KR950021358A - 반도체 소자의 필드 산화막 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 기판(1) 상부에 패드 산화막(2)을 형성하는 단계, 상기 패드산화막(2) 상부에 실리콘 질화막(3)을 형성한후 이후에 필드 산화막이 형성될 예정된 부위에 해당하는 상기 실리콘 질화막(3)을 식각하는 단계, 웨이퍼 구조 전체 상부에 실리콘 질화막을 중착한후 다시 전면 식각하여 이미 형성되어 있던 상기 실리콘 질화막(3) 측벽에 스페이서(4)를 형성하는 단계, 상기 스페이서(4) 사이의 반도체 기판(1)에 트레치(6)을 형성하는 단계, 상기 웨이퍼를 산화시켜 필드 산화막(5)을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 필드 산화막 제조 방법에 관한 것으로, 필드 산화막 형성시에 발생하는 새부리 모양에 의한 활성영역의 감소를 줄이므로써 반도체 소자의 크기를 줄일 수 있으며, 또한 필드 산화학과 주변의 활성영역과의 단차를 줄이므로써 고집적 반도체 공정을 용이하게 하는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 제2d도는 본 발명에 다른 필드 산화막 제조 공정도.
Claims (4)
- 반도체 소자의 필드 산화막 제조 방법에 있어서, 반도체 기판(1) 상부에 패드 산화막(2)을 형성하는 단계, 상기 패드 산화막(2) 상부에 실리콘 질화막(3)을 형성한 후 이후에 필드 산화막이 형성될 예정된 부위에 해당하는 상기 실리콘 질화막(3)을 식각하는 단계, 웨이퍼 구조 전체 상부에 실리콘 질화막을 증착한 후 다시 전면 식각하여 이미 형성되어 있던 상기 실리콘 질화막(3) 측벽에 스페이서(4)를 형성하는 단계, 상기 스페이서(4) 사이의 반도체 기판(1)에 트렌치(6)를 형성하는 단계, 상기 웨이퍼를 산화시켜 필드 산화막(5)을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드 산화막 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 패드 산화막(2)은 실리콘 산화막, 실리콘산화막과 다결정 실리콘의 이중구조중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드 산화막 제조 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 트렌치(6)를 형성하는 단계는 스페이서(4) 사이의 반도체 기판(1)을 등방성식각 함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소장의 필드 산화막 제조 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 트렌치(6)를 형성하는 단계는 웨이퍼를 산화시켜 스페이서(4) 사이의 반도체 기판(1)에 산화막을 형성한 후 이 산화막을 다시 제거함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드 산화막 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR960014449B1 KR960014449B1 (ko) | 1996-10-15 |
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Country Status (1)
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| KR (1) | KR960014449B1 (ko) |
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1993
- 1993-12-16 KR KR1019930028115A patent/KR960014449B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
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|---|---|
| KR960014449B1 (ko) | 1996-10-15 |
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