KR920005387A - 소자격리 및 채널스톱영역 형성방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 공정단면도.
Claims (1)
- 기판위에 필드산화막을 형성하는 공정과 P.R을 이용한 마스킹 및 에치공정을 거쳐 트렌치를 형성하는 단계, 트랜치내에 채널스톱 이온을 주입하는 단계가 순차적으로 구비됨을 특징으로 하는 소자격리 및 채널스톱영역 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019900012368A KR920005387A (ko) | 1990-08-11 | 1990-08-11 | 소자격리 및 채널스톱영역 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019900012368A KR920005387A (ko) | 1990-08-11 | 1990-08-11 | 소자격리 및 채널스톱영역 형성방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR920005387A true KR920005387A (ko) | 1992-03-28 |
Family
ID=67542874
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019900012368A KR920005387A (ko) | 1990-08-11 | 1990-08-11 | 소자격리 및 채널스톱영역 형성방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR920005387A (ko) |
-
1990
- 1990-08-11 KR KR1019900012368A patent/KR920005387A/ko not_active Application Discontinuation
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