TWI642940B - 探針組件及其探針結構 - Google Patents

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Abstract

本發明公開一種探針組件及其探針結構。探針結構包括一金屬主體部、一披覆結構層及一絕緣層。金屬主體部具有一第一端部、一對應於第一端部的第二端部、一連接在第一端部與第二端部之間的連接部以及一圍繞第一端部、第二端部以及連接部的環繞表面。披覆結構層包括一設置在位於第一端部的環繞表面上的第一披覆層、一設置在位於第二端部的環繞表面上的第二披覆層以及一設置在位於連接部的環繞表面上的第三披覆層。絕緣層設置在第三披覆層上，以裸露出第一披覆層以及第二披覆層。藉此，本發明能避免相鄰的探針結構之間電性接觸所造成的短路現象。

Description

探針組件及其探針結構
本發明涉及一種探針組件及其探針結構，特別是涉及一種應用於晶圓探針卡的探針組件及其探針結構。
首先，現行主要的圓形測試探針與微機電(Microelectromechanical Systems，MEMS)矩形測試探針均有機械特性不佳或耐電流性不佳的問題，而探針本身的特性不佳則會降低半導體製程良率與測試準確度。以現有技術而言，現有的晶圓探針卡的測試探針在量測壽命上會受到環境溫度、機械作動與耐電流的影響，單一結構的測試探針並無法克服上述影響所造成的量測誤差。
另外，現有測試探針在晶圓測試時，探針卡會提供一下壓力以使得測試探針能劃破錫球表面的氧化層而達到測試目的。但是，由於現有測試探針本身的硬度仍然不足，在連續的機械作動下很容易造成機械疲乏，進而導致測試探針彎曲後無法回復到原本的針型。此外，現有測試探針也容易因為持續的彎曲作動與通電流後所產生的焦耳熱而造成金屬探針損毀。再者，當測試探針下壓劃破錫球表面氧化層時，陣列排列的測試探針會同時有彎曲作動，但因單位陣列中的探針數目多，可能會造成測試探針在作動時出現短路現象而影響量測甚至損壞電路功能。
再者，由於目前待側物的尺寸日益縮小，但現行測試探針的主要材質為金屬材料，所以當每一個測試探針之間的間距太近， 將會導致測試探針在彎曲時產生短路現象，使得探針卡的可靠性不彰。同時，現有測試探針的散熱性、導電性與機械特性三者也無法同時兼具。因此，如何提出一種能提升可靠性、導電性、散熱性及/或機械強度的探針組件及其探針結構，以克服上述的缺陷，已然成為該項所屬技術領域人士所欲解決的重要課題。
本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種探針組件及其探針結構。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是，提供一種探針結構，其包括一金屬主體部、一披覆結構層以及一絕緣層。所述金屬主體部具有一第一端部、一對應於所述第一端部的第二端部、一連接在所述第一端部與所述第二端部之間的連接部以及一圍繞所述第一端部、所述第二端部以及所述連接部的環繞表面。所述披覆結構層包括一設置在位於所述第一端部的所述環繞表面上的第一披覆層、一設置在位於所述第二端部的所述環繞表面上的第二披覆層以及一設置在位於所述連接部的所述環繞表面上的第三披覆層。所述絕緣層設置在所述第三披覆層上，以裸露出所述第一披覆層以及所述第二披覆層。
本發明所採用的另外一技術方案是，提供一種探針組件，其包括一承載座以及多個探針結構。多個所述探針結構設置在所述承載座上，每一個所述探針結構包括一金屬主體部、一披覆結構層以及一絕緣層。其中，所述金屬主體部具有一第一端部、一對應於所述第一端部的第二端部、一連接在所述第一端部與所述第二端部之間的連接部以及一圍繞所述第一端部、所述第二端部以及所述連接部的環繞表面。其中，所述披覆結構層包括一設置在位於所述第一端部的所述環繞表面上的第一披覆層、一設置在位於所述第二端部的所述環繞表面上的第二披覆層以及一設置在位於所述連接部的所述環繞表面上的第三披覆層。其中，所述絕緣 層設置在所述第三披覆層上，以裸露出所述第一披覆層以及所述第二披覆層。
本發明的其中一有益效果在於，本發明實施例所提供的探針組件及其探針結構，其能利用“所述披覆結構層包括一設置在位於所述第一端部的所述環繞表面上的第一披覆層、一設置在位於所述第二端部的所述環繞表面上的第二披覆層以及一設置在位於所述連接部的所述環繞表面上的第三披覆層”以及“所述絕緣層設置在所述第三披覆層上，以裸露出所述第一披覆層以及所述第二披覆層”的技術方案，而能提升探針結構的可靠性、導電性、散熱性及/或機械強度。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，然而所提供的附圖僅用於提供參考與說明用，並非用來對本發明加以限制。
M‧‧‧探針組件
U‧‧‧探針結構
1‧‧‧金屬主體部
S‧‧‧環繞表面
11‧‧‧第一端部
12‧‧‧第二端部
13‧‧‧連接部
2‧‧‧披覆結構層
21‧‧‧第一披覆層
22‧‧‧第二披覆層
23‧‧‧第三披覆層
3‧‧‧絕緣層
A‧‧‧強化層
AS‧‧‧外表面
B‧‧‧抗氧化層
BS‧‧‧外表面
C‧‧‧石墨烯層
CS‧‧‧外表面
D‧‧‧散熱層
DS‧‧‧外表面
T‧‧‧承載座
1t‧‧‧預定寬度
At、Bt、Ct、Dt、3t‧‧‧預定厚度
Z1‧‧‧第一區域
Z2‧‧‧第二區域
Z3‧‧‧第三區域
X、Y、Z‧‧‧方向
圖1A為本發明第一實施例的探針結構的其中一立體示意圖。
圖1B為本發明第一實施例的探針結構的另外一立體示意圖。
圖2為圖1A的II-II剖線的側視剖面示意圖。
圖3為圖1A的III-III剖線的側視剖面示意圖。
圖4為圖1A的IV-IV剖線的側視剖面示意圖。
圖5為圖1A的V-V剖線的側視剖面示意圖。
圖6為圖3的VI部分的其中一實施方式的局部放大示意圖。
圖7為圖3的VI部分的另外一實施方式的局部放大示意圖。
圖8為圖4的VIII部分的其中一實施方式的局部放大示意圖。
圖9為圖4的VIII部分的另外一實施方式的局部放大示意圖。
圖10為圖4的VIII部分的再一實施方式的局部放大示意圖。
圖11為圖5的XI部分的其中一實施方式的局部放大示意圖。
圖12為圖5的XI部分的另外一實施方式的局部放大示意圖。
圖13為本發明第二實施例的探針組件的示意圖。
以下是通過特定的具體實例來說明本發明所公開有關“探針組件及其探針結構”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的精神下進行各種修飾與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，予以聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的技術範圍。
[第一實施例]
首先，請參閱圖1A、圖1B及圖12所示，圖1A及圖1B分別為本發明實施例探針結構的立體示意圖，圖12為本發明實施例的探針組件的示意圖。本發明提供一種探針組件M及其探針結構U，第一實施例將先介紹本發明探針結構U的主要技術特徵，第二實施例再行介紹探針組件M。另外，值得說明的是，探針結構U的外型可以如圖1A所示的為矩形柱狀體，或者是如圖1B所示的為圓形柱狀體，本發明不以此為限制，以下將以探針結構U具有矩形狀剖面的實施方式作為舉例說明。
承上述，請復參閱圖1A及圖1B所示，並同時參閱圖2所示，圖2為圖1A的II-II剖線的側視剖面示意圖。探針結構U可包括一金屬主體部1、一披覆結構層2以及一絕緣層3。金屬主體部1可具有一第一端部11、一對應於第一端部11的第二端部12、一連接在第一端部11與第二端部12之間的連接部13以及一圍繞第一端部11、第二端部12以及連接部13的環繞表面S，即，環繞表面S為金屬主體部1的外表面。另外，舉例來說，金屬主體部1的第一端部11可呈尖頭針狀，以劃破待測物的錫球表面的氧化層，第二端部12可以為探針結構U的針尾，以用於與轉接介面板 的接觸端相接。
承上述，請復參閱圖2所示，並一併配合圖3至圖5所示，披覆結構層2可包括一設置在位於第一端部11的環繞表面S上的第一披覆層21、一設置在位於第二端部12的環繞表面S上的第二披覆層22以及一設置在位於連接部13的環繞表面S上的第三披覆層23。另外，絕緣層3可以只設置在第三披覆層23上，以裸露出第一披覆層21以及第二披覆層22，然本發明不以此為限。換句話說，探針結構U可區分成一第一區域Z1(即，針尖)、一第二區域Z2(即，針尾)以及一位於第一區域Z1與第二區域Z2之間的第三區域Z3，而探針結構U的第一區域Z1上可具有第一端部11及第一披覆層21，第二區域Z2上可具有第二端部12及第二披覆層22，第三區域Z3上可具有連接部13及第三披覆層23。
承上述，以本發明實施例而言，第一披覆層21優選可如圖3所示地完全圍繞(或者是完全覆蓋)在金屬主體部1的周圍，第二披覆層22優選可如圖4所示地完全圍繞在金屬主體部1的周圍，且第三披覆層23優選可如圖5所示地完全圍繞在金屬主體部1的周圍，此外，絕緣層3優選也可完全圍繞在第三披覆層23的周圍。進一步地，舉例來說，第一披覆層21、第二披覆層22、第三披覆層23以及絕緣層3的設置方式可以利用沉積(Deposition)的方式形成在金屬主體部1，然本發明不以此為限。
承上述，請復參閱圖2至圖5所示，舉例來說，金屬主體部1可由導電材料所製成以具有導電性，且金屬主體部1的電阻率(Resistivity)可小於5 x 102Ωm(歐姆米)，金屬主體部1的材料可例如但不限於為：金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鈷(Co)或其合金，優選地，金屬主體部1的材料可為銅或鎳鈷合金。另外，絕緣層3的電阻率可大於或等於108Ωm，優選地，絕緣層3的電阻率可大於或等於109Ωm。另外，絕緣層3的材料可例如但不限於為：高分子材料、陶瓷或對二甲苯聚合物(聚對二甲苯， Poly-p-xylene)等材料，優選地，以氧化鋁(Aluminium oxide，或稱三氧化二鋁，Al2O3)為佳。進一步來說，金屬主體部1可具有一介於10μm(Micrometer，微米)至80μm之間的預定寬度1t，絕緣層3可具有一介於10nm(nanometer，奈米)至10μm之間的預定厚度3t，優選地，絕緣層3的預定厚度3t可具有兩較佳範圍，分別為10nm至100nm之間，與0.5μm至5μm之間，然本發明不以上述尺寸為限制。
承上述，請復參閱圖2所示，以本發明實施例而言，第一披覆層21、第二披覆層22或第三披覆層23可分別為一強化層、一抗氧化層、一散熱層或一石墨烯層。另外，在其他實施方中，第一披覆層21、第二披覆層22或第三披覆層23也可分別為選自一強化層、一抗氧化層、一散熱層以及一具有石墨烯材料(Graphene)的石墨烯層之中的其中兩者以上所組成的多層結構，本發明不以此為限制。進一步來說，優選地，強化層的楊氏模量可為100GPa以上。更進一步來說，抗氧化層所指的是其材料表面不具活性，其氧化還原電位(Redox potential或Oxidation-reduction potential)大於或等於-1.66V，不易與氧氣產生反應生成氧化物。舉例來說，抗氧化層可為一抗腐蝕金屬(Noble metal)，舉例來說，抗氧化層的材料可例如但不限於為金、銀、鈀或鉑。另外，散熱層的熱導率可大於200W/mK，舉例來說，散熱層的材料可為氧化鋁、氮化矽、銅鋁合金、陶瓷或鑽石薄膜等。另外，值得說明的是，在一優選實施方式中，第一披覆層21、第二披覆層22以及第三披覆層23中的其中兩個披覆層的結構相異。換句話說，可通過不同特性的第一披覆層21、第二披覆層22或第三披覆層23分別覆蓋金屬主體部1的第一端部11、第二端部12以及連接部13，以針對各個部位所需要的需求而設置不同特性的單層或多層結構。
接著，請參閱圖3、圖6及圖7所示，以下將先介紹設置在位於第一端部11的環繞表面S上的第一披覆層21的特徵，另外， 圖3為圖1A的III-III剖線的側視剖面示意圖，圖6及圖7為圖3的VI部分的局部放大示意圖，然而，須說明的是，圖6及圖7並非為圖3的VI部分的實際局部放大示意圖，圖6及圖7主要是為了說明探針結構U的第一端部11在不同實施方式中的剖面型態。
請復參閱圖6所示，以本發明實施例而言，第一披覆層21可包括一強化層A，第一披覆層21的強化層A可設置在位於第一端部11上的環繞表面S上，第一披覆層21的強化層A的楊氏模量為100GPa以上。另外，優選地，請復參閱圖7所示，第一披覆層21還可進一步包括一石墨烯層C，第一披覆層21的石墨烯層C設置在第一披覆層21的強化層A的一外表面AS上且環繞強化層A的外表面AS。值得說明的是，強化層A可為具有高機械強度的材料，以增加探針結構U整體的硬度與剛性。強化層可例如是具有高楊氏模量(或可稱：楊氏模數，Young's modulus)的材料，舉例來說，強化層A的楊氏模量可為100GPa以上。此外，強化層A的材料可為合金材料、矽化物或鑽石膜，例如可選自銠(Rh)、鉑(Pt)、銥(Ir)、鈀(Pd)、鎳、鈷或其合金，優選地，強化層A的材料可為鈀鎳合金或鎳鈷合金，然本發明不以此為限。藉此，通過強化層A及/或石墨烯層C的設置能提高硬度與剛性，並提升探針結構U整體的導電性、散熱性以及機械特性。另外，舉例來說，強化層A可具有一介於100nm至10μm之間的預定厚度At，石墨烯層C可泛指1至10層左右，石墨烯層C可具有一介於0.34nm至5nm之間的預定厚度Ct，優選地，石墨烯層C的預定厚度Ct可小於1nm，然本發明不以此為限。須說明的是，雖然上述內容是以第一披覆層21具有強化層A及/或石墨烯層C作為說明，但是，在其他實施方式中第一披覆層21也可以為選自一強化層、一抗氧化層、一散熱層以及一石墨烯層之中的其中兩者以上所組成的多層結構。
接著，請參閱圖4、圖8至圖10所示，以下將介紹設置在位 於第二端部12的環繞表面S上的第二披覆層22的特徵，另外，圖4為圖1A的IV-IV剖線的側視剖面示意圖，圖8至圖10為圖4的VIII部分的局部放大示意圖，然而，須說明的是，圖8至圖10並非為圖4的VIII部分的實際局部放大示意圖，圖8至圖10主要是為了說明探針結構U的第二端部12在不同實施方式中的剖面型態。
承上述，請復參閱圖8所示，第二披覆層22可包括一強化層A以及一抗氧化層B，第二披覆層22的強化層A可設置在位於第二端部12上的環繞表面S上，第二披覆層22的抗氧化層B可設置在第二披覆層22的強化層A的一外表面AS上。另外，第二披覆層22的強化層A的楊氏模量為100GPa以上，且第二披覆層22的抗氧化層B的材料表面不具活性，其氧化還原電位大於或等於-1.66V，不易與氧氣產生反應生成氧化物，舉例來說，抗氧化層B可為一抗腐蝕金屬(Noble metal)，舉例來說，抗氧化層B的材料可例如但不限於為金、銀、鈀或鉑。須說明的是，第二披覆層22的強化層A的特性與前述第一披覆層21的強化層A的特性相仿，在此容不再贅述。
接著，請復參閱圖9所示，由圖9與圖8的比較可知，在其他實施方式中，第二披覆層22還可進一步包括一散熱層D，第二披覆層22的散熱層D可設置在第二披覆層22的抗氧化層B的一外表面BS上，第二披覆層22的散熱層D的熱導率大於200W/mK，舉例來說，散熱層D的材料可為氧化鋁、氮化矽、銅鋁合金、陶瓷或鑽石薄膜等，然本發明不以此為限。
接著，請復參閱圖10所示，由圖10與圖9的比較可知，在其他實施方式中，第二披覆層22還可進一步包括一石墨烯層C，第二披覆層的石墨烯層C可設置在第二披覆層22的強化層A與第二披覆層22的抗氧化層B之間，即，石墨烯層C可設置在第二披覆層22的強化層A的外表面AS上，抗氧化層B第二披覆層22 的石墨烯層C的外表面CS上，然本發明不以此為限。舉例來說，在其他實施方式中，石墨烯層C也可以設置在第二披覆層22的散熱層D與第二披覆層22的抗氧化層B之間，或者是設置在其他位置。
另外，須說明的是，雖然上述內容是以第二披覆層22具有強化層A、抗氧化層B、石墨烯層C及/或散熱層D作為說明，但是，在其他實施方式中第二披覆層22也可以為選自一強化層A、一抗氧化層B、一散熱層D以及一石墨烯層C之中的其中兩者以上所組成的多層結構，同時也可依需求而調整強化層A、抗氧化層B、散熱層D及石墨烯層C的排列順序。
藉此，通過強化層A、抗氧化層B、石墨烯層C及/或散熱層D的設置能提高硬度與剛性，並提升探針結構U整體的可靠性、導電性、散熱性以及機械特性。進一步來說，由於第二端部12是用於與轉接介面板的接觸端相接，因此，通過抗氧化層B的設置，可提降低接觸電阻並提高其壽命。另外，舉例來說，強化層A可具有一介於100nm至10μm之間的預定厚度At；石墨烯層C可具有一介於0.34nm至5nm之間的預定厚度Ct，優選地，石墨烯層C的預定厚度Ct可小於1nm；抗氧化層B可具有一介於100nm至10μm之間的預定厚度Bt；散熱層D可具有一介於10nm至5μm之間的預定厚度Dt，然本發明不以上述尺寸為限制。
接著，請參閱圖5、圖11及圖12所示，以下將介紹設置在位於連接部13的環繞表面S上的第三披覆層23的特徵，另外，圖5為圖1A的V-V剖線的側視剖面示意圖，圖11及圖12為圖5的XI部分的局部放大示意圖，然而，須說明的是，圖11及圖12並非為圖5的XI部分的實際局部放大示意圖，圖11及圖12主要是為了說明探針結構U的連接部13在不同實施方式中的剖面型態。
接著，請復參閱圖11所示，第三披覆層23可包括一強化層A，第三披覆層23的強化層A設置在位於連接部13上的環繞表面S 上，第三披覆層23的強化層A的楊氏模量為100GPa以上。另外，第三披覆層23還可進一步包括一散熱層D，第三披覆層23的散熱層D設置在第三披覆層23的強化層A的一外表面AS上且環繞外表面AS。進一步地，絕緣層3可設置在散熱層D的一外表面DS上。
接著，請參閱圖12所示，由圖12與圖11的比較可知，在其他實施方式中，第三披覆層23還可進一步包括一石墨烯層C，第三披覆層23的石墨烯層C可設置在第三披覆層23的第三披覆層23的強化層A與第三披覆層23的散熱層D之間，即，石墨烯層C可設置在強化層A的外表面AS上，且散熱層D可設置在石墨烯層C的外表面CS上。另外，絕緣層3可設置在第三披覆層23的散熱層D的一外表面DS上，且環繞散熱層D的外表面DS。
另外，須說明的是，雖然上述內容是以第三披覆層23具有強化層A、石墨烯層C及/或散熱層D作為說明，但是，在其他實施方式中第三披覆層23也可以為選自一強化層A、一抗氧化層B、一散熱層D以及一石墨烯層C之中的其中兩者以上所組成的多層結構，同時也可依需求而調整強化層A、抗氧化層B、散熱層D及石墨烯層C的排列順序。
藉此，通過強化層A、石墨烯層C及/或散熱層D的設置能提高硬度與剛性，並提升探針結構U整體的可靠性、導電性、散熱性以及機械特性。進一步來說，通過強化層A的設置，可加強探針結構U受力彎曲後的回復能力，同時，由於積熱主要集中於探針結構U的連接部13，因此，通過散熱層D的設置，可提高探針結構U的散熱性。另外，舉例來說，強化層A可具有一介於100nm至10μm之間的預定厚度At；石墨烯層C可具有一介於0.34nm至5nm之間的預定厚度Ct，優選地，石墨烯層C的預定厚度Ct可小於1nm；散熱層D可具有一介於10nm至5μm之間的預定厚度Dt，然本發明不以上述尺寸為限制。
值得說明的是，在一較佳實施方式中，第一區域Z1上的第一披覆層21可以如圖7所示的具有強化層A及石墨烯層C，第二區域Z2上的第二披覆層22可以如圖10所示的具有強化層A、石墨烯層C、抗氧化層B及散熱層D，第三區域Z3上的第三披覆層23可以如圖12所示的具有強化層A、石墨烯層C及散熱層D。然而，在其他實施方式中，第一區域Z1、第二區域Z2及第三區域Z3也可以都不具有石墨烯層C，本發明不以此為限。
[第二實施例]
首先，請參閱圖13所示，並請復參閱圖2至圖5所示，圖13為本發明第二實施例的探針組件的示意圖。本發明第二實施例提供一種探針組件M，其包括一承載座T以及多個探針結構U。多個探針結構U可依探針卡的量測陣列設計而設置在承載座T上。
進一步來說，請復參閱圖2至圖5所示，每一個探針結構U可包括一金屬主體部1、一披覆結構層2以及一絕緣層3。金屬主體部1具有一第一端部11、一對應於第一端部11的第二端部12、一連接在第一端部11與第二端部12之間的連接部13以及一圍繞第一端部11、第二端部12以及連接部13的環繞表面S。另外，披覆結構層2包括一設置在位於第一端部11的環繞表面S上的第一披覆層21、一設置在位於第二端部12的環繞表面S上的第二披覆層22以及一設置在位於連接部13的環繞表面S上的第三披覆層23。絕緣層3設置在第三披覆層23上，以裸露出第一披覆層21以及第二披覆層22。藉此，由於絕緣層3是位於探針結構U的最外層，因此可避免彼此相鄰的探針結構U之間電性接觸而造成短路現象。
承上述，須說明的是，第二實施例所提供的金屬主體部1、披覆結構層2以及絕緣層3的特性與前述實施例相仿，在此不再贅述。換句話說，第二實施例所提供的第一披覆層21、第二披覆層 22以及第三披覆層23也可以如同前述實施例所述地選擇性地設置強化層A、抗氧化層B、石墨烯層C及/或散熱層D。
[實施例的有益效果]
本發明的其中一有益效果可以在於，本發明的其中一有益效果在於，本發明實施例所提供的探針組件M及其探針結構U，其能利用“披覆結構層2包括一設置在位於第一端部11的環繞表面S上的第一披覆層21、一設置在位於第二端部12的環繞表面S上的第二披覆層22以及一設置在位於連接部13的環繞表面S上的第三披覆層23”以及“絕緣層3設置在第三披覆層23上，以裸露出第一披覆層21以及第二披覆層22”的技術方案，而能提升探針結構U的可靠性、導電性、散熱性及/或機械強度。換句話說，可利用分段式的設計而使得探針結構U中的各個位置(第一區域Z1、第二區域Z2及第三區域Z3)分別克服耐電流、機械特性、散熱與絕緣等問題，以提升探針結構U的機械強度、散熱效果以及探針效能與壽命。此外，也可以利用絕緣層3的設置，而避免彼此探針組件M中相鄰的探針結構U之間電性接觸所造成的短路現象。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及附圖內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的保護範圍內。

Claims (16)

  1. 一種探針結構，其包括：一金屬主體部，所述金屬主體部具有一第一端部、一對應於所述第一端部的第二端部、一連接在所述第一端部與所述第二端部之間的連接部以及一圍繞所述第一端部、所述第二端部以及所述連接部的環繞表面；一披覆結構層，所述披覆結構層包括一設置在位於所述第一端部的所述環繞表面上的第一披覆層、一設置在位於所述第二端部的所述環繞表面上的第二披覆層以及一設置在位於所述連接部的所述環繞表面上的第三披覆層；以及一絕緣層，所述絕緣層設置在所述第三披覆層上，以裸露出所述第一披覆層以及所述第二披覆層；其中，所述第一披覆層、所述第二披覆層或所述第三披覆層分別包括一強化層、一抗氧化層、一散熱層或一石墨烯層，其中，所述強化層的楊氏模量為100GPa以上，所述抗氧化層的氧化還原電位大於或等於-1.66V，所述散熱層的熱導率大於200W/mK。
  2. 如請求項1所述的探針結構，其中，所述絕緣層的電阻率大於或等於108Ωm。
  3. 如請求項1或2所述的探針結構，其中，所述金屬主體部具有導電性，且所述金屬主體部的電阻率小於5 x 102Ωm。
  4. 如請求項1所述的探針結構，其中，所述第一披覆層、所述第二披覆層或所述第三披覆層分別為選自所述強化層、所述抗氧化層、所述散熱層以及所述石墨烯層之中的其中兩者以上所組成的多層結構。
  5. 如請求項1所述的探針結構，其中，所述第一披覆層、所述第二披覆層以及所述第三披覆層中的其中兩個披覆層的結構相異。
  6. 如請求項1所述的探針結構，其中，所述第一披覆層包括所述強化層及所述石墨烯層，所述第一披覆層的強化層設置在位於所述第一端部上的所述環繞表面上，所述第一披覆層的所述石墨烯層設置在所述第一披覆層的所述強化層的一外表面上。
  7. 如請求項1所述的探針結構，其中，所述第二披覆層包括所述強化層及所述抗氧化層，所述第二披覆層的強化層設置在位於所述第二端部上的所述環繞表面上，所述抗氧化層設置在所述第二披覆層的所述強化層的一外表面上。
  8. 如請求項7所述的探針結構，其中，所述第二披覆層還進一步包括所述散熱層，所述散熱層設置在所述第二披覆層的所述抗氧化層的一外表面上。
  9. 如請求項8所述的探針結構，其中，所述第二披覆層還進一步包括所述石墨烯層，所述第二披覆層的所述石墨烯層設置在所述第二披覆層的所述強化層與所述第二披覆層的所述抗氧化層之間。
  10. 如請求項1所述的探針結構，其中，所述第三披覆層包括所述強化層及所述散熱層，所述第三披覆層的所述強化層設置在位於所述連接部上的所述環繞表面上，所述第三披覆層的所述散熱層設置在所述第三披覆層的所述強化層的一外表面上。
  11. 如請求項10所述的探針結構，其中，所述第三披覆層還進一步包括一石墨烯層，所述第三披覆層的所述石墨烯層設置在所述第三披覆層的所述強化層與所述第三披覆層的所述散熱層之間，其中，所述絕緣層設置在所述散熱層的一外表面上。
  12. 一種探針組件，其包括：一承載座；以及多個探針結構，多個所述探針結構設置在所述承載座上，每一個所述探針結構包括一金屬主體部、一披覆結構層以及一絕緣層；其中，所述金屬主體部具有一第一端部、一對應於所述第一端部的第二端部、一連接在所述第一端部與所述第二端部之間的連接部以及一圍繞所述第一端部、所述第二端部以及所述連接部的環繞表面；其中，所述披覆結構層包括一設置在位於所述第一端部的所述環繞表面上的第一披覆層、一設置在位於所述第二端部的所述環繞表面上的第二披覆層以及一設置在位於所述連接部的所述環繞表面上的第三披覆層；其中，所述絕緣層設置在所述第三披覆層上，以裸露出所述第一披覆層以及所述第二披覆層；其中，所述第一披覆層、所述第二披覆層或所述第三披覆層分別包括一強化層、一抗氧化層、一散熱層或一石墨烯層，其中，所述強化層的楊氏模量為100GPa以上，所述抗氧化層的氧化還原電位大於或等於-1.66V，所述散熱層的熱導率大於200W/mK。
  13. 如請求項12所述的探針組件，其中，所述絕緣層的電阻率大於或等於108Ωm。
  14. 如請求項12或13所述的探針組件，其中，所述金屬主體部具有導電性，且所述金屬主體部的電阻率小於5 x 102Ωm。
  15. 如請求項12所述的探針組件，其中，所述第一披覆層、所述第二披覆層或所述第三披覆層分別為選自所述強化層、所述抗氧化層、所述散熱層以及所述石墨烯層之中的其中兩者以上所組成的多層結構。
  16. 如請求項12所述的探針組件，其中，所述第一披覆層、所述第二披覆層以及所述第三披覆層中的其中兩個披覆層的結構相異。
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