JPH05136125A - クロツク配線及びクロツク配線を有する半導体集積回路装置 - Google Patents

クロツク配線及びクロツク配線を有する半導体集積回路装置

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JPH05136125A
JPH05136125A JP3298900A JP29890091A JPH05136125A JP H05136125 A JPH05136125 A JP H05136125A JP 3298900 A JP3298900 A JP 3298900A JP 29890091 A JP29890091 A JP 29890091A JP H05136125 A JPH05136125 A JP H05136125A
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clock wiring
wiring
shield
wirings
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Makoto Kuwata
真 鍬田
Nobuaki Kitamura
暢章 北村
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Hitachi ULSI Engineering Corp
Hitachi Ltd
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Hitachi ULSI Engineering Corp
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【構成】クロック配線の全長部分又は全長の一部分に対
して隣接して、該クロック配線が接続される駆動源と同
一駆動源に接続されるシールドクロック配線を敷設した
クロック配線、及びこのクロック配線を使用した半導体
集積回路装置。 【効果】クロック配線の容量を低減し、各クロック配線
の容量を揃えることにより、クロックの遅延時間および
立上り/立下がり時間を低減し、FF間のクロックスキ
ュ−を低減する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、クロック配線に適用し
て特に有効な技術に関するもので、例えば、プロセッサ
等の多数の機能を含む大規模半導体集積回路のような半
導体集積回路装置又はプリント配線等のクロック配線に
利用して有効な技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体集積回路装置、特にプロセッサ等
の多数の機能を含む大規模集積回路あるいは高速動作の
大規模集積回路(以下、大規模集積回路を「LSI」と
いう。)では、多数のフリップフロップ(以下「FF」
という。)を同期して動作させる必要がある。この際、
回路を高速動作させるためには、クロックの立上り/立
下がり時間を低減し、FF間のスキュ−を低減させる必
要がある。このためには、クロック配線の容量を低減す
ると同時に、各クロック配線のインピーダンス、即ち抵
抗及び容量を合わせる必要がある。
【0003】このような問題を解決するために従来は、
例えばIEEE 1991 CUSTOM INTEGRATED CIRCUITS CONFERE
NCE 15.4.1〜15.4.4にあるように、各クロック配線の長
さを等しくする等長化を行ってインピーダンスを合わせ
込むことにより、スキュ−低減を図っている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来技術は、等
長化により各クロック配線のインピ−ダンスを合わせ込
もうとするものである。ところが、クロック配線の周囲
には、信号配線や電源配線が存在するために、各クロッ
ク配線は互いに異なる容量を有することとなる。したが
って、クロック配線の等長化だけでは、この異なる容量
を合わることは困難であり、クロック配線のインピーダ
ンスを合わせることはできない。
【0005】また、クロック配線の容量は、PLL等を
用いた同期回路等においては、極力小さくすることが望
ましい。
【0006】本発明の目的は、半導体集積回路装置又は
プリント配線に適用するクロック配線において、クロッ
クの遅延時間および立上り/立下がり時間を低減し、各
FF間のスキュ−を低減する技術を提供することにあ
る。この発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴
は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであ
ろう。
【0007】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記の通りである。すなわち、半導体集積回路又はプリ
ント配線のクロック配線において、該クロック配線が接
続される駆動源と同一駆動源に接続されるシールドクロ
ック配線を、当該クロック配線の全長部分又は全長の一
部分に対して隣接して敷設するものである。
【0008】
【作用】上記した手段によれば、クロック配線の容量を
低減することが可能となる。同時に、容量の値を調節す
ることも可能となるので、各クロック配線の容量を合わ
せることにより、各クロック配線のインピーダンスを合
わせ込むことが可能となる。したがって、クロック配線
におけるクロックの遅延時間および立上り/立下がり時
間を低減し、各FF間のスキュ−を低減させる事が可能
となる。
【0009】以下、本発明の構成について、LSIに本
発明を適用した例と共に説明をする。なお、実施例を説
明するための全図において、同一機能を有するものは同
一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【0010】
【実施例】始めに、クロック配線が適用されるLSIと
クロック配線の系統について、図1及び図2を用いて説
明する。図1はLSIの平面図、図2はクロック系統図
である。
【0011】図1において、LSI101は論理機能を
有するマクロセル102とランダム論理回路103等か
ら構成される。LSI101と外部との信号の授受は、
ボンディングパッド104及びI/Oエリア105を通
じて行なわれる。
【0012】マクロセル102とランダム論理回路10
3等に供給されるクロックは以下のように伝搬される。
クロックは、外部よりボンディングパッド104及びI
/Oエリア105を通して入力され、クロックパルスジ
ェネレ−タ106において波形整形され、クロックドラ
イバA107に入力される。クロックドライバA107
より出力されたクロックはクロック配線AB110を通
して数個〜十数個のクロックドライバB108に入力さ
れる。クロックドライバB108より出力されたクロッ
クはクロック配線BC111を通して数個〜十数個のク
ロックドライバC109に入力される。クロックドライ
バA110およびB108はノイズの発生源となり得る
ため電源線の直下又は近傍に置かれる。
【0013】さらに、前記クロックドライバC109よ
り出力されたクロックは、図2に示すように、クロック
配線CD114を通して数個〜十数個のクロックドライ
バD112に入力される。クロックドライバD112よ
り出力されたクロックはクロック配線DE115を通し
て数個〜十数個のFF113のクロック端子CLKに入
力される。なお、図においては、FFのクロック端子C
LKは一番上のFFについてのみ表示しているが、その
下に表示された全FFにおいても、同様にクロック端子
CLKに接続されているものである。
【0014】本発明のシ−ルドクロック配線は、以上説
明したクロック配線AB110、クロック配線BC11
1、クロック配線CD114、クロック配線DE115
の全て、もしくは一部に適用可能である。例えば、クロ
ック配線AB110のみに適用することが可能である。
【0015】次に、クロック配線の具体的構造について
図3及び図4を用いて説明する。図3及び図4は、異な
る例の構造を示す斜視図であり、クロック配線AB11
0に本発明を適用した例である。
【0016】図3において、110はクロック配線AB
であり、該クロック配線AB110の左右に隣接して、
シールドクロック配線303が敷設される。ここで、ク
ロック配線AB110及びシールドクロック配線303
は共に、上下に配置された2本の導体を並列接続するこ
とにより、配線自体の抵抗値を低減している。
【0017】クロック配線AB110を駆動する駆動源
であるパルスジェネレ−タ106より出力されたクロッ
クは、クロックドライバA107を介してクロック配線
AB110とシールドクロック配線303に入力され
る。クロックドライバA107はクロック配線AB11
0を駆動するクロック用バッファ301とシ−ルドクロ
ック配線305を駆動するシ−ルドクロック用バッファ
302とにより構成される。ここで、各バッファ30
1、302は、各配線間の電気的分離のため及びFFの
スキューを合わせるために設けられている。もし設計的
に許容されるのであれば、バッファを介することなく直
接配線をしてもよい。なお、図において304はクロッ
ク配線と交差する信号配線であり、該信号配線304は
ゲ−ト305等に接続されている。
【0018】以上の構造によれば、クロック配線AB1
10は、シールドクロック配線303によりシールドさ
れるため、クロック配線AB110と隣接して平行に配
置された電源配線あるいは信号配線(図示せず)との間
の容量が低減する。一方、新たにクロック配線AB11
0とシ−ルドクロック配線303とのあいだに容量が生
じることとなる。しかし、クロック配線AB110とシ
ールドクロック配線303はクロックパルスジェネレー
タ106により同相のクロックが供給されているため、
両配線のクロック信号はほぼ同じ立上り/立下り時間で
動作し、前記新たに生じた容量はキャンセルされること
となる。したがって、クロック用バッファ301から見
た容量は低減されることとなり、バッファの遅延時間及
び配線抵抗遅延が低減される。また、シ−ルドクロック
配線302を施した全てのクロック配線AB110で
は、クロック配線AB110から見た容量の値が、シ−
ルドクロック配線303により固定されるため、各クロ
ック配線間の遅延ばらつきおよび立上り/立下り時間の
ばらつきを低減することが可能である。
【0019】また、本例のクロック配線AB110に対
して等長配線を施すことにより、遅延ばらつきおよび立
上り/立下り時間のばらつきを更に低減することができ
る。等長配線の例は、図1に示すとおりである。図1に
おいて、クロック配線AB110は全て長さを等しく配
置されている。クロック配線BC111も詳細は図示し
ていないが同様に等長化している。
【0020】図3ではクロック配線の両側にシ−ルドク
ロック配線を敷設した例を示しているが、信号線、電源
線がクロック配線の上下方向に存在する場合は、上下に
シールドクロック配線を敷設する。図4は、クロック配
線AB110の上を信号配線304が走っているため、
左右両側のシールドクロック配線303に加えて上方の
信号配線304との間にもシールドクロック配線303
を配置したものである。このように、クロック配線AB
110の上下、左右の全部あるいは一部に対してシ−ル
ドクロック配線を敷設することができる。
【0021】ここで、シールドクロック配線の具体的構
造について、図示はしないが、更に他の実施例を説明す
る。
【0022】シ−ルドクロック配線はクロック配線の全
長の全部に対して敷設する必要はなく、一部の領域だけ
に設けても所定の効果が得られるものである。
【0023】また、信号配線あるいは電源配線に対して
必ずシールドクロック配線を設けなければならないもの
でもない。図3に示すように上方や下方に別の信号配線
304や電源配線(図示せず)が通過しても、その間の
容量が小さく許容範囲内にあるのであれば、クロック配
線AB110と信号配線304との間のシールドクロッ
ク配線は省略可能である。
【0024】さらに、シ−ルド効果を持たせる必要のあ
る方向にのみシ−ルドクロック配線を敷設して、その他
の方向には省略をすることも可能である。
【0025】多相のクロック配線を平行して配置する場
合には、本発明のシ−ルドクロック配線を異なる相間に
敷設すれば良い。この場合、異なる相のシ−ルドクロッ
ク配線の間隔を、クロック配線とシ−ルドクロック配線
の間隔よりも広くすることにより、シ−ルドクロック配
線の容量を低減することも可能である。なお、各配線間
の間隔については、多相のクロック配線に対してのみ有
効なものでなく、その他の箇所にも適用可能なものであ
る。例えば、シ−ルドクロック配線に隣接する信号配線
又は電源配線との間隔を、クロック配線とシ−ルドクロ
ック配線との間隔にたいして広くすることによりシ−ル
ドクロック配線の対外的な容量を低減することが可能と
なる。
【0026】次に、クロック配線と電源配線との関係に
ついての一例を、図5及び図6を用いて説明する。図5
は本例の一部を表した平面図、図6は図5のA−A線断
面図である。両図は、各配線の位置関係を概念的に示す
もので、詳細を示すものではない。例えば、絶縁層など
配線構造の説明に直接関係のないものは、図示を省略し
ている。また、I/Oセル504の電源は実際には電源
配線502からとっているが、図ではその接続関係の表
示を省いている。
【0027】本例は、クロック配線AB110及びシ−
ルドクロック配線303をI/Oセル504に隣接して
敷設した例である。I/Oセル504とLSI内部との
間を接続する信号配線503が、クロック配線AB11
0及びシ−ルドクロック配線303の上方を通過してい
る。本例は、クロック配線AB110とシ−ルドクロッ
ク配線303が電源配線501と隣接して存在している
こと及び、クロスする信号配線503の本数が少ないこ
とから、クロック配線AB110の容量を低減し易くま
た揃え易いものである。
【0028】また、本例は、クロックドライバ−106
を電源配線501すなわち電源リングの直下に配置した
例及び、クロック配線AB110とシールドクロック配
線303を同一層上に形成する例を示している。
【0029】なお、多少クロック配線AB110の容量
が増加することになるが、電源配線501に隣接するシ
−ルドクロック配線303を省略することも可能であ
る。その理由は、電源配線501は信号配線のように電
位が変動せず固定電位であるため、クロック配線AB1
10と電源配線501との間の容量のバラツキは少ない
ものである。したがって、シ−ルドクロック配線を新た
に敷設する代わりに、電源配線501をシ−ルドとして
使用することで容量のバラツキを低減することが可能で
ある。
【0030】以上説明してきた本発明のクロック配線の
等価回路を図7に示す。図7においては、クロック配線
AB110とシ−ルドクロック配線303は抵抗Rと容
量Cとの分布定数的な表現としている。ここで表現され
ている容量Cは、クロック配線AB110及びシ−ルド
クロック配線303とクロスあるいは平行する信号配線
による容量等も含んでいる。クロック用バッファ301
は、クロック配線AB110を通してクロックドライバ
B108を駆動する。
【0031】シ−ルドクロックバッファ302が接続さ
れたシ−ルドクロック配線303の終端又は途中には、
図7に示すように容量を合わせ込むためのダミ−ゲ−ト
701を接続しても良い。このダミ−ゲ−ト701の代
わりに、図8に示すように終端抵抗801を接続しても
良い。さらに、図示は省略するが、容量、ダイオ−ド、
トランジスタ等をつけても良い。もちろん、不必要な場
合には、これらをつけることなく開放状態としても良
い。
【0032】また、クロックドライバA107における
バッファ301、302の形式は、図7のようなMOS
トランジスタ702を使用するものに限定されるもので
はなく、バイポ−ラトランジスタによるものでも、もし
くは図9に示すようなMOSトランジスタ702とバイ
ポ−ラトランジスタ901を組み合わせた回路でも良
い。
【0033】この時必要に応じて、シ−ルドクロック用
バッファ302の回路形式を変えたり、もしくは駆動力
をクロック用バッファ301より強くすることでシ−ル
ドクロックの立上り/立ち下がり時間を早めることによ
り、等価的にクロックの立上り/立ち下がり時間を早め
ても良い。また、クロックドライバに付加機能を追加し
たり、遅延素子を挿入することでシ−ルドクロック用バ
ッファにたいしクロック用バッファを遅くして位相をず
らすことにより、等価的にクロックの立上り/立ち下が
り時間を早めても良い。
【0034】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。
【0035】また、以上の説明では主として本発明者に
よってなされた発明を、その背景となった利用分野であ
るLSIのクロック配線に適用した場合について説明し
たが、それに限定されるものではない。例えば、LSI
以外の半導体集積回路装置、プリント配線等に適用可能
なものであり、本発明はクロック配線を用いる技術に広
く適用可能なものである。
【0036】
【発明の効果】以上述べてきたように、本発明は、クロ
ック配線の周囲の全部、もしくは一部にシ−ルドクロッ
ク配線を敷設し、クロック配線とシールドクロック配線
とをほぼ同相とすることによりクロック配線の容量を低
減し、かつ各クロック配線間の容量を揃えることで、ク
ロックの遅延時間および立上り/立下がり時間を低減
し、クロックスキュ−を低減させることができ、LSI
やプリント基板の上に構成された回路を高速動作させる
のに効果が大きいものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明のクロック配線を適用したLSIを示
す平面図。
【図2】 本発明のクロック系統図。
【図3】 本発明のクロック配線構造の第1の例を示し
た斜視図。
【図4】 本発明のクロック配線構造の第2の例を示し
た斜視図。
【図5】 本発明のクロック配線と電源配線との関係を
示した平面図。
【図6】 図5の断面図。
【図7】 本発明のクロック配線の等価回路を示す回路
図。
【図8】 図7のダミーゲートの変形例の回路図。
【図9】 図7のバッファの変形例の回路図。
【符号の説明】
101…LSI、102…マクロセル、103…ランダ
ム論理回路、104…ボンディングパッド、105…I
/Oエリア、106…クロックパルスジェネレ−タ、1
07…クロックドライバA、108…クロックドライバ
B、109…クロックドライバC、110…クロック配
線AB、111…クロック配線BC、112…クロック
ドライバD、113…FF、114…クロック配線C
D、115…クロック配線DE、301…クロック用バ
ッファ、302…シ−ルドクロック用バッファ、303
…シ−ルドクロック配線、304…信号配線、501…
電源配線、503…信号配線、504…I/Oセル、7
01…ダミ−ゲ−ト、702…MOSトランジスタ、8
01…終端抵抗、901…バイポーラトランジスタ、
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 北村 暢章 東京都小平市上水本町5丁目20番1号 日 立超エル・エス・アイ・エンジニアリング 株式会社内

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 クロック配線において、該クロック配線
    が接続される駆動源とクロック源を同一とする駆動源に
    接続されるシールドクロック配線を、当該クロック配線
    の全長部分又は全長の一部分に対して近接して敷設した
    ことを特徴とするクロック配線。
  2. 【請求項2】 クロック配線のクロックドライバ−を電
    源リングの直下又は近傍に配置したことを特徴とする請
    求項1記載のクロック配線。
  3. 【請求項3】 クロック配線の上下の一方又は両方にシ
    ールドクロック配線を敷設したことを特徴とする請求項
    1又は2に記載のクロック配線。
  4. 【請求項4】 クロック配線の左右の一方又は両方にシ
    ールドクロック配線を敷設したことを特徴とする請求項
    1乃至3のいずれか1項に記載のクロック配線。
  5. 【請求項5】 部分的に他の信号配線とクロスして敷設
    したことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に
    記載のクロック配線。
  6. 【請求項6】 クロック配線が複数の配線を並列接続し
    たものであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれ
    か1項に記載のクロック配線。
  7. 【請求項7】 各クロック配線の長さを等しくしたこと
    を特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載のク
    ロック配線。
  8. 【請求項8】 同一クロックドライバ−間の各クロック
    配線の長さを等しくしたことを特徴とする請求項7記載
    のクロック配線。
  9. 【請求項9】 互いに異なる相のクロック配線を平行に
    敷設したことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1
    項に記載のクロック配線。
  10. 【請求項10】 隣合う異なる相のシ−ルドクロック配
    線の間隔を、クロック配線とシ−ルドクロック配線との
    間隔よりも広くしたことを特徴とする請求項9記載のク
    ロック配線。
  11. 【請求項11】 隣合う異なる相のクロック配線に対し
    て、当該隣合うクロック配線の方向側にのみシ−ルドク
    ロック配線を施したことを特徴とする請求項9又は10
    に記載のクロック配線。
  12. 【請求項12】 シ−ルドクロック配線の容量のうち、
    クロック配線に対する容量以外の容量を低減したことを
    特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載のク
    ロック配線。
  13. 【請求項13】 電源配線と隣接するクロック配線にお
    いて、電源配線側のシールドクロック配線を省略して、
    電源配線をシ−ルドとして使用したことを特徴とする請
    求項1乃至12のいずれか1項に記載のクロック配線。
  14. 【請求項14】 クロック配線をI/Oエリアに隣接し
    て敷設したことを特徴とする請求項1乃至13のいずれ
    か1項に記載のクロック配線。
  15. 【請求項15】 クロック配線とシ−ルドクロック配線
    とが同一層上に形成されたことを特徴とする請求項1乃
    至14のいずれか1項に記載のクロック配線。
  16. 【請求項16】 シ−ルドクロック配線の終端又は途中
    に、ダミ−ゲート、終端抵抗、容量、ダイオード又はト
    ランジスタを接続したことを特徴とする請求項1乃至1
    5のいずれか1項に記載のクロック配線。
  17. 【請求項17】 シ−ルドクロック配線のクロックドラ
    イバの駆動力をクロック配線のクロックドライバの駆動
    力より大きくしたことを特徴とする請求項1乃至16の
    いずれか1項に記載のクロック配線。
  18. 【請求項18】 シ−ルドクロック配線に入力するクロ
    ックの位相と、クロック配線に入力するクロックの位相
    とをずらしたことを特徴とする請求項1乃至17のいず
    れか1項に記載のクロック配線。
  19. 【請求項19】 請求項1乃至18のいずれか1項に記
    載のクロック配線を有することを特徴とする半導体集積
    回路装置。
JP3298900A 1991-11-14 1991-11-14 クロツク配線及びクロツク配線を有する半導体集積回路装置 Pending JPH05136125A (ja)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000174017A (ja) * 1998-07-31 2000-06-23 Stmicroelectronics Inc 導体における伝搬遅延を減少させる装置及び方法
US7005907B2 (en) 2002-06-12 2006-02-28 Nec Corporation Integrated circuit device with clock skew reduced
JP2007335888A (ja) * 2000-12-18 2007-12-27 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置
US7982314B2 (en) 2000-12-18 2011-07-19 Renesas Electronics Corporation Semiconductor integrated circuit device
JP2013231977A (ja) * 2013-06-04 2013-11-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP2015162674A (ja) * 2014-02-27 2015-09-07 聯發科技股▲ふん▼有限公司Mediatek Inc. 半導体チップと半導体チップパッケージ

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0585601B1 (en) 1992-07-31 1999-04-28 Hughes Electronics Corporation Integrated circuit security system and method with implanted interconnections
SE500523C2 (sv) * 1992-10-09 1994-07-11 Elsa Elektroniska Systems And Halvledarkomponent med minst en första och en andra komponentelektrod innefattande ett flertal på en halvledarbricka integrerade halvledarelement, som vart och ett innefattar minst en första och en andra elementelektrod på samma sida av halvledarbrickan, varid de första elementelektroderna är förbundna med den första komponentelektroden och de andra elementelektroderna är förbundna med den andra komponentelektroden.
US5442225A (en) * 1993-08-13 1995-08-15 Lsi Logic Corporation Integrated circuit having interconnects with ringing suppressing elements
JP3283984B2 (ja) * 1993-12-28 2002-05-20 株式会社東芝 半導体集積回路装置
JP3185540B2 (ja) * 1994-06-10 2001-07-11 松下電器産業株式会社 半導体集積回路
JP2679680B2 (ja) * 1995-04-24 1997-11-19 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JP4027438B2 (ja) * 1995-05-25 2007-12-26 三菱電機株式会社 半導体装置
US5783846A (en) * 1995-09-22 1998-07-21 Hughes Electronics Corporation Digital circuit with transistor geometry and channel stops providing camouflage against reverse engineering
US5723883A (en) * 1995-11-14 1998-03-03 In-Chip Gate array cell architecture and routing scheme
JP2921463B2 (ja) * 1996-01-30 1999-07-19 日本電気株式会社 半導体集積回路チップ
US5994765A (en) * 1996-07-01 1999-11-30 Sun Microsystems, Inc. Clock distribution network with efficient shielding
JPH1041475A (ja) * 1996-07-23 1998-02-13 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路装置及びその製造方法
JPH10284605A (ja) * 1997-04-08 1998-10-23 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路およびセルベース方式によりレイアウト設計された半導体集積回路
JP3501620B2 (ja) * 1997-05-26 2004-03-02 株式会社 沖マイクロデザイン 半導体集積回路
US5973375A (en) * 1997-06-06 1999-10-26 Hughes Electronics Corporation Camouflaged circuit structure with step implants
US6091090A (en) * 1997-09-19 2000-07-18 In-Chip Systems, Inc. Power and signal routing technique for gate array design
US6242767B1 (en) * 1997-11-10 2001-06-05 Lightspeed Semiconductor Corp. Asic routing architecture
US5981987A (en) 1997-12-02 1999-11-09 Nurlogic Design, Inc. Power ground metallization routing in a semiconductor device
US6963510B1 (en) 1998-07-10 2005-11-08 Xilinx, Inc. Programmable capacitor and method of operating same
US6255675B1 (en) * 1998-07-10 2001-07-03 Xilinx, Inc. Programmable capacitor for an integrated circuit
US6133621A (en) * 1998-10-15 2000-10-17 Stmicroelectronics S.R.L. Integrated shielded electric connection
US6331733B1 (en) 1999-08-10 2001-12-18 Easic Corporation Semiconductor device
US6396368B1 (en) 1999-11-10 2002-05-28 Hrl Laboratories, Llc CMOS-compatible MEM switches and method of making
KR100346056B1 (ko) * 1999-12-17 2002-07-24 한국조폐공사 형광 색사의 제조 방법
JP3727220B2 (ja) * 2000-04-03 2005-12-14 Necエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US7217977B2 (en) * 2004-04-19 2007-05-15 Hrl Laboratories, Llc Covert transformation of transistor properties as a circuit protection method
US6815816B1 (en) * 2000-10-25 2004-11-09 Hrl Laboratories, Llc Implanted hidden interconnections in a semiconductor device for preventing reverse engineering
US6613611B1 (en) 2000-12-22 2003-09-02 Lightspeed Semiconductor Corporation ASIC routing architecture with variable number of custom masks
US6791191B2 (en) 2001-01-24 2004-09-14 Hrl Laboratories, Llc Integrated circuits protected against reverse engineering and method for fabricating the same using vias without metal terminations
US7294935B2 (en) * 2001-01-24 2007-11-13 Hrl Laboratories, Llc Integrated circuits protected against reverse engineering and method for fabricating the same using an apparent metal contact line terminating on field oxide
US6740942B2 (en) * 2001-06-15 2004-05-25 Hrl Laboratories, Llc. Permanently on transistor implemented using a double polysilicon layer CMOS process with buried contact
US6774413B2 (en) 2001-06-15 2004-08-10 Hrl Laboratories, Llc Integrated circuit structure with programmable connector/isolator
US6885043B2 (en) * 2002-01-18 2005-04-26 Lightspeed Semiconductor Corporation ASIC routing architecture
DE10216873A1 (de) * 2002-04-17 2003-11-13 Infineon Technologies Ag Kontaktierbare integrierte Schaltung und Verfahren zur Herstellung einer solchen Schaltung
US6897535B2 (en) * 2002-05-14 2005-05-24 Hrl Laboratories, Llc Integrated circuit with reverse engineering protection
US6708314B2 (en) * 2002-05-24 2004-03-16 Sun Microsystems, Inc. Clock skew reduction using active shields
US6828852B2 (en) * 2002-08-13 2004-12-07 Sun Microsystems, Inc. Active pulsed scheme for driving long interconnects
US7049667B2 (en) * 2002-09-27 2006-05-23 Hrl Laboratories, Llc Conductive channel pseudo block process and circuit to inhibit reverse engineering
US6789245B2 (en) * 2002-10-08 2004-09-07 Sun Microsystems, Inc. Use of coupling capacitance to balance skew in a network
US6979606B2 (en) 2002-11-22 2005-12-27 Hrl Laboratories, Llc Use of silicon block process step to camouflage a false transistor
WO2004055868A2 (en) * 2002-12-13 2004-07-01 Hrl Laboratories, Llc Integrated circuit modification using well implants
US7161226B2 (en) * 2003-10-20 2007-01-09 Industrial Technology Research Institute Multi-layered complementary wire structure and manufacturing method thereof
US7242063B1 (en) 2004-06-29 2007-07-10 Hrl Laboratories, Llc Symmetric non-intrusive and covert technique to render a transistor permanently non-operable
US8168487B2 (en) 2006-09-28 2012-05-01 Hrl Laboratories, Llc Programmable connection and isolation of active regions in an integrated circuit using ambiguous features to confuse a reverse engineer
JP4733059B2 (ja) * 2007-01-30 2011-07-27 富士通株式会社 集積回路設計装置、集積回路設計方法及び集積回路設計プログラム
US9576101B2 (en) 2015-03-02 2017-02-21 Freescale Semiconductor, Inc. Configurable cell design using capacitive coupling for enhanced timing closure
US10939541B2 (en) * 2017-03-31 2021-03-02 Huawei Technologies Co., Ltd. Shield structure for a low crosstalk single ended clock distribution circuit
US10503203B2 (en) * 2017-12-12 2019-12-10 Advanced Micro Devices, Inc. Low-power multi-phase clock distribution on silicon

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4514749A (en) * 1983-01-18 1985-04-30 At&T Bell Laboratories VLSI Chip with ground shielding
JPS59144171A (ja) * 1983-02-07 1984-08-18 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
JPH021928A (ja) * 1988-06-10 1990-01-08 Toshiba Corp 半導体集積回路
KR920005863B1 (ko) * 1988-08-12 1992-07-23 산요덴끼 가부시끼가이샤 반도체 집적회로
JPH03224261A (ja) * 1990-01-30 1991-10-03 Fujitsu Ltd 半導体集積回路装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000174017A (ja) * 1998-07-31 2000-06-23 Stmicroelectronics Inc 導体における伝搬遅延を減少させる装置及び方法
JP2007335888A (ja) * 2000-12-18 2007-12-27 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置
US7982314B2 (en) 2000-12-18 2011-07-19 Renesas Electronics Corporation Semiconductor integrated circuit device
US7005907B2 (en) 2002-06-12 2006-02-28 Nec Corporation Integrated circuit device with clock skew reduced
JP2013231977A (ja) * 2013-06-04 2013-11-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP2015162674A (ja) * 2014-02-27 2015-09-07 聯發科技股▲ふん▼有限公司Mediatek Inc. 半導体チップと半導体チップパッケージ
US9349682B2 (en) 2014-02-27 2016-05-24 Mediatek Inc. Semiconductor chip and semiconductor chip package each having signal paths that balance clock skews

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Publication number Publication date
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US5309015A (en) 1994-05-03

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