KR970023983A - 반도체장치의 소자분리방법 - Google Patents
반도체장치의 소자분리방법 Download PDFInfo
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Abstract
실리콘 부분산화법(LOCOS) 또는 SEPOX법을 이용한 반도체장치의 소자분리 방법에서, 필드산화막 형성 전단계인 활성영역 형성후 제2폴리실리콘막을 침적함으로써 버즈빅(Bird's Beak)을 최소화할 수 있는 소자분리 방법이 포함되어 있다.
본 발명은 실리콘 부분산화법 또는 SEPOX법에서, 필드산화막 형성 전단계인 활성영역 형성후 제2폴리실리콘막을 침적함으로써, 상기 제2폴리실리콘막의 효과로 필드산화막 형성시 질화막과 실리콘 기판과의 접착을 증가시키는 효과가 있을뿐 아니라, 상기 제2폴리실리콘막이 H2O의 확산을 효율적으로 제어할 수 있다.
따라서 산화된 제2폴리실리콘은 질화막을 고정시키는 효과를 갖게 되므로 버즈빅을 감소시킬수 있으며, 또한 실리콘기판에서 필드산화막 형성에 필요한 H2O의 확산경로를 가운데 부분에 비해 버즈빅이 생성될 부분을 길게 함으로써, 버즈빅이 생성될 부분에서의 산화를 억제할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제5도는 본 발명의 실시예에 의한 반도체장치의 소자분리 방법을 나타내는 공정단면도이다.
Claims (2)
- 실리콘 부분산화법(LOCOS) 또는 SEFOX법을 이용한 반도체장치의 소자분리 방법에 있어서, 반도체기판상에 패드산화막, 제1폴리실리콘막, 질화막을 순차적으로 형성시키는 단계; 상기 질화막과 상기 제1폴리실리콘막을 사진 및 식각공정에 의해 식각하여 활성영역, 질화막 패턴 및 제1폴리실리콘막 패턴을 형성시키는 단계; 상기 결과물의 전면에 제2폴리실리콘막을 침적시키는 단계; 상기 결과물을 산화하여 필드산화막을 형성시키는 단계; 상기 질화막위에 형성된 필드산화막, 질화막 및 제1폴리실리콘막을 순차적으로 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2폴리실리콘막을 저압 화학기상증착법(LPCVD)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950034943A KR970023983A (ko) | 1995-10-11 | 1995-10-11 | 반도체장치의 소자분리방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950034943A KR970023983A (ko) | 1995-10-11 | 1995-10-11 | 반도체장치의 소자분리방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970023983A true KR970023983A (ko) | 1997-05-30 |
Family
ID=66583672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950034943A KR970023983A (ko) | 1995-10-11 | 1995-10-11 | 반도체장치의 소자분리방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970023983A (ko) |
-
1995
- 1995-10-11 KR KR1019950034943A patent/KR970023983A/ko not_active Application Discontinuation
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