JP5861423B2 - コンタクトプローブ及びそれを備えた半導体素子用ソケット - Google Patents

Description

本発明は、半導体素子と検査装置との間を電気的に接続するコンタクトプローブ及びコンタクトプローブを備えた半導体素子用ソケットに関する。

従来、電極部として半田ボールや半田バンプを有するＩＣ（集積回路）パッケージなどの半導体素子と検査装置の検査回路基板との間を電気的に接続する接続子としてコンタクトプローブが配設された半導体素子用ソケットが提供されている。この種の半導体素子用ソケットに配設されたコンタクトプローブとしては、ＩＣパッケージの半田ボールに接触するプランジャと、半田ボールに所定の圧力で接触させるための弾性付勢力をプランジャに与えるコイルバネとから構成されるものが用いられている（例えば、特許文献１，２参照）。

コンタクトプローブは、板状または円柱状に形成されたプランジャの先端に、複数の鋭利な接点部を有する接触子を備えている。そして、コイルバネによる弾性付勢力によりプランジャの接触子が電極部に点接触して突き刺さることにより酸化被膜が破られて良好な接続を得ることができる。

特開２００４−１５２４９５号公報 特開２００３−１６７００１号公報

通常、図１１に示すように、例えばコンタクトプローブ１１０のプランジャ１１１は、ベリリウム銅等のＣｕ合金である母材１１２上の表面に、Ｎｉメッキである下地メッキ層１１３と、さらにその下地メッキ層１１３の上にＡｕ合金である最表メッキ層１１４が形成されている。下地メッキ層１１３は母材１１２との親和性や密着性に優れ、最表メッキ層１１４は耐磨耗性や耐腐食性に優れている。
しかしながら、コンタクトプローブ１１０の最表メッキ層１１４の導体抵抗が大きく、例えば２アンペア以上の大電流が流れると発熱量が大きくなり、発熱温度が上昇して検査する半導体素子に影響を及ぼす可能性がある。

本発明の目的は、コンタクトプローブの導体抵抗を小さくして、発熱量を低減することができるコンタクトプローブ及びそれを備えた半導体素子用ソケットを提供することにある。

上記課題を解決することのできる本発明のコンタクトプローブは、先端に半導体素子の電極部が接触される上部接触子を有する第１プランジャと、検査用基板の電極部に接触される下部接触子を有する第２プランジャと、筒状のバレルに収容され、前記第１プランジャと前記第２プランジャとを互いに離間する方向へ付勢する弾性部材と、を備えたコンタクトプローブであって、前記第１プランジャ、前記第２プランジャ、前記バレルの内周部および外周部、前記弾性部材は、その母材表面に下地層、中間層および最表層からなる３層のメッキ層を有し、該中間層のメッキ層が、９９％質量以上の金、銀、および、銅からなる群のうちから選択されたいずれか一つの金属で形成され、該最表層が、前記中間層のメッキ層の耐腐食性に比して優れた耐腐食性を有するとともに、該中間層のメッキ層の硬度よりも高い硬度を有する金属で形成されることを特徴とする。

前記最表層が、金合金、パラジウム、ロジウム、硬質金、白金からなる群のうちから選択されたいずれか一つの金属で形成されてもよい。

前記下地層は、前記母材表面と親和性および密着性に優れたニッケルメッキ層であってもよい。

本発明のコンタクトプローブにおいて、前記弾性部材は、筒状のバレルに収容された複数のコイルバネからなり、少なくとも第１コイルバネと、該第１コイルバネ内に収容された第２コイルバネとを備えていても良い。

本発明のコンタクトプローブにおいて、前記第２コイルバネは、前記第１コイルバネの巻き方向とは逆の巻き方向に収容されていても良い。

本発明の半導体素子用ソケットは、上記の何れかのコンタクトプローブを備え、半導体素子の電極部と前記検査用基板の電極部とを、前記コンタクトプローブを介して導通させることを特徴とする。

本発明のコンタクトプローブによれば、最表層よりも体積抵抗率が低い導電材料で形成された中間層を設けることで、極端な断面積の増加によるコンタクトプローブの大型化を伴わずに、コンタクトプローブの固有抵抗（導体抵抗）を小さくして、発熱量を低減することができる。
また、本発明の半導体素子用ソケットによれば、半導体素子の電極部と検査用基板の電極部とを、前記構成のコンタクトプローブを介して大電流でも確実に導通させることができる。これにより、半導体素子用ソケット内の温度上昇を抑えることができ、多数回にわたり信頼性の高い半導体素子の検査を行うことができる。

本発明に係るコンタクトプローブの第１実施形態を示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。 図１（ｂ）の縦断面図である。 図２のプランジャの断面図であって、（ａ）は断面図、（ｂ）は（ａ）の拡大図である。 本発明に係るコンタクトプローブの第２実施形態を示す断面図である。 本発明に係るコンタクトプローブの第３実施形態を示す断面図である。 図５の縦断面図である。 本発明に係る半導体素子用ソケットの構造の一例を示す断面図である。 図７の半導体素子用ソケットの動作を示す断面図である。 本発明に係るコンタクトプローブの実施例１の実験結果を示し、通電電流と温度上昇との関係を示すグラフである。 本発明に係るコンタクトプローブの実施例２の実験結果を示し、通電電流と温度上昇との関係を示すグラフである。 従来のコンタクトプローブにおけるプランジャの部分拡大断面である。

以下、本発明に係るコンタクトプローブ及びそれを備えた半導体素子用ソケットの第１の実施形態を図１〜図３を参照して説明する。

図１（ａ）および（ｂ）に示すように、本実施形態に係るコンタクトプローブ１０は、導電性を有する筒状の金属材料から形成されたバレル１１、導電性を有する略棒状の金属材料から形成された第１プランジャ１２および第２プランジャ１３を備えている。第１プランジャ１２は、バレル１１の上方側から突出しており、その上端に半導体素子の電極部が接触する上部接触子１４を有している。また、第２プランジャ１３は、バレル１１の下方側から突出しており、その下端に検査用基板の電極部に接触する下部接触子１５を有している。

図２に示すように、コンタクトプローブ１０は、バレル１１内に第１プランジャ１２と第２プランジャ１３とを互いに離間する方向へ付勢する弾性部材であるコイルバネ１８が収容されている。コイルバネ１８は、バレル１１の内径より僅かに小さい外径であり、バレル１１内で第１プランジャ１２のプランジャ本体１６の下端と当接すると共に、第２プランジャ１３のプランジャ本体１７の上端と当接している。

プランジャ１２，１３の母材は、導電性材料であるベリリウム銅等のＣｕ合金または炭素工具鋼である。一般的に、Ｃｕ合金の体積抵抗率は５〜１０μΩｃｍ、鋼材の体積抵抗は１０〜２０μΩｃｍと比較的高く、固有抵抗（導体抵抗）は大きい。
なお、プランジャ１２，１３は、旋盤加工で形成可能な形状なので、金型等の専用治工具類を必要とせず、大量生産を可能であり、工数やコストの削減と生産性の向上を図ることができる。

図３（ａ）および（ｂ）に示すように、本実施形態のコンタクトプローブ１０は、丸棒状の第１プランジャ１２および第２プランジャ１３（ここでは第１プランジャ１２を例に説明する）において、少なくとも上部接触子１４の母材２１表面に、約３μｍの下地層２２、約２〜４μｍの中間層２３および約１μｍの最表層２４からなる３層のメッキ層で表面処理されている。下地層２２は母材２１との親和性や密着性に優れ、最表層２４は耐磨耗性や耐腐食性に優れている。これに対して、中間層２３は、発熱を低減して温度上昇を抑えるのに優れている。なお、第１プランジャおよび第２プランジャ１３は、筒状であっても良い。

具体的には、下地メッキ層２２はＮｉメッキである。Ｎｉメッキは、例えばベリリウム銅等のＣｕ合金である母材２１との密着性に優れている。そのＮｉメッキ上に中間メッキ層２３として、９９質量％以上のＡｕ、ＡｇまたはＣｕ（以下、単にＡｕ、Ａｇ、Ｃｕと云う）の何れかのメッキ層が形成される。その中でも体積抵抗が低く比較的安価なＡｇメッキがより好ましい。さらに、中間メッキ層２３は、純Ａｕ、純Ａｇまたは純Ｃｕの何れかのメッキ層で形成されることがより好ましい。なお、ここで云う「純」とは合金ではなく、不純物を実質的に除去した単一金属である。例えば、Ａｕ、ＡｇおよびＣｕは９９．９質量％以上である。

このＡｕ、ＡｇおよびＣｕは、体積抵抗が低い優良な導電性材料であり、Ａｕの体積抵抗率は２．４μΩｃｍ程度、Ａｇの体積抵抗率は１．５μΩｃｍ程度、Ｃｕの体積抵抗率は１．７μΩｃｍ程度と低く、固有抵抗（導体抵抗）は小さい。このようにプランジャ１２，１３の母材上に形成する中間メッキ層２３にＡｕ、ＡｇまたはＣｕ等の固有抵抗（導体抵抗）が最表メッキ層２４よりも小さいものを使用することで、極端な断面積の増加を伴わずにコンタクトプローブ１０の固有抵抗（導体抵抗）を小さくして、発熱量を低減することができる。

中間メッキ層２３の上に形成される最表メッキ層２４は、中間メッキ層よりも硬度が高く耐磨耗性が優れたＡｕ合金メッキである。なお、Ａｕ合金（例えばＡｕ−Ｃｏ、Ａｕ−Ｎｉなど）メッキに限らず、Ａｕよりも耐磨耗性や耐腐食性に優れているＰｄ（パラジウム）、Ｒｈ（ロジウム）、白金やＡｕよりも低純度の硬質金などでも良い。Ａｕ−Ｃｏ、Ａｕ−ＮｉなどのＡｕ合金は、Ａｕの固有抵抗（導体抵抗）より高い導電性材料を添加しているため、Ａｕの体積抵抗率よりも高くなる。なお、本実施形態のコンタクトプローブ１０では、第１プランジャ１２と第２プランジャ１３のみに中間メッキ層２３を形成したが、バレル１１やコイルバネ１８にも中間メッキ層２３を形成しても良い。

次に、本発明に係るコンタクトプローブの第２の実施形態を図４に基づいて説明する。

上記第１の実施形態と異なる点は、コイルバネが２重構成である点と、コンタクトプローブを構成するバレル、プランジャおよびコイルバネのメッキ層に中間層を有している点である。なお、上記第１の実施形態と同一構成の部分には同一符号を付すことで、構成および作用の説明は省略する。

図４に示すように、本実施形態に係るコンタクトプローブ３０は、筒状の導電性材料からなるバレル１１、略棒状の導電性材料からなる第１プランジャ１２および第２プランジャ１３を備えている。また、コンタクトプローブ３０は、バレル１１内に第１プランジャ１２と第２プランジャ１３を互いに離間する方向へ付勢する弾性部材であるコイルバネ３１が収容されている。

本実施形態のコンタクトプローブ３０は、コイルバネ３１が大径の第１コイルバネ３２と、第１コイルバネ３２内に収容された小径の第２コイルバネ３３とからなる２重構成のコイルバネである。コイルバネ３１は、第２コイルバネ３３が第１コイルバネ３２の巻き方向とは逆の巻き方向に収容されている。これにより、コイルバネ３１の断面積を増加させ、コンタクトプローブ３０の固有抵抗（導体抵抗）を一層小さくすることができる。また、コイルバネを２重に組み込むことで、第１プランジャ１２および第２プランジャ１３との接触力を増加させることができ、安定した接点抵抗を得ることができる。なお、コイルバネ３１は、２重構成に限らず、３重以上の構成でも良い。

また、本実施形態のコンタクトプローブ３０は、バレル１１、第１プランジャ１２、第２プランジャ１３およびコイルバネ３１の全ての部材が図３に示したように、母材２１上にメッキ層を有し、下地メッキ層２２と最表メッキ層２４との間に中間メッキ層２３を有している。第１プランジャ１２、第２プランジャ１３およびバレル１１の中間メッキ層２３は、上記第１の実施形態で説明したものと同じ構成および作用効果を有している。なお、バレル１１の内周面側にも同じメッキ層を有している。

バレル１１の母材は、導電性材料である黄銅またはリン青銅等のＣｕ合金であり、体積抵抗率は５〜１０μΩｃｍ程度と比較的高く、固有抵抗（導体抵抗）は大きい。また、コイルバネ３１の母材は、第１コイルバネ３２および第２コイルバネ３３とも同じであり、発熱しても溶融し難い耐熱ステンレス線やタングステン線である。コイルバネ３１の母材を、溶融温度が高い耐熱ステンレス線やタングステン線にすることで、大電流が流れて発熱しても、コイルバネ自体が容易に溶融することはなく、多くの大電流を流すことができる。

コイルバネ３１のメッキ層は、下地メッキ層２２が約１μｍ程度のＮｉメッキであり、最表メッキ層２４が約０．１μｍ程度のＡｕ合金メッキである。この下地メッキ層２２と最表メッキ層２４との間に、約０．５〜４μｍ程度の中間メッキ層２３を有している。この中間メッキ層２３は、Ａｕ、ＡｇまたはＣｕの何れかであり、体積抵抗が低く比較的安価なＡｇメッキがより好ましい。

次に、本発明に係るコンタクトプローブの第３の実施形態を図５〜図６に基づいて説明する。

上記第１および第２の実施形態と異なる点は、上部接触子を有する第１プランジャとバレルが一体的に形成されている点である。なお、上記第１および第２の実施形態と同一構成の部分には同一符号を付すことで、構成および作用の説明は省略する。

図５および図６に示すように、本実施形態に係るコンタクトプローブ４０は、第１プランジャ４２、第２プランジャ４３およびコイルバネ３１から構成されている。第１プランジャ４２は、内部に弾性部材を収容するバネ収容部４８を有すると共に、上端に半導体素子の電極部が接触する上部接触子４５を一体的に有している。また、第２プランジャ４３は、プランジャ本体４７の下端に第１プランジャ４２の下方側から突出して、検査用基板の電極部に接触する下部接触子４６を有している。なお、第２プランジャ４３側にバネ収容部４８を一体的に形成しても良い。

また、コイルバネ３１は、上記第２の実施形態と同じ２重構成のコイルバネである。コイルバネ３１は、第１プランジャ４２のバネ収容部４８内に収容されている。このコイルバネ３１の下端はプランジャ本体４７の上端に当接しており、第２プランジャ４３を下方に付勢している。

本実施形態のコンタクトプローブ４０は、第１プランジャ４２の外周面およびバネ収容部４８の内周面、第２プランジャ４３およびコイルバネ３１の全ての部材が図３に示したように、母材２１上にメッキ層を有し、下地メッキ層２２と最表メッキ層２４との間に中間メッキ層２３を有している。この中間メッキ層２３は、上記第１および第２の実施形態で説明したものと同じ構成および作用効果を有している。

次に、複数本のコンタクトプローブを備えた半導体素子用ソケット５０について説明する。なお、ここでは、上記第１の実施形態で説明したコンタクトプローブ１０を使用した場合を一例に説明するが、別の形態のコンタクトプローブ３０，４０も使用できることは言うまでもない。

図７に示すように、半導体素子用ソケット５０は、プローブ収容ブロック５２を有し、検査用基板５１上に、位置決めピン５３によって位置決めされて締結ボルト５４によって固定されている。プローブ収容ブロック５２は、それぞれ絶縁性を有する接触子配列基板５５とソケット基板５６とから構成されている。

ソケット基板５６には、その下面側に、配列基板収容凹部５７が形成されており、この配列基板収容凹部５７に接触子配列基板５５が嵌め込まれ、位置決めピン５８で位置決めされてビス５９で締結固定されている。また、ソケット基板５６には、複数のプローブ収容孔６１が形成されており、これらのプローブ収容孔６１には、下方側からコンタクトプローブ１０が挿し込まれて収容されている。

ソケット基板５６に固定された接触子配列基板５５には、各プローブ収容孔６１に対応する複数の接触子保持孔６３が形成されている。これらの接触子保持孔６３には、各プローブ収容孔６１に収容されたコンタクトプローブ１０の下部接触子１５が挿入されている。これにより、コンタクトプローブ１０の下部接触子１５が、接触子保持孔６３によって保持されて検査用基板５１の所定位置に配置されている。検査用基板５１には、コンタクトプローブ１０の下部接触子１５の配置位置に、電極部（図示省略）が設けられており、それぞれのコンタクトプローブ１０の下部接触子１５が導通接触されている。

ソケット基板５６には、その上面側にソケット凹部６４が形成されている。このソケット凹部６４には、複数の半田ボール６５を下面側に有する半導体素子６７が上方側から収容可能とされている。

図８に示すように、上記構造の半導体素子用ソケット５０で半導体素子６７を検査する場合は、ソケット基板５６のソケット凹部６４へ半導体素子６７を収容させる。この状態で、押圧体６８で半導体素子６７を下方へ押圧すると、半導体素子６７がソケット凹部６４へ押し込まれる。これにより、各半田ボール６５が対応するコンタクトプローブ１０の上部接触子１４に近接し、その後、半田ボール６５が上部接触子１４に押し付けられて接触する。

このように、コンタクトプローブ１０の上部接触子１４に半田ボール６５が押し付けられると、コンタクトプローブ１０には、軸方向に沿う圧縮力が付与され、コイルバネ１８が圧縮される。したがって、コイルバネ１８の付勢力が大きくなり、この付勢力によってコンタクトプローブ１０の下部接触子１５が検査用基板５１の電極部に押し付けられる。これにより、半導体素子６７の電極部と検査用基板５１の電極部とがコンタクトプローブ１０を介して確実に導通され、半導体素子６７の検査が可能となる。

本実施形態に係るコンタクトプローブ１０を備えた半導体素子用ソケット５０によれば、半導体素子６７の電極部と検査用基板５１の電極部とを、コンタクトプローブ１０を介して導通させるので、コンタクトプローブの固有抵抗（導体抵抗）を小さくして、４〜５アンペアの大電流でも発熱量を低減することができる。

以上、説明したように上記実施形態のコンタクトプローブ１０，３０，４０は、先端に半導体素子６７の電極部が接触される上部接触子１４，４５を有する第１プランジャ１２，４２と、検査用基板５１の電極部に接触される下部接触子１５，４６を有する第２プランジャ１３，４３と、第１プランジャ１２，４２と第２プランジャ１３，４３とを互いに離間する方向へ付勢するコイルバネ１８，３１とを備えている。そして、少なくとも第１プランジャ１２，４２および第２プランジャ１３，４３は、その母材２１表面に下地層２２、中間層２３および最表層２４からなる３層のメッキ層を有し、該中間層２３が９９質量％以上のＡｕ、ＡｇまたはＣｕの何れかである。

前記構成のコンタクトプローブ１０，３０，４０によれば、体積抵抗率の小さいＡｕ、ＡｇまたはＣｕの何れかであるので、コンタクトプローブ自体の固有抵抗（導体抵抗）を小さくして、発熱量を低減することができる。これにより、半導体素子用ソケット内の飽和温度を下げて温度上昇（外気温度−飽和温度）を抑えることができる。

また、上記実施形態のコンタクトプローブ３０，４０は、コイルバネ３１が筒状のバレル１１または第１プランジャ４２内に収容された複数のコイルバネからなり、少なくとも第１コイルバネ３２と、この第１コイルバネ３２内に収容された第２コイルバネ３３とを備えている。

前記構成のコンタクトプローブ３０，４０によれば、コイルバネ３１全体の断面積を増加させ、コンタクトプローブ３０，４０の固有抵抗（導体抵抗）を一層小さくすることができる。また、コイルバネ３１を２重以上に組み込むことで、第１プランジャ１２，４２および第２プランジャ１３，４３との接触力を増加させることができ、安定した接点抵抗を得ることができる。

また、上記実施形態のコンタクトプローブ３０，４０は、第２コイルバネ３３が第１コイルバネ３２の巻き方向とは逆の巻き方向に収容されている。
前記構成のコンタクトプローブ３０，４０によれば、互いのコイルバネ３２，３３が絡み合うのを防止することができる。また、第１プランジャ１２，４２および第２プランジャ１３，４３に対して均等な接触力を得ることができる。

上記実施形態のコンタクトプローブを備えた半導体素子用ソケット５０は、コンタクトプローブ１０，３０，４０が、先端に半導体素子６７の電極部が接触される上部接触子１４，４５を有する第１プランジャ１２，４２と、検査用基板５１の電極部に接触される下部接触子１５，４６を有する第２プランジャ１３，４３と、第１プランジャ１２，４２と第２プランジャ１３，４３とを互いに離間する方向へ付勢するコイルバネ１８，３１と、を備えている。そして、このコンタクトプローブ１０，３０，４０は、少なくとも第１プランジャ１２，４２および第２プランジャ１３，４３が、その母材２１表面に下地層２２、中間層２３および最表層２４からなる３層のメッキ層を有し、該中間層２３が９９質量％以上のＡｕ、ＡｇまたはＣｕの何れかである。
半導体素子用ソケット５０は、このコンタクトプローブ１０，３０，４０を介して、半導体素子６７の電極部と検査用基板５１の電極部とを導通させる。

前記構成の半導体素子用ソケット５０によれば、コンタクトプローブ１０，３０，４０が、体積抵抗率の小さいＡｕ、ＡｇまたはＣｕの何れかであるので、コンタクトプローブ自体の固有抵抗（導体抵抗）を小さくして、４〜５アンペアの大電流でも発熱量を低減することができる。これにより、半導体素子用ソケット５０内の飽和温度を下げてソケット内の温度上昇を抑えることができる。

なお、本発明に係るコンタクトプローブ及びそれを備えた半導体素子用ソケットは、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、コイルバネがバレル内またはプランジャ内に収容されているコンタクトプローブを例に説明したが、コイルバネが露出しているコンタクトプローブであっても良い。
この場合、コンタクトプローブの構成は、半導体素子の電極部と接する上部接触子、検査用基板の電極部と接する下部接触子と、上部接触子と上部接触子を互いに離間する方向へ付勢するコイルバネの３部品であり、コイルバネの周囲を覆うバレルのような筒状部材は存在しない。

次に、本発明に係るコンタクトプローブ及びそれを備えた半導体素子用ソケットの実施例について説明する。

（実施例１）
コンタクトプローブ：第１プランジャ、第２プランジャ、バレル、コイルバネの４部品構成で、第１、第２プランジャが中間層を含めた３層メッキを有し、バレルとコイルバネは通常の２層メッキである。
プランジャのメッキ層：中間層；２μｍのＡｇメッキ、下地層；３μｍのＮｉメッキ、最表層；１μｍのＡｕ合金メッキ
（実施例２）
コンタクトプローブ：第１プランジャ、第２プランジャ、バレル、２重コイルバネの５部品構成で、５部品全てが中間層を含めた３層メッキを有する。
プランジャとバレルのメッキ層：中間層；２μｍのＡｇメッキ、下地層；３μｍのＮｉメッキ、最表層；１μｍのＡｕ合金メッキ
コイルバネのメッキ層：中間層；１μｍのＡｇメッキ、下地層；１μｍのＮｉメッキ、最表層；０．１μｍのＡｕ合金メッキ

（比較例）
コンタクトプローブ：第１プランジャ、第２プランジャ、バレル、コイルバネの４部品構成で、４部品全てが通常の２層メッキである。
プランジャとバレルのメッキ層：下地層；３μｍのＮｉメッキ、最表層；１μｍのＡｕ合金メッキ
コイルバネのメッキ層：下地層；１μｍのＮｉメッキ、最表層；０．１μｍのＡｕ合金メッキ

上記実施例１，２と比較例の各コンタクトプローブを半導体素子用ソケットに組み込み、各コンタクトプローブの固有抵抗（導体抵抗）と検査用基板の電極部との接触力（荷重）を測定すると共に、通電電流を変えて所定時間後のソケット内の飽和温度を測定して、ソケット内の温度上昇（飽和温度と外気温との差）を求め、その温度上昇率を比較する。その結果を表１、図９および図１０に示す。

表１に示すように、各コンタクトプローブの固有抵抗（導体抵抗）は、実施例１および実施例２の方が比較例と比べて小さくなっており、特に全ての部品に中間メッキ層を有する実施例２は、比較例の３分の１、実施例１の２分の１まで小さくなることが分かる。また、検査用基板の電極部に対する荷重（接触力）は、２重コイルバネを有する実施例２が、比較例と比べて２倍以上大きくなっていることが分かる。

また、図９および図１０に示すように、実施例１の温度上昇は、比較例に比べて上昇率が低くなっていることが分かる。また、全ての部品に中間メッキ層を有する実施例２の温度上昇は、比較例に比べて顕著に上昇率が低くなっており、５アンペアの大電流が流れても温度上昇が３０℃以下に抑えられていることが分かる。したがって、２重以上のコイルバネを備えたコンタクトプローブの全ての部品にＡｇメッキである中間メッキ層を形成することで、確実な接触力が確保できると共に、コンタクトプローブの固有抵抗（導体抵抗）を確実に小さくすることができ、発熱量を顕著に低減することができることが分かる。

１０，３０，４０：コンタクトプローブ、１１：バレル、１２，４２：第１プランジャ、１３，４３：第２プランジャ、１４，４５：上部接触子、１５，４６：下部接触子、１８，３１：コイルバネ（弾性部材）、２１：母材、２２：下地メッキ層、２３：中間メッキ層、２４：最表メッキ層、３２：第１コイルバネ、３３：第２コイルバネ、４８：バネ収容部、５０：半導体素子用ソケット、５１：検査用基板、５２：プローブ収容ブロック、６５：半田ボール（電極部）、６７：半導体素子

Claims (6)

1. 先端に半導体素子の電極部が接触される上部接触子を有する第１プランジャと、検査用基板の電極部に接触される下部接触子を有する第２プランジャと、筒状のバレルに収容され、前記第１プランジャと前記第２プランジャとを互いに離間する方向へ付勢する弾性部材と、を備えたコンタクトプローブであって、
   前記第１プランジャ、前記第２プランジャ、前記バレルの内周部および外周部、前記弾性部材は、その母材表面に下地層、中間層および最表層からなる３層のメッキ層を有し、該中間層のメッキ層が、９９％質量以上の金、銀、および、銅からなる群のうちから選択されたいずれか一つの金属で形成され、該最表層が、前記中間層のメッキ層の耐腐食性に比して優れた耐腐食性を有するとともに、該中間層のメッキ層の硬度よりも高い硬度を有する金属で形成されることを特徴とするコンタクトプローブ。
2. 前記最表層が、金合金、パラジウム、ロジウム、硬質金、白金からなる群のうちから選択されたいずれか一つの金属で形成されることを特徴とする請求項１記載のコンタクトプローブ。
3. 前記下地層は、前記母材表面と親和性および密着性に優れたニッケルメッキ層であることを特徴とする請求項１記載のコンタクトプローブ。
4. 請求項１に記載のコンタクトプローブであって、
   前記弾性部材は、筒状のバレルに収容された複数のコイルバネからなり、少なくとも第１コイルバネと、該第１コイルバネ内に収容された第２コイルバネとを備えていることを特徴とするコンタクトプローブ。
5. 請求項４に記載のコンタクトプローブであって、
   前記第２コイルバネは、前記第１コイルバネの巻き方向とは逆の巻き方向に収容されていることを特徴とするコンタクトプローブ。
6. 請求項１乃至請求項５のうちのいずれかに記載のコンタクトプローブを備え、前記半導体素子の電極部と前記検査用基板の電極部とを、前記コンタクトプローブを介して導通させることを特徴とする半導体素子用ソケット。

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