KR960043089A - 반도체 소자의 격리막 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 격리막 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 격리막 형성방법에 관한 것으로, 반도체 기판 위에 제1완충막과 제1산화방지막, 제2완충막 및, 제2산화방지막을 순차적으로 형성하는 공정과; 상기 반도체 기판의 격리영역 상의 제1산화방지막과 제2완충막 및 제2산화방지막을 식각하여 능동영역패턴을 형성하는 공정과; 상기 능동영역 패턴의 양 측면에 제3산화방지막을 형성하는 공정 및; 열산화공정에 의해 격리영역에 격리막을 형성하는 공정을 거쳐 소자 제조를 완료하므로서, 격리막 성장시 능동영역의 기판 상에 발생하는 스트레스를 줄일 수 있을 뿐 아니라 동시에 능동영역으로 확장되는 격리영역의 확장길이를 효과적으로 감소시킬 수 있고, 또한 공정단순화를 기할 수 있는 고신뢰성의 반도체 소자 제조기술을 구현할 수 있게 된다.

Description

반도체 소자의 격리막 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4(가)도 내지 제4(마)도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 격리막 형성방법을 도시한 공정수순도.

Claims (8)

  1. 반도체 기판 위에 제1완충막과 제1산화방지막, 제2완충막 및, 제2산화방지막을 순차적으로 형성하는 공정과; 상기 반도체 기판의 격리영역 상의 제1산화방지막과 제2완충막 및 제2산화방지막을 식각하여 능동영역 패턴을 형성하는 공정과; 상기 능동영역 패턴의 양 측면에 제3산화방지막을 형성하는 공정 및; 열산화공정에의해 격리영역에 격리막을 형성하는 공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 소자의 격리막 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 내지 제3산화방지막은 질화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 격리막 형성방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1산화방지막은 50∼500Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 격리막 형성방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2산화방지막은 500∼5000Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 격리막 형성방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제3산화방지막은 50∼700Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 격리막 형성방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제2완충막은 100∼1000Å의 두께의 다결정 실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 격리막 형성방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제1완충막은 50∼500Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 격리막 형성방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 반도체 소자의 격리막은 제3산화방지막 형성후 반도체 기판의 격리영역 상의 제1완충막을 제거하는 공정을 더 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 격리막 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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