JP2009260373A - 半導体装置及びその製造方法及び半導体基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体チップとして機能する第1の機能チップ30Aと、半導体チップとして機能すると共に第1の機能チップ30Aに対し隣接配置される第2の機能チップ31Aと、第1の機能チップ30A及び第2の機能チップ31Aをそれぞれ画成するスクライブライン21(21A,21B)とを具備する半導体基板であって、第1の機能チップ30Aと第2の機能チップ31Aの配置は、切断処理するスクライブライン21A,21Bの選定により、第1の機能チップ30A単体のみの切り出し、または第2の機能チップ31Aのみの切り出し、または第1の機能チップ30Aと第2の機能チップ31Aを組み合わせた領域での切り出しが可能な配置とする。
【選択図】 図8
Description
半導体チップとして機能する第1の機能チップと、
半導体チップとして機能すると共に前記第1の機能チップに対し隣接配置される第2の機能チップと、
前記第1の機能チップ及び第2の機能チップをそれぞれ画成するスクライブラインとを具備する半導体基板であって、
前記第1の機能チップと前記第2の機能チップの配置は、
切断処理する前記スクライブラインの選定により、前記第1の機能チップ単体のみの切り出し、または前記第2の機能チップのみの切り出し、または前記第1の機能チップと第2の機能チップを組み合わせた領域での切り出しが可能な配置とされてなる半導体基板が提供される。
一方、第2のパッド18は、後に詳述するように、第1ワイヤー14及び第2ワイヤー15により、第1の半導体チップ11Aに形成された第1のパッド19、或いは基板13に形成された第3のパッド20に接続される。基板13に形成された第3のパッド20は、基板13に形成されたスルーホール及び配線(図示せず)により基板背面に形成された半田ボール17(外部接続端子として機能する)に接続される。即ち、第2の半導体チップ12Aは、第2ワイヤー15及び第3のパッド20等を介して半田ボール17に電気的に接続された構成とされている。
仮に、ヒューズ窓64が第1及び第2の半導体チップ11G,12Gが重なった領域内に配置された場合を想定すると、ヒューズ配線64の形成位置には空隙が生じるため、実装等の加熱時において各半導体チップ11G,12G間で剥離が生じたり、クラックが発生したりするおそれがある。
Claims (31)
- 半導体チップとして機能する第1の機能チップと、
半導体チップとして機能すると共に前記第1の機能チップに対し隣接配置される第2の機能チップと、
前記第1の機能チップ及び第2の機能チップをそれぞれ画成するスクライブラインとを具備する半導体基板であって、
前記第1の機能チップと前記第2の機能チップの配置は、
切断処理する前記スクライブラインの選定により、前記第1の機能チップ単体のみの切り出し、または前記第2の機能チップのみの切り出し、または前記第1の機能チップと第2の機能チップを組み合わせた領域での切り出しが可能な配置とされてなる半導体基板。 - 請求項1記載の半導体基板において、
前記スクライブラインの配設位置には、隣接する機能チップ間を接続する配線を形成しない構成としてなる半導体基板。 - 請求項1記載の半導体基板において、
前記スクライブラインの内、切断されないスクライブラインの幅を、切断されるスクライブラインの幅に比べて狭く設定してなる半導体基板。 - 半導体チップとして機能する第1の機能チップと、
半導体チップとして機能すると共に前記第1の機能チップに対し隣接配置される第2の機能チップと、
前記第1の機能チップ及び第2の機能チップをそれぞれ画成するスクライブラインとを具備する半導体基板であって、
前記第2の機能チップは、前記第1の機能チップを180度回転させた構成とされた半導体基板。 - 積層配置されると共に、外部と情報或いは電源の授受を行なう複数の端子を備えた半導体チップを設けて成る半導体装置であって、
前記端子を少なくとも一例に列設すると共に、前記端子に試験プローブが接触する第1領域と、外部と情報或いは電源の授受を行なう配線が接続される第2領域とを設け、
前記第1領域と前記第2領域が、前記端子を一列に列設した状態において、千鳥状に配置されるよう構成してなる半導体装置。 - 請求項5記載の半導体装置において、
前記端子は、前記一列に配列された第1方向に対して延在する第1辺と、前記第1方向と垂直な第2方向に延在すると共に前記第1辺よりも長い第2辺とを有する形状とされてなる半導体装置。 - 請求項5記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第1領域に試験プローブを接触させることにより、前記半導体チップの試験を行なう試験工程と、
該試験工程の終了後、前記第2領域に外部と情報或いは電源の授受を行なう配線を接続する配線工程とを有する半導体装置の製造方法。 - 外部接続端子を有する支持基板上に積層配置された第1の半導体チップと第2の半導体チップとを設けてなり、該第1及び第2の半導体チップが一つのパッケージに封止された構成の半導体装置において、
前記第1の半導体チップをメモリチップとすると共に下層に配置し、
かつ、前記第2の半導体チップをロジックチップとすると共に前記第1の半導体チップの上層に配置してなる半導体装置。 - 外部接続端子を有する支持基板上に積層配置されたメモリチップとロジックチップとを設けてなり、該メモリチップとロジックチップが一つのパッケージに封止された構成の半導体装置であって、
前記メモリチップにメモリチップ試験用の試験用端子を設け、該試験用端子を前記外部接続端子に直接接続した構成としたことを特徴とする半導体装置。 - 相互間の位置決めを行なうためのアライメントマークが形成された第1及び第2の半導体チップを一つのパッケージに積層配置した構成の半導体装置であって、
前記アライメントマークをチップ表面に積層形成されたカバー膜に形成してなる半導体装置。 - 請求項10記載の半導体装置において、
前記アライメントマークと半導体チップのパッドとを共有する構成としてなる半導体装置。 - 請求項10記載の半導体装置において、
前記アライメントマークと半導体チップのパッドとを共有すると共に、
前記パッドを非ボンディングパッドとしてなる半導体装置。 - 請求項10記載の半導体装置において、
前記第1の半導体チップに設けられるアライメントマークと、前記第2の半導体チップに設けられるアライメントマークを同一形状としてなる半導体装置。 - 一つのパッケージ内において、第2の半導体チップを第1の半導体チップ上に積層配置した構成の半導体装置であって、
前記第1の半導体チップに冗長用のヒューズ窓を形成すると共に、
該ヒューズ窓の配設位置を前記第1の半導体チップに形成された端子と前記第2の半導体チップに形成された端子との離間位置、または前記第1の半導体チップの外周縁と前記第2の半導体チップの外周縁との間の端子の存在しない位置、または前記第1の半導体チップの端子形成位置よりも外周位置のいずれか一の位置に設けてなる半導体装置。 - 複数の半導体チップを一つのパッケージ内に積層実装した構成の半導体装置であって、
前記半導体チップの内、少なくとも下層に位置する半導体装置の上層に位置するチップが積層される領域にカバー膜を形成してなる半導体装置。 - メモリチップとロジックチップを一つのパッケージに実装した半導体装置において、
前記メモリチップと前記ロジックチップとの間に前記メモリチップのテスト用の信号配線を直接配設すると共に、前記ロジックチップにテスト用の予備回路を配設し、該予備回路を介して前記テスト用の信号を前記パッケージに設けられた外部接続端子に供給する構成としてなる半導体装置。 - 複数の半導体チップを一つのパッケージに積層実装した構成の半導体装置であって、
下層に位置する前記半導体チップに配設されると共に上層に位置する半導体チップに接続される端子の配設位置を、前記上層に位置する半導体チップの外周縁に近接配置してなる半導体装置。 - 複数の半導体チップを一つのパッケージに積層実装した構成の半導体装置であって、
下層に位置する前記半導体チップに配設されると共に上層に位置する半導体チップに接続される端子の配設位置を、前記上層に位置する半導体チップの外周縁に近接配置すると共に、
前記下層に位置する半導体チップに形成された端子の列設位置を挟んだ両側に、論理回路群を形成してなる半導体装置。 - 請求項18記載の半導体装置において、
隣接する一対の前記端子の離間位置に、前記論理回路群間を接続する接続配線を設けてなる半導体装置。 - 第1機能を備えた第1の半導体チップと、第2機能を備えた第2の半導体チップとを、一つのパッケージに封止した構成の半導体装置において、
前記第1の半導体チップを複数の機能チップに分割すると共に空間部を設けて配置し、前記第2の半導体チップを前記分割された複数の機能チップの上部に積層配置してなる半導体装置。 - 請求項20記載の半導体装置において、
前記第1の半導体装置をメモリチップとすると共に、前記第2の半導体チップをロジックチップとし、
かつ、前記メモリチップを分割する際、記憶容量により分割してなる半導体装置。 - 請求項20記載の半導体装置において、
前記空間部の離間距離を樹脂封止時に封止樹脂が進入可能な距離に設定してなる半導体装置。 - 請求項20記載の半導体装置において、
前記第1の半導体チップの厚さを前記第2の半導体チップの厚さよりも大きく設定してなる半導体装置。 - 請求項20記載の半導体装置において、
前記分割された機能チップの側部に前記空間部を閉塞するよう第3のチップを配設し、
かつ、前記分割された機能チップ及び前記第3のチップに囲まれる部分にダイボンディング材を充填した構成としてなる半導体装置。 - 請求項9または16記載の半導体装置において、
前記テスト用の信号は、通常複数の制御信号の組み合わせでメモリの動作モードが実行されるコマンドを表した信号である半導体装置。 - 請求項9または16記載の半導体装置において、
前記テスト用の信号は、メモリ全体を非活性にする制御信号、メモリの入力や出力端子を非活性にする信号、バーンイン時の制御信号、もしくはメモリ内の制御情報信号のいずれか一の信号である半導体装置。 - 請求項18記載の半導体装置において、
前記下層に位置する半導体チップに形成された端子の端子列設位置を挟んだ両側に、前記論理回路群の信号線が配設されてなる半導体装置。 - 第1の機能を備えた複数の半導体チップと、
第2の機能を備えた第2の半導体チップとを、一つのパッケージに封止した構成としてなる半導体装置。 - 請求項28記載の半導体装置において、
前記第1の機能を備えた複数の半導体チップと前記第2の半導体チップとを、前記パッケージ内に積層してなる半導体装置。 - 請求項28記載の半導体装置において、
前記第1の機能と前記第2の機能を異なる機能としてなる半導体装置。 - 請求項28記載の半導体装置において、
前記第1の機能を備えた半導体チップをメモリチップとすると共に、前記第2の半導体チップをロジックチップとし、
かつ、前記ロジックチップと外部接続端子との間には電源配線と信号配線を配設し、
前記メモリチップと前記外部接続端子との間には電源配線のみを配設し、
前記メモリチップと前記ロジックチップとの間には、信号配線のみを配設してなる構成の半導体装置。
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