KR970018117A - 미세 패턴을 갖는 반도체소자의 제조방법 - Google Patents
미세 패턴을 갖는 반도체소자의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970018117A KR970018117A KR1019950031816A KR19950031816A KR970018117A KR 970018117 A KR970018117 A KR 970018117A KR 1019950031816 A KR1019950031816 A KR 1019950031816A KR 19950031816 A KR19950031816 A KR 19950031816A KR 970018117 A KR970018117 A KR 970018117A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- fine pattern
- manufacturing
- semiconductor device
- alignment
- alignment mark
- Prior art date
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
본 발명은 미세 패턴을 갖는 반도체소자의 제조에 있어서 정확한 정렬을 가능하게 하기 위한 것으로, 사진공정을 1회 추가하여 정렬 마크가 있는 부위를 선택적으로 제거하여 막질간에 생기는 레이저의 간섭을 막아주어 산란광의 신호를 향상시켜 정렬도를 향상시킨다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도는 본 발명에 따른 정렬 마크 부위의 구조를 나타낸 단면도,
제2B도는 본 발명에 따른 정렬상태 표시 신호의 파형도.
Claims (1)
- 정렬 마크(10)를 갖는 웨이퍼 위에 미세 패턴으로서 패터닝될 하부막(20)을 형성한 후, 상기 미세 패턴의 형성을 위해 상기 하부막(20) 위에 포토레지스트를 도포하여 상부층(30)을 형성하는 공정과; 상기 정렬 마크(10)바로 위의 상기 상부층(30)을 선택적으로 제거한 후, 상기 웨이퍼와 상기 미세 패턴의 형성을 위한 마스크의 정렬을 수행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 패턴을 갖는 반도체소자의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950031816A KR970018117A (ko) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | 미세 패턴을 갖는 반도체소자의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950031816A KR970018117A (ko) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | 미세 패턴을 갖는 반도체소자의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970018117A true KR970018117A (ko) | 1997-04-30 |
Family
ID=66615594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950031816A KR970018117A (ko) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | 미세 패턴을 갖는 반도체소자의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970018117A (ko) |
-
1995
- 1995-09-26 KR KR1019950031816A patent/KR970018117A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR970018117A (ko) | 미세 패턴을 갖는 반도체소자의 제조방법 | |
| KR950034748A (ko) | 포토레지스트 패턴 형성방법 | |
| KR930018661A (ko) | 콘택트홀의 형성방법 | |
| KR970008372A (ko) | 반도체장치의 미세 패턴 형성방법 | |
| KR960039113A (ko) | 정렬마크 형성방법 | |
| JPS6418223A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| KR970030390A (ko) | 반도체 장치의 웨이퍼 구조(a wafer structure for a semiconductor device) | |
| KR970003559A (ko) | 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법 | |
| KR970052600A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| KR960026539A (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
| KR930008952A (ko) | 반도체 기판 절단방법 | |
| JPS5759331A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| KR950027948A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR940004747A (ko) | 레지스트 패턴형성방법 | |
| KR970018028A (ko) | 반도체 장치의 금속 콘택 형성방법 | |
| KR960026209A (ko) | 미세콘택 형성방법 | |
| KR910019154A (ko) | 안티패턴효과패턴을 이용한 반도체장치의 식각방법 | |
| KR950025927A (ko) | 반도체장치 제조방법 | |
| KR970003660A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR960026275A (ko) | 산화막 패턴에 의한 금속 도선 형성방법 | |
| KR950030243A (ko) | 잔존 도전막 제거 방법 | |
| KR950012638A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| KR970054601A (ko) | 반도체 디바이스 제조공정의 금속층 패터닝(Patterning) 방법 | |
| KR970016761A (ko) | 건식식각이 가능한 포토마스크 제조방법 | |
| KR950021155A (ko) | 반도체소자의 미세패턴 형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |