308736 五、發明説明（ 〈發明領域> 本發明係關於一種半導體元件（特别是包含有 線路結構的電晶體的ic)與它的製造方法❶ 層 〈發明背景〉 多廣線路結構已被廣泛地使用在目前由(金 氧化半導體）電晶體構成的1C且是元件設計的〜個本質 面 程 圖20到25舉例説明一個如此例子並參考它的製造龙 f請先閲讀背面之注意事项再填寫本頁j 裝 經濟部中央橾準局員工消費合作杜印製 首先’如顯示於圖20, 一個多晶矽閘電極⑽被形成 在一個p-石夕基片⑴的主要表面以便經由一個閘氧化物薄 膜⑸從它分開。一個n+源極區域⑶與汲極區域⑷藉不纯 擴散在前述閘電極的任一側邊來形成。此外，一個側梅 (Π)包括一個氧化物薄膜（二氧化矽），氮化物薄膜⑷氮 化三矽）等等是形成在閉電極⑽的側面。 接著一個被使用於接觸洞形成的單幕02)(諸如一個 光阻）以需要的圖樣被形成在一個包括二氧化矽等等的 絶緣層⑺的頂端並藉CVD (化學蒸氣沉爽）形成在整個 表面。此被使用於蚀刻絶緣層，如顯示於圖21，以形成 接觸洞(13)，⑽和⑽。 3 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X 297公釐） 訂. 308736 Μ ----- -Β7_ 五、發明説明（） 接著’如颟示於圖22，接觸洞以一個傳導性材料的 鋁填入（於此流程期間，黏著到絶緣層⑺的鋁以蝕刻移 去〉’此後功能如較低電極材料的銘經由噴射等等被附 著到整個表面。 前面討論係闞於一個情況，於其中一個金屬，諸如 鋁，被直接地連接到n+擴散區域⑶與⑷與多晶矽閑電 極⑽。應注意如果於其中一個金屬，諸如：銘，被連接 到n+擴散區域⑶與⑷與多晶矽閘電極⑽，其金屬是在 首先黏著一個障礙金屬，諸如：鈥氮化物（Ti/TiN>或 者鈦矽化物（TiSi2)，到擴散區域⑶和⑷或者多晶矽 閘電極⑽的頂端後被連接。 接著，如顯示於圈23，較低電極材料是經由光石版 術打樣以便分别連接較低電極⑽與⑽到閘電極⑽，與到 源極區域⑶與汲極區域⑷。 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 接著，如顯示於圈24，一個經過洞(21)被形成以便部 份地暴露在包括二氧化矽等絶緣層⑽上的汲極區域⑷的 頂端的電極⑽，並經由CVD附著到整個表面。 接著，如顯示於圖25，功能如較高電極材料的鋁經 由噴射等等被附著在一個包含經過洞(21)的區域上。接著 它被打樣以形成一個較高電極。 於此方法，一個多層線路結構已製備，其中閘電極 ⑽與源極區域⑶被較低電極⑽所抽出，而汲極區域⑷經 本紙張尺度逋用中國國家橾準（CNS ) Μ規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 308736 五、發明説明（） 一-- 由較高電極㉒與較低電極⑽所抽出。 然而，以前述多層線路結構，因爲它需要形成接觸 洞ω到⑽在絶緣廣⑺用於第一層線路，與一個經過洞在 絶緣層⑽用於第二個層線路，高精確打樣和蝕刻步驟需 被實行兩次以形成這法洞。這是一個會引起較高成本和 較長循環時間的因素。此趨勢在近年已惡化因線路層的 數目已經從二層增加到三與四層。 本發明的目的是提供一種半導體元件與製造方法其 有一個多層線路結構，以用來獲得高精密的連接而減少: 或至少不增加步驟數目。 較特别地’本發明係關於一種半導雜元件結構，以 便第一和第一個傳導性區域分别地經過連接洞被連接到 一個較低線路輿較高線路，其連接洞是在一個形成在前 述傳導性區域的頂端的絶緣層，在前述第—和第二個傳 導性區域的前述連接洞經過一個共用絶緣層被形成。 此外，以本發明的半導體元件，它是允許在前述第 一和第二個傳導性區域的連接洞被填入較低線路材料。 此外，以本發明的半導體元件，它是允許前述較高線路 和前述較低線路經過前述第一或者第二個傳導性區域而 被電氣連接。 此外，本發明係關於一種半導體元件其包含下列事 物：一個第一個傳導性區域；一個第二個傳導性區域形 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 I308736 五 、發明説明（ 經 部 中 央 標 準 局 % X. 消 費 合 作 社 成在前述第-個傳導性區域之上以 層從它分開；形成在前述第二個傳導：:-絶緣 第四個傳導性區域㈣經由—個第二個 ;-個第-個連接洞其經過前述第二個與第〜個:2 延伸到前述第-鱗導性區域；與—㈣ =前述第二個絶緣層延伸到前述第二個傳導=: 其中前述第^料性區域和前述第三個傳導性^經 2述第=連接峨連接，而前述第二_導性 和第四個料性_經過前述第二個連_被連接。 個狀’它允許此前述第一個傳導性區域成爲 一個傳導性區域形成在半導體基片的主要表面上，而前 述第二個，第三個，與第四個傳導性區域成爲線路層。 此外，如-個用於製造本發明的半導雜元件之方法 發明同時也提供-科導體元件製造方糾包含下列步 驟：-個步驟於其中—個第一個絶緣層被形成在第—和 第-個傳導性區域的頂端；—個步螺用料成第一和 第二個連接洞其經過前述第—絶緣層延伸到前述第一和 第二個傳導性區域；-個步裸用於形成—個第—個線路 其包括-鮮二個料性材科（此可輿第—個傳導性材 料不同或—致）並㈣—個被填人-個第-個傳導性材 料的第-個連接洞被連接到前述第一個傳導性區域，其 是經由沈積前述第一個傳導性材料在前述第一個絶緣層 本紙張尺度適用中國國豕榡準（CNS ) A4規格（2丨〇X297公釐 ------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂· —i〆------ --1 111 — I__ 篇、發明説明（ 上 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 連接洞二二―個被填人前述第—個傳導性材料的第二個 述第料其中—轉二贱料被形成在前 二個絶緣ί的^頂端；與—個步裸用_成，在前述第 第二個填入前述第-個傳導性材料的 '被電乳連接到前述第二個傳導性區域。 2外’本發㈣時也提供—種半物元件製造方法 _二下列步裸：—個步骤於其中—個第—絶緣廣被形 成在第i傳導性區域的頂端；—個步骤於其中一個第 -個傳導性區域㈣成在前述第—舰料的頂端；一 t步樣於其中—個第二钱緣層卿成在前述第二個傳 導性區域的頂端；-個步骤祕形成—個第—個連接洞 其經過前述第二個與第—個絶緣層延伸到前述第一個傳 導性區域，並形成一個第二個連接洞其經過前述第二個 絶緣屬延伸财述第二㈣導性區域；與—個步骤於其 中前述第一和第二個連接洞被填入一個傳導性材料且 於其中第三個與第四個傳導性區域被形成以被分别地連 接到前述第一和第二個連接洞。 於此狀況下，可包含下列步驟：一個步驟於其中一 個第三個绝緣層被形成在前述第三個與第四個傳導性區 域的頂端；一個步骤於其中一個第三個連接洞經過前述 第三個與第二個絶緣層被形成延仲到前述第二個傳導性 (請先閱讀背面之注意事項蒋填寫本育) --I III . 装·
1T 丄 7 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) A4规格（210x297公釐） 308736 A7 __£1 五、發明説明（) 區域；與一個步驟於其中前述第三個連接洞被塡入〜個 傳導性材料，且於其中一個第五個傳導性區域經過前迷 第三個連接洞被形成以被連接到前述第二個傳導性區域 〇 〈圖示簡述〉 圖1是一個用於本發明的一個實施例的M0S元件的製造 方法的一個步驟的擴大剖面圖。 圈2是一個於前述製造方法的另外步驟的擴大剖面圏。 圖3是一個於前述製造方法的另外步裸的擴大剖面阐。 圖4是一個於前述製造方法的另外步樣的擴大剖面圈。 圖5是一個於前述製造方法的另外步棵的擴大剖面圏。 圖6是一個於前述製造方法的另外步驟的擴大剖面圖。 圖7是一個於前述製造方法的另外步驟的擴大剖面圖。 圖8仍是一個於前述製造方法的另外步驟的擴大剖面阐 〇 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 圖9是一個用於本發明的另外運用例子的M〇s元件的製 造方法的一個步裸的擴大剖面圖。 圖10是一個於前述製造方法的另外步驟的擴大剖面圖。 圖11是一個用於本發明的另外實施例的M0S元件的製造 方法的一個步骤的擴大剖面圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210^297^7 祖 祖 經濟部中央標率局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（） 圖12是一個於前述製造方法的另外步驟的擴大剖面圖。 圖13是一個於前述製造方法的另外步驟的擴大剖面圖。 圖14是一個於前述製造方法的另外步驟的擴大剖面圖。 圖15是一個於前述製造方法的另外步驟的擴大剖面圖。 圖16是一個於前述製造方法的另外步骤的擴大剖面圖。 圖17是一個於前述製造方法用於MOS的另外步蝶的擴大 剖面圖。 圖18是一個於前述製造方法用於m〇S的另外步驟的擴大 剖面圖。 圖19仍是一個於前述製造方法用於M0S的另外步驟的擴 大剖面圖。 圖20是一個用於傳統比較例子的jf〇s元件的製造方法的 一個步骤的擴大剖面圖。 圖21是一個於前述製造方法的另外步驟的擴大剖面圖。 圖22是一個於前述製造方法的另外步驟的擴大剖面圖。 圖23是一個於前述製造方法的另外步驟的擴大剖面圖。 圖24是一個於前述製造方法的另外步驟的擴大剖面國。 圖25仍是一個於前述製造方法的另外步驟的擴大剖面圖 〇 〈實施例敘述〉 本發明的實施例將被呈現在下面。 本紙張尺度通用T國國豕榡率（CNS ) A4規格（210X297公着） --------{裝------------f (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 屢 屢 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 Μ _Β7_ 五、發明説明（） 圖1到8舉例説明一個於其中本發明被應用到—個 MOS元件的第一個實施例。 在目前實施例獲得的元件結構將被參考它的製造流 程來説明。首先，如顯示於圈1，一個多晶矽閘電極⑽ 被形成在一個})衫"基片⑴的主要表面以便經由一個由 一場二氧化矽薄膜⑵分割的基本元件區域的閘氧化物薄 膜⑸從它分開。一個n+源極區域⑶與汲極區域⑷經不純 擴散在任一前述閘電極的侧邊所形成。此外，一個包括 一個氧化物薄膜（二氧化發）’氮化物薄膜（四氮化三 矽）等等的側牆被形成在閘電極⑽的侧面。應注意包含 側牆αΐ)的閘電極⑽是呈現在場二氧化矽薄膜⑵的頂端當 作線路的一部份。 接著一個使用於接觸洞形成的軍幕©(諸如一個光 阻）以需要的圖樣被形成在一個包括二氧化矽等等的絶 緣層⑺的頂端並經由CVD (化學蒸氣沉激）形成在整個 表面。這被使用於蚀刻絶緣層⑺如顯示於圈2以形成接 觸洞⑽，04)，®，㈤與⑽。 接著，如顯示於圈3，單幕©被移去，此後是一個 傳導性材料的多晶矽⑽被沈積在整個表面，包含所有接 觸洞。 接著，如顯示於圖4，餘刻法被實行以除去在表面 的傳導性材料，允許傳導性材料⑶)只留下（如插接點〉 -10 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公嫠） (請先閱讀背面之注意事項再填"本筲) 訂 I308736 A7 B7 五、發明説明（ 於接觸洞⑽到07)與⑽。接著，功能如較低電極材料的鋁 ⑶)與一個二氡化矽絶緣層⑽被分别地依照順序經由喷射 與CVD製成薄版。 接著一個使用於較低電極形成的單幕©)(諸如一個 光阻）以需要的圖樣被形成如顯示於圈5，然後被使用 於蚀刻以形成在其頂端是二氧化矽層的較低線路⑽。此 外，傳導性材料⑽同時也被允許留下當作在接觸洞呦與 ㈤的接觸洞插接點。 接著，如類示於圖6，一個包括二氡化梦等等的交 互層絶緣薄膜被形成以從功能如插接點的傳導性材料⑽ 分開較低電極⑽。接著，如顯示於圖7，蝕刻法被實行 以一個側踏鉍涵蓋較低線路QS)的側邊。此外，於接觸洞 卿與G?)的傳導性材料(36)被暴露在一個側踏⑽不呈現的經 過洞⑽。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、lr 接著，如顯示於圖8，功能如一個較高的電極材料 的鋁⑽被附著。接著諸如打樣較高電極材料和一個表面 絶緣層的黏附的步驟被實行以完成元件。 於此方法，它是可能來製造一個多層線路結構，於 其中絶緣層⑽與⑽功能是分開較低線路⑽，連接到閘電 極⑽與源極區域⑶，從較高電極⑽，連接到没極區域⑷ 。此流程有顯著的功能如下列步驟。 (1)於形成用於較低線路(3©與較高線路⑽的連接洞 11 - 祖 A7 B7 五、 發明説明（ 流程期間，其接觸洞的形式是在共用絶緣層⑺上的⑽， 汹，和⑽，和⑽與Θ7)，一個共用軍幕锄（見圖2 )被使 用來形成它們。此外，用於較低線路的傳導性材料被允 許留下當作於較低線路(38)打樣處理（見圖5 )期間的插 接點，而較高線路⑽被附著到使用側牆技術成型的經過 洞⑽。所以它是可能經過一個循環的罩幕，打樣，與餘 刻來形成接觸洞。此外，它是可能形成較高線路經過洞 而不使用一個罩幕。所以它是可能來減少至少二個必需 的步驟數目。此外，它是可能來達到減少成本與循環時 間〇 (2) 因爲它是可能來形成高精密的接觸洞與經過洞 而沒有位置移位，這些洞能被形成到最小大小尺寸而有 狹窄的間隙於它們之間。這是有利於減少晶片的大小尺 寸與基本元件的大小尺寸。 (3) 它是可能來直接地連接較高線路（第二層線路） 到這些形成在發基片的電晶體等等而沒有傳送經過較低 線路（第一層線路）。因此用於半導體元件線路的佈局 規則的限制被減少了。 (4) 因爲較高線路（第二層線路）與較低線路（第 一層線路）能經過較低層線路被連接，它是可能來使用 當作在交互層絶緣薄膜的頂端與場二氧化矽薄^的頂端 的線路形成區域，其於傳統的元件是線路不被形成的空 區域。遑使它可能來減少佈局規則的限制與減少晶片的 〈 I 訂 n 1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 經濟部中夬棣準局員工消費合作社印製 雇 雇 經濟部中央標準局員工消費合作社印袋 A7 B7 五、發明説明（） 面積0 應注意雖然本發明是關於一個情況，其較高線路和 較低線路經過在場二氧化珍薄膜的線路被連接，它同時 也是可能經過形成在相同層當作於動態DRAM的位元線， 儲藏線，板電極等等的線路來連接前述較高線路與前述 較低線路。 圖9和10舉例説明一個本發明被應用到一個MOS元 件的第二個實施例。 本實施例不同於前述第一個實施例在於線路材科本 身被使用當作用於接觸洞的插接點材料。 較特别地，如顯示於圖9，於一個相對應於用於上 述之第一個實施例顯示在圖3與4步驟的步驟，形成在 絶緣層⑺的接觸洞⑽到07)被填入較低線路材料而在當一 個較低線路材料⑽諸如鋁被沈積時產生插接點。 如此如顯示於圖10，於最後獲得的多層線路結構， 較低線路材料剩餘在接觸洞卿與㈤，因而包括鋁等等較 高線路被附著得以形成連接。 因爲較低線路材料本身如此被使用爲插接點材料， 它是可能來獲得一個另外的利益，其相比較於前面第一 個運用例子可較進一步地減少需要用於插接點填入步驟 的數目。 圖11到16舉例説明一個本發明被應用到一個M0S元 -13 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ί 裝------訂------Γ I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) I308736 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（） 件的第三個實施例。 在目前實施例獲得的元件結構將參考它的製造流程 被説明。首先，如顯示於圖u個多晶矽閘電極⑽被 形成在一個P石夕基片⑴的主要表面上以便藉一個閘氧化 物薄膜⑸從它分開。一個源極區域⑶與汲極區域⑷藉 不純擴散在任一前述閘電極的側邊來形成。此外，一個 包括一個氧化物薄膜（二氧化石夕），氮化物（四氮化三 矽）薄膜等等的側綸被形成在閘電極⑽的側面。 接著，如顯示於圖12，包括鋁等等的較低線路形成 在一個包括二氧化矽等等的絶緣層(57)的頂端，並經由 CVD形成在整個表面。這個較低線路能藉傳統的光石版 術來形成。 接著’如顯示於圈13，一個包括二氧化砍等等的絶 緣層67經由CVD被形成在整個表面。 接著，如顯示於圖14，一個用於接觸洞形成的罩幕 财以需要的圈樣被形成並使用於蝕刻絶緣層(67)及/或(57) 以形成接觸洞⑽，⑽，和㈣，與一個經過洞⑽。 接著，如顯示於圖15，在軍幕⑰被移去之後，一個 傳導性材料卿諸如鋁被沈積在整個表面上，包含所有接 觸洞。然後它被蝕刻回去，使得接觸洞被填入而當作插 接點。接著功能如較高線路材料的鋁⑽經由喷射被沈積 在整個表面。於此流程期間，較高線路材料(必經過這些 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I— I II ^ 裝 I I I I 訂— ( (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7
五、發明説明（） 插接點⑽錢_較低線路_在#_賴的 性區域。 接著，如顯示於®16，較高線路材肢在較高線路 被打樣。於此方法’它是可絲製造—财料路 ，於其中㈣極⑽與源極這錄接關與較 高線路被連接到較低線路⑽，而汲極區域⑷經由這些插 接點⑽被連接到較高線路⑽。 在目前實施例，因爲與較高與較低線路使用的接觸 洞⑽到⑽同時地被形成在共用絶緣層奶與鈉上（經過洞 ⑽也同時被形成），它是可能來獲得相同於那些上述第 一個實施例的效果。此外，它是可能來獲得於其中可經 由較高線路連接到較低線路的多層線路結構。 應注意接觸洞⑽到⑽是很深的如顯示於圖15。如此 爲了適合地以這些插接點（鋁〉來填入它們，使用一個 技術諸如回流A1是有用的。 較特别地，雖然以鋁，回流A1 ( ETM (加強轉換流 動））來填入深的接觸洞或經過洞通常是困難的，它是 可能來完全地以鋁來填入充滿的接觸洞與經過洞。首先 鋁被附著並在一個包含氬等等的大氣下被處理，在以下 狀況之下：55-65 Mpa的壓力與350-450度C的溫度。於 此方法，它是可能來使用鋁完全地塡入經過洞或接觸洞 而以一個0.5微米或更低（即使是0.25微米或更低）的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） — II I II — I{裝 i — — — 訂 〈 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製
I I 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 --------------—---- 五、發明説明（） 直徑，其縱橫比（洞的直徑對深度的比率）是3或更大 〇 圖17舉例説明—個本發明被應用到一個元件的 第四個實施例。 以現今的速用例子，它是允許同時形成接觸洞⑽， ⑽，與05)在絶緣層⑺上。此外，直到以電極傳導性材料 ⑽填入接觸润的步裸可以是與用於第一個實施例顯示在 圖1到4的步踩相同° 接著，較低線路⑽以需要的圈樣被形成在絶緣層⑺ 上以便連接到這些插接點⑽，而較高線路(42»以需要的圈 樣經由CVD形成被形成在絶緣層(67)上〇接著，經過洞⑽ ，⑽，與⑽被形成在絶緣層(67)及/或絶緣層(77)上，其以 CVD被形成在絶緣層(67)。前述經過洞被填入一個傳導性 材料，而一個第三層線路⑽以需要的圖樣被形成在絶緣 層(77)上。 於此方法’它是可能來製造一個多層線路結構，於 其中較低線路⑽或⑽被絶緣並從較高線路⑽或⑽藉著一 個絶緣層被分開。於此實施例，線路接觸洞⑽到⑽與經 過洞⑽到⑽同時地被形成在絶緣層⑺或腳與忉上。如此 ，它是可能用少數的步骤來獲得高精密的接觸，縱使是 二或較多層的線路（本狀沉是三層>。 圖18和19舉例説明本發明被應用到一個元件的 -16 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4规格（-—--— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝' 訂 經濟部中央樣準局員工消費合作社印掣 308736 at ______B7 五、發明説明（） 另外的運用例子。 於顯示於圈8的運用例子的線路結構，閘電極⑽經 過較低線路0®被連接到源極區域⑶，而較低線路(3®與較 高線路⑽經過在場二氧化矽薄膜⑵上的閘電極⑽被連接 。如顯示於圖18，它同時也可能利用一個於其中較低線 路08)是分開於用於閘電極⑽的部份與用於源極區域⑶的 部份之間的線路結構。這些是經由側牆鉍被分開。此外 ，以顯示於圖16的實施例的線路結構，閘電極⑽經過較 高線路⑽被連接到源極區域⑶。如顯示於圖19，它同時 也是可能使用一個這些彼此被分開的線路結構。 前面的運用例子的情況是，其一個金屬傳導性材料 諸如鋁，被直接地連接到多晶矽閘電極⑽與在矽基片上 的擴散區域⑶與⑷。對於工業界有關人們應是清楚的， 如果一個金屬諸如鋁將連接到一個擴散區域或多晶矽閘 電極，前述金屬在一個障礙金屬諸如鈦氮化物（Ti/TiN )或鈦矽化物（TiSi2 )的黏附之後被連接到前述擴散 區域或多晶矽的頂端。此外，對於工業界有關人們應是 清楚的’ 一個障礙金屬，如上所敘述者，當也連接不同 金屬時將被插接。 本發明的實施例呈現如上。應注意前面的運用例子 能被按照本發明的技術概念而被較進一步地變更。 譬如’它是可能來對於呈現在上面的步驟在順序與 一 17 _ 本紙張尺度適财國國家標準（CNS ) A4規格—(210X297公釐) ' 11 II I I ^ I n 訂 111 —^ (請先閱讀背面之注意事項再填苟本頁) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 五、發明説明（） 結合上有多樣的變化。此外，它是可能來改變這些被使 用的圈樣’材料等等。有各種的結構與佈局的多層線路 結構能被製成只要使用在較高與較低線路上的連接洞（ 接觸洞或經過洞〉使用一個共用罩幕來形成。 此外，前面的實施例是關於鋁被使用爲線路材料的 情況。前述線路材料應是傳導性的，並可從在多晶矽， 銘，鈦等等中視需要來選擇。此外，前述絶緣層不被限 制爲氧化物薄膜；警如，氮化物薄膜等等也可被使用。 用於較高與較低線路的連接洞應該使用一個共用軍 幕來形成。然而，連接洞形成流程可被設定在一個特别 的順序只要它們是被形成在一個共用絶緣層上。除了經 過閘電極造成在較高線路和較低線路之間的連接外，如 類示於圖8，它同時也是可能經過矽基片⑴，或經過另 外的傳導性層來連接線路。 應注意它同時也是可能來改變前述半導體區域的傳 導性類型，並以不同於上述説明本發明MOS元件的基本 元件結構提出對於1C，LSI，半導醴記憶體，與其它的 元件的申請。 如上所敘述，本發明是一種半導體元件結構，以便 其第一和第二個傳導性區域分别地被連接到一個較低線 路與較高線路，其是經過成型在前述傳導性區域的頂端 的絶緣層的連接洞；在前述第一和第二個傳導性區域的 -18 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 袈. 訂
X 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210 X 297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 308736 A7 B7 五、發明説明（） 前述連接洞經過一個共用絶緣層被形成。所以它是可能 使用少數的步驟來形成連接洞，且減少成本與循環時間 。此外，本發明是有用於大小尺寸的減少，因爲連接洞 的大小尺寸能以微小的位置移位而被減少到一個最小量 參考數字與符號如顯示在圖示 1 .矽基片 3 . n+汲極區域 4 . n+源極區域 7，40，57，60，67絶緣層 10閘電極 11，54側牆 32，59，72 罩幕 33，34，35，36，37，39，73，74，75接觸洞 36，86傳導性材料 38較低線路 42較高線路 50，76經過洞 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ---------~ 裝------訂------1" i (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)