TW502390B - Contact structure and production method thereof and probe contact assembly using same - Google Patents

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TW502390B
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contactor
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substrate
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TW090120925A
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Yu Zhou
David Yu
Robert Edward Aldaz
Theodore A Khoury
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Advantest Corp
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Description

5D2390 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（1 ) 登JgJ頁域 本發明係關於接點結構及其製法以及使用接點結構之 探針接點組件。更特別地，本發明關於在垂直方向上具有 大量接觸器之接點結構。本發明又關於用於在半導體晶圓 上於水平方向上製造此大量接觸器並從要安裝於基底上的 晶圓上從垂直方向上移除接觸器以形成接點結構之方法， 接點結構舉例而言爲接點探件組件、探針卡、I C晶片、 或其它接點機構。 曼明背景 在測試諸如L S I及V L S I電路等高密度及高速電 裝置時，必須使用諸如具有大量接觸器的探針卡等高性能 接點結構。在其它應用中，接點結構可用於I C封裝以作 爲導線或端點。本發明係關於要用於測試L· S I及 V L S Γ晶片、半導體晶圓、半導體晶圓及晶片的預燒、 封裝半導體裝置、.電路板等等的測試及預燒之接點結構。 本發明也可應用至諸如I C晶片、I c封裝或其它電子裝 置的導線或端點接腳等其它目的。但是，爲了便於說明， 主要參考半導體晶圓測試，說明本發明。h 在待測試的半導體裝置爲半導體晶圓形式的情形中， I者如I C測試寺半導體測試系統通常連接至諸如自動晶 圓探測器等基底操作器，以自動地測試半導體晶圓。此實 施例顯示於圖1中，其中半導體測試系統具有測試頭 1 0 0，測試頭1 0 0 —般是在分離的殼中並以纜線束
(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -線， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4·規格（210X297公釐） -4- 5D2390 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（2 ) 1 1 0電連接至測試系統。測試頭1 0 0及基底操作器 4 0 0會藉由馬達5 1 0驅動的操縱器5 0 0之助而機械 地以及電地彼此連接。待測試之半導體晶圓會由基底操作 器4 0 0自動地提供至測試頭1 0 0的測試部份。 在測試頭1 0 0上，待測試的半導體晶圓會被供以半 導體測試系統產生的測試訊號。來自測試中的半導體晶圓 (形成於半導體晶圓上的IC電路）之結果輸出訊號會被 傳送至半導體測試系統。在半導體測試系統中，輸出訊號 會與預期的資料相比較以決定半導體晶圓上的IC電路是 否正確地作動。 在圖2中，測試頭1 0 0及基底操作器4 0 0會經由 介面元件1 4 0連接，介面元件1 4 0係由性能板1 2 0 組成，性能板1 2 0係電路板，具有對於測試頭的電軌跡 、同軸纜線、彈簧單高_及連接，器而言爲獨特之電路連接 .。測試頭1 0 0包含大量的印刷電路板1 5 0，對應於半 導體測試系統的測試頻道（測試接腳）之數目。每一印刷 電路板1 5 〇具有連接器1 6 0以容納性能板1 2 0的對 應接點端1 2 1。「.蛙式」環1 3 0安裝於性能板1 2 0 上以準確地決定相對於基底操作器4 〇 0之接觸位置。蛙 式環1 3 0具有經由同軸纜線連接至接點端1 2 1之大量 接腳141 ，舉例而言，接腳141可爲ZIF連接器或 彈簧單高蹺。 如圖2所示，測試頭1 〇 〇置於基底操作器4 Ό 0之 上並經由介面元件1 4 0機械地及電地連接至基底操作器
---l· 1 II ί#Μ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐）-5 _ 502390 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（3 ) 。在基底操作器4 0 0中，待測試之半導體晶圓3 0 0安 裝於夾具1 8 0上。在本實施例中，探針卡設於待測試之 半導體晶圓3 0 0之上。探針卡1 7 0具有大量的探針接 觸器1 9 0 (舉例而言，懸臂或針）以與測試中的半導體 晶圓3 0 0上的I C電路之電路端或接點墊等接觸目標接 觸。 探針卡17 0的電端子或接點插座（接點墊）會電地 連接至設於蛙式環13 〇上的接腳1 4 1。接腳1 4 1也 會藉由同軸纜線1 2 4連接至性能板1 2 0的接點墊 1 2 1，其中每一接點端1 2 1連接至測試頭1 0 0的印 刷電路板1 5 0。此外，印刷電路板1 5 0經由具有諸如 數佰個內部纜線之纜線1 1 0而連接至半導體測試系統。 在此配置之下，探針接觸器1 9 0接觸夾具1 8 0上 的半導體晶圓3 〇 0的表面（接觸目標）以將測試訊號施 加至半導體晶圓並接收來自晶圓3 0 0之結果輸出訊號。 來自測試中的半導體晶圓3 〇 0之結果輸出訊號會與半導 體測試系統所產生的預期資料相比較以決定半導體晶圓 3 0 0上的I C電路是否適當地執行。 圖3係圖2的探針卡1 7 0之底視圖。在本實施例中 ，探針卡1 7 0具有環氧樹脂環，也稱爲針或懸臂之多個 探針接觸器1 9 0安裝於環氧樹脂環上。當安裝半導體晶 圓3 0 0之夾具1 8 0於圖2中向上移動時，懸臂1 9 0 的尖梢會接觸晶圓3 0 0上的墊或突起（接觸目標）°懸 臂1 9 0的端部連接至接線19 4，接線1 9 4又連接至 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格{ 210X297公釐1 ΓβΤ I---^---^-------Ί--IT------0Φ----τ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 502390 A7 B7 五、發明説明（4 ) 形成於探針卡17 0中的傳輸線（未顯示）。傳輸線連接 至多個電極（接點墊）1 9 7，多個電極與圖2的彈簧單 高蹺接腳141枏通訊。 典型上，探針卡1 7 0係由多層聚醯亞胺基底構成， 多層聚醯亞胺基底在很多層上具有接地面、電源面、訊號 傳輸線。如同此技藝中所習知般，藉由平衡分佈參數，亦 即，聚醯亞胺的介電常數及導磁係數、探針卡內的訊號路 徑之電感及電容，以將每一訊號傳輸線設計成具有諸如 5 0 〇 hm之特徵阻抗。因此，訊號線係阻抗匹配線，建 立高頻傳輸頻寬以用於供應穩態之電流給晶圓3 0 0以及 供應暫態切換之裝置輸出所產生的高電流峰値。爲了移除 雜訊，電容器1 9 3及1 9 5會設於電源面與接地面之間 的探針卡1 7 0上。 探針卡1 7 0的等效電路顯示於圖4中以說明圖3的 探針卡中高頻性能的限制。如斷4A及4B所示，探針卡 1 7 0上的訊號傳輸線會從電極1 9 7、阻抗匹配的線條 1 9 6、接線1 9 4及針或懸臂（接點結構）1 9 0延伸 。由於接線1 9 4及針1 9 0非阻抗匹配，所以，如圖 4 C所示，這些部份在高頻頻帶作爲電感器L。由於接線 Γ 9 4與針1 9 0的整個長度約2 0 - 3 0 m m，所以， 當測試測試中的裝置之高頻性能時，會由電感器造成顯著 的限制。 限制探針卡1 7 0中的頻帶之其它因素在於圖4 D及 4 E中所示的電源及接地針。由於用於供應電力之串聯的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 502390 A7 ___ B7 _ 五、發明説明（5 ) 接線19 4及針19 0 (圖4D)以及用於使電力及訊號 接地之串聯的接線194及針190(圖4E)等同於上 述電感器，所以，嚴重地限制高速電流流動。 此外，電容器1 9 3及1 95係設於電力面與接地面 之間，以藉由濾除電源線上的雜訊及突波脈沖而確保待測 試的裝置之適當性能。電容器1 9 3具有諸如1 0 μ F之 相當大的値並能於需要時藉由開關以斷接電源線。電容器 1 9 5具有諸如〇 · 〇 1 # F等相當小的電容値並固定地 連接至D U Τ。這些電容器提供電源線上高頻耦合之功能 。換言之，電容器限制探針接觸器的高頻性能。 因此，諸如上述等最廣爲使用的探針卡會受限於約 2 0 0Μ Η ζ的頻寬，不足以測試近來的半導體裝置。在 工業上，未來考慮與測試器能力相當的頻寬是需要的，此 頻寬近來爲1 G Η ζ或更高的等級。此外，在工業上希望 探針卡能夠並行地處理諸如3 2個或更多之大量半導體裝 置，特別是記憶體，以增加生產力。 在傳統的技術中，如圖3所示之探針卡係以人工製作 ，造成品質不一。此品質不一包含尺寸、頻寬、接觸力量 及電阻等等之變異。在傳統的探針接觸器中，使得接點性 能不可靠之另一因素保溫度變化，在溫度變化時，探針接 觸器及測試中的半導體晶圓具有不同的溫度膨脹比例。因 此，在溫度變化時，它們之間的接觸位置會變化，不利於 接觸力量、接觸電阻及頻寬。因此，需要具有新觀念之接 點結構，以滿足下一世代的半導體測試技術之需。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格（210X29*7公釐) ~ ~ -----^-------訂—-----線 ---ίΗ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 502390 A7 ____ B7_ __ 五、發明説明（6 ) 發明槪沭 因此’本發明的目的係提供接點結構，其具有大量數 目的接觸器’以高頻寬、高接腳數及高接點性能以及高可 靠度，與接觸目標電接觸。 本發明的另一目的係提供諸如探針卡等接點結構以建 立用於測試半導體裝置等之電連接，其具有非常高的頻寬 以符合下一代半導體測試技術之測試需求。 本發明的又一目的係提供接點結構以在諸如測試半導 體裝置等應用中建立電連接，這些應用適用於同時平行地 測試大量數目的半導體裝置。 本發明的又一目的係提供接點結構及其組裝機器，組 裝機器係用於組裝置多個接點結構，以形成具有m需尺寸 的探針接點組件，探針接點組件具有所需數目的接觸器安 裝於其上。 本發明的又一目的係提供接點結構之製法，其以二維 方式在矽基底上製造大量數目的接觸器、從基底移除接觸 器並以三維方式安裝接觸器於接點基底上，以形成接點結 構。 本發明的又一目的係提供接點結構之製法，其以二維 方式在矽基底上製造大量數目的接觸器、傳送接觸器至黏 帶並從其上移除接觸器，以將接觸器安裝於接點基底上， 以形成接點結構。 在本發明中，用於測試測試中的裝置之接點結構係由 本紙張尺度適用中周國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) TgT · ----r----i ---J:——訂------— 線H---,-7 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 502390 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（7 ) 大量數目的接觸器形成，大量數目的接觸器係以半導體製 程中建立的微縮影技術製於矽基底的平面上。本發明的接 點結構也可作爲諸如I C導線及接腳等電子裝置元件。 本發明的第一態樣係用於與接觸目標建立電連接之接 點結構。接點結構係由接點基底及多個接觸器形成，在多 個接觸器中，每一接觸器具有實質平直的形狀。接觸器包 括梢部、基部、及彈簧部，梢部係以垂直方向突出以形成 接觸點，基部係插入於設在接點基底上的導孔，以致於接 觸器的端部作爲在接點基底的底部表面處用於電連接之接 點墊，彈簧部係設於梢部與基部之間，當接觸器壓在接觸 目標上時，其會產生彈性接觸力。 本發明的另一態樣係在矽基底上以二維方式製造接觸 器並將其移離以建立接點結構之方法。製造方法包括下述 步驟： (a )在矽基底的表面上形成犧牲層； (b) 在犧牲層上形成光阻層； (c) 將光罩對齊於光阻層及以紫外光透過光罩而使 光阻層曝光，光罩包含接觸器的影像； (d )使接觸器的影像圖型顯影於光阻層的表面上； (e)以電鍍製程在光阻層上的圖型中形成導電材料 製成的第一層接觸器； (f )在第一層接觸器上重覆上述步驟（b) —（ e )以形成第二層或較高層的接觸器； (g )剝除光阻層； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -_ ——L——1——ίφ,---Γ--I訂——·————00 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 502390 A7 _B7 _ 五、發明説明（8 ) (h )以蝕刻製程移除犧牲層以致於接觸器與矽基底 分離；及 (i)將接觸器安裝於具有容納接觸器的端部之導孔 之接點基底上，以致於每一接觸器的至少一端作爲電連接 的接點墊。 本發明的又一態樣係接觸器之另一製造方法，其以二 維方式於矽基底上製造接觸器並將接觸器傳送至膠帶及自 膠帶將其移除以建立接點結構。製造方法包括下述步： (a )在矽基底的表面上形成犧牲層； (b )在犧牲層上形成光阻層； (c)將光罩對齊於光阻層及以紫外光透過光罩而使 光阻層曝光，光覃包含接觸器的影像； (d )使接觸器的影像圖型顯影於光阻層的表面上； (e )以電鍍製程在光阻層上的圖型中形成導電材料 製成的第一層接觸器； (f )在第一層接觸器上重覆上述步驟（b ) —（ e )以形成又一層接觸器； (g )剝除光阻層； (h) 將膠帶置於接觸器上以致於接觸器的上表面附 著於膠帶； (i) 以蝕刻製程移除犧牲層以致於接觸器與矽基底 分離；及 (j) 將接觸器安裝於具有容納接觸器的端部之導孔 之接點基底上，其中每一接觸器的至少一端作爲電連接的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) _ ” _ -----：-----—0t---Γ-——訂------線·. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 502390 A7 ____ B7__ 五、發明説明（9 ) 接點墊。 本發明的又一態樣係接觸器之製造方法，其以二維方 式於矽基底上製造接觸器並將接觸器傳送至膠帶。製造方 法包括下述步驟： (a ) 在介電基底上形成導電材料製成的導電基底； (b) 在導電基底上形成光阻層； (c )將光罩對齊於光阻層及以紫外光透過光罩而使 光阻層曝光，光罩包含接觸器的影像； (d )使接觸器的影像圖型顯影於光阻層的表面上； (e)以電鍍製程在光阻層上的圖型中形成導電材料 製成的第一層接觸器； (f )在第一層接觸器上重覆上述步驟（b ) —（ e )以形成又一層接觸器； (g )剝除光阻層； (h )將具有接觸器的導電基底自介電基底剝離； (i )將膠帶置於導電基底上的接觸器上，以致於接 觸器的上表面黏著於膠帶，其中接觸器與膠帶之間的黏著 強度大於接觸器與導電基底之間的黏著強度； (j )剝離導電基底，以致於膠帶上的接觸器與導電 基底分離；及 (k )將接觸器安裝於具有導孔之接點基底上，以致 於接觸器端部自接觸基底的反面突出。 本發明的又一態樣係包含本發明的接點結構之探針接 點組件。探針接點組件係由接點基底、探針卡、及接腳區 本紙張尺度適用中周國家標準(CNS > A4規格《210 X297公釐) _12· " -----：---1--.I----：---訂--------線·--:ί^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 502390 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（10 ) 塊所形成’接點基底具有多個安裝於其表面上的接觸器， 探針卡用於安裝接點基底及在接觸器與設於探針卡上的電 極之間建立電通訊，接腳區塊具有多個接點接腳以便當接 腳區附著至探針卡時於探針卡與半導體測試系統之間交介 〇 接觸器垂直地安裝於接點基底的水平表面上，其中接 觸器具有實質的平直狀。每一接觸器包括梢部、基部、及 彈簧部，梢部以垂直方向突出以形成接點，基部插入於接 點基底上對應的導孔，彈簧部設於接腳部與基部之間，當 接點結構壓在接觸目標上時產生彈性接觸力。彈簧部具有 曲線的、傾斜的、曲折狀或鋸齒狀以施加接觸力，而基部 的上表面從接點基底的表面突出並作爲與外部元件電連接 的接點墊。 根據本發明，接點結構具有非常高的頻帶以符合下一 代半導體技術的測試需求。由於大量數目的接觸器同時製 於基底上而無人工操作，所以能夠取得性能上一致的品質 、高可靠度及長的壽命以及低成本。此外，由於接觸器係 組裝於與待測試的裝置的材料相同之基底材料上，所以， 能夠補償溫度變化所造成的位置誤差。 此外，根據本發明，製造方法藉由使用相當簡單的技 術，能夠在矽基底上於水平方向上製造大量的接觸器。將 這些接觸器從基底移除並將其以垂直方向安裝於接點基底 上。本發明所製造的接點結構係低成本及高效率，並具有 高機槭強度及可靠度。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格< 210X297公釐） -u _ 一 ^ ---^---1TI------^----“ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 502390 A7 _B7 _ 五、發明説明（11 ) 圖式簡述 圖1係顯示基底操作器與具有測試頭之半導體測試系 統之間的結構關係。 圖2係顯示藉由介面元件以連接半導體測試系統的測 試頭至基底操作器之更詳細結構的實施例。 圖3係底部視圖，顯示具有傳統技術中用於安裝多個 探針接觸器（針或懸臂）之環氧樹脂環之探針卡的實施例 〇 圖4A - 4 E係電路圖，顯示圖3的探針卡的等效電 路。 圖5係顯示使用水平地製於矽基底上並垂直地安裝於 接點基底上之接點之本發明的接點結構的實施例。 圖6係顯示使用水平地製於矽基底上並垂直地安裝於 接點基底上之接點之本發明的接點結構的另一實施例。 圖7係顯示使用水平地製於矽基底上並垂直地安裝於 接點基底上之接點之本發明的接點結構的又一實施例。 圖8 A及8 B係顯示本發明的製造方法之基本觀念， 其中，大量數目的接觸器形成於矽基底的平坦表面上並自 其上移除以用於稍後的製程。 圖9 A - 9 I係顯示要於本發明的製程中製造及要用 於本發明的接點結構之接觸器的形狀之實施例。 圖1 0 A及1 0 B係顯示本發明的接觸器之特定實施 例，其中圖Γ 〇 A係接觸器的前視圖，而圖1 〇 B係接觸 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） --------1---：---訂-------線^-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 502390 A7 B7_ 五、發明説明（12 ) 器的側視器。 圖1 1 A及1 1 B係顯示本發明的接觸器之另一實施 例，其中圖1 1A係接觸器的前視圖，而圖1 1 B係接觸 器的側視圖。 圖1 2A及1 2 B係顯示本發明的接觸器之又—特定 實施例，其中圖1 2 A係接觸器的前視圖，而圖1 2 B係 接觸器的側視圖。 圖1 3 A及1 3 B係顯示本發明的接觸器之又一特定 實施例，其中圖1 3A係接觸器的前視圖，而圖1 3 B係 接觸器的側視圖。 圖14A—14L係顯示用於製造接觸器的本發明中 之製程的實施例。 圖15A—15D係顯示用於製造接觸器的本發明之 製程的另一實施例。 圖16 A — 1 6 N係顯示在基底的水平表面中製造接 點結構及傳送接觸器至中介板之製程的實施例。 圖1·7 A及1 7 B係顯示拾放機構的實施例，及其用 於拾取和置放接觸器於諸如多層矽基底等基底.上以產生本 發明的接點結構之製程。 圖1 8係剖面視圖，顯示使用本發明的接點結構作爲 待測試的半導體裝置與半導體測試系統的測試頭之間的介 面之探針接點組件的實施例。 圖1 9係剖面視圖，顯示使用本發明的接點結構作爲 待測試的半導體裝置與半導體測試系統的測試頭之間的介 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A视^ < 21GX297公釐)_ -j g · ~ " I---r----ί ---Ί--訂-------線 φ-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 502390 A7 __B7_ 五、發明説明（13 ) 面之探針接點組件的另一實施例。 圖2 0係剖面視圖，顯示使用本發明的接點結構作爲 待測試的半導體裝置與半導體測試系統的測試頭之間的介 面之探針接點組件的又一實施例。 圖21係顯示具有多層標準矽基底及本發明製程製造 的接觸器之本發明的接點結構之實施例。 圖2 2係透視圖，顯示本發明的多個接點結構，每一 接點結構均具有大量的接觸器以彼此組裝而構成所需尺寸 的探針接點組件。 圖2 3係本發明的接點結構之透視圖，其中多個接點 基底會彼此連接以建立具有所需尺寸、形狀及接觸器數目 之探針接點組件。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 說明 2 0 接點基底 2 0 1 接點結構區 2 0 2 接點結構區 2 2 1 矽晶圓 2 2 2 矽晶圓 2 2 3 矽晶圓 2 5 導孔 3 0 接觸器 3 0 1 接觸器 3 0 2 接觸器 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 502390 A7 B7 五、發明説明（14 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 0 3 接觸器 3 2 接合位置 3 4 凸緣狀部份 3 5 基部 4 0 基底 4 2 犧牲層 4 4 黏著增進層 4 6 導電層 4 8 光阻層 5 0 光罩 5 5 齒 6 5 凹部 7 0 溝槽 7 8 監視攝影機 8 0 拾取及置放機構 8 1 盤 8 2 盤 8 4 傳送機構 8 5 汲取臂 8 6 行動臂 8 7 行動臂 9 0 黏著構件 1 0 0 測試頭 1 1 0 纜線 I I I I I I I I I — I J 訂 _ I I I I ^ 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 17 - 502390 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（15 12 0 12 1 12 4 13 0 14 0 14 1 15 0 16 0 1 7 0 18 0 19 0 19 3 19 4 19 5 19 6 19 7 2 5 0 2 6 0 2 6 2 2 6 3 2 6 5 3 0 0 3 2 0 3 4 0 性能卡 接點端 同軸纜線 蛙式環 介面元件 接點接腳 印刷電路板 連接器. 探針卡 夾具 探針接觸器 電容器 接線 電容器 線條 電極 導電彈性體 探針卡 電極 連接軌跡 電極 晶圓 接點墊 基底 (請先閲讀背面之注意事項再填寫· 释· 寫本頁一 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 18- 502390 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（16 ) 3 4 2 種子 層 3 4 4 鉻一 鉻鎳 鐵合金層 3 4 6 導電 基底 3 4 8 光阻 層 3 5 0 光罩 4 0 0 基底 操作 器 5 0 0 操縱 器 5 1 0 馬達 較佳實 施 例詳述 圖5 -7係顯示本發明的接點結構之實施例。每一接 點結構係由接點基底2 0及接觸器3 0配置而成。在圖5 的實施例中，每一接觸器3 0 !以垂直方向實質地延伸並由 基部形成，基部係連接至接點基底2 0，接點較佳地爲尖 銳的，且基部與接點之間的曲折狀部份，以作爲接點彈簧 〇 在圖6的實施例中，每一接觸器3 0 2以垂直方向實質 地延伸並由連接至接點基底2 0的基部、分裂成二或更多 點且較佳地爲尖銳狀之接點、在基部與接點之間作爲接點 彈簧之鋸齒狀部份等所形成。 在圖7的實施例中，每一接觸器3 0 3以具有鉤狀的垂 直方向實質地延伸，並由連接至接點基底2 0的基部、較 佳地爲尖銳的且方向爲垂直方向之接點、以及位於基部與 接點之間以作爲接點彈簧之曲線部份ώ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公^. 19 . ---------1»—訂------~ 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 502390 A7 ___B7_ 五、發明説明（17 ) 圖5 — 7的每一接觸器3 0當接觸結構施壓在半導體 晶圓或印刷電路板3 0 0上的接點墊時，以主要源於水平 曲線部份（亦即接觸器的曲折狀、鋸齒狀或曲線部份）之 彈簧力產生接觸壓力。接觸壓力也在接觸器（接觸點）的 尖梢抵於接點墊3 2 0處產生摩擦效果。此摩擦效果當接 點摩擦接點墊3 2 0的氧化物表面以電接觸氧化物表面之 下的接點墊3 2 0之導電材料時，可提升接觸功效。 應注意，雖然僅參考一或二接觸器以說明接點結構及 其製造方法，但是，接觸器30:、3〇2及3〇3可交互 地使用並可依據本發明製造。此外，雖然僅對有限型式的 接觸器作詳細說明，但是，稍後也將參考圖9 - 1 3以說 明本發明的其它不同型式之接觸器。由於圖5 — 7及9 一 1 3中所示的本發明之接觸器係垂直地而非傾斜地安裝， 所以，在接點基底的水平表面上，大量數目的接觸器可以 安裝在接點基底的有限空間內。 圖8 A - 8 B係顯示用於製造這些接觸器之本發明的 基本構思。在本發明中，如圖8 A所示，接觸器3 0會以 水平方式（亦即，二維方式）製於基底4 0的平面上，基 底4 0係矽基底或其它介電基底。然後，從基底4 0移除 接觸器3 0以垂直地（亦即，三維方式）安裝於圖5 — 7 的接點基底2 0上，舉例而言，接點基底2 0可爲印刷電 路板、I. C晶片、或其它接點機構。 在圓8的實施例中，以水平方向製於矽或其它其介電 基底4 0的平面上之接觸器3 0會從基底4 0轉移至諸如 ϋ張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210Χ297公釐) :2〇 . ~ " ---------— ^l·---Ί——、玎------0Φ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 502390 A7 B7 五、發明説明（18 ) 膠帶、黏著膜或黏板（此後統稱爲「膠帶」或「中介板」 )等黏著構件9 0。藉由使用拾放機構，從膠帶上移除離 觸器30，以垂直方向（亦即，以三維方式）將其安裝於 圖5 — 7之諸如印刷電路板、I C晶片、或其它接點機構 等接點基底2 0上。 圖9 A — 9 I係顯示要以圖5 — 7所示的方式安裝於 接點基底上之本發明的接觸器之不同形狀的實施例。圖 9A — 9 E的實施例在自圖5 — 7的接點基底2 0的上表 面突出之一端處具有平坦基部並在另一端具有接點梢。圖 9 A - 9 E的接點梢具有不同形狀而以低接觸電阻與接觸 目標的表面接觸。圖9 D的實施例具有類彈簧的接點梢以 在垂直方向取得彈性。在形成探針組件時，如同將參考圖 1 9之說明所述般，較佳地使用導電彈性體以便當接觸器 接觸接觸目標時產生彈性彈簧力或彈性。 圖9F — 9 I的實施例於從圖5 — 7的接觸表面20 之上表面突出之基部上具有三角形頂部。圖9 A - 9 I的 每一接觸器實質上整體爲平直的並相對於接點基底的水平 表面爲實質垂直地安裝。類似於圖9A — 9 E的實施例， 圖9 F - 9 I之接點梢具有不同的形狀而以低接觸電阻與 接觸目標的表面接觸。在形成探針組件時，如同將參考圖 1 9之說明所述般，較佳地使用導電彈性體以便當接觸器 接觸接觸目標時產生彈性彈簧力或彈性。 圖1 0 A及1 0 B係顯示本發明的接觸器之特定實施 例，其中圖1 〇 A係前視圖，而圖1 〇 B係其側視圖。圖 本紙張尺度適用中周國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ,τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -22- 502390 A7 __B7 _ 五、發明説明（19 ) 1 0的接觸器具有基部、接點部份、及平直本體部份，基 部在安裝於圖5 - 7之接點基底2 0上時，基部的上端從 圖5 - 7之接點基底2 0的上表面突出，接點部份之下端 具有接點以與接觸目標的表面接觸，平直本體部份在基部 與接點部份之間，被插入於圖5 - 7的接點基底2 0中。 接點部份係爲曲折狀或鋸齒狀以便當壓在接觸目標上時作 爲彈簧。 在圖1 0 A的前視圖中，基部係於右及左方向上延伸 。在圖1 0 B的側視圖中，接點部份之尺寸比平直本體部 份或基部還薄，而能輕易地變形，藉以當壓在接觸目標時 施加彈力。由於二種不同的厚度，亦即用於接點部份之較 薄區以及用於本體和基部之較厚區，所以，在接觸器的製 程中，沈積導電材料二次或更多次以形成二層或更多層。 圖10的接觸器之尺寸的實施例爲：a = 1050 · 00 μιη、b = 330.00//m、 c = 200.00//m、 d = 5 0 · 0 0 // m、e = 1 5 0 · 0 0 " m、f = 20 · 00//m、g = 5 0 · 00/zm、以及 h = 2 0 . 0 0 /z m ° 圖1 1A及1 1 B係顯示本發明的接觸器之另一特定 實施例，其中圖1 1 A係前視圖，而圖1 1 B係其側視圖 。圖1 1的接觸器具有基部、接點部份、及平直本體部份 ，基部在安裝於圖5 - 7之接點基底2 0上時，基部的上 端從圖5 - 7之接點基底2 0的上表面突出，接點部份之 下端具有接點以與接觸目標的表面接觸，平直本體部份在 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格{ 210X 297公釐） 4 -----------------i^— — —J------^-------線· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 502390 A7 __B7 _ 五、發明説明（20 ) 基部與接點部份之間，被插入於圖5 - 7的接點基底2 0 中。接點部份係爲曲折狀或鋸齒狀以便當壓在接觸目標上 時作爲彈簧。 在圖1 1 B的側視圖中，基部具有最大的厚度以增加 與諸如圖1 8 — 2 0中所示的探針卡等外部元件相接觸之 頂部區。而且在圖1 1 B的側視圖中，接點部份之尺寸比 平直本體部份或基部還薄，而能輕易地變形，藉以當壓在 接觸目標時施加彈力。由於有三種不同的厚度，亦即用於 接點部份之第一厚度、用於本體部份之第二厚度、以及用 於基部之第三厚度，所以，在接觸器的製程中，沈積導電 材料三次或更多次。圖1 〇的接觸器之尺寸的實施例爲： a = l〇〇〇 · 〇〇/zm、b = l, 330 · 〇〇/zm、 c = 200 . 〇〇/zm, d = 50.00/zm、f = 20 · 〇〇//m、及 i=50· 00/im〇 圖1 2 A及1 2 B係顯示本發明的接觸器之又一特定 實施例，其中圖1 2 A係前視圖，而圖1 2 B係其側視圖 。圖1 2的接觸器具有基部、接點部份、及平直本體部份 ，基部在安裝於圖5 - 7之接點基底2 0上時，基部的上 端從圖5 — 7之接點基底2 0的上表面突出，接點部份之 下端具有接點以與接觸目標的表面接觸，平直本體部份在 基部與接點部份之間’被插入於圖5 - 7的接點基底2 0 中。接點部份係爲曲折狀或鋸齒狀以便當壓在接觸目標上 時作爲彈簧。 在圖1 2 A的前視圖中，基部係於右及左方向上延伸 >紙張尺度適用中國國家標準(€阳>八4規格（210父297公釐） 23- "" I. u I 11111 Aw11J n ^ «1111 I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) · 502390 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（21 ) 。在圖1 2 B的側視圖中，接點部份之尺寸比平直本體部 份或基部還薄，而能輕易地變形，藉以當壓在接觸目標時 施加彈力。本實施例的接點部份之厚度遠小於圖1 0及 1 1的實施例之厚度。由於有二種不同的厚度，所以，在 接觸器的製程中，沈積導電材料二次或更多次以形成二層 或更多層。圖1 2的接觸器之尺寸的實施例爲：a = 1050 · 00/im、b = 330· 00#m、c = 200.00em、d = 50.O0//m、e = 150.00#m、i = l〇.〇〇//m、g = 5 0· 00//m、以及 h=l〇 · 〇〇/zm。 圖1 3 A及1 3 B係顯示本發明的接觸器之又一特定 實施例，其中圖1 3 A係前視圖，而圖1 3 B係其側視圖 。圖1 3的接觸器具有基部、接點部份、及平直本體部份 ，基部在安裝於圖5 — 7之接點基底2 0上時，基部的上 端從圖5 - 7之接點基底2 0的上表面突出，接點部份之 下端具有接點以與接觸目標的表面接觸，平直本體部份在 基部與接點部份之間，被插入於圖5 — 7的接點基底2 0 中。接點部份具有獨特形狀，有二個環狀彈簧以便當壓在 接觸目標上時施加接觸力。 在圖1 3A的前視圖中，基部係於右及左方向上延伸 。在福1 3 B的側視圖中，接點部份之尺寸比平直本體部 份或基部還薄，而能輕易地變形，藉以當壓在接觸目標時 施加彈力。由於有二種不同的厚度，所以，在接觸器的製 程中，沈積導電材料二次或更多次以建立不同厚度。圖 本i張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐1 _ 24- 一 — ——III n I I I —J I 訂— I I I I I 絲 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 502390 A7 ___B7 _ 五、發明説明（22 ) 1 3的接觸器之尺寸的實施例爲·· a = 1050.00//m、b = 500.00em、c = 200.00/zm、d = 50.00#m、e = 1 5 0 . 0 0 // m . f = 20.00//m、g = 50 · 00//m、以及 h = 20 · OOem。 圖1 4A — 1 4 L係顯示製造本發明的接觸器3 0之 製程的實施例（舉例而言，圖7之接觸器3 〇3)。在圖 1 4 A中，犧牲層4 2係形成於基底4 0上，其典型上可 爲矽基底。也可使用其它介電基底，舉例而言，玻璃基底 及陶瓷基底。舉例而言，犧牲層4 2可經由諸如化學汽相 沈積（CVD)等沈積方法而由二氧化矽（S i 〇2)製成 。犧牲層4 2係要使接觸器3 0與矽基底於製程的最後階 段中分離。 如圖1 4 B所示，舉例而言，藉由沈積製程，在犧牲 層4 2上形成黏著增進層4 4。舉例而言，用於黏著增進 層44之材料的實施例包含厚度約200—1, 000埃 之鉻（Cr )及鈦（Ti)。黏著增進層44便於圖 1 4 C的導電層4 6黏著於矽基底4 0上。舉例而言，導 電層46係由銅（Cu)或鎳（N i )製成，厚度約 ;1， 000—5，000埃。導電層46係要建立用於稍 後階段之電鍍製程中。 在下一製程中，光阻層4 8係形成於導電層4 6上， 在光阻層4 8上有光罩5 0精確地對齊以如圖1 4 D所示 般受紫外光（U V )照射。光罩5 0顯示將顯影於光阻層 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐）-25 - ----------i^w—---：--—IT-------線· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 502390 A7 ___B7___ 五、發明説明（23 ) 4 8上之接觸器3 0的二維影像。如同此技藝中所習知般 ，可使用正或負光阻。假使使用正光阻，則由光罩5 0的 不透光部份遮蔽的光阻會於曝光之後硬化（固化）。光阻 的實施例包含Novo 1 ak ( Μ —間甲酚一甲醛）、 ΡΜΜΑ (甲基丙烯酸甲酯）、SU — 8及感光聚醯亞胺 。在顯影製程中，溶解及淸洗光阻的曝光部份，留下具有 開口或圖案” A ”之圖1 4 Ε的光阻層4 8。因此，圖 1 4 F的上視圖顯示具有接觸器3 0 3的影像（形狀）之光 阻層48上的圖型或開口” A” 。 在上述微縮影製程中，如同此技藝中所習知般，能夠 以電子束或X光取代U V光，以使光阻層4 8曝光。此外 ，也能夠藉由直接寫入電子束、X光或光源（雷射光）， 以使光阻4 8曝光，而將接點結構的影像直接地寫在光阻 層4 8上。 在光阻層4 8的圖型’’ A ”中沈積（電鍍）諸如銅（ Cu)、鎳（Ni)、鋁（A1)、铑（Rh)、鈀（ P d )、鎢（W )或其它材料、鎳鈷（N i C 〇 )合金或 其它合金組合，以形成如圖1 4 G所示的接觸器3 0。如 同稍後將說明般，較佳地，應該使用不词於導電層4 6的 材料之接觸材料，以使蝕刻特徵彼此相異。圖1 4 G中的 接觸器3 0之覆蓋電鍍部份會於圖1:4H的硏磨（平坦化 )製程中被移除。 重覆上述製程，以產生諸如圖1 〇 — 1 3所示的接觸 器，接觸器藉由形成二或更多導電層而具有不同厚度。亦 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格{ 210X297公釐） -26- ^ 訂 . 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 502390 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（24 ) 即，在形成第一層接觸器（導電材料）之後，假使需要時 ，重覆圖14D—14H之製程以在接觸器的第一層上形 成第二層或又一層。 在下一製程中，在如圖1 4 I中所示的光阻剝離製程 中，移除光阻層48。典型地，藉由濕化學處理，移除光 阻層4 8。其它剝離實施例爲丙酮爲基礎的剝離及電漿0 2 剝離。在圖1 4 J中，犧牲層4 2被蝕刻移除，以致於接 觸器3 0與矽基底4 0分離。執行另一蝕刻製程，以致於 黏著增進層4 4及導電層4 6會如圖1 4K所示般從接觸 器3 0移除。 選擇蝕刻條件以蝕刻層4 4及4 6，但不會蝕刻接觸 器3 0。換言之，如上所述，爲了蝕刻導電層4 6而不蝕 刻接觸器3 0，用於接觸器3 0之導電材料必須不同於導 電層4 6的材料。最後，如同圖1 4 L的立體圖所示般， 接觸器3 0會與任何其它材分離。雖然圖14 A — 14L 中的製程僅顯示一接觸器3 0，但是，在真正的製程中， 如圖8 A及8 B所示，可同時製造大量的接觸器。 圖1 5 A - 1 5 D係顯示用於製造本發明的接觸器之 製程的實施例。在本實施例中，膠帶（中介板）9 0倂入 於製程中以將接觸器3 0從矽基底4 0轉移至膠帶9 〇。 圖1 5 A - 1 5 D僅顯示具有黏帶9 0之製程的後段部份 〇 圖1 5 A係顯示等同於圖1 4 I中所示的製程，其中 於光阻剝離製程中移除光阻層4 8。然後，在圖1 5 A的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 27 _ ---------— 擎---,-I1T------暴 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -28 - 502390 A7 _B7 _ 五、發明説明（25 ) 製程中，膠帶（中介板）9 0也置於接觸器3 0的上表面 上，以致於接觸器3 0黏著至膠帶9 0。如同參考圖8 B 之上述所述般，在本發明中，膠帶（中介板）90包含諸 如黏膜及黏板等其它型式的黏著構件。膠帶9 0也包含吸 附接觸器3 0之任何構件，舉例而言，磁板或磁帶，電荷 板或電荷帶等等。 在圖1 5 B的製程中，犧牲層4 2會被蝕刻移除以致 於膠帶9 0上的接觸器3 0會與矽基底4 0分離。執行另 一蝕刻製程，以致於黏著增進層4 4及導電層4 6會如圖 1 5 C所示般從接觸器3 0移除。 如上所述般，爲了蝕刻導電層4 6而不蝕刻接觸器 3 0，用於接觸器3 0之導電材料必須不同於導電層的材 料。雖然圖1 5A— 1 5 C中的製程僅顯示一接觸器，但 是，在真正的製程中，可同時製造大量的接觸器。因此， 大量的接觸器3 0會轉移至膠帶9 0並如同圖1 5 D的上 視圖所示般與矽基底及其它材料分離。 圖1 6A — 1 6N係顯示用於製造接觸器3 0的製程 之又一實施例，其中接觸器會轉移至膠帶或中介板。在圖 1 6 A中，電鍍種子（導電）層3 4 2形成於基底3 0上 ’基底3 4 0典型上爲矽或玻璃基底。舉例而言，種子層 34 2係由銅（（：11)或鎳（1^:1)製成，厚度約 1，0 0 0 - 5 , 〇 0 0埃。舉例而言，藉由濺射，如圖 1 6 B所示，於種子層3 4 2上形成鉻-鉻鎳鐵合金層 3 4 4° 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（2U)X297公釐） ---------ίΛΎ---τ——訂---------線Φ- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -29 - 502390 A7 B7 五、發明説明（26 ) 在圖1 6 C中的下一製程中，於鉻一鉻鎳鐵合金層 3 4 4上形成導電基底3 4 6。舉例而言，導電基 底346係由厚度約100 — 130/zm的鎳鈷（Ni — C 0 )合金製成。在鈍化導電基底3 4 6之後，在圖 1 6D中厚度約1 〇〇 — 1 2 0/zm之光阻層348形成 於導電基底346上，並精確地對準光罩350,以致於 如圖1 6 E所示般光阻層3 4 8受UV光曝光。光罩 3 5 0顯示將顯影於光阻層3 48的表面上之接觸器3 0 的二維影像。 在顯影製程中，溶解及淸洗光阻，留下圖1 6 F的光 阻層3 4 8，其具有轉移自具有接觸器3 0的影像（舉例 而言，圖7的接觸器3 〇3)之光罩3 5 0的平板圖型。在 圖‘1 6 G的步驟中，於光阻層3 4 8上的平板圖型中電 鍍厚度約5 0 — 6 0 //m的接觸器材料。導電材料的實施 例，係鎳—銘(N i C 〇 )。鎳—鈷接觸器不會強力地黏 著至鎳-鈷製成的導電基底3 4 6。 重覆上述製程以藉由形成二或更多導電層而製造如圖 1 0 — 1 3所示具有不同厚度的接觸器。亦即，在形成第 一層接觸器之後，假使需要時，重覆圖1 6 D - 16 G的 製程以在接觸器的第一層上形成第二層或又一層。 在下一製程中，在如圖1 6 Η中所示的光阻剝離製程 中，移除光阻層3 4 8。在圖1 6 I中，導電層3 4 6被 剝離基底3 4 0上的鉻-鉻鎳鐵合金層3 4 4、導電基底 3 4 6係薄基底，接觸器3 0以相當微弱的黏著強度安裝 ϋ張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格{ 210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
502390 A7 B7 五、發明説明（27 ) 於其上。具有接觸器3 0之導電基底3 4 6的上視圖顯示 於圖1 Θ J中。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖1 6 K顯示膠帶（中介板）9 0置於接觸器3 0的 上表面之上的製程。膠帶9 0與接觸器3 0之間的黏著強 度大於接觸器3 0與導電基底3 4 6之間的黏著強度。因 此，當從可撓導電基底3 4 6轉移接觸器3 0至膠帶9 0 時，如圖1 6 L所示，接觸器1 6會從基底3 4 6轉移至 膠帶9 0。圖1 6M係顯示具有接觸器3 0於上之膠帶 9 0的上視圖，而圖1 6N係具有接觸器3 0於上之膠帶 9 0的剖面視圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1 7A及1 7B係顯示從膠帶（中介板）9 0拾取 接觸器3 0並將接觸器置於接點基底2 0上之製程的實施 例。圖17 A及1 7 B的拾取及置放機構有利地應用至參 考圖1 5A — 1 5D及圖1 6A - 1 6N所述之具有膠帶 之本發明的製程所產生的接觸器。圖1 7 A係顯示拾取及 置放操作的第一半部製程之拾取及置放機構8 0的前視圖 。圖1 7 B係拾取及置放機構8 0的前視圖，顯示拾取及 置放操作之第二半部製程。 在本實施例中，拾取及置放機構8 0包括用以拾取及 置放接觸器3 0之傳送機構8 4、允許傳送機構8 4於X 、孓及2方向上移動之行動臂86和87、可於叉、¥及 Z方向上調整位置之盤8 1和8 2、以及監視攝影機7 8 ，監視攝影機7 8具有C C D影像感測器於其中。傳送機 構8 4包含汲取臂8 5，以執行接觸器3 0的汲取（拾取 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐）_ 30 · 502390 A7 B7_ 五、發明説明（28 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) )及汲取釋放（置放）操作。舉例而言，汲取力係由諸如 真空等負壓所產生。汲取臂8 5以諸如9 〇度等預定角度 旋轉。 在操作時’具有接觸器3 0之膠帶9 0及具有接合位 置3 2 (或導？L)的接點基底2 〇定位於拾取及置放機構 8 0上的個別盤8 1和8 2上。如圖1 7 A所示，傳送機 構8 0會藉由汲取臂8 5的汲取力而從膠帶9 0拾取接觸 器3 0。在拾取接觸器3 〇之後，舉例而言，如圖1 7B 所示，汲取臂8 5會以9 0度旋轉。因此，接觸器3 0的 方向會從水平方向變成垂直方向。此定向機構僅爲實施例 ’且習於此技藝者知道有其它方式以改變接觸器的方向。 傳送機構8 0接著將接觸器3 0置於基底2 0上的接合位 ..置3 2 (或導孔）上。.藉由接合至表面或插入於導孔中， 接觸器3 0附著接點基底2 0。 ， ' 圖1 8係剖面視圖，顯示用於形成使用本發明的接點 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 結構之探針接點組件之整個堆疊結構的實施例。探針接點 組件作爲待測裝置（D U T )與諸如圖2所示的測試頭之 間的介面。在本實施例中，探針接點組件包含探針卡（路 由卡）260;及彈簧單高蹺塊（蛙式環）130，依圖 1 8中所示之次序設於接點結構上。接點結構係由安裝於 接點基底2 0上的多個接觸器3 0 i所配置。每一接觸器的 基部3 5於接點基底2 0的上表面突出作爲接點卡。 探針卡2 6 0、彈簧單高蹺接腳區1 3 0及接點結構 係機械地以及電地彼此連接，藉以形成探針接點組件。因 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格{ 210X297公釐) .31 · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 502390 A7 _B7 _ 五、發明説明（29 ) 此，產生從接觸器3 0 i的接點經過纜線1 2 4和性能卡 120 (圖2)至測試頭100之電路徑（圖2)。因此 ，當半導體晶圓3 0 0及探針接點組件互相施壓時，於 DUT (晶圓300上的接點墊320)與系統之間建立 電通訊。 彈簧單高蹺接腳塊（蛙式環）13 0等同於圖2中所 示者，其具有大量彈簧單高蹺接腳以在探針卡2 6 0與性 能板1 2 0之間交介。在彈簧單高蹺接腳的上端，諸如同 軸纜線等纜線會連接，以經過性能板1 2 0傳送訊號至圖 2中的測試頭1 0 0中的印刷電路板（接腳電子卡） 1 5 0。探針卡2 6 0在其上及下表面上具有大量電極 2 6 2及2 6 5。當組裝時，接觸器3 0的基部3 5接觸 電極2 62。電極262和265經由連接軌跡2 63連 接，以使接點結構的間距扇出而符合彈簧單高蹺接腳區 1 3 0中彈簧單高蹺接腳的間距。 圖1 9係剖面視圖，顯示使用本發明的接點結構之探 針接點組件的另一實施例。探針接點組件作爲待測裝置（ D U T )與諸如圖2中所示的測試頭之間的介面。在本實 施例中，探針接點組件包含導電彈性體2 5 0、探針卡 2 6 0、及設置於接點結構上的彈簧單高蹺接腳區（蛙式 環）1 3 0 〇 導電彈性體2 5 0設於接點結構與探針卡2 6 0之間 。當組裝時，接觸器3 0的基部3 5接觸導電彈性體 2 5 0。導電彈性體2 5 0係藉由補償接觸器3〇1的基部 本紙張尺度適财卵家踌（CNS ) ( 21GX297讀）~~" 一 .^ ： 訂 .. 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 502390 A7 _B7 _ 五、發明説明（30 ) 3 5與探針卡2 6 0的電極2 6 2之間的平坦度不規則性 或垂直間隙，以確保它們之間的電通訊。導電彈性體 2 5 0係於垂直方向具有大量導線之彈性片。舉例而言’ 導電彈性體2 5 0包括矽膠片及多列金屬絲（線）。金屬 絲（線）係設於圖1 9的垂直方向上，亦即，垂直於導電 彈性體2 5 0的水平片。金屬絲之間的間距實施例係 0 · 05mm或更少且矽膠片的厚度約爲0 · 2mm。此 導電彈性體係由日本Shin-Etsu Polymer有限公司製造，且可 於市場上取得。 圖2 0係剖面視圖，顯示使用本發明的接點結構之探 針接點組件的又一實施例。除了接點結構係由多個接點結 構（基底）區形成之外，探針接點組件基本上與圖1 9的 組件相同。此外，接點基底區係由多個堆疊在一起的標準 基底形成。舉例而言，圖2 0的接點結構係由均具有三個 矽標準基底2 2 :、2 2 2及2 2 3之二接點結構（基底） 區20ι及2〇2配置而成。 雖然僅顯示其中之一，但是，多個接觸器3 0 1可以以 每一接觸器3 0 1的端部插入基底2 2的導孔2 5 (圖2 1 )之方式附著至接點基底2 0。典型上，接點基底2 2係 由矽晶圓製成，但是，諸如陶瓷、玻璃、聚醯亞胺等等也 可使用。在較佳實施例中，接點基底2 2係具有諸如彼此 堆疊及接合的三晶圓2 2 1、2 2 2及2 23等多個標準矽 晶圓之多層基底。使用多重矽晶圓的主要原因係取得接點 基底的足夠厚度而不會增加機械尺寸的容許度。因此，可 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ------------— It, (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -33- 502390 A7 __B7 _ 五、發明説明（31 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 以視設計上的特定需求而自由地選取矽晶圓的數目，舉例 而言，一或多個。標準矽晶圓具有相同的厚度但不同的外 形，以產生諸如圖2 3中所示的齒部及凹部等嚙合機構。 圖2 1係剖面視圖，顯示倂入於圖2 0的探針接點組 件中之本發明的接點結構的詳節。具有曲折或鉤狀的接觸 器3 OiH接觸器3 0:的端部插入導孔2 5之方式附著至 接點基底2 0。在本實施例中，接點基底2 0係多層基底 ，其具有彼此堆疊及熔合接合在一起之三個標準的矽晶圓 22i、222及223。每一矽晶圓22i— 22s的厚度 約爲0·5mm。接觸器30:的端部從接點基底20的底 部表面突出，用於形成接點墊3 5。關於實施例，接點墊 3 5的尺寸係寬度爲0 · 5mm。接觸器3 Οχ具有凸緣狀 部份3 4以與設於導孔25中的步階配接。在接觸器3〇1 的尖梢之接點較佳地爲尖銳的以促進接觸目標的表面上之 摩擦效果。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 將於下簡述用於形成圖2 1中所示之三層基底2 0及 其上的導孔之製程。首先，第二晶圓2 2 2及第三晶圓 2 2 3會經由諸如矽熔合接合而直接地接合。然後，藉由蝕 刻製程，將晶圓2 2 2及2 3 3之正面及背面均被拋光並於 其中產生導孔。舉例而言，藉由使甩反應氣體電漿之反應 離子飩刻，取得此深溝槽蝕刻。如圖2 1所示，第二及第 三晶圓2 2 2及2 2 3上的導孔之尺寸必須小於接觸器3 0 的凸緣狀部份34以在導孔中形成步階。 然後，藉由上述溝槽蝕刻，拋光第一晶圓2 2 i的正面 本紙張尺度適用中彌國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 7^7 502390 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（32 ) 及背面以及於其中產生導孔2 5。第一晶圓2 2 1的導孔之 尺寸大於第二及第三晶圓2 2 2及2 2 3的尺寸以容納上述 接觸器3 0的突緣狀部份3 4。第一晶圓2 2i會與第二及 第三晶圓2 2 2及2 2 3相對齊並熔接。爲了絕緣，舉例而 言，在以此方式產生的接點基底之所有曝露表面上較佳地 生長至少一微米的氧化矽層。然後，將接觸器3 0插入導 孔2 5並於需要時藉由黏著劑固定於其中。 圖2 2係本發明的接點結構（基底）區之實施例的立 體視圖，每一區均具有大量經由圖8 A及8 B中所示的製 程所製造的接觸器3 0。本實施例顯示多個接點結構區 2 0，多個接點結構區2 0彼此組裝在一起以建立所需尺 寸及所需數目的接觸器之接點結構。在圖2 2中，雖然每 一接點結構區包含以單一直線組裝的接觸器，但是，本發 明的接點結構區可以包含以二或更多直線方式，亦即矩陣 形狀對齊之接觸器。 如上所述，本發明的一特點係能夠組合多個接點結構 區2 0以產生具有增加的整體尺寸及接觸器數目之接點結 構（探針接點組件）之能力。在圖2 2的實施例中，製備 四個接點結構以彼此連接。雖然未顯示於圖2 2的實施例 中，但是，每一接點基底均於其外邊緣具有諸如齒等連接 或嚙合機構。 圖2 3係接點結構的立體視圖，接點結構係由多個本 發明的接點結構區所形成。在本實施例中，五個接點基底 彼此連接以產生具有整個尺寸爲接點結構區的尺寸之整數 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X的7公釐）_ 35 - --------ίφ—r-----訂-------線·. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 502390 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（33 ) 倍之接點結構。爲了簡明起見，接觸器未顯示於接點基底 2 2。藉由此方式組合接點基底2 2，可以建立諸如等於 十二吋半導體晶圓的尺寸等所需尺寸的接點組件。 在本實施例中，接點基底的右及左邊緣設有嚙合齒 5 5及凹部6 5。齒5 5及凹部6 5的尺寸在右及左邊緣 上是相同的，但是，齒5 5及凹部6 5的位置會偏差一單 位。因此，一接點基底2 2的左邊緣會與另一接點基底 2 2的右邊緣配接。雖然未顯示於圖2 3中，但是，凸部 會設於接點基底2 2的遠端處以配接另一基底2 2的近端 處之溝槽7 0。也能夠在諸如上述右及左邊緣中使用齒及 凹部，以取代凸部及溝槽之使用。接觸器3 0將以圖2 2 中所示置於導孔2 5中的方式安裝於接點基底2 2上。 根據本發明，接點結構具有很高的頻寬以符合下一世 代半導體技術之測試需求。由於在基底上同時製造大量接 觸器而不需人工操作，所以，在接點性能上能夠取得一致 的品質、高可靠度及長壽命。此外，由於接觸器係組裝於 與待測裝置的材料相同之基底材料上，所以，能夠補償溫 度改變所造成的位置誤差。此外，藉由使用相當簡單的技 術’能夠在矽基底於水平方向上製造大量的接觸器。由本 發明製造的接點結構係低成本及高效率以及高機械強度和 可靠度。由本發明的方法所製造之接點結構係有利於並可 用於測試半導體晶圓、封裝L S I、多晶片模組等等，包 含燒入測試。 雖然此處具體地顯示及說明較佳實施例，但是，應瞭 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）
Ii I n —————— I ^__w! I —I I 訂 i I I I . I 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 502390 A7 B7 五、發明説明（34 )解，在不悖離發明的精神及範圍之下，在慮及上述揭示及 在後附的申請專利範圍之內，可有很多修改及變異。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 37鎌

Claims (1)

  1. 502390 TV > A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 附件一： 第9.01 20925號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國91年7月22日修正 1 · 一種用於與接觸·目標建立電連接之接點結構，包 括： 接點基底，具有經過上及下表面之導孔；及 多個接觸器，由導電材料製成並垂直地安裝於接點基 底的水平表面上，其中，每一接觸器具有實質平直形狀並 包括梢部、基部、及彈簧部，梢部係以垂直方向定向以形 成接觸點，該基部係插入於接點基底上對應的導孔，該彈 簧部係設於該梢部與該基部之間，當接觸結構壓在接觸目 標上時，產生接觸力；及 其中，彈簧部具有曲線的、傾斜的、曲折的或鋸齒狀 以施加接觸力，及基部的上表面自接觸基底的表面凸出並 作爲接點墊以與外部元件電連接。 2 ·如申請專利範圍第1項之用於與接觸目標建立電 連接之接點結構，其中接點基底係由單一或彼此接合的多 個介電基底形成且接點基底上的導.孔係藉由蝕刻製程而產 生的。 3 ·如申請專利範圍第1項之用於與接觸目標建立電 連接之接點結構，其中每一接觸器在其底部具有凸緣狀以 配接接點基底上的導孔。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） • I — -- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 iA 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 502390 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 — 4 · %申請專利範圍第1項之用於與接觸目標建立電 ii ί妾;έ: ί妾點結構，其中接點基底係由單一半導體晶隱形成 ’ @ f _體晶圓上製有導孔以使接觸器通過該導孔而安裝 〇 5 ·如申請專利範圍第1項之用於與接觸目標建立電 _ ® &接點結構，其中接點基底係由接合在一起之第一及 胃導體晶圓形成，在其上製有導孔以使接觸器通過該 導孔而安裝。 6 ·如申請專利範圍第1項之用於與接觸目標建立電 _胃0 ί妾點結構，其中接點基底係由接合在一起之三層半 «胃晶_形成，在其上製有導孔以使接觸器通過該導孔而 安裝。 7 ·如申請專利範圍第6項之用於與接觸目標建立電 連接之接點結構，其中三層接點基底係由第一、第二及第 三半導體晶圓形成，其中第二及第三半導體晶圓接合在一 起且藉由蝕刻製程產生通過其之第二導孔，及大於第二導 孔之第一導孔係製於第一半導體晶圓上，以及其中第一半 導體晶圓會對齊以符合導孔的位置並接合至第二半導體晶 圓。 8 .如申請專利範圍第1項之.用於與接觸目標建立電 連接之接點結構，其中接觸器係以水平方向製於平坦基底 的平面上並從平坦表面移除及以垂直方向安裝於接點基底 上。 - 9 ·如申請專利範圍第1項之用於與接觸目標建立電 1紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公H (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 502390 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 連接之接點結構，其中接點基底在其外邊緣具有嚙合機構 以用於在任何所需的.邊緣連接其它接點基底，而產生任何 尺寸的接觸器組件。 1 0 ·如申請專利範圍第9項之用於與接觸目標建立 電連接之接點結構，其中嚙合機構包含齒及凹.部，該齒及 凹部係以一邊緣中的嚙合齒及凹部配接其它接點基底的相 對邊緣中的嚙合齒及凹部之方式，設於接點基底的外邊緣 ’藉以組裝多個接點基底以建立所需尺寸、形狀及數目的 接觸器之接觸器組件。 1 1 ·如申請專利範圍第1項之用於與接觸目標建立 電連接之接點結構，其中接點基底係由矽製成。 1 2 .如申請專利範圍第1項之用於與接觸目標建立 電連接之接點結構，其中接點基底係由介電材料製成，該 介電材料包含聚醯亞胺、陶瓷及玻璃。 1 3 . —種製造接點結構之方法，包括下述步驟： (a )在矽基底的表面上形成犧牲層； (b)在犧牲層上形成光阻層； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (c )將光罩對齊於光阻層及以紫外光透過光罩而使 光阻層曝光，光罩包含接觸器的影像； (d )使接觸器的影像圖型顯影於光阻層的表面上； (e )以電鍍製程在光阻層上的圖型中形成導電材料 製成的第一層接觸器； (f )在第一層接觸器上重覆上述步驟（b) -（e )以形成又一層接觸器； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -3 - 502390 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 (g )剝除光阻層； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (h )以蝕刻製.程移除犧牲層及導電層以致於接觸器 與矽基底分離；及 (i )將接觸器安裝於具有容納接觸器的端部之導孔 之接點基底上，以致於每一接觸器的至少一端作爲電連接 的接點墊。 1 4 . 一種製造接點結構之方法，包括下述步驟： (a )在政基底的表面上形成犧牲層； (b )在犧牲層上形成光阻層； (c )將光罩對齊於光阻層及以紫外光透過光罩而使 光阻層曝光，光罩包含接觸器的影像； (d )使接觸器的影像圖型顯影於光阻層的表面上； (e )以電鍍法在光阻層上的圖型中形成導電材料製 成的第一層接觸器； (f )在第一層接觸器上重覆上述步驟（b) -（ e )以形成第二層或又一層接觸器； (g )剝除光阻層； . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (h )將膠帶置於接觸器上以致於接觸器的上表面附 著於膠帶； (i )以蝕刻製程移除犧牲層及導電層以致於膠帶上 的接觸器與矽基底分離；及 (j )將接觸器安裝於具有容納接觸器的端部之導孔 之接點基底上，其中每一接觸器的至少一端作爲電連接的 接點墊。 本紙張尺度適用^國國1標準（€奶）八4規格(21(^297公釐） ：~麵 502390 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 5 · —種製造接點結構之方法，包括下述步驟： (a )在介電基底上形成導電材料製成的導電基底； (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) (b )在導電基底上形成光阻層； (c )將光罩對齊於光阻層及以紫外光透過光罩而使 光阻層曝光，光罩包含接觸器的影像； (d )使接觸器的影像圖型顯影於光阻層的表面上； (e )以電鍍製程在光阻層上的圖型中形成導電材料 製成的第一層接觸器； (f )在第一層接觸器上重覆上述步驟（b) —（e )以形成第二層或又一層接觸器； (g )剝除光阻層； (h )將具有接觸器的導電基底自介電基底剝離； (i )將膠帶置於導電基底上的接觸器上，以致於接 觸器的上表面黏著於膠帶，其中接觸器與膠帶之間的黏著 強度大於接觸器與導電基底之間的黏著強度； (j )剝離導電基底，以致於膠帶上的接觸器與導電 基底分離；及 . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (k )將接觸器安裝於具有導孔之接點基底上，以致 於接觸器端部自接觸基底的反面突出。 1 6 . —種用於與接觸目標建立電連接之探針接點組 件，包括： 接點基底，具有多個安裝於其表面上的接觸器； 探針卡，用於安裝接點基底及在接觸器與設於探針卡 上的電極之間建立電通訊； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -5 - 502390 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 接腳區塊，具有多個接點接腳以便當接腳區塊附著至 探針卡時於探針卡與半導體測試系統之間交介； (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 其中，接觸器垂直地安裝於接點基底的水平表面上， 其中每一接觸器均具有實質的平直狀並包括梢部、基部、 及彈簧部，梢部以垂直方向突出以形成接點，基部插入於 接點基底上對應的導孔，彈簧部設於接腳部份與基部之間 ，當接點結構壓在接觸目標上時產生接觸力；及 其中，彈簧部具有曲線的、傾斜的、曲折狀或鋸齒狀 以施加接觸力，且基部的上表面從接點基底的表面突出並 作爲與外部元件電連接的接點墊。 1 7 ·如申請專利範圍第1 6項之用於與接觸目標建 立電連接之探針接點組件，又包括導電彈性體，設於接點 基底與探針卡之間，用於在接觸器的基部的上表面與探針 卡的電極之間建立電通訊。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 8 ·如申請專利範圍第1 6項之用於與接觸目標建 立電連接之探針接點組件，其中接點基底係由單一或彼此 接合的多個半導體基底形成且接點基底上的導孔係藉由蝕 刻製程而產生的。 1 9 ·如申請專利範圍第1 6項之用於與接觸目標建 立電連接之探針接點組件，其中每一接觸器在其底部具有 凸緣狀以配接接點基底上的導孔。 2 0 ·如申請專利範圍第1 6項之用於與接觸目標建 立電連接之探針接點組件，其中接點基底係由單一半導體 晶圓形成，該半導體晶圓上製有導孔以使接觸器通過該導 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規$( 210X297公釐） 7〇Ζ ： ~ 502390 Α8 Β8 C8 D8 々、申請專利範圍 孔而安裝。 2 1 ·如申請專利範圍第1 6項之用於與接觸目標建 立電連接之探針接點組件，其中接點基底係由接合在一起 之第一及第二半導體晶圓形成，在其上製有導孔以使接觸 器通過該導孔而安裝。 2 2 ·如申請專利範圍第1 6項之用於與接觸目標建 立電連接之探針接點組件’其中接點基底係由接合在一起 之三層半導體晶圓形成，在其上製有導孔以使接觸器通過 該導孔而安裝。 2 3 ·如申請專利範圍第2 2項之用於與接觸目標建 立電連接之探針接點組件，其中三層接點基底係由第一、 第二及第三半導體晶圓形成，其中第二及第三半導體晶圓 接合在一起且藉由蝕刻製程產生通過其之第二導孔，及大 於第二導孔之第一導孔係製於第一半導體晶圓上，以及其 中第一半導體晶圓會對齊以符合導孔的位置並接合至第二 半導體晶圓。 2 4 ·如申請專利範圍第1 6項之用於與接觸目標建 立電連接之探針接點組件，其中接觸器係以水平方向製於 平坦基底的平面上並從平坦表面移除及以垂直方向安裝於 接點基底上。 ‘ < 2 5 ·如申請專利範圍第1 6項之用於與接觸目標建 立電連接之探針接點組件，其中接點基底在其外邊緣具有 嚙合機構以用於在任何所需的邊緣連接其它接點基底，而 產生任何尺寸的接觸器組件。 本ϋ尺度適用中國國家標準( CNS ) A4規格（210X297公釐） Γ7Ι ： '~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 502390 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 2 6 ·如申請專利範圍第2 5項之用於與接觸目標建 立電連接之探針接點.組件，其中嚙合機構包含齒及凹部， 該齒及凹部係以一邊緣中的嚙合齒及凹部配接其它接點基 底的相對邊緣中的嚙合齒及凹部之方式，設於接點基底的 外邊緣，藉以組裝多個接點基底以建立所需尺寸、形狀及 數目的接觸器之接觸器組件。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 1# 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 準 標 家 國 國 中 用 適 尺 張 紙 本 釐 公 7 9 2
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TW090120925A TW502390B (en) 2000-09-16 2001-08-24 Contact structure and production method thereof and probe contact assembly using same

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Families Citing this family (78)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030038356A1 (en) * 2001-08-24 2003-02-27 Derderian James M Semiconductor devices including stacking spacers thereon, assemblies including the semiconductor devices, and methods
JP2004085261A (ja) * 2002-08-23 2004-03-18 Tokyo Electron Ltd プローブピン及びコンタクタ
US6773938B2 (en) * 2002-08-29 2004-08-10 Micron Technology, Inc. Probe card, e.g., for testing microelectronic components, and methods for making same
DE10300532B4 (de) * 2003-01-09 2010-11-11 Qimonda Ag System mit mindestens einer Test-Sockel-Vorrichtung zum Testen von Halbleiter-Bauelementen
SG124273A1 (en) * 2004-03-08 2006-08-30 Tan Yin Leong Non-abrasive electrical test contact
KR100573089B1 (ko) * 2003-03-17 2006-04-24 주식회사 파이컴 프로브 및 그 제조방법
US7114961B2 (en) * 2003-04-11 2006-10-03 Neoconix, Inc. Electrical connector on a flexible carrier
US7113408B2 (en) * 2003-06-11 2006-09-26 Neoconix, Inc. Contact grid array formed on a printed circuit board
US7244125B2 (en) * 2003-12-08 2007-07-17 Neoconix, Inc. Connector for making electrical contact at semiconductor scales
US7758351B2 (en) * 2003-04-11 2010-07-20 Neoconix, Inc. Method and system for batch manufacturing of spring elements
US20050120553A1 (en) * 2003-12-08 2005-06-09 Brown Dirk D. Method for forming MEMS grid array connector
US8584353B2 (en) * 2003-04-11 2013-11-19 Neoconix, Inc. Method for fabricating a contact grid array
US20100167561A1 (en) * 2003-04-11 2010-07-01 Neoconix, Inc. Structure and process for a contact grid array formed in a circuitized substrate
US7597561B2 (en) * 2003-04-11 2009-10-06 Neoconix, Inc. Method and system for batch forming spring elements in three dimensions
US7056131B1 (en) * 2003-04-11 2006-06-06 Neoconix, Inc. Contact grid array system
US7628617B2 (en) * 2003-06-11 2009-12-08 Neoconix, Inc. Structure and process for a contact grid array formed in a circuitized substrate
US20070020960A1 (en) * 2003-04-11 2007-01-25 Williams John D Contact grid array system
JPWO2005024994A1 (ja) * 2003-09-01 2006-11-16 康幸 尾崎 電磁コンタクト導波体とその組立体及びその製造方法並びに記録媒体
US20050227510A1 (en) * 2004-04-09 2005-10-13 Brown Dirk D Small array contact with precision working range
JP4592292B2 (ja) * 2004-01-16 2010-12-01 株式会社日本マイクロニクス 電気的接続装置
US7137831B2 (en) * 2004-03-16 2006-11-21 Alps Electric Co., Ltd. Substrate having spiral contactors
US20050205988A1 (en) * 2004-03-19 2005-09-22 Epic Technology Inc. Die package with higher useable die contact pad area
WO2005091998A2 (en) * 2004-03-19 2005-10-06 Neoconix, Inc. Electrical connector in a flexible host
US7090503B2 (en) * 2004-03-19 2006-08-15 Neoconix, Inc. Interposer with compliant pins
US7347698B2 (en) * 2004-03-19 2008-03-25 Neoconix, Inc. Deep drawn electrical contacts and method for making
US7025601B2 (en) * 2004-03-19 2006-04-11 Neoconix, Inc. Interposer and method for making same
US7199397B2 (en) * 2004-05-05 2007-04-03 Au Optronics Corporation AMOLED circuit layout
US8988091B2 (en) * 2004-05-21 2015-03-24 Microprobe, Inc. Multiple contact probes
US7659739B2 (en) * 2006-09-14 2010-02-09 Micro Porbe, Inc. Knee probe having reduced thickness section for control of scrub motion
US7759949B2 (en) * 2004-05-21 2010-07-20 Microprobe, Inc. Probes with self-cleaning blunt skates for contacting conductive pads
US9476911B2 (en) 2004-05-21 2016-10-25 Microprobe, Inc. Probes with high current carrying capability and laser machining methods
US9097740B2 (en) * 2004-05-21 2015-08-04 Formfactor, Inc. Layered probes with core
US7733101B2 (en) * 2004-05-21 2010-06-08 Microprobe, Inc. Knee probe having increased scrub motion
USRE43503E1 (en) 2006-06-29 2012-07-10 Microprobe, Inc. Probe skates for electrical testing of convex pad topologies
US20060000642A1 (en) * 2004-07-01 2006-01-05 Epic Technology Inc. Interposer with compliant pins
US7354276B2 (en) * 2004-07-20 2008-04-08 Neoconix, Inc. Interposer with compliant pins
US6998859B1 (en) 2004-08-25 2006-02-14 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Test probe with side arm
US7176703B2 (en) * 2004-08-31 2007-02-13 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Test probe with thermally activated grip and release
US20060068576A1 (en) * 2004-09-30 2006-03-30 Burdick William E Jr Lithography transfer for high density interconnect circuits
US7462800B2 (en) * 2004-12-03 2008-12-09 Sv Probe Pte Ltd. Method of shaping lithographically-produced probe elements
JP4700353B2 (ja) * 2005-01-13 2011-06-15 山一電機株式会社 プローブエレメントの製造方法
JP4216823B2 (ja) * 2005-03-04 2009-01-28 田中貴金属工業株式会社 プローブピン及び該ブロ−ブビンを備えたブロ−ブカ−ド
KR100653636B1 (ko) * 2005-08-03 2006-12-05 주식회사 파이컴 수직형 프로브, 그 제조 방법 및 프로브의 본딩 방법
US20070050738A1 (en) * 2005-08-31 2007-03-01 Dittmann Larry E Customer designed interposer
US7649367B2 (en) * 2005-12-07 2010-01-19 Microprobe, Inc. Low profile probe having improved mechanical scrub and reduced contact inductance
US7357644B2 (en) * 2005-12-12 2008-04-15 Neoconix, Inc. Connector having staggered contact architecture for enhanced working range
KR100741987B1 (ko) * 2006-01-03 2007-07-23 서승환 Ｆｐｃｂ 신뢰성 검사용 니들핀과 그 제조 방법
KR100827994B1 (ko) * 2006-02-14 2008-05-08 전자부품연구원 이종 도금 결합방식을 이용한 하이브리드형 고강도 탐침 구조물 및 그 제작 방법
US7312617B2 (en) 2006-03-20 2007-12-25 Microprobe, Inc. Space transformers employing wire bonds for interconnections with fine pitch contacts
DE102006052832B4 (de) * 2006-05-05 2011-07-21 Lumberg Connect GmbH, 58579 Mäanderfeder zur Anordnung zwischen zwei Elementen
DE102006020955B4 (de) * 2006-05-05 2010-12-02 Lumberg Connect Gmbh Andruckkontakt und Andruckverbinder
US7786740B2 (en) * 2006-10-11 2010-08-31 Astria Semiconductor Holdings, Inc. Probe cards employing probes having retaining portions for potting in a potting region
US8907689B2 (en) 2006-10-11 2014-12-09 Microprobe, Inc. Probe retention arrangement
KR100875092B1 (ko) 2006-12-21 2008-12-23 주식회사 파이컴 평판표시장치를 테스트하기 위한 프로브 및 프로브 제조방법
US7851794B2 (en) * 2006-12-28 2010-12-14 Formfactor, Inc. Rotating contact element and methods of fabrication
KR100918683B1 (ko) * 2007-03-29 2009-09-22 티에스씨멤시스(주) 연결 구조물 및 이를 포함하는 전기 검사 장치
US7514948B2 (en) 2007-04-10 2009-04-07 Microprobe, Inc. Vertical probe array arranged to provide space transformation
CN101315391B (zh) * 2007-05-28 2011-11-23 旺矽科技股份有限公司 拉伸式折叠探针
US7671610B2 (en) * 2007-10-19 2010-03-02 Microprobe, Inc. Vertical guided probe array providing sideways scrub motion
US8723546B2 (en) * 2007-10-19 2014-05-13 Microprobe, Inc. Vertical guided layered probe
US8230593B2 (en) * 2008-05-29 2012-07-31 Microprobe, Inc. Probe bonding method having improved control of bonding material
US8073019B2 (en) * 2009-03-02 2011-12-06 Jian Liu 810 nm ultra-short pulsed fiber laser
KR101278713B1 (ko) * 2011-03-08 2013-06-25 (주)엠투엔 프로브 카드 및 제조방법
US8912810B2 (en) * 2011-09-09 2014-12-16 Texas Instruments Incorporated Contactor with multi-pin device contacts
US8641428B2 (en) 2011-12-02 2014-02-04 Neoconix, Inc. Electrical connector and method of making it
US9680273B2 (en) 2013-03-15 2017-06-13 Neoconix, Inc Electrical connector with electrical contacts protected by a layer of compressible material and method of making it
KR101496081B1 (ko) * 2014-01-06 2015-03-02 양희성 인터포저 및 반도체 디바이스 검사용 마이크로 컨택 어레이 구조체의 제조방법
US9812804B2 (en) * 2014-03-27 2017-11-07 Intel Corporation Pogo-pins for high speed signaling
CN105483805B (zh) * 2014-09-16 2018-12-25 深南电路有限公司 一种无引线电镀的装置和方法
CN104347448B (zh) * 2014-10-30 2018-08-10 通富微电子股份有限公司 半导体测试治具的形成方法
DE102015004151B4 (de) * 2015-03-31 2022-01-27 Feinmetall Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Federkontaktstift-Anordnung mit mehreren Federkontaktstiften
KR102466151B1 (ko) * 2015-11-30 2022-11-15 삼성전자주식회사 프로브 카드 및 그를 포함하는 테스트 장치
MY175281A (en) * 2016-02-02 2020-06-18 Jf Microtechnology Sdn Bhd Kelvin contact assembly in a testing apparatus for integrated circuits
TWI642940B (zh) * 2017-09-01 2018-12-01 中華精測科技股份有限公司 探針組件及其探針結構
KR102581387B1 (ko) * 2018-09-11 2023-09-21 삼성전자주식회사 프로브 및 이를 포함하는 프로브 카드
US11821918B1 (en) 2020-04-24 2023-11-21 Microfabrica Inc. Buckling beam probe arrays and methods for making such arrays including forming probes with lateral positions matching guide plate hole positions
US11828775B1 (en) 2020-05-13 2023-11-28 Microfabrica Inc. Vertical probe arrays and improved methods for making using temporary or permanent alignment structures for setting or maintaining probe-to-probe relationships
US11340260B2 (en) * 2019-12-24 2022-05-24 Teradyne, Inc. Probe card pad geometry in automated test equipment

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55133550A (en) * 1979-04-03 1980-10-17 Yoshie Hasegawa Probe needle
US5917707A (en) * 1993-11-16 1999-06-29 Formfactor, Inc. Flexible contact structure with an electrically conductive shell
US5829128A (en) * 1993-11-16 1998-11-03 Formfactor, Inc. Method of mounting resilient contact structures to semiconductor devices
JPH02237047A (ja) * 1989-03-09 1990-09-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体試験装置
JPH03231438A (ja) * 1990-02-06 1991-10-15 Oki Electric Ind Co Ltd プローブカード及びこれを用いたプローブ装置
JPH0459487A (ja) * 1990-06-28 1992-02-26 Daihatsu Motor Co Ltd 四輪操舵装置の制御方法
FR2703839B1 (fr) * 1993-04-09 1995-07-07 Framatome Connectors France Connecteur intermédiaire entre carte de circuit imprimé et substrat à circuits électroniques.
US5772451A (en) 1993-11-16 1998-06-30 Form Factor, Inc. Sockets for electronic components and methods of connecting to electronic components
US5527766A (en) * 1993-12-13 1996-06-18 Superconductor Technologies, Inc. Method for epitaxial lift-off for oxide films utilizing superconductor release layers
US5800184A (en) * 1994-03-08 1998-09-01 International Business Machines Corporation High density electrical interconnect apparatus and method
JPH07335701A (ja) * 1994-06-10 1995-12-22 Advantest Corp プロービング装置
JP2978720B2 (ja) * 1994-09-09 1999-11-15 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置
US5486483A (en) * 1994-09-27 1996-01-23 Trw Inc. Method of forming closely spaced metal electrodes in a semiconductor device
JP3838381B2 (ja) * 1995-11-22 2006-10-25 株式会社アドバンテスト プローブカード
JPH09219268A (ja) * 1996-02-07 1997-08-19 Toshiba Chem Corp Ｉｃソケット用コンタクトピン
US5919050A (en) 1997-04-14 1999-07-06 International Business Machines Corporation Method and apparatus for separable interconnecting electronic components
JPH11233216A (ja) 1998-02-16 1999-08-27 Nippon Denki Factory Engineering Kk テスト用ｉｃソケット
US6246245B1 (en) 1998-02-23 2001-06-12 Micron Technology, Inc. Probe card, test method and test system for semiconductor wafers
SG108210A1 (en) * 1998-06-19 2005-01-28 Advantest Corp Probe contactor formed by photolithography process
JP2000150598A (ja) * 1998-11-07 2000-05-30 Tokyo Electron Ltd コンタクタ及びその製造方法
JP2000131341A (ja) * 1998-10-29 2000-05-12 Micronics Japan Co Ltd プローブカード
US5989994A (en) * 1998-12-29 1999-11-23 Advantest Corp. Method for producing contact structures
SG75186A1 (en) * 1998-11-30 2000-09-19 Advantest Corp Method for producing contact structures
JP3392079B2 (ja) * 1999-08-09 2003-03-31 日本電子材料株式会社 プローブカード
US6252415B1 (en) * 1999-09-14 2001-06-26 Advantest Corp. Pin block structure for mounting contact pins

Also Published As

Publication number Publication date
JP2002162418A (ja) 2002-06-07
DE10145147A1 (de) 2002-03-28
KR100491453B1 (ko) 2005-05-25
CN1256761C (zh) 2006-05-17
SG97194A1 (en) 2003-07-18
US20020179904A1 (en) 2002-12-05
KR20020022130A (ko) 2002-03-25
JP4863585B2 (ja) 2012-01-25
CN1345087A (zh) 2002-04-17
US6677245B2 (en) 2004-01-13
US6504223B1 (en) 2003-01-07

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