KR910013550A - 고용량 스택 셀 제조방법 - Google Patents

고용량 스택 셀 제조방법 Download PDF

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KR910013550A
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KR
South Korea
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polysilicon
etched
high capacity
insulating material
cell manufacturing
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Application number
KR1019890018831A
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English (en)
Inventor
김홍선
박완준
곽덕영
Original Assignee
문정환
금성일렉트론 주식회사
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내용 없음.

Description

고용량 스택 셀 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명 스택 셀의 공정순서를 나타낸 단면도.

Claims (1)

  1. 통상의 방법에 의하여 기판(1)에 필드 산화막(2)과 게이트(3) 및 드레인(5), 소오스(4)를 형성하고, 절연물질(6)을 증착시킨후 식각하여 집촉창을 형성한 다음 폴리 실리콘(7)을 증착시킨것에 있어서, 상기 폴리 실리콘(7) 위에 질연물질(8)을 증착후 식각하여 절연물질(8)이 폴리실리콘(7)과 같은 높이로 남게하고 폴리실리콘(9)을 증착한후 마스크를 사용하여 이 폴리 실리콘(9)의 일부를 식각하여 절연물질(8) 위의 폴리실리콘(9)을 식각한후 절연물질(8)을 식각하고 유전체(10) 및 폴리실리콘(11)을 증착시킴을 특징으로 하는 고용량 스택 셀 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890018831A 1989-12-18 1989-12-18 고용량 스택 셀 제조방법 KR910013550A (ko)

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