KR920010818A - 반도체 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 공정 단면도.
Claims (4)
- 기판위에 산화막, 실리콘 질화막을 차례로 형성하는 공정과, P/R을 사용하여 제1실리콘 질화막을 액티브 영역보다 짧은 길이로 식각하는 공정과, P/R을 사용하여 상기 제1실리콘 질화막을 선택적으로 식각하고 이온 주입하는 공정과, P/R을 제거하고 식각되지 않은 제1실리콘 질화막위에 다시 제2실리콘 질화막을 형성하여 측벽을 형성하는 공정과, 필드산화막을 성장시켜 새부리 형상이 생기는 영역이 측벽이 있는 필드영역에 형성되게 하는 공정을 차례로 실시함을 특징으로 하는 반도체 제조방법.
- 제1항에 있어서, 제1실리콘 질화막 식각시 1000-1600Å두께로 식각함을 특징으로 하는 반도체 제조방법.
- 제1항에 있어서, 제2실리콘 질화막 식각은 수직방향으로 일정두께로 식각되는 건식 식각법을 이용함을 특징으로 하는 반도체 제조방법.
- 제1항에 있어서, 측벽 형성을 위한 제2실리콘 질화막은 1100-1600Å두께로 저압화학 기상 증착법에 의해 형성함을 특징으로 하는 반도체 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900018185A KR920010818A (ko) | 1990-11-10 | 1990-11-10 | 반도체 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900018185A KR920010818A (ko) | 1990-11-10 | 1990-11-10 | 반도체 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920010818A true KR920010818A (ko) | 1992-06-27 |
Family
ID=67537777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900018185A KR920010818A (ko) | 1990-11-10 | 1990-11-10 | 반도체 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920010818A (ko) |
-
1990
- 1990-11-10 KR KR1019900018185A patent/KR920010818A/ko not_active Application Discontinuation
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