KR970030390A - 반도체 장치의 웨이퍼 구조(a wafer structure for a semiconductor device) - Google Patents

반도체 장치의 웨이퍼 구조(a wafer structure for a semiconductor device)

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KR970030390A
KR970030390A KR1019950039889A KR19950039889A KR970030390A KR 970030390 A KR970030390 A KR 970030390A KR 1019950039889 A KR1019950039889 A KR 1019950039889A KR 19950039889 A KR19950039889 A KR 19950039889A KR 970030390 A KR970030390 A KR 970030390A
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장세연
조영진
장동희
김정렬
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김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체장치의 반도체기판으로 사용되는 웨이퍼의 구조에 관한 것으로서, 환형의 라운드 영역(14a)과 일부분이 일직선상으로 절단된 플랫 영역(14b)을 구비하고, 그리고 웨이퍼바코드인 레이저 마크부분(12)이 상기 웨이퍼의 플랫 영역(14b)에 대향하는 상부 라운드 영역(14a)내에 형성되어 있으며, 상기 레이져 마크부분(l2)의 웨이퍼바코드는 약 2μm정도의 깊이를 갖는 홀로 이루어지며, 그리고 상기 레이져 마크부분(12)은 소프트마킹에 의해 형성된다. 이와같이, 형성된 웨이퍼는 레이저 마크부분의 홑내에 남아 있는 감광막이 완전히 세정될 수 있도록 하여서 후속하는 패턴화공정에서 양호한 미세패턴이 형성될 수 있고, 그리고 감광막의 분진에 의한 G-결함의 발생을 방지할 수 있다.

Description

반도체 장치의 웨이펴 구조
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3a도는 본 발명에 의한 웨이퍼구조를 보여주는 평면도.
제3b도는 제3a도의 도시된 레이저 마크부분의 홑 깊이를 보여주는 부분적 단면도.

Claims (3)

  1. 반도체장치의 반도체기판으로 사용되는, 환형의 라운드 영역(14a)과 일부분이 일직선상으로 절단된 플랫영역(14b)을 구비한 웨이퍼에 있어서, 웨이퍼바코드인 레이저 마크부분(12)이 상기 웨이퍼의 플랫 영역(14b)에 대향하는 상부 라운드 영역(14a)내에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 웨이퍼구조.
  2. 제l항에 있어서, 상기 레이저 마크부분(12)의 웨이퍼바코드는 약 2μm정도의 깊이를 갖는 홀로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치의 웨이퍼구조.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 레이저 마크부분(12)은 소프트 마킹에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 웨이퍼구조.
KR1019950039889A 1995-11-06 1995-11-06 반도체 장치의 웨이퍼 구조(a wafer structure for a semiconductor device) KR970030390A (ko)

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