JPS60198726A - Ｘ線露光装置の露光量調整方法と装置 - Google Patents
Ｘ線露光装置の露光量調整方法と装置Info
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- JPS60198726A JPS60198726A JP59054261A JP5426184A JPS60198726A JP S60198726 A JPS60198726 A JP S60198726A JP 59054261 A JP59054261 A JP 59054261A JP 5426184 A JP5426184 A JP 5426184A JP S60198726 A JPS60198726 A JP S60198726A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、ウェハ上にマスクパターンを転写。
焼付するに必要な所望露光量を安定して供給し得るに好
適なＸＷＡ露光装置の露光量調整方向と装置に関する。
適なＸＷＡ露光装置の露光量調整方向と装置に関する。
微細化する半導体パターンをウエノ１に転写する手段と
してＸ線露光によるものが採用されている。ウェハ上に
マスクパターンを良好に転写焼付するには、所、望の露
光量をウニ／Ｓに照射することが必要である。従来より
所望露光量の供給は、露光時間を調整して行われている
。すなわち、従来技術ではウエノ・に塗布された感光剤
のＸ線照度と、経験等によってめたＸ＠照度とにより上
記露光時間を決めていた。しかしＸ線源から照射される
Ｘ１ｍの照射量にはバラツキがあり、上記露光時間もこ
のバラツキにより調整する必要があるが、従来技術では
適切な調整手段がなく、良質のウエノ・を安定、かつ効
率的に得ることが困難であった。
してＸ線露光によるものが採用されている。ウェハ上に
マスクパターンを良好に転写焼付するには、所、望の露
光量をウニ／Ｓに照射することが必要である。従来より
所望露光量の供給は、露光時間を調整して行われている
。すなわち、従来技術ではウエノ・に塗布された感光剤
のＸ線照度と、経験等によってめたＸ＠照度とにより上
記露光時間を決めていた。しかしＸ線源から照射される
Ｘ１ｍの照射量にはバラツキがあり、上記露光時間もこ
のバラツキにより調整する必要があるが、従来技術では
適切な調整手段がなく、良質のウエノ・を安定、かつ効
率的に得ることが困難であった。
第１図に従来のＸｍ露光装置を示す。
Ｘ線源１からベリリウム窓３を介し筒５内に照射された
Ｘ線２は、ホルダ乙に装着されたマスク７に照射され、
ＸＹステージ９上に置かれたウニ八８上にマスクパター
ンを転写するよ５に形成される。
Ｘ線２は、ホルダ乙に装着されたマスク７に照射され、
ＸＹステージ９上に置かれたウニ八８上にマスクパター
ンを転写するよ５に形成される。
Ｘ線源１とベリリウム窓３と９間、又はベリリウム窓３
の前後にはＸ線源１からのＸ１ｍを開閉するシャッタ１
１が設けられ、この開閉時間によってＸ線露光量を調整
するようにしている。
の前後にはＸ線源１からのＸ１ｍを開閉するシャッタ１
１が設けられ、この開閉時間によってＸ線露光量を調整
するようにしている。
なお、筒５内はヘリウム雰囲気４で満され、ＸＩＭ強度
の低下を防止している。
の低下を防止している。
良質のウェハを得るには上記の露光時間を適切のものに
することが必要であるが、従来技術では、上記した如く
ウエノＳ８に塗布した感光剤のＸ線照度と、経験的に又
は過去にめた値を補正して得られたＸ艇照度とを基にし
て露光時間を其出し、これをタイマにセットし上記シャ
ッタ１１を図示しないシャッタスイッチにより開閉する
ものが採用されていた。
することが必要であるが、従来技術では、上記した如く
ウエノＳ８に塗布した感光剤のＸ線照度と、経験的に又
は過去にめた値を補正して得られたＸ艇照度とを基にし
て露光時間を其出し、これをタイマにセットし上記シャ
ッタ１１を図示しないシャッタスイッチにより開閉する
ものが採用されていた。
しかし、Ｘｆ！照度は常に一定とは限らず一長期的には
時間と共にＸ線源１のターゲットその他の劣化が生じ、
又、短期的には電圧、電流の変動やヘリウムの濃度変動
により露光中でもＸ線照度は変動する。従って、露光時
間を一定とすると露光量は変動し、この変動はウニ／Ｓ
８の転写、焼付結果に影響し、ノ（ターン線幅が変動し
て製品の性質をバラつかせてしま５欠点力１生ずる。
時間と共にＸ線源１のターゲットその他の劣化が生じ、
又、短期的には電圧、電流の変動やヘリウムの濃度変動
により露光中でもＸ線照度は変動する。従って、露光時
間を一定とすると露光量は変動し、この変動はウニ／Ｓ
８の転写、焼付結果に影響し、ノ（ターン線幅が変動し
て製品の性質をバラつかせてしま５欠点力１生ずる。
本発明は、上記欠点を解決するもので、その目的は一１
露光量を安定せしめウニ／Ｓ上に良好のマスクパターン
を形成するようにするＸｍ露光装置の露光量調整方法と
装置を提供することにあるＯ 〔発明の概要〕 本発明は、上記目的を達成するために、Ｘ線絡光装置内
のＸ＃ｌ照射域内におけるＸＩｆＭ照射量を検出し、こ
れを積算ｊると共に、ウニ・・上にマスクパターンを形
成するに必要な所望露光量をめ、これと上記積算された
Ｘ線照射量とを比較し、この結果により露光量を調整す
るようにしたＸ嶽露光装置の露光量調整方法と、この方
法を実施するに必要な装置であって、Ｘ線照糾Ｊ＋１４
＋ＩハＶ幼關糾番わ協用（ス鰺■興シ 給出されたＸ線
照射量を積算する積算器と、ウニＩ・上にマスクパター
ンを形成するに必要な所望露光量を記憶する無光量設定
器と、上記所望露光量と上記積算器によって積算された
Ｘ＠照射量とを比較する比較器と、該比較器からの信号
によりＸ線源からのＸＩＲの通過を開閉するシャッタを
調整するシャッタ調整器とを設けたＸｍ露光装置の無光
量調整装置とを特徴としたものである。
露光量を安定せしめウニ／Ｓ上に良好のマスクパターン
を形成するようにするＸｍ露光装置の露光量調整方法と
装置を提供することにあるＯ 〔発明の概要〕 本発明は、上記目的を達成するために、Ｘ線絡光装置内
のＸ＃ｌ照射域内におけるＸＩｆＭ照射量を検出し、こ
れを積算ｊると共に、ウニ・・上にマスクパターンを形
成するに必要な所望露光量をめ、これと上記積算された
Ｘ線照射量とを比較し、この結果により露光量を調整す
るようにしたＸ嶽露光装置の露光量調整方法と、この方
法を実施するに必要な装置であって、Ｘ線照糾Ｊ＋１４
＋ＩハＶ幼關糾番わ協用（ス鰺■興シ 給出されたＸ線
照射量を積算する積算器と、ウニＩ・上にマスクパター
ンを形成するに必要な所望露光量を記憶する無光量設定
器と、上記所望露光量と上記積算器によって積算された
Ｘ＠照射量とを比較する比較器と、該比較器からの信号
によりＸ線源からのＸＩＲの通過を開閉するシャッタを
調整するシャッタ調整器とを設けたＸｍ露光装置の無光
量調整装置とを特徴としたものである。
以下、本発明の実施に好適な実施例を図面に基づいて説
明する。
明する。
まず、本実施例の概要を説明する。
第２図において第１図と同一符号のものは同−物又は同
一機能のものを示す。
一機能のものを示す。
第２図に示す如く、ホルダ６内にはＸ線照射量を検出す
る検出器１２が設置され、この検出信号は増幅器１５を
経て上記Ｘ１ｍ照射量を積算する積算器１４に入力され
る。一方、露光量設定器１６には、ウニ／Ｓ９の転写、
焼付に必要な所望露光量が記憶されると共に、検出器１
２の特性および取付位置によって上記所望露光量を補正
してめられる補正所望露光量が記憶される。この補正所
望露光量と積算器１４の積算されたＸＭ照射量とが比較
器１５に入力される。比較器１５にはシャッタ１１を制
御するシャッタ調整器１７が連結され、補正所望露光量
と積算されたＸ線照射量の値が等しくなった時、シャッ
タ調整器１７はシャッタ１１を閉止すべ（動作する。
る検出器１２が設置され、この検出信号は増幅器１５を
経て上記Ｘ１ｍ照射量を積算する積算器１４に入力され
る。一方、露光量設定器１６には、ウニ／Ｓ９の転写、
焼付に必要な所望露光量が記憶されると共に、検出器１
２の特性および取付位置によって上記所望露光量を補正
してめられる補正所望露光量が記憶される。この補正所
望露光量と積算器１４の積算されたＸＭ照射量とが比較
器１５に入力される。比較器１５にはシャッタ１１を制
御するシャッタ調整器１７が連結され、補正所望露光量
と積算されたＸ線照射量の値が等しくなった時、シャッ
タ調整器１７はシャッタ１１を閉止すべ（動作する。
以上によりＸ線源１からのＸ線照度が変動しても、所望
露光量が確保されることになる。
露光量が確保されることになる。
次に、本実施例を更に詳しく説明する。
Ｘ線源１からのＸ線２は第２図に示す如く放射状に拡が
り−そのＸ巌照射域はマスク７の露光範囲以外にも達す
る。従って、マスク７の露光範囲外の邪魔にならない取
付位置にＸＷＭ２の照射量を検出する検出器１２を設置
することが可能である。図示の如く、本実施例では、ボ
ルダ６内のＸ線照射域内に検出器１２が取付けられてい
る。この取付位置は上記のＸ線照射域内の任意の位置で
よいが、取付位置補正量を少なくするためにはなるべく
マスク７の近傍が望ましい。
り−そのＸ巌照射域はマスク７の露光範囲以外にも達す
る。従って、マスク７の露光範囲外の邪魔にならない取
付位置にＸＷＭ２の照射量を検出する検出器１２を設置
することが可能である。図示の如く、本実施例では、ボ
ルダ６内のＸ線照射域内に検出器１２が取付けられてい
る。この取付位置は上記のＸ線照射域内の任意の位置で
よいが、取付位置補正量を少なくするためにはなるべく
マスク７の近傍が望ましい。
又、図示の如（、検出器１２は単数に限らず、複数個配
設し、それ等の平均値を採用するようにしてもよい。
設し、それ等の平均値を採用するようにしてもよい。
検出器１２の形式は特に限定するものでなく、一般に用
いられる半導体検出器や、ガスのイオン化電流を検出す
るようなものでよい。又、検出する波長帯域は軟Ｘ線帯
域に限る方が望ましいが、全Ｘ線強度の内、軟Ｘｉの占
める割合は一定と考えられるので、全波長帯域のＸ線を
検出するものであってもよい。
いられる半導体検出器や、ガスのイオン化電流を検出す
るようなものでよい。又、検出する波長帯域は軟Ｘ線帯
域に限る方が望ましいが、全Ｘ線強度の内、軟Ｘｉの占
める割合は一定と考えられるので、全波長帯域のＸ線を
検出するものであってもよい。
露光量設定器１６には、ウェハ８の感光剤の特性を始め
、検出器１２の特性、その取付位置とウェハ８の露光位
置との差からくる照度分布の差および照度差等の情報が
入力され、ウェハ８に良好な転写、焼付を行うに必要な
所望露光量が予め記憶されると共に、上記の各入方値に
よって補正された補正所望露光量が記憶される。従って
、ウェハ８に上記の補正所望露光量に相当するＸ線を照
影することにより、良質のウェハ８が得られることにな
る。
、検出器１２の特性、その取付位置とウェハ８の露光位
置との差からくる照度分布の差および照度差等の情報が
入力され、ウェハ８に良好な転写、焼付を行うに必要な
所望露光量が予め記憶されると共に、上記の各入方値に
よって補正された補正所望露光量が記憶される。従って
、ウェハ８に上記の補正所望露光量に相当するＸ線を照
影することにより、良質のウェハ８が得られることにな
る。
なお、積算器１４．比較器１５およびシャッタ調整器は
その機能を満足せしめる公知の機器がそれぞれ適用され
る。
その機能を満足せしめる公知の機器がそれぞれ適用され
る。
次に、本実施例の作用を第６図の流れ図により説明する
。
。
シャッタスイッチ１９を動作すると、シャッタ調整器１
７が動作し、シャッタ１１を開放し、Ｘ線が照射される
。同時に、シャッタスイッチ１９の動作により積算器１
４が動作し、照射されたＸ線照射量の積算を行う。この
信号は比較器１５に入力される。比較器１５には、露光
量設定器１６からの上記補正所望露光量が入力され、常
時又は適宜の間隔でこの補正所望露光量と積算されたＸ
線照射量が比較され、これが一致するとシャッタ調整器
１７に信号が送られる。この信号によりシャッタ１１は
閉止される。
７が動作し、シャッタ１１を開放し、Ｘ線が照射される
。同時に、シャッタスイッチ１９の動作により積算器１
４が動作し、照射されたＸ線照射量の積算を行う。この
信号は比較器１５に入力される。比較器１５には、露光
量設定器１６からの上記補正所望露光量が入力され、常
時又は適宜の間隔でこの補正所望露光量と積算されたＸ
線照射量が比較され、これが一致するとシャッタ調整器
１７に信号が送られる。この信号によりシャッタ１１は
閉止される。
検出器１２の特性やその取付位置が変れば、所望露光量
の補正値が変更され、補正所望無光量の値が変り、露光
時間が調整されるので上記の如く、検出器１２の選定、
取付等には特別の技術を必要とせず、簡便に実施するこ
とができる。
の補正値が変更され、補正所望無光量の値が変り、露光
時間が調整されるので上記の如く、検出器１２の選定、
取付等には特別の技術を必要とせず、簡便に実施するこ
とができる。
以上の説明によって明らかの如く、Ｘ線照度の変化に係
りな（、所要の露光量が確保され、良質パターンを有す
るウェハが安定して得られる効果が上げられる。
りな（、所要の露光量が確保され、良質パターンを有す
るウェハが安定して得られる効果が上げられる。
第１図は従来のＸ線露光装置の断面図、第２図は本発明
一実施例の構成図、第３図は実施例の作用を示す流れ図
である。 １・・・Ｘ森涼、２・・・Ｘ線、６・・・べ１７１Ｊウ
ム窓、４・・・ヘリウム雰囲気、５・・・筒、６・・・
ホルダ、７・・・マスク、８・・・ウェハー９・・弓σ
ステージ、１１・・・シャッタ、１２・・・検出器、１
３・・・増幅器、１４・・・積算計、１５・・・比較器
、１６・・・露光量設定器、１７・・・シャッタ調整器
、１９・・・シャツタスイッテ第 ｌ 記 第 ２図 ／７
一実施例の構成図、第３図は実施例の作用を示す流れ図
である。 １・・・Ｘ森涼、２・・・Ｘ線、６・・・べ１７１Ｊウ
ム窓、４・・・ヘリウム雰囲気、５・・・筒、６・・・
ホルダ、７・・・マスク、８・・・ウェハー９・・弓σ
ステージ、１１・・・シャッタ、１２・・・検出器、１
３・・・増幅器、１４・・・積算計、１５・・・比較器
、１６・・・露光量設定器、１７・・・シャッタ調整器
、１９・・・シャツタスイッテ第 ｌ 記 第 ２図 ／７
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｉ Ｘ線源からのＸ線をマスクに照射し、ウェハ上にマ
スクパターンを転写、焼付するＸ線露光装置の露光量調
整方法において、上記装置内のＸ線照射域内におけるＸ
線照射量を検出し、これを積算すると共に、上記ウェハ
上にマスクパターンを転写、焼付するに要する所望露光
量と積算された上記Ｘ線照射量とを比較し、上記マスク
に照射する露光量を調整するようにしたことを特徴とす
るＸ線露光装置の露光量調整方法。 ２、ｘ、＠源からシャッタを介し、所望の露光時間だけ
Ｘ線を照射し、ウェハ上にマスクパターｙを転写、焼付
するＸ線露光装置の露光量調整装置において、上記Ｘ線
露光装置のＸａ照射域内の適宜の取付位置に設置され、
Ｘ線照射量を検出する検出器と、該検出器による上記Ｘ
線照射量を積算する積算器と、上記マスクパターンを転
写、焼付するに要する所望露光量を予め記憶する露光量
設定器と、該露光量設定器の上記所望無光量と上記積算
器により積算されたＸ線照射量とを比較する比較器と、
該比較器からの信号により上記シャッタを調整するシャ
ッタ調整器とを備えることを特徴とするＸ線露光装置の
露光量調整装置。 ５、 上記露光量設定器の所望露光量が、上記検出器の
特性および該検出器の上記取付位置と上記ウェハの露光
位置との差による照度特性差によって補正された補正所
望露光量であることを特徴とする特許請求の範囲第２項
に記載のＸ線露光装置の露光量調整装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59054261A JPS60198726A (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | Ｘ線露光装置の露光量調整方法と装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59054261A JPS60198726A (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | Ｘ線露光装置の露光量調整方法と装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60198726A true JPS60198726A (ja) | 1985-10-08 |
Family
ID=12965617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59054261A Pending JPS60198726A (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | Ｘ線露光装置の露光量調整方法と装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60198726A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0357425A2 (en) | 1988-09-02 | 1990-03-07 | Canon Kabushiki Kaisha | An exposure apparatus |
| JPH0272612A (ja) * | 1988-09-08 | 1990-03-12 | Canon Inc | 露光装置 |
| US5172402A (en) * | 1990-03-09 | 1992-12-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| US5365561A (en) * | 1988-03-25 | 1994-11-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure control in an X-ray exposure apparatus |
| US5524131A (en) * | 1988-10-06 | 1996-06-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment apparatus and SOR x-ray exposure apparatus having same |
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| JPS56111223A (en) * | 1980-02-01 | 1981-09-02 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | X-ray exposuring device |
| JPS5771132A (en) * | 1980-10-21 | 1982-05-01 | Canon Inc | Exposure controlling system |
| JPS57101839A (en) * | 1980-12-18 | 1982-06-24 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Exposure device for wafer or photomask |
| JPS57169242A (en) * | 1981-04-13 | 1982-10-18 | Hitachi Ltd | X-ray transferring device |
| JPS5932131A (ja) * | 1982-08-18 | 1984-02-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Ｘ線露光転写法および転写用マスク |
-
1984
- 1984-03-23 JP JP59054261A patent/JPS60198726A/ja active Pending
Patent Citations (5)
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| US5822389A (en) * | 1988-10-06 | 1998-10-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment apparatus and SOR X-ray exposure apparatus having same |
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| US5377251A (en) * | 1990-03-09 | 1994-12-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
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