KR20080027182A - 접속 장치 - Google Patents

Abstract

과제

IC 패키지 등의 전자 부품의 돌출 전극이 접촉되는 접속 장치에 있어서, 주석을 함유하는 돌출 전극이 탄성 아암에 압접했을 때의 금속간 화합물의 생성을 억제할 수 있는 접속 장치를 제공한다.

해결 수단

정밀 판금 가공 또는 도금 프로세스에서 형성된 접속부는 나선형의 탄성 아암 (22) 을 가지고 있다. 탄성 아암 (22) 은, 도전층 (31) 과 탄성층 (32) 을 갖는 심부 (30) 의 표면에 피복층 (33) 이 형성되고, 이 피복층 (33) 은 백금족 금속층으로 형성되며, 바람직하게는 팔라듐 도금으로 형성되어 있다. 전자 부품에 형성된 주석을 함유하는 돌출 전극 (42) 이 피복층 (33) 에 접촉했을 때에, 그 접촉부에서 금속의 확산이 발생하기 어렵고, 접촉부에 금속간 화합물이 생성되어 퇴적되는 것을 억제할 수 있다.

Description

접속 장치{CONNECTING DEVICE}

본 발명은 IC 패키지 등의 전자 부품에 형성된 전극이 설치되는 접속 장치에 관한 것으로서, 특히 주석을 함유하는 합금으로 형성된 전극이 반복적으로 접촉되는 데 적합한 접속 장치에 관한 것이다.

이하의 특허 문헌 1 에는, 복수의 스파이럴 형상의 탄성 아암을 구비한 접속 장치가 개시되어 있다. IC 패키지 등의 전자 부품 저면에는 복수의 구 형상의 돌출 전극이 형성되어 있고, 각각의 돌출 전극이 탄성 아암에 탄압되어 돌출 전극과 탄성 아암이 일대일의 관계로 개별적으로 접속된다.

특허 문헌 1 에 기재된 스파이럴 형상의 탄성 아암은 전자 부품을 향하여 돌출되는 입체 형상으로 되어 있고, 전자 부품이 접속 장치에 설치될 때에 탄성 아암이 돌출 전극에 가압되어 찌부러지도록 변형되며, 탄성 아암은 이때의 탄성 복원력에 의해 상기 돌출 전극에 탄압된다.

[특허 문헌 1] 일본 공개특허공보 2004-234872호

특허 문헌 1 에 기재되어 있는 바와 같은 스파이럴 형상의 탄성 아암은 구리 등의 도전성 재료로 형성되어 있다. 또한, 이 탄성 아암과 돌출 전극의 접촉 저항을 저하시키기 위해서, 탄성 아암의 최표면에 금층을 도금 등으로 형성하는 것도 일반적으로 채용되고 있다.

그러나, 탄성 아암의 표면에 형성되는 금층은 산화되기 어렵기 때문에, 그 표면 에너지가 높은 상태를 유지하고 있다. 그 때문에, 주석을 함유하는 합금으로 형성된 상기 돌출 전극이 탄성 아암에 압접되면, 금이 돌출 전극 내에 확산되어 금과 주석의 금속간 화합물이 생성되기 쉬워진다. 특히, 돌출 전극이 탄성 아암에 접촉되어 있는 상태에서 주위 온도가 100℃ 이상 또는 150℃ 이상이 되면, 금속간 화합물의 생성이 촉진된다. 예를 들어, 주석을 함유하는 땜납과 접촉자가 접촉된 상태로 150℃ 의 환경에서 300 시간 경과하면, 상기 금속간 화합물의 두께가 50㎛ 정도가 된다.

그 때문에 예를 들어, 상기 탄성 아암을 갖는 접속 장치가 IC 등의 전자 부품의 검사용 장치에 사용되고, 주석을 함유하는 돌출 전극이 형성된 전자 부품이 반복적으로 장착되며, 또한 각각의 전자 부품에 대해서 가열 검사를 하면, 탄성 아암의 표면에 상기 금속간 화합물 및 이 화합물과 이어지는 주석 합금이 퇴적되기 쉬워진다. 이 금속간 화합물 및 주석 합금이 산화되면, 탄성 아암 표면의 저항이 증대되고 접촉자로서의 기능이 큰폭으로 저하된다.

또, 주석과 금의 금속간 화합물은 단단하기 때문에, 탄성 아암에 퇴적된 금속간 화합물에 의해 돌출 전극에 손상을 주는 경우가 있다.

본 발명은, 상기 종래의 과제를 해결하는 것으로, 주석을 함유하는 전극이 반복적으로 접촉하여도 접촉자에 금속간 화합물이 퇴적되기 어렵고, 또 접촉자의 표면 접촉 저항도 낮출 수 있는 접속 장치를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.

본 발명은 저부에 복수의 전극을 갖는 전자 부품이 설치되는 접속 장치에 있어서,

주석을 함유하는 합금으로 형성된 상기 전극이 접속되는 복수의 접속부가 형성되고, 각각의 접속부에는 상기 전극에 탄성력을 가지고 압접되는 도전성의 탄성 아암이 형성되어 있으며,

상기 탄성 아암은 도전성의 심부와 이 심부의 표면에 피복되어 상기 전극과의 접촉 저항을 저하시키는 피복층을 가지고 있고, 상기 피복층이 백금족 금속층으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.

본 발명에서는 탄성 아암의 표면에 형성된 피복층이 백금족 금속층이기 때문에 전극과의 접촉 저항이 작다. 또한, 주석을 함유하는 합금으로 형성된 전극이 탄성 아암에 닿았을 때에 백금족 금속층이 전극 내에 확산되기 어렵고, 탄성 아암의 표면과 전극 사이에 금속간 화합물이 형성되기 어려워진다.

본 발명은 상기 백금족 금속층의 막 두께가 0.1㎛ 이상이고 2㎛ 이하이다. 더욱 바람직하게는 0.5㎛ 이하이다. 백금족 금속층의 막 두께가 상기 범위 내이면, 백금족 금속층이 전극과의 접촉 저항을 저하시키는 기능을 충분히 발휘할 수 있다.

본 발명은 상기 백금족 금속층의 표면에 두께가 0.06㎛ 이하인 금층이 형성되어 있는 것이어도 된다.

탄성 아암의 최표면에 금층을 형성함으로써, 전극과의 접촉 저항을 더욱 줄일 수 있다. 또, 금층의 막 두께가 상기 범위이면, 금이 전극 내에 확산되지만, 확산에 의해 형성된 주석과 금의 금속간 화합물의 양이 매우 적어지고, 종래와 같이 많이 퇴적되지 않는다.

본 발명에서는, 상기 심부는 구리 또는 구리 합금과, 니켈 또는 니켈 합금 중 적어도 일방으로 형성되어 있다.

또, 본 발명은 상기 접속부에 대해서, 상기 전극을 갖는 상기 전자 부품의 장착과 이탈이 반복적으로 실시되는 검사용인 경우에 유효하다. 이 경우, 상기 전자 부품이 장착된 상태에서 온도가 상승되고, 전자 부품의 내부 회로를 검사하는 것에 유효하다.

본 발명의 접속 장치가 검사용으로서 사용된 경우에, 주석을 함유하는 합금으로 형성된 전극이 탄성 아암에 반복적으로 접촉하여도 탄성 아암에 금속간 화합물이 퇴적되는 것을 방지할 수 있다.

본 발명은, 바람직하게는 상기 백금족 금속층은 팔라듐 도금층이고, 이것은 무전해 도금층으로 할 수 있다. 팔라듐을 사용하면, 탄성 아암의 표면에 얇은 피복층을 효율적으로 형성할 수 있다.

본 발명의 접속 장치는 전극과의 접촉 저항이 작고, 또한 주석을 함유하는 합금으로 형성되어 있는 전극이 반복적으로 접촉했을 때에, 탄성 아암의 표면과 전극 사이에 전극간 화합물이 퇴적되기 어려워진다. 따라서, 접속부의 수명을 길게 할 수 있다.

도 1 은 본 발명의 실시형태인 접속 장치의 부분 단면도, 도 2 는 접속부의 확대 단면도, 도 3 은 접속부의 평면도이다. 도 4 는 접속부의 탄성 아암과 돌출 전극의 접촉 상태를 나타내는 단면 확대도이다.

도 1 에 나타내는 접속 장치 (1) 는 기대 (基臺 ; 10) 를 가지고 있다. 기대 (10) 의 평면 형상은 사각형이고, 기대 (10) 의 네 변의 각각에는 거의 수직으로 세워지는 측벽부 (10a) 가 형성되어 있다. 네 변의 측벽부 (10a) 로 둘러싸인 영역은 오목부이고, 그 저부 (10b) 의 상면이 지지면 (12) 이다. 상기 지지면 (12) 상에는 접속 시트 (15) 가 설치되어 있다. 접속 시트 (15) 는 가요성의 기재 시트 (16) 의 표면에 복수의 접속부 (20) 가 형성되어 있다.

도 2 에 나타내는 바와 같이, 상기 기재 시트 (16) 에는 다수의 스루홀 (16a) 이 형성되고, 각각의 스루홀 (16a) 내주면에는 도전층 (17) 이 도금 등의 수단으로 형성되어 있다. 기재 시트 (16) 의 표면에는 상기 도전층 (17) 에 도통하는 표측의 접속 랜드 (17a) 가 형성되고, 기재 시트 (16) 의 이면에는 상기 도전층 (17) 에 도통하는 이측의 접속 랜드 (17b) 가 형성되어 있다.

상기 접속부 (20) 는 얇은 도전성 판금을 펀칭하여 형성되고, 추가로 도금 처리된 것이며, 개개의 접속부 (20) 가 상기 접속 랜드 (17a) 의 표면에 도전성 접 착제 등으로 접합되어 있다. 또는, 접속부 (20) 는 구리나 니켈 등의 도전성 재료를 사용하여 도금 공정에서 형성된다. 예를 들어, 기재 시트 (16) 와는 별개의 시트 표면에 복수의 접속부 (20) 가 도금 공정에서 형성되고, 상기 시트가 기재 시트 (16) 에 겹쳐져서, 각각의 접속부 (20) 가 도전성 접착제 등으로 상기 접속 랜드 (17a) 에 접합된다.

각각의 접속부 (20) 는 기재 시트 (16) 에 형성된 후에, 외력이 가해져서 입체 형상으로 형성된다. 이때, 가열 처리로 내부의 잔류 응력이 제거되고 접속부 (20) 는 입체 형상으로 탄성력을 발휘할 수 있게 된다.

도 2 에 나타내는 바와 같이, 기재 시트 (16) 의 이면측에서는 상기 접속 랜드 (17b) 에 개별적으로 접속되는 도전성 재료의 범프 전극 (18) 이 형성되어 있다. 도 1 에 나타내는 바와 같이, 접속 시트 (15) 가 기대 (10) 의 저부 (10b) 표면인 지지면 (12) 에 설치되면, 상기 범프 전극 (18) 이 상기 지지면 (12) 에 형성된 도전부에 접속된다.

상기 지지면 (12) 상에서의 접속부 (20) 의 배열 피치는, 예를 들어 2㎜ 이하이고, 또는 1㎜ 이하이다. 접속부 (20) 의 외형 치수의 최대치도 2㎜ 이하이고, 또는 1㎜ 이하이다.

도 2 와 도 3 에 나타내는 바와 같이, 접속부 (20) 는 지지부 (21) 와 탄성 아암 (22) 이 일체로 연속하여 형성되어 있다. 탄성 아암 (22) 은 나선형으로 형성되어 있고, 탄성 아암 (22) 의 감김 시단인 기부 (22a) 가 지지부 (21) 와 일체화되어 있다. 탄성 아암 (22) 의 감김 종단인 선단부 (22b) 는 나선의 중심 부에 위치하고 있다. 도 2 에 나타내는 바와 같이, 접속부 (20) 를 구성하고 있는 지지부 (21) 가 상기 접속 랜드 (17a) 에 접속되고, 탄성 아암 (22) 은 선단부 (22b) 가 지지면 (12) 으로부터 멀어지도록 입체 성형되어 있다.

도 4 에 단면도로 나타내는 바와 같이, 탄성 아암 (22) 은 심부 (30) 와, 이 심부 (30) 표면의 전체 둘레를 덮는 피복층 (33) 을 가지고 있다. 심부 (30) 는 도전층 (31) 의 주위의 전체 둘레가 탄성층 (32) 으로 덮인 것이다. 도전층 (31) 은 구리 또는 구리를 함유하는 합금의 단층이다. 구리 합금은 높은 전기 도전도와 높은 기계적 강도를 갖는 Cu, Si, Ni 를 갖는 콜슨 합금이 바람직하게 사용된다. 콜슨 합금은, 예를 들어 Cu - Ni - Si - Mg 에서, Cu 가 96.2 질량％, Ni 가 3.0 질량％, Si 가 0.65 질량％, Mg 가 0.15 질량％ 인 것이 사용된다.

탄성층 (32) 은, 도전성이고 또한 높은 기계적 강도와 높은 휨 탄성 계수를 발휘하는 금속 재료이고, Ni 층 또는 Ni 를 함유하는 합금층이다. Ni 합금은 Ni - X 합금 (단, X 는 P, W, Mn, Ti, Be 중 어느 일종 이상) 이 사용된다. 탄성층 (32) 은 도전층 (31) 의 주위에 전해 도금 또는 무전해 도금을 실시함으로써 형성된다. 탄성층 (32) 은 바람직하게는 무전해 도금으로 형성된 Ni - P 합금이다. Ni - P 합금에서는, 인 (P) 의 농도를 10at％ 이상이고 30at％ 이하로 함으로써, 적어도 일부가 비정질이 되어 높은 탄성 계수와 높은 인장 강도를 얻을 수 있다. 또는, 탄성층 (32) 은 Ni - W 합금으로 형성된다. 이 경우도 텅스텐 (W) 의 농도를 10at％ 이상이고 30at％ 이하로 함으로써, 적어도 일부가 비정질이 되어 높은 탄성 계수와 높은 인장 강도를 얻을 수 있다.

도 4 에 있어서, 상기 탄성층 (32) 의 단면적은 심부 (30) 의 단면적의 20％ 이상이고 80％ 이하인 것이 바람직하다. 상기 범위이면, 심부 (30) 가 도전성과 스프링성의 쌍방의 기능을 발휘할 수 있다. 또, 도 4 의 단면도에 있어서, 심부 (30) 의 두께 치수 및 폭 치수는 모두 1㎛ 이상이고 100㎛ 이하이다.

피복층 (33) 은, 전자 부품의 돌출 전극과의 접촉 저항을 저하시키는 것으로, 심부 (30) 를 구성하고 있는 도전성 재료보다 비저항이 낮은 금속 재료로 형성된다. 이 실시형태에서는 피복층 (33) 이 백금족 금속층이다. 즉, 피복층 (33) 은 Pd (팔라듐), Pt (백금), Ir (이리듐), Ru (루테늄), Rh (로듐), Os (오스뮴) 중 어느 하나이다. 이들 백금족 금속층에서 피복층 (33) 을 형성하는 경우에는, 전해 도금 공정에서 성막할 수 있다. 그러나, 피복층 (33) 을 Pd 로 형성하면, 무전해 도금으로 형성할 수 있고 얇은 피복층 (33) 을 효율적이고 저비용으로 형성할 수 있다.

상기 피복층 (33) 은 심부 (30) 의 전체 주위를 덮도록 형성된다. 도 5 는 도 4 에 나타내는 탄성 아암 (22) 의 단면을 더욱 확대한 것이다. 상기 피복층 (33) 의 막 두께 (t1) 는 0.1㎛ 이상이고 2㎛ 이하이며, 바람직하게는 0.5㎛ 이하이다. 이 범위이면, 전자 부품의 돌출 전극과의 접촉 저항을 낮출 수 있고, 또한 저비용으로 구성할 수 있다. 즉, 피복층 (33) 은 표면의 접촉 저항을 저하시키기 위한 것이며, 탄성 아암의 막 두께에 대해서 피복층 (33) 의 막 두께는 1/10 이하, 나아가서는 1/100 이하이다.

도 2 에 나타내는 바와 같이, 접속 장치 (1) 에는 전자 부품 (40) 이 설치된 다. 전자 부품 (40) 은 IC 패키지 등이고, IC 베어칩 등의 각종 전자 소자가 본체부 (41) 내에 밀폐되어 있다. 본체부 (41) 의 저면 (41a) 에는 복수의 돌출 전극 (42) 이 형성되어 있고, 각각의 돌출 전극 (42) 이 본체부 (41) 내의 회로에 도통하고 있다. 이 실시형태의 전자 부품 (40) 은 상기 돌출 전극 (42) 이 구 형상이다. 또, 돌출 전극 (42) 은 절두 원추형 등 이어도 된다.

상기 돌출 전극 (42) 은 주석을 포함하는 도전성의 합금으로 형성되어 있다. 즉, 납을 함유하지 않는 땜납으로 형성되어 있고, 주석·비스무트 합금이나 주석·은 합금이다.

실시형태의 접속 장치 (1) 는 전자 부품 (40) 의 검사용이고, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 피검사물인 전자 부품 (40) 이 기대 (10) 의 오목부 내에 장착된다. 이때, 전자 부품 (40) 은 그 저면 (41a) 에 형성된 개개의 돌출 전극 (42) 이 상기 접속부 (20) 상에 설치되도록 위치 결정된다. 기대 (10) 상에는 도시하지 않은 가압용의 덮개가 형성되어 있고, 이 덮개를 기대 (10) 상에 씌우면, 이 덮개에 의해 전자 부품 (40) 이 화살표 F 방향으로 가압된다. 이 가압력에 의해 각각의 돌출 전극 (42) 이 탄성 아암 (22) 에 눌리고, 입체 형상의 탄성 아암 (22) 이 가압 변형되며, 돌출 전극 (42) 과 탄성 아암 (22) 이 개별적으로 도통된다.

접속 장치 (1) 가 이른바 번인 (burn-in) 검사에 사용되는 경우에는, 주위 온도가 150℃ 정도로 설정된 상태에서, 외부 검사용의 회로로부터 접속부 (20) 를 거쳐 돌출 전극 (42) 으로 전류가 주어지고, 전자 부품 (40) 의 본체부 (41) 내의 회로가 단선되어 있는지의 여부를 검사한다. 또는, 접속부 (20) 로부터 돌출 전극 (42) 으로 소정의 신호가 주어져 본체부 (41) 내의 회로 동작 시험이 실시된다.

검사가 완료된 전자 부품 (40) 은 접속 장치 (1) 로부터 취출되고, 이어서 검사해야 할 전자 부품 (40) 이 접속 장치 (1) 내에 설치되고 동일하게 하여 검사가 실시된다. 이 검사가 반복된다. 그 때문에, 접속부 (20) 의 탄성 아암 (22) 에는 새로운 전자 부품 (40) 의 돌출 전극 (42) 이 차례차례로 접촉되게 된다.

도 4 에 나타내는 바와 같이, 탄성 아암 (22) 은 도전성의 금속으로 형성된 심부 (30) 의 표면에 피복층 (33) 이 형성되어 있고, 이 피복층 (33) 은 Pd 를 대표로 하는 백금족 금속층이다. 백금족 금속층으로 형성된 피복층 (33) 에, 주석을 함유하는 돌출 전극 (42) 이 압접될 때에, 백금족 금속이 돌출 전극 (42) 내에 확산되기 어렵고, 피복층 (33) 과 돌출 전극 (42) 의 접촉부에 백금족 금속과 주석의 금속간 화합물이 생성되기 어려워진다.

탄성 아암 (22) 의 표면의 금속이 돌출 전극 (42) 내에 확산되어 금속간 화합물이 생성되는지의 여부는, 주로 다음 2 개의 조건에 의존한다.

첫번째 조건은 탄성 아암 (22) 을 덮는 금속의 표면 에너지이다. 탄성 아암 (22) 의 표면이 금층인 경우에, 금은 산화되기 어렵기 때문에 표면 에너지가 높고, 따라서 금층에 주석을 함유하는 돌출 전극 (42) 이 접촉되면, 상기 표면 에너지에 의해 금이 주석과 결합되기 쉬워져서, 그 결과 금이 돌출 전극 (42) 내에 확산되게 된다. 이에 반해, Pd 를 대표로 하는 백금족 금속은 표면에 극히 얇은 산화막이 형성되기 때문에 표면 에너지가 안정적이고, Pd 등이 돌출 전극 (42) 내에 확산되기 어렵다. 게다가, 산화막은 극히 얇고, 터널 효과로 전류의 통과를 방해하지 않기 때문에 탄성 아암 (22) 의 표면 저항이 저하되는 경우도 없다.

다음 조건은 탄성 아암 (22) 의 표면 경도이다. 탄성 아암 (22) 과 돌출 전극 (42) 이 접촉하고 있을 때의 금속간 화합물의 생성은 금속의 열 확산이고, 온도와 양 부재의 접촉 면적의 쌍방에 비례하고 있다. 탄성 아암 (22) 의 표면이 금층이면 표면의 경도가 낮기 때문에, 돌출 전극 (42) 과의 접촉 면적이 넓어지고 금속의 열 확산이 발생하기 쉬워져, 주석과 금의 금속간 화합물이 생성되고 퇴적되기 쉬워진다. 이에 반해, 백금족 금속층은 경도가 높고, 예를 들어 Pd 의 비커스 경도는 440 ∼ 550Hv 정도이고, Ru 의 경도는 650 ∼ 700Hv 정도이다. 이들은 금을 함유하는 합금인 AuCo (l60Hv 정도), AuNi (170 ∼ 300Hv 정도), AuIn (210Hv 정도) 에 비해 충분히 높다. 그 때문에, 탄성 아암 (22) 의 표면에 있는 피복층 (33) 이 백금족 금속층인 경우, 표면 경도가 높기 때문에 돌출 전극 (42) 이 가압되었을 때의 접촉 면적이 커지지 않고, 따라서 백금족의 금속이 돌출 전극 (42) 내에 확산되기 어려워져 탄성 아암과 돌출 전극 사이에 금속간 화합물이 생성되기 어렵다.

피복층 (33) 이 백금족 금속층이면, 금층과 달리 금속간 화합물이 생성되기 어렵다. 그 때문에, 탄성 아암 (22) 표면의 접촉 저항을 항상 낮게 유지할 수 있고, 돌출 전극 (42) 에 끼치는 데미지도 작아진다. 또, 금속간 화합물에 의 해 돌출 전극 (42) 에 손상을 주는 현상도 발생하기 어려워진다.

도 6 은 상기 접속 장치의 변형예를 나타내고 있다. 도 6 은 변형예의 탄성 아암 (22A) 의 단면의 일부를 확대하여 나타내고 있다. 이 탄성 아암 (22A) 은 심부인 탄성층 (32) 의 표면의 피복층 (34) 이 2 층 구조이다. 탄성 아암 (22A) 의 표면에는 도 5 에 나타낸 것과 동일한 두께 (t1) 로, Pd 등의 백금족 금속층 (34a) 이 형성되어 있고, 또한 그 표면에 금층 (34b) 이 형성되어 있다. 금층 (34b) 은 백금족 금속층 (34a) 의 막 두께보다 충분히 얇고, 그 두께 (t2) 는 0.06㎛ 이하이다.

이 두께 (t2) 의 금층 (34b) 은 매우 얇고, 또한 그 아래에 경도가 높은 백금족 금속층 (34a) 이 형성되어 있기 때문에, 돌출 전극 (42) 과의 접촉 면적이 작아져서, 주석과 금의 금속간 화합물이 생성되기 어렵게 되어 있다. 또, 금층 (34b) 이 매우 얇기 때문에, 금속간 화합물이 생성되었다 하더라도, 그 양은 매우 적고 금속간 화합물에 의해 돌출 전극 (42) 에 손상을 주는 경우도 적다.

도 7 은 본 발명의 제 2 의 실시형태를 나타내는 것으로, 탄성 아암 (22B) 의 확대 단면도이다. 이 탄성 아암 (22B) 은 심부가 Ni 또는 Ni 합금만으로 형성되어 있고, 예를 들어 NI-P 의 비정질 합금으로 형성되어 있다. 그리고, 그 외주면에 도 5 에 나타낸 피복층 (33) 또는 도 6 에 나타낸 피복층 (34) 이 형성되어 있다. 이 탄성 아암 (22B) 은 Ni 또는 Ni 합금을 주체로 하여 구성되어 있기 때문에, 전체의 강성과 휨 탄성 계수가 높다. 또한, 표면의 접촉 저항이 낮아진다.

도 1 은, 본 발명의 실시형태의 접속 장치의 부분 단면도이다.

도 2 는, 상기 접속 장치의 접속부의 부분 확대 단면도이다.

도 3 은, 접속부의 평면을 확대한 확대 평면도이다.

도 4 는, 탄성 아암과 돌출 전극의 접촉부를 나타내는 확대 단면도이다.

도 5 는, 탄성 아암의 피복층을 나타내는 확대 단면도이다.

도 6 은, 탄성 아암의 피복층의 변형예를 나타내는 확대 단면도이다.

도 7 은, 본 발명의 제 2 의 실시형태의 피복층을 나타내는 확대 단면도이다.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

1 … 접속 장치

10 … 기대

12 … 지지면

15 … 접속 시트

16 … 기재 시트

20 … 접속부

21 … 지지부

22 … 탄성 아암

30 … 심부

31 … 도전층

32 … 탄성층

33 … 피복층

34 … 피복층

34a … 백금족 금속층

34b … 금층

40 … 전자 부품

42 … 돌출 전극

Claims (7)

1. 저부에 복수의 전극을 갖는 전자 부품이 설치되는 접속 장치에 있어서,

   주석을 함유하는 합금으로 형성된 상기 전극이 접속되는 복수의 접속부가 형성되고, 각각의 접속부에는 상기 전극에 탄성력을 가지고 압접되는 도전성의 탄성 아암이 형성되어 있으며,

   상기 탄성 아암은 도전성의 심부와 이 심부의 표면에 피복되어 상기 전극과의 접촉 저항을 저하시키는 피복층을 가지고 있고, 이 피복층이 백금족 금속층으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 접속 장치.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 백금족 금속층의 막 두께가 0.1㎛ 이상이고 2㎛ 이하인 접속 장치.
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

   상기 백금족 금속층의 표면에 두께가 0.06㎛ 이하의 금층이 형성되어 있는 접속 장치.
4. 제 1 항에 있어서,

   상기 심부는 구리 또는 구리 합금과, 니켈 또는 니켈 합금 중 적어도 일방으로 형성되어 있는 접속 장치.
5. 제 1 항에 있어서,

   상기 접속부에 대해서, 상기 전극을 갖는 상기 전자 부품의 장착과 이탈이 반복적으로 실시되는 검사용인 접속 장치.
6. 제 5 항에 있어서,

   상기 전자 부품이 장착된 상태에서 온도가 상승되고, 전자 부품의 내부 회로의 검사가 실시되는 접속 장치.
7. 제 1 항에 있어서,

   상기 백금족 금속층은 팔라듐의 도금층인 접속 장치.

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