JPH05326502A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPH05326502A JPH05326502A JP12480792A JP12480792A JPH05326502A JP H05326502 A JPH05326502 A JP H05326502A JP 12480792 A JP12480792 A JP 12480792A JP 12480792 A JP12480792 A JP 12480792A JP H05326502 A JPH05326502 A JP H05326502A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal wiring
- wiring
- thermal stress
- semiconductor chip
- integrated circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】温度サイクルによるショートやオープン不良の
原因である、半導体チップ最外周の金属配線の熱応力に
よるずれを防止する。 【構成】半導体基板１上に酸化シリコン膜２を形成した
のち、縁取りとなる下層配線３を形成する。つぎに層間
絶縁膜４を形成したのち、上層配線５を形成する。この
とき半導体チップ最外周の上層配線５を隅切りしたう
え、下層配線３の縁取りに挟まれるようにする。
原因である、半導体チップ最外周の金属配線の熱応力に
よるずれを防止する。 【構成】半導体基板１上に酸化シリコン膜２を形成した
のち、縁取りとなる下層配線３を形成する。つぎに層間
絶縁膜４を形成したのち、上層配線５を形成する。この
とき半導体チップ最外周の上層配線５を隅切りしたう
え、下層配線３の縁取りに挟まれるようにする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路に関し、
特に半導体チップの金属配線に関するものである。
特に半導体チップの金属配線に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路は温度サイクルによっ
て、金属配線のオープンやショートが発生する。
て、金属配線のオープンやショートが発生する。
【０００３】温度変化にともなって金属配線が伸縮する
ことによって、熱による応力（以下熱応力と称する）が
生じる。
ことによって、熱による応力（以下熱応力と称する）が
生じる。
【０００４】図２（ａ）に示すように、熱によって金属
配線３ａに矢印に示す横方向および縦方向の熱応力が発
生する。特に半導体チップ最外周の最上層の金属配線３
ａにおいて、熱応力によるずれの幅が大きいので、長い
矢印で示すように熱応力が最大になる。
配線３ａに矢印に示す横方向および縦方向の熱応力が発
生する。特に半導体チップ最外周の最上層の金属配線３
ａにおいて、熱応力によるずれの幅が大きいので、長い
矢印で示すように熱応力が最大になる。
【０００５】そのため図２（ｂ）に示すように、金属配
線３ａが断線したり、図２（ｃ）に示すように、金属配
線３ａが電位の異なった信号線３ｃとショートするとい
う問題がある（ショート個所３ｄを点線で囲んだ）。
線３ａが断線したり、図２（ｃ）に示すように、金属配
線３ａが電位の異なった信号線３ｃとショートするとい
う問題がある（ショート個所３ｄを点線で囲んだ）。
【０００６】この対策として従来の半導体集積回路にお
いては、図３（ａ）に示すように熱応力が集中する金属
配線３ａのコーナー部を隅切りにしたり、図３（ｂ）に
示すように金属配線３ａのコーナー部にスリット３ｂを
入れて熱応力を分散させている。
いては、図３（ａ）に示すように熱応力が集中する金属
配線３ａのコーナー部を隅切りにしたり、図３（ｂ）に
示すように金属配線３ａのコーナー部にスリット３ｂを
入れて熱応力を分散させている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の熱応力対策では
熱応力を分散させて、最外周の金属配線のずれを防ごう
としている。ところが熱応力を分散させるだけでは熱応
力に対する最外周の金属配線の耐久性が増すだけであ
る。最外周の金属配線のずれに対する根本的な対策には
ならなかった。
熱応力を分散させて、最外周の金属配線のずれを防ごう
としている。ところが熱応力を分散させるだけでは熱応
力に対する最外周の金属配線の耐久性が増すだけであ
る。最外周の金属配線のずれに対する根本的な対策には
ならなかった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
は、熱応力を分散させるだけでなく最外周の上層配線が
ずれないように、半導体チップの四隅で上層配線の外周
に沿って下層配線からなる縁取りを形成したものであ
る。さらに下層配線上に形成された層間絶縁膜の溝に上
層配線を形成することにより、上層配線がずれるのを防
いでいる。
は、熱応力を分散させるだけでなく最外周の上層配線が
ずれないように、半導体チップの四隅で上層配線の外周
に沿って下層配線からなる縁取りを形成したものであ
る。さらに下層配線上に形成された層間絶縁膜の溝に上
層配線を形成することにより、上層配線がずれるのを防
いでいる。
【０００９】
【実施例】本発明の第１の実施例について、図１（ａ）
の平面図およびそのＡ−Ｂにおける拡大断面図である図
１（ｂ）を参照して説明する。
の平面図およびそのＡ−Ｂにおける拡大断面図である図
１（ｂ）を参照して説明する。
【００１０】半導体基板１上に酸化シリコン膜２を形成
したのち、縁取りとなる下層配線３を形成する。つぎに
層間絶縁膜４を形成したのち、上層配線５を形成する。
このとき半導体チップ最外周の上層配線５を隅切りした
うえ、下層配線３の縁取りに挟まれるようにする。その
あと表面保護膜６を形成する。
したのち、縁取りとなる下層配線３を形成する。つぎに
層間絶縁膜４を形成したのち、上層配線５を形成する。
このとき半導体チップ最外周の上層配線５を隅切りした
うえ、下層配線３の縁取りに挟まれるようにする。その
あと表面保護膜６を形成する。
【００１１】また、従来例のように上層配線の四隅にス
リットを入れて、熱応力を分散して効果をさらに高める
ことができる。
リットを入れて、熱応力を分散して効果をさらに高める
ことができる。
【００１２】
【発明の効果】半導体チップ表面の最外周に形成された
上層金属配線のうち、四隅近傍の上層金属配線の外周に
下層金属配線からなる縁取りを形成する。その結果、熱
応力によって上層金属配線がずれないようにする効果が
ある。半導体集積回路の金属配線の熱応力によるオープ
ンやショートを低減することができた。
上層金属配線のうち、四隅近傍の上層金属配線の外周に
下層金属配線からなる縁取りを形成する。その結果、熱
応力によって上層金属配線がずれないようにする効果が
ある。半導体集積回路の金属配線の熱応力によるオープ
ンやショートを低減することができた。
【図１】（ａ）は本発明の一実施例を示す平面図であ
る。（ｂ）は（ａ）のＡ−Ｂ部における拡大断面図であ
る。
る。（ｂ）は（ａ）のＡ−Ｂ部における拡大断面図であ
る。
【図２】（ａ）は半導体チップの四隅近傍の金属配線の
熱応力を示す平面図である。（ｂ）および（ｃ）は半導
体チップの四隅近傍の金属配線の不良モードを示す平面
図である。
熱応力を示す平面図である。（ｂ）および（ｃ）は半導
体チップの四隅近傍の金属配線の不良モードを示す平面
図である。
【図３】（ａ）は従来の半導体チップの最外周金属配線
を示す平面図である。（ｂ）は従来の半導体チップの四
隅近傍の金属配線を示す平面図である。
を示す平面図である。（ｂ）は従来の半導体チップの四
隅近傍の金属配線を示す平面図である。
１ 半導体基板 ２ 酸化シリコン膜 ３ 下層配線 ３ａ 金属配線 ３ｂ スリット ３ｃ 信号線 ３ｄ ショート個所 ４ 層間絶縁膜 ５ 上層配線 ６ 表面保護膜
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体チップ表面の最外周に形成された
第１の金属配線のうち、前記半導体チップの四隅近傍の
前記第１の金属配線に第２の金属配線からなる縁取りが
形成された半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12480792A JPH05326502A (ja) | 1992-05-18 | 1992-05-18 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12480792A JPH05326502A (ja) | 1992-05-18 | 1992-05-18 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05326502A true JPH05326502A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=14894612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12480792A Withdrawn JPH05326502A (ja) | 1992-05-18 | 1992-05-18 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05326502A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1064901A (ja) * | 1996-07-18 | 1998-03-06 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体チップパッケージ素子 |
-
1992
- 1992-05-18 JP JP12480792A patent/JPH05326502A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1064901A (ja) * | 1996-07-18 | 1998-03-06 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体チップパッケージ素子 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990803 |