KR920005387A - 소자격리 및 채널스톱영역 형성방법 - Google Patents

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KR920005387A
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device isolation
stop area
area formation
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KR1019900012368A
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정원영
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문정환
금성일렉트론 주식회사
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내용 없음

Description

소자격리 및 채널스톱영역 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 공정단면도.

Claims (1)

  1. 기판위에 필드산화막을 형성하는 공정과 P.R을 이용한 마스킹 및 에치공정을 거쳐 트렌치를 형성하는 단계, 트랜치내에 채널스톱 이온을 주입하는 단계가 순차적으로 구비됨을 특징으로 하는 소자격리 및 채널스톱영역 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
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