JPS5932131A - Ｘ線露光転写法および転写用マスク - Google Patents
Ｘ線露光転写法および転写用マスクInfo
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- JPS5932131A JPS5932131A JP57142117A JP14211782A JPS5932131A JP S5932131 A JPS5932131 A JP S5932131A JP 57142117 A JP57142117 A JP 57142117A JP 14211782 A JP14211782 A JP 14211782A JP S5932131 A JPS5932131 A JP S5932131A
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- ray
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- thin film
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、大規模集積回路（ＬＳＩ）などの製造に用い
られる微細パターン転写用のＸ線露光転写法およびそれ
に用いる転写用マスクに関するものである。
られる微細パターン転写用のＸ線露光転写法およびそれ
に用いる転写用マスクに関するものである。
微細パターン転写用のＸ線露光転写法に用いるマスクと
して従来より様々な種類のものが提案されているが、現
在では、シリコン基板をフレームとし、それに窒化シリ
コンやポリイミド樹脂などの薄膜を張り、この薄膜に金
（Ａｕ）により軟Ｘ線の吸収層を選択的に形成すること
によって、所望の回路パターンを有する例えば正方形な
ど所定形状寸法の露光領域とその周囲を囲むＸ線吸収マ
スク領域とを形成したものが主流となっている。
して従来より様々な種類のものが提案されているが、現
在では、シリコン基板をフレームとし、それに窒化シリ
コンやポリイミド樹脂などの薄膜を張り、この薄膜に金
（Ａｕ）により軟Ｘ線の吸収層を選択的に形成すること
によって、所望の回路パターンを有する例えば正方形な
ど所定形状寸法の露光領域とその周囲を囲むＸ線吸収マ
スク領域とを形成したものが主流となっている。
ところで、Ａｕが存在する軟Ｘ線吸収部分における軟Ｘ
線の透過率に対するＡｕの無い軟Ｘ線透過部分における
軟Ｘ線の透過率の比は、例えばＡｕの層の実用的な厚さ
１μｍ位のマスクでは、大きくても約１０倍であり、一
般にはそれ以下である。
線の透過率に対するＡｕの無い軟Ｘ線透過部分における
軟Ｘ線の透過率の比は、例えばＡｕの層の実用的な厚さ
１μｍ位のマスクでは、大きくても約１０倍であり、一
般にはそれ以下である。
このようにマスクによるＸ線透過強度比が比較的小さく
ても、ＸｔＩＡリングラフィにおける焼付パターンのコ
ントラストは、半導体ウエノ）上のレジストのコントラ
スト、即ちγ値を高くすることで実用上充分なほど良好
にすることができるが、パターン焼付後のレジストの加
工精度を考慮するとそれにも限界があり、従ってマスク
によるＸ線透過強度比の低下は極力避けるべきである。
ても、ＸｔＩＡリングラフィにおける焼付パターンのコ
ントラストは、半導体ウエノ）上のレジストのコントラ
スト、即ちγ値を高くすることで実用上充分なほど良好
にすることができるが、パターン焼付後のレジストの加
工精度を考慮するとそれにも限界があり、従ってマスク
によるＸ線透過強度比の低下は極力避けるべきである。
一般的にＸ線露光転写用マスクは前述の如く薄膜がシリ
コン製フレームに太鼓の皮のように張られた状態で支持
されて構成されており、薄膜で形成されたマスク表面の
平面度を保つためには、太鼓と同様にフレームを円形リ
ングとするのが最も好ましく、これは薄膜内の応力が方
向によって変わらないようにするのに円が最も適した形
状であるからである。
コン製フレームに太鼓の皮のように張られた状態で支持
されて構成されており、薄膜で形成されたマスク表面の
平面度を保つためには、太鼓と同様にフレームを円形リ
ングとするのが最も好ましく、これは薄膜内の応力が方
向によって変わらないようにするのに円が最も適した形
状であるからである。
一方、量産されるＬＳＩのうち最高集積度のものについ
ては、加工寸法の微小化とそれに伴う位置合わせ精度の
高度化の要求により、直径１００絹や１２５ｍ５の半導
体ウェハ上に一度にパターンを焼付ける方式よりも、ウ
ェハ表面を複数ブロックに分けて、固定したマスクに対
してウェハをステップ移動させては次々と焼付ける所謂
ステップアンドリピート方式のほうが大勢を占める傾向
にある。これは、ウェハ表面の処理プロセスの段階によ
り、ウェハが全体的に伸縮又は部分的に歪み、ウェハ全
面を一括して焼付ける方式であるとウェハ全面にわたっ
て良好なアライメント状態を確保できないのが主な理由
である。この傾向は光学レンズによる投影焼付けだけで
なく、Ｘ線による焼付けにおいても当然あてはまること
である。ステップアンドリピート方式の露光装置では１
回の露光領域の形状は矩形であり、上述したフレーム形
状の最適な形が円形であることと相客れない点で問題で
ある。
ては、加工寸法の微小化とそれに伴う位置合わせ精度の
高度化の要求により、直径１００絹や１２５ｍ５の半導
体ウェハ上に一度にパターンを焼付ける方式よりも、ウ
ェハ表面を複数ブロックに分けて、固定したマスクに対
してウェハをステップ移動させては次々と焼付ける所謂
ステップアンドリピート方式のほうが大勢を占める傾向
にある。これは、ウェハ表面の処理プロセスの段階によ
り、ウェハが全体的に伸縮又は部分的に歪み、ウェハ全
面を一括して焼付ける方式であるとウェハ全面にわたっ
て良好なアライメント状態を確保できないのが主な理由
である。この傾向は光学レンズによる投影焼付けだけで
なく、Ｘ線による焼付けにおいても当然あてはまること
である。ステップアンドリピート方式の露光装置では１
回の露光領域の形状は矩形であり、上述したフレーム形
状の最適な形が円形であることと相客れない点で問題で
ある。
第１図は従来のＸ線露光転写用マスクの一例を示す平面
図、第２図は第１図Ａ−Ａ線矢視断面図、第５図はこの
マスクを用いてステップアンドリピート方式により行な
うＸ線露光転写法の態様を示す説明図、第４図はこの転
写の際のＸ＠点照射重なり具合を模式的に示す平面図で
ある。
図、第２図は第１図Ａ−Ａ線矢視断面図、第５図はこの
マスクを用いてステップアンドリピート方式により行な
うＸ線露光転写法の態様を示す説明図、第４図はこの転
写の際のＸ＠点照射重なり具合を模式的に示す平面図で
ある。
第１図および第２図に示すように、従来のＸ線露光転写
用マスク（１）は、シリコン製の円形リングフレーム（
２）と、その下端面に太鼓の皮のように張られて支持さ
れた窒化シリコン又はポリマー製の薄膜（３）とからな
り、薄膜（３）の下面には、Ａｕにより所望回路パター
ン（図示せず）が形成されている露光領域（４）と、そ
の周囲に前記露光領域（４）を画定するように一面のＡ
ｕ層（５）で形成されたＸ線吸収マスク領域（６）とが
設けられている。すなわち第１図に正方形０１で示した
境界の内側の前記露光領域（４）がその回路パターンを
ウェハに１回の露光で焼付ける部分で、正方形（１＠の
外部はマスク領域（６）のＡｕ層（５）で−面に覆われ
ている。前記７レーム（２）は、シリコン板を異方性エ
ツチングによりエツチングした残りの部分であり、上端
面の内周縁（７）と下端面の内周縁（８）とを結ぶ内周
壁（９）がエツチングの、停止した境界であり、内周壁
（９）Ｉ／′ｉ上広がりのテーパー状である。
用マスク（１）は、シリコン製の円形リングフレーム（
２）と、その下端面に太鼓の皮のように張られて支持さ
れた窒化シリコン又はポリマー製の薄膜（３）とからな
り、薄膜（３）の下面には、Ａｕにより所望回路パター
ン（図示せず）が形成されている露光領域（４）と、そ
の周囲に前記露光領域（４）を画定するように一面のＡ
ｕ層（５）で形成されたＸ線吸収マスク領域（６）とが
設けられている。すなわち第１図に正方形０１で示した
境界の内側の前記露光領域（４）がその回路パターンを
ウェハに１回の露光で焼付ける部分で、正方形（１＠の
外部はマスク領域（６）のＡｕ層（５）で−面に覆われ
ている。前記７レーム（２）は、シリコン板を異方性エ
ツチングによりエツチングした残りの部分であり、上端
面の内周縁（７）と下端面の内周縁（８）とを結ぶ内周
壁（９）がエツチングの、停止した境界であり、内周壁
（９）Ｉ／′ｉ上広がりのテーパー状である。
このようなマスク＜１）を用いてステップアンドリピー
ト方式のＸ線露光転写を行なう場合のウニへ上での露光
状態は、第３図に示す通りである。第３図において第１
および２図と同一符号は対応する部分を示し、マスク（
１）けウェハθυの直上に固定され、その上方から線源
部（［３によりＸ線の照射を受ける。
ト方式のＸ線露光転写を行なう場合のウニへ上での露光
状態は、第３図に示す通りである。第３図において第１
および２図と同一符号は対応する部分を示し、マスク（
１）けウェハθυの直上に固定され、その上方から線源
部（［３によりＸ線の照射を受ける。
線源部（１邊は、真空の内部に電子ビーム発生用の電子
銃０．１と、この電子銃ａ３）からの電子ビームの照射
を受けて軟Ｘ線を発生する金属ターゲラ） （１，４１
とを備えており、ターゲラ）（１４）から生じた軟Ｘ線
は窓ａ四から外部へ照射されるようになされている。
銃０．１と、この電子銃ａ３）からの電子ビームの照射
を受けて軟Ｘ線を発生する金属ターゲラ） （１，４１
とを備えており、ターゲラ）（１４）から生じた軟Ｘ線
は窓ａ四から外部へ照射されるようになされている。
またこの窓θ８から見たターゲット部分の軟Ｘ、Ｉ！放
射面（ｇ子ビーム照射面）の大きさｓｔｔｍ源の見かけ
の大きさと云い、これは小さければ小さいほど好ましく
、一般的には幅寸法で８＝２〜５ＩＩＩ１１程度である
。尚θｅけシャッタである。
射面（ｇ子ビーム照射面）の大きさｓｔｔｍ源の見かけ
の大きさと云い、これは小さければ小さいほど好ましく
、一般的には幅寸法で８＝２〜５ＩＩＩ１１程度である
。尚θｅけシャッタである。
この図の例ではマスク（１）が前述のように固定配置さ
れ、その下でウェハαυが図中左方向にストロークＸの
ステップ量でステップ移動する。従って（Ｐｌ）は図示
状態にてマスク（１）の躍光領域（４）の回路パターン
が露光転写されたウェハ０１表面上の被露光領域（チッ
プ）であり、（Ｐｚ）は次のステップ移動によって露光
転写される被露光領域（チップ）であり、それらの間の
間隔部分（Ｄ）は通常スクライブ線ないしダイシング線
と呼ばれるチップとチップの分離領域で、その幅寸法（
８ｚ）は極力小さいはうが良いことは述べるまでもない
０第３図において、マスク（１）のフレーム（２）の内
側のマスク領域（６）部分に照射された軟Ｘ線は、その
Ａｕ層（５）によって吸収されるものの一部力ζ透過し
てウェハ０．ＬＪの被露光領域（Ｐｌ）の周辺部を照射
する。この周辺部の照射強度はマスク（１）の露光領域
（４）による被露光領域（Ｐｌ）への軟Ｘｔｓ照射強度
より小さく、一般的な場合でその比が１；１０程度にな
ることは前述した通りである。しかしながら、ステップ
アンドリピート方式による場合、わずかではあるが前記
周辺部への余分なＸ線照射が隣り合う被露光領域（チッ
プ）を感光させてしまう。
れ、その下でウェハαυが図中左方向にストロークＸの
ステップ量でステップ移動する。従って（Ｐｌ）は図示
状態にてマスク（１）の躍光領域（４）の回路パターン
が露光転写されたウェハ０１表面上の被露光領域（チッ
プ）であり、（Ｐｚ）は次のステップ移動によって露光
転写される被露光領域（チップ）であり、それらの間の
間隔部分（Ｄ）は通常スクライブ線ないしダイシング線
と呼ばれるチップとチップの分離領域で、その幅寸法（
８ｚ）は極力小さいはうが良いことは述べるまでもない
０第３図において、マスク（１）のフレーム（２）の内
側のマスク領域（６）部分に照射された軟Ｘ線は、その
Ａｕ層（５）によって吸収されるものの一部力ζ透過し
てウェハ０．ＬＪの被露光領域（Ｐｌ）の周辺部を照射
する。この周辺部の照射強度はマスク（１）の露光領域
（４）による被露光領域（Ｐｌ）への軟Ｘｔｓ照射強度
より小さく、一般的な場合でその比が１；１０程度にな
ることは前述した通りである。しかしながら、ステップ
アンドリピート方式による場合、わずかではあるが前記
周辺部への余分なＸ線照射が隣り合う被露光領域（チッ
プ）を感光させてしまう。
このため露光転写されたウニへ上のレジストの焼付パタ
ーンのコントラスト低下、従ってエツチング精度の低下
をもたらす。第４図はこの露光転写時のＸ線照射の周辺
部での重なり具合を模式的に示しており、今、チップ（
Ｐｌ）から順にチップ（Ｐり、チップ（Ｐａ）、チップ
（Ｐａ）とステンブ状に露光転写する場合を考える。マ
スク（１）のフレーム（２）の下端面内周縁（８）と露
光領域（４）との間のマスク領域（６）の部分が露光量
３ｔｃ （４）のＡｕパターン以外のＸ線透過部の１７
１０のＸ線透過量を持っているとすると、チップ（Ｐｌ
）の露光転写時にウェハ上でこのマスク領域（６）の部
分に対応するのは１前記内周縁（８）に対応した円（Ｃ
１）と露光領域（４）の境界の正方形ＱＯに対応した正
方形（ＳＱ、ｔ ）との間の領域である。このような領
域がチップ（Ｐｚ）ＣＰり（Ｐａ）のそれぞれの露光転
写の際に生じ、第４図では、サフィックスを揃えて、前
記円（Ｏｘ）に対応する円（Ｃ２） （Ｃｓ） （Ｃ４
）、および正方形（ＳＱｔ ）に対応する正方形（８（
ｈ ） （５Ｑ３） （ＳＱ４ ）をそれぞれチップ（
Ｐｚ） （Ｐｓ） ＣＰａ ）の露光転写時に対応づけ
て示しである。このように第４図で円（Ｃ１） （Ｃｚ
） （Ｃ３） （Ｃ４）同士の重りとして示されるよう
な隣接チップ間および斜め対角線方向に隣接するチップ
間での周辺Ｈ光域の重なりが生じ、例えば４つのチップ
（Ｐｌ） （Ｐｇ） （Ｐａ） （Ｐａ ）の角隅が集
まる部分では、中心部（Ｎ）即ち４つの円（ＣＩ） （
Ｃｓ） （Ｃｓ） （Ｃ４）の重なり部分に、マスクを
介して合わせて４回のＸ線照射が行なわれ、従ってこの
中心部（Ｎ）内のチップ内領域シこは、露光領域による
１回の正規のＸ線照射のほかにそれぞれ他のチップの露
光転写時のマスク領域（６）を透過した１／１０の照射
量の余分な照射が３回ずつ行なわれることになる。同様
に中心部（Ｎ）の周囲に張り出して形成されている４つ
のくさび状の部分（Ｍｉ） （Ｍｔ ）（Ｍｎ ）（Ｍ
４） Ｋ ｈ 合計３ 回ノＸ ｍ照射が行なわれ、そ
れぞれのチップ内領域には１／１０の照射量の余分な照
射が２回ずつ行なわれるととに’ｌる。
ーンのコントラスト低下、従ってエツチング精度の低下
をもたらす。第４図はこの露光転写時のＸ線照射の周辺
部での重なり具合を模式的に示しており、今、チップ（
Ｐｌ）から順にチップ（Ｐり、チップ（Ｐａ）、チップ
（Ｐａ）とステンブ状に露光転写する場合を考える。マ
スク（１）のフレーム（２）の下端面内周縁（８）と露
光領域（４）との間のマスク領域（６）の部分が露光量
３ｔｃ （４）のＡｕパターン以外のＸ線透過部の１７
１０のＸ線透過量を持っているとすると、チップ（Ｐｌ
）の露光転写時にウェハ上でこのマスク領域（６）の部
分に対応するのは１前記内周縁（８）に対応した円（Ｃ
１）と露光領域（４）の境界の正方形ＱＯに対応した正
方形（ＳＱ、ｔ ）との間の領域である。このような領
域がチップ（Ｐｚ）ＣＰり（Ｐａ）のそれぞれの露光転
写の際に生じ、第４図では、サフィックスを揃えて、前
記円（Ｏｘ）に対応する円（Ｃ２） （Ｃｓ） （Ｃ４
）、および正方形（ＳＱｔ ）に対応する正方形（８（
ｈ ） （５Ｑ３） （ＳＱ４ ）をそれぞれチップ（
Ｐｚ） （Ｐｓ） ＣＰａ ）の露光転写時に対応づけ
て示しである。このように第４図で円（Ｃ１） （Ｃｚ
） （Ｃ３） （Ｃ４）同士の重りとして示されるよう
な隣接チップ間および斜め対角線方向に隣接するチップ
間での周辺Ｈ光域の重なりが生じ、例えば４つのチップ
（Ｐｌ） （Ｐｇ） （Ｐａ） （Ｐａ ）の角隅が集
まる部分では、中心部（Ｎ）即ち４つの円（ＣＩ） （
Ｃｓ） （Ｃｓ） （Ｃ４）の重なり部分に、マスクを
介して合わせて４回のＸ線照射が行なわれ、従ってこの
中心部（Ｎ）内のチップ内領域シこは、露光領域による
１回の正規のＸ線照射のほかにそれぞれ他のチップの露
光転写時のマスク領域（６）を透過した１／１０の照射
量の余分な照射が３回ずつ行なわれることになる。同様
に中心部（Ｎ）の周囲に張り出して形成されている４つ
のくさび状の部分（Ｍｉ） （Ｍｔ ）（Ｍｎ ）（Ｍ
４） Ｋ ｈ 合計３ 回ノＸ ｍ照射が行なわれ、そ
れぞれのチップ内領域には１／１０の照射量の余分な照
射が２回ずつ行なわれるととに’ｌる。
このようにマスク（１）のＡｕが存在する部分と存在し
ない部分とのＸＩｓ透過率の比が仮に１：１０であった
としても中心部（Ｎ）内の転写回路パターン部分におけ
るＡｕ パターン部と透過部とのＸ線露光量の比は実
質的に４＝１３となってしまい、転写焼付けされたウェ
ハ表面上のレジストパターンのフントラストの低下、従
ってレジストパターンのエツチング等加工精度の低下を
招き、極端な場合にはパターン焼付は自体が不首尾に終
る結果となる。
ない部分とのＸＩｓ透過率の比が仮に１：１０であった
としても中心部（Ｎ）内の転写回路パターン部分におけ
るＡｕ パターン部と透過部とのＸ線露光量の比は実
質的に４＝１３となってしまい、転写焼付けされたウェ
ハ表面上のレジストパターンのフントラストの低下、従
ってレジストパターンのエツチング等加工精度の低下を
招き、極端な場合にはパターン焼付は自体が不首尾に終
る結果となる。
本発明の目的は、前述の問題点を解決してステップアン
ドリピート方式のＸ線露光転写に際し必要な回路パター
ン露光領域で全域にわたりコントラストの高いレジスト
像を得ることのできる方法およびそれに使用するマスク
を提供することにある。
ドリピート方式のＸ線露光転写に際し必要な回路パター
ン露光領域で全域にわたりコントラストの高いレジスト
像を得ることのできる方法およびそれに使用するマスク
を提供することにある。
すなわち、この目的を達成するための本発明のＸ線露光
転写法では、所定の転写パターンの露光領域を有する転
写用マスクと、このマスクに予しめ定められた間隔寸法
ｄを介して対面するウェハとを、相対的に所定量ずつ移
動させては、見かけの大きさＳの線源からのＸ線を前記
マスクを介して前記ウェハに照射することを繰り返すＸ
線露光転写法において、前記線源と前記マスクとの間に
前記マスクの露光領域に対応した広さの窓を有するＸ線
遮へい体を配置し、前記線源から前記マスク上に照射さ
れるＸＰＡが前記露光領域以外の部分に広がらないよう
にすると共に、前記線源から前記遮へい体までの距離を
ｔｌ、遮へい体からマスクまでの距離をｔ２とするとき
、（ｔ２ ＋ｄ ） ８ ／Ａｔで定まる値が、前記露
光領域に対応して予しめ設定されたウェハ上の被露光領
域相互間の間隔幅寸法より小さくなるようにするもので
ある。
転写法では、所定の転写パターンの露光領域を有する転
写用マスクと、このマスクに予しめ定められた間隔寸法
ｄを介して対面するウェハとを、相対的に所定量ずつ移
動させては、見かけの大きさＳの線源からのＸ線を前記
マスクを介して前記ウェハに照射することを繰り返すＸ
線露光転写法において、前記線源と前記マスクとの間に
前記マスクの露光領域に対応した広さの窓を有するＸ線
遮へい体を配置し、前記線源から前記マスク上に照射さ
れるＸＰＡが前記露光領域以外の部分に広がらないよう
にすると共に、前記線源から前記遮へい体までの距離を
ｔｌ、遮へい体からマスクまでの距離をｔ２とするとき
、（ｔ２ ＋ｄ ） ８ ／Ａｔで定まる値が、前記露
光領域に対応して予しめ設定されたウェハ上の被露光領
域相互間の間隔幅寸法より小さくなるようにするもので
ある。
また本発明の前記Ｘ線露光転写法に使用する転写用マス
クは、前記Ｘ線遮へい体としての遮へい板を組合せて一
体化してなり、その構成として、所定の転写パターンの
露光領域を形成した薄膜およびこの薄膜を囲周支持する
フレームを備えてなるマスク本体に、前記薄膜と予しめ
定められた間隔寸法で対面するように、前記薄膜上に照
射されるＸ線が前記露光領域以外の部分に広からないよ
うにするＸ１ｆｓ遮へい板を取付けたことを特徴として
いる。
クは、前記Ｘ線遮へい体としての遮へい板を組合せて一
体化してなり、その構成として、所定の転写パターンの
露光領域を形成した薄膜およびこの薄膜を囲周支持する
フレームを備えてなるマスク本体に、前記薄膜と予しめ
定められた間隔寸法で対面するように、前記薄膜上に照
射されるＸ線が前記露光領域以外の部分に広からないよ
うにするＸ１ｆｓ遮へい板を取付けたことを特徴として
いる。
ひとつの態様において前記Ｘ線遮へい板は前記薄膜の露
光領域に対応した広さのＸ線透過用の窓を有し、前記Ｘ
、＠遮へい板と前記フレームとが相互の組立の際の前記
薄膜の露光領域と前記恕との位置の整合を一義的に決定
する整合部を備えている。
光領域に対応した広さのＸ線透過用の窓を有し、前記Ｘ
、＠遮へい板と前記フレームとが相互の組立の際の前記
薄膜の露光領域と前記恕との位置の整合を一義的に決定
する整合部を備えている。
また別の態様では、前記Ｘ線遮へい板がその周縁部で前
記フレームの端面内周寄り部分に形成されたエツチング
段部に嵌合されている。
記フレームの端面内周寄り部分に形成されたエツチング
段部に嵌合されている。
本発明を実施例図面と共に詳述すれば以下の通りである
。
。
第５図は本発明のＸ線露光転写法の態様を示す説明図で
、第３図と固−符号性同効のものを示している。第５図
において、マスク（１）の直上にはＸ線遮へい体０７）
がマスクと平行に配置され、線源から遮へい体ａηまで
の間の距離をｔ、％遮へい体ａ７）からマスク（１）ま
での距離をｔ２とすると、（ｔ、＋ｄ）Ｓｌｔｌｏ値が
チップ間分配領域（スクライプｌｓ）の幅寸法＆以下に
なるようにそれぞれ位置関係が定められている。
、第３図と固−符号性同効のものを示している。第５図
において、マスク（１）の直上にはＸ線遮へい体０７）
がマスクと平行に配置され、線源から遮へい体ａηまで
の間の距離をｔ、％遮へい体ａ７）からマスク（１）ま
での距離をｔ２とすると、（ｔ、＋ｄ）Ｓｌｔｌｏ値が
チップ間分配領域（スクライプｌｓ）の幅寸法＆以下に
なるようにそれぞれ位置関係が定められている。
遮へい体（［７）はその中央部にマスク（１）の露光領
域（４）に対応したはは同じ大きさ形状のＸ線透過用の
窓θ樽を有し、窓ａｇＪ以外の部分で前記線源から前記
マスク（１）上に照射される波長１〜１０Ａ程度の軟Ｘ
線が露光領域（４）内以外に広がらないようにするｘｍ
遮へい機能を果すものである。一般的にはこの遮へい体
αηはニッケルやスチールの薄板をエツチングにより窓
θ棒としての開口を形成してなるものが用いられる。
域（４）に対応したはは同じ大きさ形状のＸ線透過用の
窓θ樽を有し、窓ａｇＪ以外の部分で前記線源から前記
マスク（１）上に照射される波長１〜１０Ａ程度の軟Ｘ
線が露光領域（４）内以外に広がらないようにするｘｍ
遮へい機能を果すものである。一般的にはこの遮へい体
αηはニッケルやスチールの薄板をエツチングにより窓
θ棒としての開口を形成してなるものが用いられる。
Ｘ線遮へい体θカを第５図に示すような配置でマスク（
１１に対し固定し、線源０りからの軟Ｘ線で露光すると
、遮へい体（１７）の窓ａ８の縁部によるウェハαｌ）
上での半影ボケ量ａは近似的に で表わされる。
１１に対し固定し、線源０りからの軟Ｘ線で露光すると
、遮へい体（１７）の窓ａ８の縁部によるウェハαｌ）
上での半影ボケ量ａは近似的に で表わされる。
従ってこのａの値がスクライブ線の幅寸法Ｓｔ以下であ
れば、ステップアンドリピート方式の露光転写において
瞬接チップが部分的に過度ｖｃＸ線のかぶりを受けるこ
とがなくなり、ＬＳＩ等の半導体デバイスの製造におい
て歩留の向上および良品率の向上が達成されるものであ
る。また逆Ｋａ。
れば、ステップアンドリピート方式の露光転写において
瞬接チップが部分的に過度ｖｃＸ線のかぶりを受けるこ
とがなくなり、ＬＳＩ等の半導体デバイスの製造におい
て歩留の向上および良品率の向上が達成されるものであ
る。また逆Ｋａ。
値を小さく定めればＳｔをａに近づけてスクライブ線を
細幅にし、従ってウニへ上のチップ配列に自由度が増す
という利点が得られるものである。
細幅にし、従ってウニへ上のチップ配列に自由度が増す
という利点が得られるものである。
ｍｌ 記半影ボケ量ａは、ウェハ０υ上のチップ間のス
クライブ線の幅寸法＆に比べて小さければ小さいほどよ
く、従ってこの目的のために＠源の見かけの大きさＳを
小さくするために線源部０々を第５図で時計方向に若干
傾むけて配置することは本発明において好ましいことで
あり、また線源から遮へい体０７）までの距離ｔ１を大
きくすることも照射線量が不足しない限りにおいて半影
ボケ量ａを小さくすることおよびボケ部分を被露光領域
に近づけ得ることによって有効である。
クライブ線の幅寸法＆に比べて小さければ小さいほどよ
く、従ってこの目的のために＠源の見かけの大きさＳを
小さくするために線源部０々を第５図で時計方向に若干
傾むけて配置することは本発明において好ましいことで
あり、また線源から遮へい体０７）までの距離ｔ１を大
きくすることも照射線量が不足しない限りにおいて半影
ボケ量ａを小さくすることおよびボケ部分を被露光領域
に近づけ得ることによって有効である。
一例としてｚ１＝１５０鰭、ｚ、＝Ｑ、３ｍ、ｄ＝＝０
、０２ ｍｌｌ、Ｓ ＝ ２’ ｗｍの場合、ａ ＝
０．００４６ｓＩｍ（＝４．３μｍ）となり、スクライ
ブ線幅Ｓｔは一般的に８０μｍ位であるので、半影ボケ
の悪影響は全く生じない。
、０２ ｍｌｌ、Ｓ ＝ ２’ ｗｍの場合、ａ ＝
０．００４６ｓＩｍ（＝４．３μｍ）となり、スクライ
ブ線幅Ｓｔは一般的に８０μｍ位であるので、半影ボケ
の悪影響は全く生じない。
逆にＳｔ ＝ ８０μｍを設定条件としてそのときの６
２の上限を求めてそこに遮へい体０７）を配置するよう
にしてもよい。この場合−例としてＳ＝ ２＋ｕ、ｄ
： ｏ、 ０２１Ｍおよび（ｔｘ＋ｔｚ） ＝ １５０
ｍが装置の仕様上固定値であるとすれば、 の関係になる。
２の上限を求めてそこに遮へい体０７）を配置するよう
にしてもよい。この場合−例としてＳ＝ ２＋ｕ、ｄ
： ｏ、 ０２１Ｍおよび（ｔｘ＋ｔｚ） ＝ １５０
ｍが装置の仕様上固定値であるとすれば、 の関係になる。
従って６２≦５．７ＩＩＩｍとなり、マスク（１）の薄
Ｈら、（３）から約５闘上方に遮へい体（［７）を対面
位置してもその窓（Ｊ枠の縁部によるウニへ上での半影
ボケｌｉａはＳｔ以下となる。もちろん薄膜（３）と遮
へい体ａ７）とを密着（ｚｚ＝０）させることが最も良
いことは明らかである。
Ｈら、（３）から約５闘上方に遮へい体（［７）を対面
位置してもその窓（Ｊ枠の縁部によるウニへ上での半影
ボケｌｉａはＳｔ以下となる。もちろん薄膜（３）と遮
へい体ａ７）とを密着（ｚｚ＝０）させることが最も良
いことは明らかである。
このように遮へい体θＤの位置けａ ＜ ８１ を満
足する範囲内で任意に決定できるものである。
足する範囲内で任意に決定できるものである。
第６図および第７図は本発明の方法に使用するために特
に準備されたＸ線露光転写用マスクを示すもので、第６
図の遮へい体α力として薄いニッケルないしスチール等
金属遮へい板（１１７）をマスクのフレームに取り付け
て、遮へい板付マスクとしである。
に準備されたＸ線露光転写用マスクを示すもので、第６
図の遮へい体α力として薄いニッケルないしスチール等
金属遮へい板（１１７）をマスクのフレームに取り付け
て、遮へい板付マスクとしである。
第６図および第７図において、マスク本体（１０１）は
、所定の転写用回路パターンを形成した露光領域（１０
４）およびその周囲のマスク領域（１０６）を有する窒
化シリコン或いはポリイミド樹脂製等の薄膜（１０３）
と、この薄膜（１０３）の周囲を支持するシリコン製円
形リング状フレーム（１０２） トを備えており、この
マスク本体（１０１）の前記フレーム（１０２）の上端
面に前記ｘ５遮へい板（１１７）が取付けられ一体化さ
れている。遮へい板（１１７）は、前記薄膜（１０３）
の露光領域（１０４）の平面形状と同形状で同様の大き
さのｘｇ透過用の窓（１１８）を有し、またその外形は
円形の一部（１１９）を平らに切欠いた形状となってい
る。マスク本体（１０１）のフレーム（１０２）は円板
状シリコン基体をエツチングにより加工成形して得れば
よく、この場合、フレーム内孔部は比較的ラフな精度の
エツチングにより上端面側内周縁（１０７）とそれぞれ
小径の下端面側内周縁（１０８）とで画定されるテーパ
ー状内周壁（１０９）まで成形される。フレーム（１０
２）の下端面の内周寄りには、前記遮へい板（１１７）
の平面外形と合致する形状の四部（１２０）がエツチン
グにより形成され、この凹部（１２０）内に遮へい板（
１１７）が嵌ｆ合うことで両者の露光領域（１０４）と
窓（１１８）との位置の整合が一義的に定まるようにな
されている。
、所定の転写用回路パターンを形成した露光領域（１０
４）およびその周囲のマスク領域（１０６）を有する窒
化シリコン或いはポリイミド樹脂製等の薄膜（１０３）
と、この薄膜（１０３）の周囲を支持するシリコン製円
形リング状フレーム（１０２） トを備えており、この
マスク本体（１０１）の前記フレーム（１０２）の上端
面に前記ｘ５遮へい板（１１７）が取付けられ一体化さ
れている。遮へい板（１１７）は、前記薄膜（１０３）
の露光領域（１０４）の平面形状と同形状で同様の大き
さのｘｇ透過用の窓（１１８）を有し、またその外形は
円形の一部（１１９）を平らに切欠いた形状となってい
る。マスク本体（１０１）のフレーム（１０２）は円板
状シリコン基体をエツチングにより加工成形して得れば
よく、この場合、フレーム内孔部は比較的ラフな精度の
エツチングにより上端面側内周縁（１０７）とそれぞれ
小径の下端面側内周縁（１０８）とで画定されるテーパ
ー状内周壁（１０９）まで成形される。フレーム（１０
２）の下端面の内周寄りには、前記遮へい板（１１７）
の平面外形と合致する形状の四部（１２０）がエツチン
グにより形成され、この凹部（１２０）内に遮へい板（
１１７）が嵌ｆ合うことで両者の露光領域（１０４）と
窓（１１８）との位置の整合が一義的に定まるようにな
されている。
この四部のエツチングは遮へい板（１１７）の厚さ分程
度、例えば５０〜１００μｍ程度の深さだけ行なえばよ
く、従ってエツチング量自体はさほど多くないので極め
て精度の良い、例えば±５μ７１１程度のエツジ精度で
の加工が可能である。尚、こねに比較して前述のフレー
ム（１０２）の内孔部のエツチングは前述の如くラフで
よく、これはフレームの内周壁（１０９）が遮へい板（
１１７）の窓（１１８）の縁部よりも外方に位置するた
めであり、内周！ｆＨ１０９）の位置のＮ膜（１０３）
の露光領域（１０４）に対する精度も±１ｏｏ、ａ程度
の誤差が許容され得る。また一方、遮へい板（１１７）
の成形加工は一般的な方法で高精度に、例えば５μｍ以
下の精度で行なうことができる。このため−例としてこ
の遮へい板付きマスクを第５図の遮へい体αＤおよびマ
スク（１）の代りに用いて、線源から遮へい板（１１７
）までの距；■ｔ１＝１５０朋、遮へい板（１１７）か
ら薄膜（１０３）までの距離ｔ＊ ＝ ０．３１１１１
．線源の見かけの大きさＳ−２順、薄膜（１０３）から
ウェア表面までの距離（１＝０、０２ ｍ トすると、
半影ボケによるウェハ上でのボケｉａは前述と同様に約
４．３μｍとなり、前述のフレーム（１０２）四部（１
２０）の加工精度を考えに入れても、遮へい板（１１７
）の窓（１１８）は薄膜（１０３）の露光領域（１０４
）と１５μｍ以下の位置精度で一致するから、ステップ
アンドリピート方式での露光転写に際してチップ間のス
クライプ線幅が６０μｍ以上あれば隣接ないし対角線方
向に隣接するチップ間での露光の重なりは全くなくなり
、チップ全域にわたってコントラストの良好な焼付パタ
ーンが得られるようになる。
度、例えば５０〜１００μｍ程度の深さだけ行なえばよ
く、従ってエツチング量自体はさほど多くないので極め
て精度の良い、例えば±５μ７１１程度のエツジ精度で
の加工が可能である。尚、こねに比較して前述のフレー
ム（１０２）の内孔部のエツチングは前述の如くラフで
よく、これはフレームの内周壁（１０９）が遮へい板（
１１７）の窓（１１８）の縁部よりも外方に位置するた
めであり、内周！ｆＨ１０９）の位置のＮ膜（１０３）
の露光領域（１０４）に対する精度も±１ｏｏ、ａ程度
の誤差が許容され得る。また一方、遮へい板（１１７）
の成形加工は一般的な方法で高精度に、例えば５μｍ以
下の精度で行なうことができる。このため−例としてこ
の遮へい板付きマスクを第５図の遮へい体αＤおよびマ
スク（１）の代りに用いて、線源から遮へい板（１１７
）までの距；■ｔ１＝１５０朋、遮へい板（１１７）か
ら薄膜（１０３）までの距離ｔ＊ ＝ ０．３１１１１
．線源の見かけの大きさＳ−２順、薄膜（１０３）から
ウェア表面までの距離（１＝０、０２ ｍ トすると、
半影ボケによるウェハ上でのボケｉａは前述と同様に約
４．３μｍとなり、前述のフレーム（１０２）四部（１
２０）の加工精度を考えに入れても、遮へい板（１１７
）の窓（１１８）は薄膜（１０３）の露光領域（１０４
）と１５μｍ以下の位置精度で一致するから、ステップ
アンドリピート方式での露光転写に際してチップ間のス
クライプ線幅が６０μｍ以上あれば隣接ないし対角線方
向に隣接するチップ間での露光の重なりは全くなくなり
、チップ全域にわたってコントラストの良好な焼付パタ
ーンが得られるようになる。
尚、第６図および第７図の例では、遮へい板（１１７）
とフレーム（１０２）との位置の整合部は遮へい板（１
１７）の外周部およびフレーム（１０２）の四部（１２
０）とで構成しているが、例えばこの代りにフレーム上
に高さ５０〜１００μｍ程度の突出ビンをエツチングで
形成し、遮へい板にはこの突出ピンと嵌り合う孔をエツ
チング加工したものを用いてもよく、その他種々の整合
構造を適用できることは述べるまでもない。
とフレーム（１０２）との位置の整合部は遮へい板（１
１７）の外周部およびフレーム（１０２）の四部（１２
０）とで構成しているが、例えばこの代りにフレーム上
に高さ５０〜１００μｍ程度の突出ビンをエツチングで
形成し、遮へい板にはこの突出ピンと嵌り合う孔をエツ
チング加工したものを用いてもよく、その他種々の整合
構造を適用できることは述べるまでもない。
また第６図および第７図の例において、フレーム（１０
２）の四部（１２０）の底とフレーム下端面との間の厚
さ寸法が前記ｔ２ であるから、フレーム自体の厚さ
の選定むよび凹部（１２０）のエツチング深さの決定は
、設計条件としてｔ２を考慮に入れてなされることは勿
論である。
２）の四部（１２０）の底とフレーム下端面との間の厚
さ寸法が前記ｔ２ であるから、フレーム自体の厚さ
の選定むよび凹部（１２０）のエツチング深さの決定は
、設計条件としてｔ２を考慮に入れてなされることは勿
論である。
以上に述べたように本発明によれば、マスクの回路パタ
ーン部分に対して位置合わせされたＸｉ遮へい体を用い
るので、ステップアンドリピート方式によるＸ線露光転
写に際してチップ部分が不要なＸ＠露光を受けず、転写
パターン内全域Ｕζわたり焼付パターンのコントラスト
を一様に良好なものとすることができる。さらにマスク
の薄Ｄｍを支持する７レームを円形リング状のものとす
ることができるから平面度の優れたマスク面が得られ、
また遮へい体とマスクとの製作も高精度のものが容易に
得られるように自由度の大きい別体製作で可能であり、
従って高密度の微細パターンの転写を行なうＬＳＩ製造
用に好適なＸ線露光転写法が実現できるものである。
ーン部分に対して位置合わせされたＸｉ遮へい体を用い
るので、ステップアンドリピート方式によるＸ線露光転
写に際してチップ部分が不要なＸ＠露光を受けず、転写
パターン内全域Ｕζわたり焼付パターンのコントラスト
を一様に良好なものとすることができる。さらにマスク
の薄Ｄｍを支持する７レームを円形リング状のものとす
ることができるから平面度の優れたマスク面が得られ、
また遮へい体とマスクとの製作も高精度のものが容易に
得られるように自由度の大きい別体製作で可能であり、
従って高密度の微細パターンの転写を行なうＬＳＩ製造
用に好適なＸ線露光転写法が実現できるものである。
ｆａ１図は従来のＸ線露光転写用マスクの一例を示す平
面図、第２図は第１図Ａ−Ａ＠矢視断面図、第３図は従
来法によるステップアンドリピート方式のＸ線露光転写
法の態様を示す説明図、第４図は前置による転写の際の
Ｘ線照射の重なり王台を模式的に示す平面図、第５図は
本発明のＸ線露光転写法の一態様を示す説明図、第６図
は本発明の一実雀例に係る転写用マスクの平面図、第７
図は第６図Ｂ−Ｉ３線矢視断面図である。 １） （１ｏ１） ：転写用マスク、（２） （１０２
） ：フレーム、（３） （１０３） ：薄膜、（４）
（１０４） ： ｉｄ光領域、（５） ：Ａｕ Ｌ（
６）（１０６） ：マスク領域、θ１）：ウニ／・、α
り：線源部、Ｑ３） ： ｉｎ 子銃、０．４ ” 金
Ｆｊｉ ター’ｆ ｙ ） 、（＋７） ： Ｘ線遮へ
い体、θ槌：窓、（１１７） ： Ｘ線遮へい板、（１
１８） ：窓、（１１９） ：切欠平坦部、（１２０）
：四部。 代理人 弁理士 木 村 三 朗 １５８ 図 図 −Ｎ 示 水 図 Ｃつ ネ ヤ６０ オフ区
面図、第２図は第１図Ａ−Ａ＠矢視断面図、第３図は従
来法によるステップアンドリピート方式のＸ線露光転写
法の態様を示す説明図、第４図は前置による転写の際の
Ｘ線照射の重なり王台を模式的に示す平面図、第５図は
本発明のＸ線露光転写法の一態様を示す説明図、第６図
は本発明の一実雀例に係る転写用マスクの平面図、第７
図は第６図Ｂ−Ｉ３線矢視断面図である。 １） （１ｏ１） ：転写用マスク、（２） （１０２
） ：フレーム、（３） （１０３） ：薄膜、（４）
（１０４） ： ｉｄ光領域、（５） ：Ａｕ Ｌ（
６）（１０６） ：マスク領域、θ１）：ウニ／・、α
り：線源部、Ｑ３） ： ｉｎ 子銃、０．４ ” 金
Ｆｊｉ ター’ｆ ｙ ） 、（＋７） ： Ｘ線遮へ
い体、θ槌：窓、（１１７） ： Ｘ線遮へい板、（１
１８） ：窓、（１１９） ：切欠平坦部、（１２０）
：四部。 代理人 弁理士 木 村 三 朗 １５８ 図 図 −Ｎ 示 水 図 Ｃつ ネ ヤ６０ オフ区
Claims (4)
- （１）所定の転写パターンの露光領域を有する転写用マ
スクと、このマスクに予しめ定められた間隔寸法ｄを介
して対面するウェハとを、相対的に所定量ずつ移動させ
ては、見かけの大きさＳの線源からのＸ線を前記マスク
を介して前記ウェハに照射することを繰り返すＸ線露光
転写法において、前記線源と前記マスクとの間に前記マ
スクの露光領域に対応した広さの窓を有するＸ線速へい
体を配置すると共に、前記線源から前記遮へい体までの
距離を１．遮へい体からマスクまでの距離をｔ：とする
とき、（ｔｘ 十ｄ ） Ｓ／ｌ ｔで定まる値が、前
記露光領域に対応して予じめ設定されたウェハ上の被露
光領域相互間の間隔幅寸法より小さくなるようにして露
光することを特徴とするＸ線露光転写法。 - （２）所定の転写パターンの露光領域を形成した薄膜お
よびこの薄膜を囲周支持する７レームを備えてなるマス
ク本体に、前記薄膜と予じめ定められた間隔寸法で対面
するように、前記薄膜上に照射されるＸ線が前記露光領
域以外の部分に広がらないようにするＸ線速へい板を取
付けたことを特徴とするＸｍ露光転写用マスク。 - （３）前記Ｘ線速へい板が前記薄膜の露光領域に対応し
た広さのＸ線透過用の窓を有し、前記Ｘｉ遮へい板と前
記フレームとが相互の組立の際の前記薄膜の露光領域と
前記窓との位置の整合を一銭的に決定する整合部を備え
ていることを特徴とする特許請求の範囲第２項に記載の
Ｘ線露光転写用マスク。 - （４）前記Ｘ線速へい板がその周縁部で前記７レームの
端面内周寄り部分に形成されたエツチング段部に嵌合さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第２項に記載
のＸ線露光転写用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57142117A JPS5932131A (ja) | 1982-08-18 | 1982-08-18 | Ｘ線露光転写法および転写用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57142117A JPS5932131A (ja) | 1982-08-18 | 1982-08-18 | Ｘ線露光転写法および転写用マスク |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61109500A Division JPS621231A (ja) | 1986-05-15 | 1986-05-15 | Ｘ線露光転写用マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5932131A true JPS5932131A (ja) | 1984-02-21 |
| JPH0368531B2 JPH0368531B2 (ja) | 1991-10-28 |
Family
ID=15307797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57142117A Granted JPS5932131A (ja) | 1982-08-18 | 1982-08-18 | Ｘ線露光転写法および転写用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5932131A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60198726A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Hitachi Ltd | Ｘ線露光装置の露光量調整方法と装置 |
| JPH04263416A (ja) * | 1991-02-18 | 1992-09-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線マスク |
| US6403475B1 (en) * | 1999-06-18 | 2002-06-11 | Hitachi, Ltd. | Fabrication method for semiconductor integrated device |
| US11156123B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-10-26 | Mitsubishi Heavy Industries Engine & Turbocharger, Ltd. | Turbocharger |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5720434A (en) * | 1980-07-11 | 1982-02-02 | Mitsubishi Electric Corp | X-ray exposure transferring method and transferring apparatus therefor |
| JPS5745235A (en) * | 1980-09-02 | 1982-03-15 | Fujitsu Ltd | Exposure by x-ray |
-
1982
- 1982-08-18 JP JP57142117A patent/JPS5932131A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5720434A (en) * | 1980-07-11 | 1982-02-02 | Mitsubishi Electric Corp | X-ray exposure transferring method and transferring apparatus therefor |
| JPS5745235A (en) * | 1980-09-02 | 1982-03-15 | Fujitsu Ltd | Exposure by x-ray |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60198726A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Hitachi Ltd | Ｘ線露光装置の露光量調整方法と装置 |
| JPH04263416A (ja) * | 1991-02-18 | 1992-09-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線マスク |
| US6403475B1 (en) * | 1999-06-18 | 2002-06-11 | Hitachi, Ltd. | Fabrication method for semiconductor integrated device |
| US11156123B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-10-26 | Mitsubishi Heavy Industries Engine & Turbocharger, Ltd. | Turbocharger |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0368531B2 (ja) | 1991-10-28 |
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