-03-05 | Micron Technology, Inc. | Method for forming contact pins for semiconductor dice and interconnects |
EP1439397A3 (en) | 1994-11-15 | 2009-09-02 | FormFactor, Inc. | Method of performing a burn-in |
JP2675763B2 (ja) | 1994-12-28 | 1997-11-12 | 山一電機株式会社 | 半導体ウェハの検査装置 |
US6133744A (en) | 1995-04-28 | 2000-10-17 | Nec Corporation | Apparatus for testing semiconductor wafer |
US5701085A (en) * | 1995-07-05 | 1997-12-23 | Sun Microsystems, Inc. | Apparatus for testing flip chip or wire bond integrated circuits |
US5642054A (en) * | 1995-08-08 | 1997-06-24 | Hughes Aircraft Company | Active circuit multi-port membrane probe for full wafer testing |
US5600257A (en) * | 1995-08-09 | 1997-02-04 | International Business Machines Corporation | Semiconductor wafer test and burn-in |
US5686842A (en) * | 1995-08-31 | 1997-11-11 | Nat Semiconductor Corp | Known good die test apparatus and method |
US5736850A (en) * | 1995-09-11 | 1998-04-07 | Teradyne, Inc. | Configurable probe card for automatic test equipment |
US5834946A (en) | 1995-10-19 | 1998-11-10 | Mosaid Technologies Incorporated | Integrated circuit test head |
JP3838381B2 (ja) | 1995-11-22 | 2006-10-25 | 株式会社アドバンテスト | プローブカード |
WO1998001906A1 (en) | 1996-07-05 | 1998-01-15 | Formfactor, Inc. | Floating lateral support for ends of elongate interconnection elements |
US5764072A (en) * | 1996-12-20 | 1998-06-09 | Probe Technology | Dual contact probe assembly for testing integrated circuits |
US6059982A (en) | 1997-09-30 | 2000-05-09 | International Business Machines Corporation | Micro probe assembly and method of fabrication |
US6265889B1 (en) * | 1997-09-30 | 2001-07-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor test circuit and a method for testing a semiconductor liquid crystal display circuit |
JP3188876B2 (ja) | 1997-12-29 | 2001-07-16 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ−ション | プロダクト・チップをテストする方法、テスト・ヘッド及びテスト装置 |
US6500257B1 (en) * | 1998-04-17 | 2002-12-31 | Agilent Technologies, Inc. | Epitaxial material grown laterally within a trench and method for producing same |
US6098027A (en) * | 1998-07-02 | 2000-08-01 | Industrial Technology Research Institute | Charge mode open/short test circuit |
US6221221B1 (en) * | 1998-11-16 | 2001-04-24 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for providing RF return current path control in a semiconductor wafer processing system |
US6316988B1 (en) | 1999-03-26 | 2001-11-13 | Seagate Technology Llc | Voltage margin testing using an embedded programmable voltage source |
FR2792798B1 (fr) | 1999-04-26 | 2001-05-25 | Thomson Multimedia Sa | Procede et dispositif de quantification pour compression video |
US6400173B1 (en) * | 1999-11-19 | 2002-06-04 | Hitachi, Ltd. | Test system and manufacturing of semiconductor device |
JP3825689B2 (ja) * | 2001-02-13 | 2006-09-27 | 三井金属鉱業株式会社 | プリント配線基材及び電解スズ系合金メッキ方法 |
US6856150B2 (en) | 2001-04-10 | 2005-02-15 | Formfactor, Inc. | Probe card with coplanar daughter card |
US6788091B1 (en) * | 2001-11-05 | 2004-09-07 | Lsi Logic Corporation | Method and apparatus for automatic marking of integrated circuits in wafer scale testing |
DE10202904B4 (de) * | 2002-01-25 | 2004-11-18 | Infineon Technologies Ag | Vorrichtung und Verfahren zum parallelen und unabhängigen Test spannungsversorgter Halbleiterspeichereinrichtungen |
US6665214B1 (en) * | 2002-07-22 | 2003-12-16 | Advanced Micro Devices, Inc. | On-chip erase pulse counter for efficient erase verify BIST (built-in-self-test) mode |
US7119567B2 (en) * | 2002-09-12 | 2006-10-10 | Infineon Technologies North America Corp. | System and method for testing one or more dies on a semiconductor wafer |
US7317324B2 (en) | 2003-11-04 | 2008-01-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor integrated circuit testing device and method |
JP4314096B2 (ja) | 2003-11-04 | 2009-08-12 | キヤノン株式会社 | 半導体集積回路検査装置および半導体集積回路検査方法 |
US8581610B2 (en) * | 2004-04-21 | 2013-11-12 | Charles A Miller | Method of designing an application specific probe card test system |
KR100856432B1 (ko) * | 2004-06-30 | 2008-09-04 | 인텔 코포레이션 | 웨이퍼 온도 제어 방법, 장치, 시스템 및 제품 |
US7555366B2 (en) * | 2005-02-01 | 2009-06-30 | Abb Oy | Thermal overload protection |
JP4445510B2 (ja) * | 2007-03-23 | 2010-04-07 | 三菱電機株式会社 | 配線異常検出装置 |
JP5351389B2 (ja) * | 2007-06-06 | 2013-11-27 | 日本電子材料株式会社 | プローブカード |
US7598625B2 (en) * | 2007-06-08 | 2009-10-06 | Honeywell International Inc. | Network-based aircraft secondary electric power distribution system |
US7977959B2 (en) | 2007-09-27 | 2011-07-12 | Formfactor, Inc. | Method and apparatus for testing devices using serially controlled intelligent switches |
-
2007
- 2007-09-27 US US11/862,751 patent/US7977959B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-09-25 EP EP08832821A patent/EP2198315A1/en not_active Withdrawn
- 2008-09-25 CN CN200880115805A patent/CN101855561A/zh active Pending
- 2008-09-25 WO PCT/US2008/077586 patent/WO2009042731A1/en active Application Filing
- 2008-09-25 KR KR1020107009266A patent/KR101374965B1/ko active IP Right Grant
- 2008-09-25 JP JP2010527123A patent/JP2010540935A/ja active Pending
- 2008-09-26 TW TW097137189A patent/TWI442052B/zh active
-
2011
- 2011-07-08 US US13/179,185 patent/US8872534B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02237047A (ja) * | 1989-03-09 | 1990-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体試験装置 |
JP2004095802A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体試験装置 |
WO2005103740A2 (en) * | 2004-04-21 | 2005-11-03 | Formfactor, Inc. | Intelligent probe card architecture |
WO2006083856A1 (en) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Formfactor, Inc. | Programmable devices to route signals on probe cards |
JP2007214778A (ja) * | 2006-02-08 | 2007-08-23 | Fujitsu Ltd | センサ用サージ検出回路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090085590A1 (en) | 2009-04-02 |
KR20100057098A (ko) | 2010-05-28 |
KR101374965B1 (ko) | 2014-03-14 |
EP2198315A1 (en) | 2010-06-23 |
WO2009042731A1 (en) | 2009-04-02 |
US7977959B2 (en) | 2011-07-12 |
CN101855561A (zh) | 2010-10-06 |
US8872534B2 (en) | 2014-10-28 |
US20110267085A1 (en) | 2011-11-03 |
TWI442052B (zh) | 2014-06-21 |
TW200931025A (en) | 2009-07-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8872534B2 (en) | Method and apparatus for testing devices using serially controlled intelligent switches | |
KR101240238B1 (ko) | 반도체 디바이스 테스터용 인터페이스 장치 | |
TWI407120B (zh) | 路由探針卡上信號的可程式裝置 | |
US7590902B1 (en) | Methods and apparatuses for external delay test of input-output circuits | |
TWI471574B (zh) | 用於電子裝置測試之直流測試資源分享技術 | |
US10082535B2 (en) | Programmable test structure for characterization of integrated circuit fabrication processes | |
US9885746B2 (en) | Switching matrix and testing system for semiconductor characteristic measurement using the same | |
US9275187B2 (en) | Programmable test chip, system and method for characterization of integrated circuit fabrication processes | |
JP2014062925A (ja) | 信号測定装置 | |
JP2007534943A (ja) | インテリジェントなプローブカードのアーキテクチャ | |
JP2013527426A (ja) | ウェハレベル接触器 | |
JP6185969B2 (ja) | シリアル制御された資源を使用して装置を検査するための方法及び装置 | |
JPH02171668A (ja) | 電子素子のテスト方法 | |
US8122309B2 (en) | Method and apparatus for processing failures during semiconductor device testing | |
KR20020087931A (ko) | 조절가능한 경계 스캔 경로를 가지는 인쇄회로 어셈블리 | |
JP4234826B2 (ja) | 半導体集積回路の評価方法 | |
KR100921222B1 (ko) | 반도체 테스트 헤드 장치 | |
JP2006112942A (ja) | 半導体素子およびこれを用いた実装検査方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110922 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130708 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130710 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131008 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131031 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140131 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140207 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140227 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140306 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140528 |